一種調控BiVO₄全介孔納米帶材料的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種調控BiVO4全介孔納米帶材料的方法，屬于納米纖維技術領域。所述方法包括如下步驟：配置前驅體紡絲液：將聚乙烯吡咯烷酮(PVPK30)、聚乙烯吡咯烷酮(PVPK90)、五水合硝酸鉍(Bi(NO3)3·5H2O)、乙酰丙酮氧釩(VO(acac)2)溶解于溶劑中，攪拌均勻后加入發(fā)泡劑并繼續(xù)攪拌得前驅體紡絲液；將前驅體紡絲液進行靜電紡絲得到固態(tài)前驅體纖維；最后經煅燒處理即可得BiVO4全介孔納米帶材料。本發(fā)明通過調控原料成份，有效調控BiVO4全介孔納米帶的結構，且本發(fā)明調控BiVO4全介孔納米帶的方法簡單可控，具有很好的重復性。
【專利說明】
一種調控B i V04全介孔納米帶材料的方法
技術領域
[00〇1 ]本發(fā)明涉及一種調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，屬于納米纖維技術領域。【背景技術】
[0002]釩酸鉍(BiV04)—維納米材料因其具有無毒、化學穩(wěn)點性好、及其特定的幾何形態(tài)在構筑納米電子器件領域擔當重要的角色。全介孔結構的BiV04納米纖維在繼承傳統一維納米材料優(yōu)點的同時，又具備獨特的高比表面積和大孔容性質，在催化、能源、傳感、醫(yī)療等領域，具有更加廣泛的應用價值。然而，從實際應用和商業(yè)化的角度考慮，全介孔結構的 BiV04納米帶仍然需要進一步優(yōu)化調控，以求通過方便快捷的技術獲得性能得到強化的 BiV04材料。近期研究報道表明，一維全介孔結構的BiV04納米材料具有低密度以及較大的比表面積等新穎特性，因而如果能夠有效地在制備全介孔BiV04帶的同時，實現對全介孔一維纖維材料制備的調控，將協同提高BiV04材料的滲透性和吸附性，作為催化劑如光催化劑等領域具有十分誘人的應用前景。
[0003]納米材料的研究能夠契合到實際應用的重要基礎之一是實現其材料的簡便可控合成?；谏鲜隹烧{控的全介孔結構的BiV04納米帶的潛在的研究價值。目前國內外仍然沒有介孔納米帶的制備方法。因此，實現全介孔結構的BiV〇4納米帶的簡便可控制備，依然面臨著困難和挑戰(zhàn)。
【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的是針對現有的技術存在上述問題，提出了一種設備和工藝簡單可控，并具有很好的可重復性的調控BiV(k全介孔納米帶材料的方法。
[0005]本發(fā)明的目的可通過下列技術方案來實現:一種調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，所述方法包括如下步驟:
[0006]配置前驅體紡絲液:將聚乙烯吡咯烷酮(PVPK3Q，MW?40000)、聚乙烯吡咯烷酮 (PVPk9〇，Mw?1300000)、五水合硝酸鉍(Bi(N03)3 ? 5H2〇)、乙酰丙酮氧釩(V0(acac)2)溶解于溶劑中，攪拌均勻后加入不同含量的偶氮二甲酸二異丙酯(發(fā)泡劑，DIPA)并繼續(xù)攪拌得前驅體紡絲液；
[0007]將前驅體紡絲液進行靜電紡絲得到固態(tài)前驅體纖維；
[0008]將上述制得的固態(tài)前驅體纖維經煅燒處理，即可得BiV04全介孔納米帶材料。[〇〇〇9] 在上述調控BiV(k全介孔納米帶材料的方法中，所述聚乙烯吡咯烷酮(PVPK3Q，MW? 40000)與聚乙烯吡咯烷酮(PVPK9Q，MW?1300000)的質量比為2-4:1。[0〇1〇] 在上述BiV(k納米帶材料的制備方法中，所述五水合硝酸鉍(Bi(N03)3 ? 5H2〇)、乙酰丙酮氧釩(V0(acac)2)的質量比為1.5_2.5:1。
[0011]前驅體紡絲液的濃度主要是通過影響溶液粘度影響纖維的形貌及直徑。若前驅體紡絲液的濃度過低，在靜電紡絲中，溶液粘度極低，很難維持噴絲細流的連續(xù)性，不能形成穩(wěn)定的流體，而形成了噴射液滴，因此得到呈不規(guī)則塊狀體納米材料。若前驅體紡絲液的濃度過高，納米材料有粗有細，分布不均勻，甚至出現粘結現象，其原因在于，聚合物分子之間相互作用開始影響聚合物鏈的運動，聚合物分子鏈相互纏結，若濃度繼續(xù)增加，聚合物相互交穿，形成凍膠。高濃度的流體在針頭迅速干燥以及聚合物形成凍膠引起的流體在針頭流動的不穩(wěn)定，難于維持噴絲細流，同時造成噴頭粘連，使靜電紡絲無法進行。因此，在配制前驅體紡絲液中，需要控制好各原料之間的質量關系，從而使前驅體紡絲液達到合適的濃度， 進而形成很好纖維形貌，直徑分布均勻的納米纖維。本發(fā)明Bi(N03)3 ? 5H20提供Bi源；V0 (acac)2提供V源；同時添加不同比例分子質量的PVP(PVPK3Q和PVPK9Q，PVPK3()為Mw?40000、 PVPK9Q為Mw?1300000)，實現BiV〇4納米纖維到納米帶的制備，同時兩種PVP都可調控紡絲液的粘度且將在煅燒處理的過程中分解完全揮發(fā);本發(fā)明還添加有適量的發(fā)泡劑，發(fā)泡劑在煅燒處理的過程中釋放出大量的氣體從而實現對纖維基體造孔的目的。[0〇12]在上述調控BiV04全介孔納米帶材料的方法中，所述的溶劑為N，N-二甲基甲酰胺 (DMF)、無水乙醇和冰醋酸的混合液。DMF作用為乙酰丙酮氧烷的溶劑；乙醇作用為五水合硝酸鉍的溶劑;冰醋酸作為溶劑的同時，也為靜電紡絲溶液提供了醋酸根離子以提高可紡性能，在紡絲的過程中，由于靜電力的作用發(fā)泡劑均勻地分布于前驅體內部，經煅燒處理后分解揮發(fā)產生大量的氣體(N02、H02、C02等等)導致全介孔結構的形成；由于發(fā)泡劑含量的不同，最終形成不同內部結構的BiV〇4全介孔納米帶材料。[0〇13] 在上述調控BiV04全介孔納米帶材料的方法中，所述N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、無水乙醇和冰醋酸的質量比為4-6:4-6:4。作為優(yōu)選，所述N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、無水乙醇和冰醋酸的質量比為5:5:4。[〇〇14]在上述調控BiV04全介孔納米帶的方法中，所述的發(fā)泡劑為偶氮二甲酸二異丙酯 (DIPA)，發(fā)泡劑的添加量為占前驅體紡絲液總質量的3-15wt%。本發(fā)明納米帶采用發(fā)泡輔助靜電紡絲法制成全介孔結構，其中DIPA作為發(fā)泡劑加入可實現纖維基體造孔的目的。 [〇〇15]在上述調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法中，所述靜電紡絲的方法為:將前驅體紡絲液注入針管內，并置于微量注射栗上，金屬針頭作電紡絲陽極，錫箱或鐵絲網作接收材料的陰極，在高壓下進行靜電紡絲，然后從錫箱或鐵絲網上收集得到固態(tài)前驅體纖維。
[0016]靜電紡絲是一個簡單、靈活的制備纖維技術，其基本原理為:在高壓電場的作用下，懸于毛細管出口的前驅體紡絲液滴變形為泰勒錐。隨著電場強度的進一步提高，當液滴表面由于所帶電荷形成的靜電排斥力超過其本身的表面張力時，在泰勒錐的頂端形成液體細流，帶有電荷的液體細流在電場中流動，進一步受到拉伸作用，同時溶劑蒸發(fā)(或熔體冷卻)，成為纖維并沉積在接收裝置上，形成有機前驅體纖維材料。在靜電紡絲過程中，影響纖維性能的電紡參數主要有:前驅體紡絲液的濃度、紡絲電壓、陽極與陰極之間的距離和溶液流速等。[0〇17]在上述調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法中，靜電紡絲中前驅體紡絲液注入針管內的注射速度為0.15-0.25mm/min，靜電紡絲中所述陽極與陰極之間的距離為18cm-22cm，所述高壓為10kV-13kV。在本發(fā)明中，如果靜電紡絲的應用電壓過高，會導致所制備的納米帶因為靜電場力過大，使得納米帶的直徑過大，而且會在接收極出現粘結的現象。如果陰極與陽極的距離較短，會導致纖維在形成到接收極的這個過程中由于溶劑不能及時揮發(fā)，同樣的也會導致會在接收極出現粘結的現象。因此，綜合各因素，本發(fā)明靜電紡絲中陰極與陽極之間的距離為18cm-22cm，靜電紡絲應用的電壓為10kV-13kV〇[0〇18]在上述調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法中，靜電紡絲中所述從錫箱或鐵絲網上收集得到固態(tài)前驅體纖維還需要進行干燥處理。進一步優(yōu)選，所述干燥處理的溫度為60-100。。。
[0019]在上述調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法中，所述煅燒處理的溫度為480-520 °C，保溫時間為0.4-2h。且為了提高BiV04材料的結晶度，煅燒處理在空氣氣氛下進行。
[0020]本發(fā)明由納米纖維形成納米帶主要包括兩個方面:[0〇21 ] 原因一:前驅體溶液中，本發(fā)明添加了不同分子質量的PVP，分別為:PVPK30和 PVPK9Q，且PVPK3Q與PVPK9Q的質量比為2-4: 1，經過攪拌后PVPK3Q和PVPK9Q混合均勻。均勻透明的前驅體溶液進行靜電紡絲，會分成兩層，原因如下:在同等的靜電紡絲條件下，保證相同的場強(E)、流速(Q)、電流(I)、針頭到接收極的距離。根據Baumgarten和Rur 1 edge探索有關纖維直徑與粘度的關系的兩個方程式如下:
[0022]R = c ? n1/2.....(1)
[0023]R = c(I/Q)_2/3y 1/3....(2)[〇〇24]式中R為射流半徑，n為前驅體溶液的粘度，y為溶液的表面張力，Q為流速，I為電流，C為普通常量。從兩個方程式中，可以得知射流半徑R與前驅體的粘度n的平方根成正比， 與表面張力y的立方根成正比。對不同分子質量的PVP而言，粘度和表面張力都不相同，本發(fā)明使用的?￥?1(3〇和?￥?1(9()的粘度分別為:2.1-2.711^*8和39.5-45.811^*8。因此，具有兩種不同分子質量PVP的前驅體溶液在紡絲的過程中，較小分子質量的PVP射流過程中會分布在中間，而大分子質量的PVP會分布在外層，這樣在前驅體溶液中混合均勾的PVPk3〇和PVPk9〇 在紡絲纖維中分離開來從而形成了兩層。由于PVPk3〇的粘度和分子量都比PVPk9〇小，而PVPk3〇 相同質量的體積比較大，這樣會導致內層分布的PVPk3〇占有更大的體積，但是分子質量較小的PVPK30分子鏈沒有PVPK90長，導致強度不如PVPK90,所以在煅燒的過程中第一層會出現坍塌現象，從而形成了納米帶，添加不同比例的PVPK30和PVPK90,內部的塌陷程度不一樣，隨著 PVPK3Q含量的增加，內層所占體積也就越大，對陷越嚴重，納米帶的直徑也就會越大。BiV〇4 納米帶由納米纖維形成的原因一的機理圖如圖1。
[0025]原因二:靜電紡絲過程中，前驅體溶液在靜電場力的作用下經過射流落在接收極上形成纖維，這個過程中伴隨著溶劑的揮發(fā)。沒有添加PVPK30的時，所制備的樣品1為圓柱狀的納米纖維。當添加PVPK30及增加其含量后，由于PVPK30有吸收溶劑的作用，會導致溶劑揮發(fā)較慢。如圖2未添加PVPK3Q的樣品1和添加了 PVPK3Q的樣品2，樣品2在250 °C前，重量損失比例較樣品1多(樣品1和樣品2除了樣品2添加了 PVPK30以外，其他保持不變)，在430°C左右同樣有大部分質量損失，這是由PVPK30和PVPK90同時熱分解造成的。熱重結果說明，隨著PVPK30含量的增加，在前驅體中溶劑含量會增加，放在烘箱或者煅燒后，大量溶劑的揮發(fā)會導致納米纖維的塌陷，這也會導致納米帶的形成，這也與SEM觀察的結果相一致。[〇〇26]總之，本發(fā)明BiV04納米帶的形成是由于以上兩個原因共同作用的效果。
[0027]與現有技術相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點:[〇〇28]1、本發(fā)明通過調控原料成份，通過調控不同分子質量PVP含量，有效實現BiV〇4納米纖維制備BiV〇4納米帶材料的調控，通過控制發(fā)泡劑的含量，有效調控BiV〇4全介孔納米帶的結構。[〇〇29] 2、本發(fā)明調控BiV04全介孔納米帶的方法簡單可控，具有很好的重復性?！靖綀D說明】
[0030]圖1為本發(fā)明BiV〇4全介孔納米帶由納米纖維形成納米帶原因一的機理圖；[0〇31 ]圖2為本發(fā)明BiV〇4全介孔納米帶由納米纖維形成納米帶原因二中未添加PVPK30的樣品1和添加了 PVPK3Q的樣品2的前驅體的熱重圖；[〇〇32]圖3為本發(fā)明實施例1所制得的BiV〇4全介孔納米帶的低倍掃描電鏡(SEM)圖；[〇〇33]圖4為本發(fā)明實施例1所制得的BiV〇4全介孔納米帶的高倍掃描電鏡(SEM)圖；[〇〇34]圖5為本發(fā)明實施例1所制得的BiV〇4全介孔納米帶的XRD圖；[0〇35]圖6為本發(fā)明實施例1所制得的BiV〇4全介孔納米帶的Raman圖；[〇〇36]圖7為本發(fā)明實施例1所制得的BiV〇4全介孔帶的透射電鏡(TEM)圖；[〇〇37]圖8為本發(fā)明實施例1所制得的BiV〇4全介孔帶的高分辨透射電鏡(HRTEM)圖；[〇〇38]圖9為本發(fā)明實施例2所制得的BiV〇4全介孔納米帶的低倍掃描電鏡(SEM)圖；[〇〇39]圖10為本發(fā)明實施例2所制得的BiV〇4全介孔納米帶的高倍掃描電鏡(SEM)圖； [〇〇4〇]圖11為本發(fā)明實施例3所制得的BiV〇4全介孔帶材料的低倍掃描電鏡(SEM)圖；[〇〇411圖12為本發(fā)明實施例3所制得的BiV〇4全介孔帶的低倍掃描電鏡(SEM)圖；[〇〇42]圖13為本發(fā)明對比例中所制得的無介孔BiV〇4納米帶的低倍掃描電鏡(SEM)圖； [〇〇43]圖14為本發(fā)明對比例中所制得的無介孔BiV〇4納米帶的高倍掃描電鏡(SEM)圖?！揪唧w實施方式】[〇〇44]以下是本發(fā)明的具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明的技術方案作進一步的描述， 但本發(fā)明并不限于這些實施例。
[0045] 實施例1[〇〇46] 稱取聚乙烯吡咯烷酮(PVPK9Q)0.4g、聚乙烯吡咯烷酮(PVPK3Q)1.2g、五水合硝酸鉍 (Bi(N〇3)3 ? 5H2〇)l.21g和乙酰丙酮氧燒(V0(acac)2)0.662g溶解于2.5g無水乙醇、N-N二甲基甲酰胺(DMF) 2.5g和2g冰醋酸的混合液中，室溫下攪拌混合6小時后加入0.55g偶氮二甲酸二異丙酯(發(fā)泡劑，DIPA)并繼續(xù)攪拌得到淺褐綠色的透明溶液。將待紡的微乳液靜置后量取6ml注入塑料針管內，并置于微量注射栗上，設置推注速度為0.2mm/min。金屬針頭作電紡絲陽極，鐵絲網作接收材料的陰極，陽極與陰極之間的距離為20cm，在12kV高壓下進行靜電紡絲，制備有機前驅體纖維材料。然后將有機前驅體纖維材料置于80°C恒溫烘干箱內，獲得核固態(tài)的有機前驅體纖維。最后將固體有機前驅體置于石英舟中，在空氣氣氛下于500°C 保溫1小時進行煅燒處理，然后隨爐冷卻，制得BiV04納米材料。[〇〇47]制得的BiV〇4納米材料的低倍掃描電鏡(SEM)和高倍掃描電鏡(SEM)如圖3和圖4所示，表明所制備的材料為介孔納米帶。圖5和圖6為所制得的介孔納米帶的XRD圖和Raman圖， 證明了所制備的BiV04全介孔納米帶為單斜白鎢礦相BiV04。圖7和圖8分別為介孔納米帶材料的透射電鏡(TEM)圖和高分辨透射電鏡(HRTEM)圖，進一步證明BiV〇4納米帶為全介孔結構和BiV〇4全介孔納米帶為單斜白鎢礦相Bi V〇4。
[0048]實施例2
[0049]本實施例與實施例1的區(qū)別僅在于，本實施例中加入的偶氮二甲酸二異丙酯(發(fā)泡劑，DIPA)為1.16g，其他與實施例1相同，此處不再累述。
[0050]制得的BiV〇4納米材料的低倍掃描電鏡(SEM)和高倍掃描電鏡(SEM)如圖9和圖10 所示，表明所制備的材料為介孔納米帶。[0051 ] 實施例3
[0052]本實施例與實施例1的區(qū)別僅在于，本實施例中加入的偶氮二甲酸二異丙酯(發(fā)泡劑，DIPA)為1.85g，其他與實施例1相同，此處不再累述。[〇〇53]制得的B i V〇4納米材料的低倍掃描電鏡(SEM)和高倍掃描電鏡(SEM)如圖11和圖12 所示，表明所制備的材料為介孔納米帶。
[0054]對比例
[0055]本對比例與實施例1的區(qū)別僅在于，本對比例并未添加偶氮二甲酸二異丙酯(發(fā)泡劑，DIPA)，其他與實施例1相同，此處不再累述。[〇〇56]制得的BiV〇4納米材料的低倍掃描電鏡(SEM)和高倍掃描電鏡(SEM)如圖13和圖14 所示，表明所制備的材料并不是全介孔的納米帶。
[0057]將實施例1與對比例進行比較，表明在初始原料中發(fā)泡劑的量較少時，通過煅燒所制備的材料為介孔結構，說明添加少量的發(fā)泡劑已經可以獲得介孔的納米帶。
[0058]將實施例2與實施例1、對比例進行比較，隨著發(fā)泡劑的添加量的增加，增加到10 % wt時，可以獲得形貌和結構較好的全介孔納米帶。
[0059]將實施例3與實施例1、實施例2、對比例進行比較，隨著發(fā)泡劑的添加量的增加，增加到15%wt時，仍然可以獲得全介孔的納米帶，并且孔含量和大小都有所增加。
[0060]本發(fā)明的數據參數并不局限于上述實施例中，如聚乙烯吡咯烷酮(PVPK30)與聚乙烯吡咯烷酮(PVPK9Q)的質量比可以為2-4:1中的任意比:2.0:1，2.1:1，2.2:1，2.3:1，2.5:1， 2.8:1，3.2:1，2.5:1，3.6:1，3.8:1等;五水合硝酸鉍(81(勵3)3.51120)與乙酰丙酮氧釩(￥0 (acac)2)的質量比可以為 1.5-2.5:1中的任意比:1.5:1，1.8:1，2.1:1，2.2:1，2.4:1，2.5:1 等;發(fā)泡劑的添加量可以為占前驅體紡絲液總質量的3_15wt%中的任意值:3wt%、4wt%、 5wt%、8wt%、10wt%、12wt%、15wt% ;溶劑中N，N_二甲基甲酰胺(DMF)、無水乙醇和冰醋酸的質量比也可以為4-6:4-6:4中的任意比:4:4:4，4:5:4,5:4:4,5:5:4,6:4:4,6:5:4,5:6: 4，4:6:4等;靜電紡絲中前驅體紡絲液注入針管內的注射速度可以為0.15-0.25mm/min中的任意值:〇 ? 15mm/min、0 ? 16mm/min、0 ? 18mm/min、0 ? 21mm/min、0.22mm/min、0.25mm/min，靜電紡絲中陽極與陰極之間的距離可以為18cm-22cm中的任意值:18cm、19cm、2 lcm、22cm等，應用高壓可以為10kV-13kV中的任意值:10kV、10.5kV、llkV、11.5kV、12.5kV、13kV等;干燥處理的溫度可以為60-100°C 中的任意值:60 °C、65°C、70°C、75°C、85°C、90 °C、95°C、100;煅燒處理的溫度可以為480-520 °C中的任意值:480 °C、490 °C、510 °C、520等，保溫時間為0.4-2h 中的任意值:〇.411、0.511、0.611、0.811、1.211、1.511、1.811、211等。[〇〇61]本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權利要求書所定義的范圍。
【主權項】
1.一種調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟:配置前驅體紡絲液:將聚乙烯吡咯烷酮(PVPK30)、聚乙烯吡咯烷酮(PVPK90)、五水合硝酸鉍(Bi(N〇3)3 ? 5H20)、乙酰丙酮氧釩(VO(acac)2)溶解于溶劑中，攪拌均勻后加入發(fā)泡劑并 繼續(xù)攪拌得前驅體紡絲液；將前驅體紡絲液進行靜電紡絲得到固態(tài)前驅體纖維；將上述制得的固態(tài)前驅體纖維經煅燒處理，即可得BiV04全介孔納米帶材料。2.根據權利要求1所述的調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述聚乙烯 吡咯烷酮(PVPK30)與聚乙烯吡咯烷酮(PVPK9Q)的質量比為2-4:1 〇3.根據權利要求1所述的調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，所述五水合硝酸鉍(Bi (.)3.5出0)與乙酰丙酮氧釩(￥0(3〇3(:)2)的質量比為1.5-2.5:1。4.根據權利要求1所述的調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述的溶劑 為N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、無水乙醇和冰醋酸的混合液。5.根據權利要求4所述的調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述N，N-二 甲基甲酰胺(DMF)、無水乙醇和冰醋酸的質量比為4-6:4-6: 4。6.根據權利要求1所述的調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述的發(fā)泡 劑為偶氮二甲酸二異丙酯(DIPA)，發(fā)泡劑的添加量占前驅體紡絲液總質量的3-15wt%。7.根據權利要求1所述的調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述靜電紡 絲的方法為:將前驅體紡絲液注入針管內，并置于微量注射栗上，金屬針頭作電紡絲陽極， 錫箱或鐵絲網作接收材料的陰極，在高壓下進行靜電紡絲，然后從錫箱或鐵絲網上收集得 到固態(tài)前驅體纖維。8.根據權利要求7所述的調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，靜電紡絲中 前驅體紡絲液注入針管內的注射速度為0.15-0.25mm/min，靜電紡絲中所述陽極與陰極之 間的距離為18cm_22cm，所述高壓為10kV_13kV。9.根據權利要求7所述的調控BiV〇4全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，靜電紡絲中 所述從錫箱或鐵絲網上收集得到固態(tài)前驅體纖維還需要進行干燥處理。10.根據權利要求1所述的調控BiV04全介孔納米帶材料的方法，其特征在于，所述煅燒 處理的溫度為480-520°C，保溫時間為0.4-2h。
【文檔編號】C01G31/00GK106082333SQ201610452015
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月20日
【發(fā)明人】楊為佑, 劉華兵, 侯慧林, 鄭金桔
【申請人】寧波工程學院