硅晶片的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種硅晶片的制造方法，該方法可使半導(dǎo)體設(shè)備形成區(qū)域的COP或氧析出核等晶體缺陷減少，可抑制設(shè)備形成工序中的熱處理時(shí)的滑移位錯(cuò)的發(fā)生。硅晶片的制造方法，具備如下工序：工序1，將由通過(guò)CZ法生成的硅單晶錠切成的原料硅晶片在氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為1300℃以上且1380℃以下進(jìn)行熱處理；工序2，對(duì)通過(guò)工序1得到的熱處理硅晶片進(jìn)行剝離處理，剝離該熱處理硅晶片表面的氧化膜；以及工序3，將通過(guò)工序2得到的被剝離硅晶片在非氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為1200℃以上且1380℃以下、升溫速度設(shè)為1℃/秒以上且150℃/秒以下進(jìn)行熱處理，使所得硅晶片的表面～深7μm的區(qū)域的氧濃度最大值達(dá)到1.3×1018atoms/cm3以下。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
括晶片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及由通過(guò)提拉法生成的娃單晶錠切成的娃晶片(娃晶圓）的熱處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于用作半導(dǎo)體設(shè)備形成用基板的娃晶片，要求在作為設(shè)備活性區(qū)域的晶片的表 層減少晶體原生粒子（ciTstal originated particles, COP)或激光散射斷層缺陷（laser scattering tomogra地y defects, LSTD)等W確保無(wú)缺陷。
[0003] 近年來(lái)，作為運(yùn)種娃晶片的高產(chǎn)率的制造方法，已知有對(duì)至少將形成半導(dǎo)體設(shè)備 的表面進(jìn)行了鏡面研磨的娃晶片實(shí)施快速升降溫?zé)崽幚?RTP: rapid thermal process) 的技術(shù)。
[0004] 例如，日本特表2001-509319號(hào)公報(bào)中記載著：將晶片在含氧環(huán)境中、在低于約 500化pma的氧分壓下、在超過(guò)1175°C的溫度下加熱不足60秒的單晶娃晶片的熱處理方法。 在上述熱處理方法中，由于是在W氣或氮為主的環(huán)境中進(jìn)行RTP，因此可大幅減少晶片表層 的 COP。
[0005] 但是，在運(yùn)種W惰性氣體為主要成分的環(huán)境中的RTP中，氧從晶片表層向外擴(kuò)散， 該晶片表層的氧濃度降低，因此在之后的半導(dǎo)體設(shè)備形成工序中的熱處理中，氧的針扎力 (pinning force,插針壓力)減弱。另外，還存在下述課題:該熱處理溫度越高，越容易發(fā)生 滑移位錯(cuò)。
[0006] 針對(duì)運(yùn)樣的課題，例如，日本特開(kāi)2010-129918號(hào)公報(bào)中記載著:在氧化性氣體的 爐內(nèi)環(huán)境中，對(duì)半導(dǎo)體晶片在looorw上且烙點(diǎn)W下的溫度下進(jìn)行熱處理，在其一部分表 層使氧向內(nèi)擴(kuò)散而導(dǎo)入氧，之后將半導(dǎo)體晶片取出到爐外并快速冷卻，從而在半導(dǎo)體晶片 的表層固定高的氧固溶度，表層成為高氧濃度區(qū)域部，可W將表層高強(qiáng)度化。
[0007] 在如日本特開(kāi)2010-129918號(hào)公報(bào)所記載的氧化性氣體環(huán)境中進(jìn)行RTP時(shí)，特別是 在熱處理溫度為1300°CW上時(shí)，可W溶解COP的內(nèi)壁氧化膜，消除C0P，而且，可W溶解在晶 體生成時(shí)產(chǎn)生的氧析出核。但是，由于是在氧化性氣體環(huán)境下進(jìn)行，所W晶片表層的氧濃度 高、氧析出核殘留，從而在之后的半導(dǎo)體設(shè)備形成工序中的熱處理中，在作為設(shè)備活性區(qū)的 晶片的表層有可能產(chǎn)生氧析出物(體微缺陷:bu化mic;r〇-defects(BMD))。

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引本發(fā)明W提供娃晶片的制造方法為課題，所述方法可W減少半導(dǎo)體設(shè)備形成區(qū)域 的COP或氧析出核等晶體缺陷，即使在設(shè)備形成工序中的熱處理中，也不會(huì)在設(shè)備形成區(qū)域 產(chǎn)生氧析出物，并且，可W抑制滑移位錯(cuò)的發(fā)生。
[0009] 本發(fā)明解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的課題，包含下述事項(xiàng)。
[0010] 目P，本發(fā)明的娃晶片的制造方法，其特征在于，具備如下工序:工序1，將由通過(guò)提 拉法下稱(chēng)作乂Z法"。）生成的娃單晶錠切成的原料娃晶片在氧化性氣體環(huán)境中、在最高 到達(dá)溫度設(shè)為1300°C W上且1380°C W下進(jìn)行熱處理;工序2，對(duì)通過(guò)工序1得到的熱處理娃 晶片進(jìn)行剝離處理，剝離該熱處理娃晶片表面的氧化膜；W及工序3,將通過(guò)工序2得到的被 剝離娃晶片在非氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為1200°CW上且1380°CW下、升溫 速度設(shè)為rC/秒W上且150°C/秒W下進(jìn)行熱處理，使所得娃晶片的表面~深7WI1的區(qū)域的 氧濃度最大值達(dá)到1.3 X l〇i8atoms/cm3 W下。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的娃晶片的制造方法，可W有效消除在娃單晶錠生成時(shí)產(chǎn)生的COP或 氧析出核。即，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)組合進(jìn)行使用規(guī)定的氧濃度的原料娃晶片在氧化性氣體環(huán) 境中在規(guī)定的條件下進(jìn)行熱處理的工序、剝離氧化膜的工序和在非氧化性氣體環(huán)境中在規(guī) 定的條件下進(jìn)行熱處理的工序，可W得到COP或氧析出核等晶體缺陷得到了充分降低的娃 晶片。使用運(yùn)樣的娃晶片時(shí)，即使在設(shè)備形成工序中的熱處理中，也不會(huì)在設(shè)備形成區(qū)域產(chǎn) 生氧析出物，并且，滑移位錯(cuò)的發(fā)生也得到抑制，因此可W提供強(qiáng)度優(yōu)異的半導(dǎo)體設(shè)備。
【附圖說(shuō)明】
[0012] 圖1是顯示本發(fā)明的娃晶片的制造方法的流程圖的圖。
[0013] 圖2是顯示從晶片表面起向深度方向的氧濃度的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014] 本發(fā)明的娃晶片的制造方法具備如下工序:工序1(步驟S1、S2)，將由通過(guò)CZ法生 成的娃單晶錠切成的原料娃晶片在氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為130(TC W上且 1380°C W下進(jìn)行熱處理;工序2 (步驟S3 )，對(duì)通過(guò)工序1得到的熱處理娃晶片進(jìn)行剝離處理， 剝離該熱處理娃晶片表面的氧化膜；W及工序3(步驟S4)，將通過(guò)工序2得到的被剝離娃晶 片在非氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為1200°CW上且1380°CW下、升溫速度設(shè)為1 °C/秒W上且150°C/秒W下進(jìn)行熱處理，使所得娃晶片的表面~深7WI1的區(qū)域的氧濃度最大 值達(dá)到1.3 X l〇i8atoms/cm3W下。
[0015] W下，對(duì)上述各要件進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書(shū)中，娃晶片還簡(jiǎn)稱(chēng) 為晶片。
[0016] 工序1是指將由通過(guò)CZ法生成的娃單晶錠切成的原料娃晶片在氧化性氣體環(huán)境 中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為1300°cw上且1380°CW下進(jìn)行熱處理的工序(步驟S1、S2)。
[0017] CZ法是指，將多晶娃填充在石英相蝸中，用加熱器進(jìn)行加熱、烙解，在該娃烙解液 上面浸入作為晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ)的小單晶作為種晶，邊使石英相蝸和種晶旋轉(zhuǎn)，邊提拉大口 徑的結(jié)晶棒。通過(guò)CZ法制造娃單晶時(shí)，從石英相蝸烙入的氧原子在高溫下彼此聚集。因此， 在CZ法中，通過(guò)控制相蝸的溫度、或石英相蝸和種晶的轉(zhuǎn)數(shù)等，可W制造 W所期望的濃度包 含氧的原料娃晶片。本發(fā)明中使用的原料娃晶片，其氧濃度通常為0.8~1.5Xl〇i8atoms/ cm3，優(yōu)選為0.9~1.3 X 10"atoms/cm3。原料娃晶片中的氧濃度在上述范圍時(shí)，在后述的工 序3中可有效減少娃晶片中的晶體缺陷，并且，可W得到強(qiáng)度優(yōu)異的娃晶片。需要說(shuō)明的是， 氧濃度是基于old-ASTM標(biāo)準(zhǔn)的換算值。
[0018] 對(duì)于如此操作而得到的原料娃晶片，在氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè)為 1300°CW上且1380°CW下進(jìn)行熱處理。通過(guò)將最高到達(dá)溫度設(shè)為上述范圍來(lái)進(jìn)行熱處理， 可有效消除在娃單晶錠的生成時(shí)形成的COP等空桐(空隙）缺陷、或因密度不均勻而產(chǎn)生的 氧析出核。運(yùn)里，認(rèn)為氧析出核是氧與空孔的復(fù)合體，根據(jù)熱處理?xiàng)l件生長(zhǎng)成由二氧化娃 (Si〇2)形成的氧析出物。最高到達(dá)溫度低于1300°C時(shí)，娃晶片中的氧的飽和濃度低，因此 COP內(nèi)壁氧化膜不易溶解，另外，晶格間娃(Si)的生成量也少，因此有時(shí)無(wú)法充分獲得COP的 消除效果。而且，有時(shí)氧析出核的消除效果也不充分。另一方面，若最高到達(dá)溫度超過(guò)1380 °C，則容易發(fā)生滑移位錯(cuò)等、或者例如有時(shí)會(huì)出現(xiàn)在晶片表面產(chǎn)生特異性缺陷等不良情形。
[0019] 運(yùn)里，對(duì)COP或氧析出核消除時(shí)的機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。被施行熱處理時(shí)，COP內(nèi)壁氧化 膜、即二氧化娃(Si〇2)膜溶解，空孔在原料娃晶片內(nèi)擴(kuò)散。如此一來(lái)，晶片內(nèi)存在的大量晶 格間娃進(jìn)入該空孔內(nèi)，空孔消失。但是，為了在氧化性氣體環(huán)境下進(jìn)行熱處理，在晶片的最 表層(距表面深約1皿），熱處理中的氧濃度接近飽和濃度，因此COP的內(nèi)壁氧化膜不易溶解， 存在著容易殘留COP的傾向。需要說(shuō)明的是，氧析出核通過(guò)熱處理在晶片內(nèi)溶解而消失。
[0020] 在工序1中，進(jìn)行熱處理時(shí)的升溫速度通常為10~150°C/秒，優(yōu)選為25~75°C/秒。 升溫速度根據(jù)最高到達(dá)溫度來(lái)適當(dāng)設(shè)定。即，最高到達(dá)溫度接近1300°C時(shí)，升溫速度降低， 最高到達(dá)溫度接近1380°C時(shí)，升溫速度變高。若升溫速度不足10°C/秒，則氧化速度變慢、晶 格間娃的過(guò)飽和度降低，因此有時(shí)COP的消除不充分，若超過(guò)150°C/秒，則有時(shí)容易發(fā)生滑 移位錯(cuò)。
[0021] 對(duì)氧化性氣體沒(méi)有特別限制，可W使用公知的氣體，但通常使用氧。氧化性氣體可 W是包含氧和惰性氣體的混合氣體。此時(shí)，氧氣體的分壓通常為20%W上且低于100%。氧氣 體的分壓低于20%時(shí)，氧化速度變慢，晶格間娃的過(guò)飽和度降低，因此有時(shí)COP的消除不充 分。
[0022] 另外，氧化性氣體流量通常為20slm(standard liter per minute,每分鐘標(biāo)準(zhǔn) 升）W上。氧化性氣體流量不足20slm時(shí)，腔內(nèi)空氣的排除或置換的效率變差，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生由 雜質(zhì)造成的污染。
[0023] 原料娃晶片通過(guò)熱處理加熱至最高到達(dá)溫度1300~1380°C后，通常保持5~60秒、 優(yōu)選10~30秒。通過(guò)將最高到達(dá)溫度下的保持時(shí)間設(shè)為上述范圍，可W減少在娃單晶錠生 成時(shí)產(chǎn)生的COP或氧析出核。
[0024] 在最高到達(dá)溫度1300~1380°C下保持規(guī)定時(shí)間后，將娃晶片降溫。此時(shí)的降溫速 度通常為150~25 °C /秒、優(yōu)選120~50°C /秒。
[0025] 如上所述，通過(guò)工序1，可有效消除在娃單晶錠生成時(shí)產(chǎn)生的COP或氧析出核。
[0026] 工序2是剝離形成于通過(guò)工序1得到的熱處理娃晶片的正反面(包括端面）的氧化 膜的工序(步驟S3)。若不剝離氧化膜，則在接下來(lái)的工序3中，非常難W降低晶片表層部的 氧濃度。
[0027] 熱處理娃晶片的正反面被氧化，被包含二氧化娃（Si〇2)的氧化膜覆蓋。該氧化膜 的厚度還取決于氧化性氣體的分壓和流通時(shí)間，但大體為5~30nm左右。
[0028] 形成于熱處理娃晶片的正反面的氧化膜，例如可通過(guò)將晶片浸在稀酸中使其溶解 而除去。稀酸只要是溶解氧化膜的稀酸即可，沒(méi)有特別限定，可W使用各種稀酸，例如可W 使用氨氣酸化F(aq))。
[0029] 工序3是將通過(guò)工序2得到的被剝離娃晶片在非氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫 度設(shè)為1200°C W上且1380°C W下、在升溫速度為rC /秒W上且150°C /秒W下進(jìn)行熱處理的 工序(步驟S4)。通過(guò)進(jìn)行工序3,可W降低因在工序1中在氧化性氣體環(huán)境下進(jìn)行了熱處理 而上升的晶片表層部的氧濃度，并且，還可W使殘留于最表層的COP消失。
[0030]在工序3中，當(dāng)最高到達(dá)溫度低于1200°C時(shí)，由于氧的擴(kuò)散速度慢，所W在降低娃 晶片表層部的氧濃度時(shí)費(fèi)時(shí)，最終的娃晶片的生產(chǎn)效率有時(shí)會(huì)降低。另一方面，若最高到達(dá) 溫度超過(guò)1380°C，則有時(shí)會(huì)在晶片正反面產(chǎn)生Si升華的特異性缺陷。
[0031 ] 工序3中的升溫速度為rc /秒W上且150 r /秒W下，優(yōu)選10 r /秒W上且90 r /秒 W下，更優(yōu)選為25°c/秒W上且75°C/秒W下。升溫速度小于rc/秒、即升溫速度過(guò)小時(shí)，在 工序3中有時(shí)會(huì)隨著加熱而在晶片表層部慢慢產(chǎn)生氧析出物。另一方面，當(dāng)升溫速度超過(guò) 150X7秒時(shí)，晶片發(fā)生滑移位錯(cuò)的危險(xiǎn)性變高。
[0032] 晶片在wrc/秒W上且150°C/秒W下的升溫速度升溫至最高到達(dá)溫度1200°CW 上且1380°CW下之后，為了降低表層的氧濃度，通常是直接保持1~60秒、優(yōu)選5~30秒。
[0033] 非氧化性氣體只要是不氧化晶片的氣體即可，沒(méi)有特別限定，可W使用公知的氣 體，但從不會(huì)形成氮化膜等膜、或者不會(huì)發(fā)生其他化學(xué)反應(yīng)等方面考慮，例如使用氣。
[0034] 在工序3中，通過(guò)進(jìn)行上述熱處理，可W降低因工序1而升高了的娃晶片表層部的 氧濃度。具體而言，如圖2所示，可W使娃晶片表面~深7WI1的區(qū)域的氧濃度最大值達(dá)到1.3 X l〇i8atoms/cm3W下。氧濃度的最大值超過(guò)1.3X l〇i8atoms/cm3時(shí)，容易形成氧析出核，在 半導(dǎo)體設(shè)備形成過(guò)程中，有可能出現(xiàn)表層部的氧析出核生長(zhǎng)而產(chǎn)生氧析出物的不良情形。 娃晶片表面~深7WI1的區(qū)域中的氧濃度可通過(guò)適當(dāng)調(diào)節(jié)原料娃晶片中的氧濃度、或工序3中 的升溫速度、最高到達(dá)溫度、和最高到達(dá)溫度下的保持時(shí)間來(lái)決定。
[0035] 在最高到達(dá)溫度下保持規(guī)定時(shí)間后，需要將娃晶片降溫。通過(guò)適當(dāng)控制該降溫過(guò) 程，可W在主體(bulk)層形成氧析出核、或者使其密度發(fā)生變化。降溫速度通常為150°C/秒 W下，優(yōu)選為120~5°C/秒。相對(duì)而言，若降溫速度快，則氧析出核的密度高，若降溫速度慢， 則氧析出核的密度降低。降溫速度低于5°C/秒時(shí)，不僅產(chǎn)率下降，而且到達(dá)高溫范圍后的熱 處理時(shí)間也變得非常長(zhǎng)，因此構(gòu)成裝置的部件因達(dá)到高溫而有可能劣化或破損。另一方面， 當(dāng)降溫速度超過(guò)150°C/秒時(shí)，晶片有時(shí)會(huì)發(fā)生滑移位錯(cuò)。
[0036] 在工序3之后，娃晶片可通過(guò)除去其雙面或單面的表面來(lái)精制。
[0037] 對(duì)除去方法并沒(méi)有特別限定，通常采用下述方法:經(jīng)由漿液使用研磨布對(duì)晶片雙 面或單面進(jìn)行滑動(dòng)加工。另外，有時(shí)還將通過(guò)磨石或平板研磨進(jìn)行的磨削加工和化學(xué)蝕刻 結(jié)合使用。
[0038] 通過(guò)W運(yùn)種方式精制晶片，可W除去高溫?zé)崽幚頃r(shí)的表面粗糖。 實(shí)施例
[0039] W下，根據(jù)實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步具體說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受下述實(shí)施例的限定。
[0040] [娃晶片的制造方法] 采用CZ法，通過(guò)控制提拉速度V與娃烙點(diǎn)~1300°C的溫度范圍內(nèi)的提拉軸方向的晶體 內(nèi)溫度梯度的平均值G之比V/G值，生成了由空孔優(yōu)勢(shì)區(qū)域構(gòu)成的娃單晶錠。將上述娃單晶 錠切片，對(duì)雙面進(jìn)行鏡面研磨，從而得到了原料娃晶片(直徑為300mm)。
[0041 ] 所得原料娃晶片的氧濃度為1.1 X l〇i8atoms/cm3、氮濃度為2.5X l〇i4atoms/cm3。 [00創(chuàng)讀施例1~10] 作為工序1，在100%氧(流量為20slm)環(huán)境下，升溫速度設(shè)為50°C/秒、最高到達(dá)溫度設(shè) 為1300~1380°C、最高溫度下的保持時(shí)間設(shè)為30秒、降溫速度設(shè)為120°C/秒，對(duì)原料娃晶片 進(jìn)行了熱處理。接著，作為工序2,通過(guò)用氨氣酸化F水溶液)清洗所得的熱處理娃晶片，將形 成于表面的氧化膜完全剝離。之后，作為工序3,在100%氣(流量為20slm)環(huán)境下，升溫速度 設(shè)為1~150°C/秒、最高到達(dá)溫度設(shè)為1200~1380°C、最高到達(dá)溫度下的保持時(shí)間設(shè)為1~ 60秒、降溫速度設(shè)為120°C/秒，進(jìn)行了熱處理，使娃晶片表面~深7WI1的區(qū)域的氧濃度最大 值達(dá)到1.3 X l〇i8atoms/cm3W下。
[0043] 對(duì)于得到的娃晶片，利用SIMS(seconda;ry ion mass spectromehy:二次離子質(zhì) 譜分析法）(AMETEK(株)CAMECA事業(yè)部制造 MS7f)，測(cè)定表面~深度方向的氧濃度，根據(jù)所得 的深度方向剖面圖評(píng)價(jià)了表面~深7WI1的區(qū)域的最大氧濃度。
[0044] 另外，假設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備形成過(guò)程的熱處理，在氮環(huán)境下，升溫速度為5X7分鐘、最 高到達(dá)溫度為l〇〇〇°C、最高到達(dá)溫度下的保持時(shí)間設(shè)為4小時(shí)，降溫速度設(shè)為5°C/分鐘，進(jìn) 行了熱處理。對(duì)于上述熱處理后的晶片，為了評(píng)價(jià)表層部的氧析出物的生成程度，在工序3 之后研磨至最大氧濃度位置W除去晶片表面~深7皿的部分，之后使用KLA-Tencor(株）制 造的Surfscan SP2,評(píng)價(jià)了 >40nm的LPD(Li曲t F*oint Defects,光點(diǎn)缺陷）數(shù)。再根據(jù)X射 線(xiàn)形貌術(shù)（（株)RIGAKU制造 XRT300)評(píng)價(jià)了該晶片中產(chǎn)生的滑移長(zhǎng)度。
[0045] 實(shí)施例1~10的制造條件和評(píng)價(jià)結(jié)果見(jiàn)表1。
[0046] [比較例1] 除了將工序3中的氧濃度最大值設(shè)為1.35 X l〇i8atoms/cm3(超過(guò)1.3 X l〇i8atoms/cm3的 濃度）W外，進(jìn)行了與實(shí)施例相同的操作。
[0047] [比較例2] 將工序3中的最高熱處理溫度設(shè)為1175°C，并控制娃晶片表面~深7WI1的區(qū)域的氧濃度 最大值使其達(dá)到1.50Xl〇i8atoms/cm3W下，除此之外，進(jìn)行了與實(shí)施例相同的操作。
[004引[比較例3] 除了將工序3中的最高熱處理溫度設(shè)為1385°CW外，進(jìn)行了與實(shí)施例相同的操作。 [0049][比較例4] 除了將工序3中的升溫速度設(shè)為0.5X7秒W外，進(jìn)行了與實(shí)施例相同的操作。
[00加][比較例引 除了將工序3中的升溫速度設(shè)為155TV秒W外，進(jìn)行了與實(shí)施例相同的操作。
[0051]比較例1~4的制造條件和評(píng)價(jià)結(jié)果見(jiàn)表1。
[0化2][表1]
在假設(shè)了半導(dǎo)體設(shè)備形成過(guò)程的熱處理后，在研磨除去扣m的晶片表層后的含40nm的 LTO評(píng)價(jià)中，在實(shí)施例1~10和比較例5中確認(rèn)到:氧析出物的產(chǎn)生量為在設(shè)備形成工序中不 會(huì)成為問(wèn)題的水平。另一方面，在比較例1、2和4中確認(rèn)到:LPD數(shù)超過(guò)10,000個(gè)，無(wú)法抑制氧 析出核的產(chǎn)生。需要說(shuō)明的是，在比較例2中，將工序3中的最高熱處理溫度設(shè)為1175°C，并 W娃晶片表面~深7皿的區(qū)域的氧濃度最大值達(dá)至ljl.3Xl〇i8atoms/cm3W下的方式進(jìn)行熱 處理時(shí)，確認(rèn)到：在降低娃晶片表層部的氧濃度方面費(fèi)時(shí)，最終的娃晶片的生產(chǎn)效率降低。 另外，比較例3的LTO數(shù)為2,017個(gè)，認(rèn)為產(chǎn)生了由高溫?zé)崽幚硪鸬奶禺愋匀毕荨?br>[0053] 在假設(shè)了半導(dǎo)體設(shè)備形成過(guò)程的熱處理后，在晶片中發(fā)生的滑移評(píng)價(jià)中，在實(shí)施 例1~10中幾乎沒(méi)有確認(rèn)到滑移位錯(cuò)。另一方面，在比較例5中，雖然LTO數(shù)少，但確認(rèn)到了滑 移位錯(cuò)。
[0054] 如上所述可知:在本發(fā)明中，通過(guò)使用規(guī)定的氧濃度的原料娃晶片在規(guī)定的條件 下進(jìn)行包含工序1和工序3的熱處理，可得到在設(shè)備形成區(qū)域COP或氧析出核等晶體缺陷充 分減少的娃晶片。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.硅晶片的制造方法，其特征在于，具備如下工序： 工序1，將由通過(guò)提拉法生成的硅單晶錠切成的原料硅晶片在氧化性氣體環(huán)境中、在最 高到達(dá)溫度設(shè)為1300°c以上且1380°C以下進(jìn)行熱處理； 工序2,對(duì)通過(guò)工序1得到的熱處理硅晶片進(jìn)行剝離處理，剝離該熱處理硅晶片表面的 氧化膜；以及 工序3,將通過(guò)工序2得到的被剝離硅晶片在非氧化性氣體環(huán)境中、在最高到達(dá)溫度設(shè) 為1200Γ以上且1380Γ以下、升溫速度設(shè)為1°C/秒以上且150°C/秒以下進(jìn)行熱處理，使所 得娃晶片的表面~深7μηι的區(qū)域的氧濃度最大值達(dá)到1.3 X 1018atoms/cm3以下。
【文檔編號(hào)】C30B33/02GK106048732SQ201610198592
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月1日 公開(kāi)號(hào)201610198592.1, CN 106048732 A, CN 106048732A, CN 201610198592, CN-A-106048732, CN106048732 A, CN106048732A, CN201610198592, CN201610198592.1
【發(fā)明人】須藤治生, 荒木浩司, 青木龍彥, 前田進(jìn)
【申請(qǐng)人】環(huán)球晶圓日本股份有限公司