一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及光伏太陽能領(lǐng)域，尤其涉及一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍。
【背景技術(shù)】
[0002]目前坩禍中的硅料的化料基本上是通過將玻璃棒伸入坩禍底部的中間位置來測量剩余硅料高度，從而來準確控制坩禍底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續(xù)的鑄錠質(zhì)量。
[0003]現(xiàn)有坩禍設(shè)計中，大部分的坩禍內(nèi)壁的底部基本上都是在同一個水平面上，這樣存在很大的問題，在多晶鑄錠中，鑄錠爐大部分在其頂部和側(cè)部分別設(shè)置頂部加熱器和側(cè)部加熱器，使得置于鑄錠爐中的坩禍內(nèi)壁的底部的中間位置溫度較低，而坩禍內(nèi)壁的底部的邊緣位置溫度較高，即其熱場呈現(xiàn)中間位置微凸的等溫面，底部都在同一個水平面上的坩禍的化料的剩余程度由坩禍的熱場決定，這就使得當坩禍底部的中間位置的硅料還有剩余時，坩禍底部的邊緣位置的硅料已化完，進而無法準確控制坩禍底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續(xù)的鑄錠質(zhì)量。
[0004]還有，目前多晶硅錠生產(chǎn)中存在的普遍問題是:在定向凝固過程中，硅料在坩禍四側(cè)和四角冷卻得快，坩禍中心冷卻得慢，這嚴重影響了多晶硅錠的成晶率，其原因就在于石墨坩禍底部和四周冷卻速度不一致，外側(cè)冷卻得快，底部冷卻得慢，所以不能實現(xiàn)外側(cè)和中心同步定向凝固。
[0005]最后，由于現(xiàn)有的制造多晶硅錠的坩禍的底面為平面，多晶鑄錠成核階段，可在坩禍底部任意位置成核并橫向長大，所以晶粒大小不受控制，不利于抑制枝晶生長，且晶粒大小不一，均勻性不好。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型所要解決的問題在于:提供一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍，其不僅能保證后續(xù)鑄錠質(zhì)量，同時保證多晶硅錠成晶率，還能抑制枝晶生長。
[0007]本實用新型解決技術(shù)問題采用如下技術(shù)方案:
[0008]一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍，包括坩禍本體，所述坩禍本體包括坩禍側(cè)壁、坩禍底壁和坩禍底板，所述坩禍底壁端部與坩禍側(cè)壁相連，所述坩禍側(cè)壁端部與坩禍底板端部相連，所述坩禍底壁中部與坩禍底板中部重合，且坩禍底壁端部的高度高于坩禍底板端部的高度，所述坩禍底壁端部和坩禍底板端部之間設(shè)有由坩禍底壁端部、坩禍底板端部和坩禍側(cè)壁所圍成的緩沖區(qū)。
[0009]優(yōu)選的，所述坩禍底壁中部和端部的厚度相等。
[0010]本實用新型的有益效果是:本實用新型在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，將坩禍底壁設(shè)計成曲面，在坩禍底壁下增設(shè)坩禍底板，不僅能保證后續(xù)鑄錠質(zhì)量，同時保證多晶硅錠成晶率，還能抑制枝晶生長。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型截面示意圖。
[0012]圖中標號:1為坩禍本體，11為坩禍側(cè)壁，12為坩禍底壁，13為坩禍底板，14為緩沖區(qū)。
【具體實施方式】
[0013]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進一步闡述本實用新型。
[0014]如圖1所示，一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍，包括坩禍本體1，所述坩禍本體I包括坩禍側(cè)壁11、坩禍底壁12和坩禍底板13，所述坩禍底壁12端部與坩禍側(cè)壁11相連，所述坩禍側(cè)壁11端部與坩禍底板13端部相連，所述坩禍底壁12中部與坩禍底板13中部重合，且坩禍底壁12端部的高度高于坩禍底板13端部的高度，所述坩禍底壁12端部和坩禍底板13端部之間設(shè)有由坩禍底壁12端部、坩禍底板13端部和坩禍側(cè)壁11所圍成的緩沖區(qū)14。
[0015]具體設(shè)計時，所述坩禍底壁12中部和端部的厚度相等。
[0016]本實用新型提出一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍。本實用新型在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，將坩禍底壁12設(shè)計成曲面，在坩禍底壁12下增設(shè)坩禍底板13，還增設(shè)緩沖區(qū)14，這樣，緩沖區(qū)14使得坩禍底壁12端部的升溫減緩，大大減小坩禍底壁12端部與中部的溫差，同時緩沖區(qū)14還使得坩禍底壁12端部冷卻速度減緩，保證了多晶硅錠成晶率，最后由于坩禍底壁12是曲面的，不是現(xiàn)有技術(shù)那樣的平面，這樣有效的抑制了枝晶的生長。
[0017]以上所述，僅為本實用新型較佳的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實用新型的技術(shù)方案及其實用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍，其特征在于，包括坩禍本體，所述坩禍本體包括坩禍側(cè)壁、坩禍底壁和坩禍底板，所述坩禍底壁端部與坩禍側(cè)壁相連，所述坩禍側(cè)壁端部與坩禍底板端部相連，所述坩禍底壁中部與坩禍底板中部重合，且坩禍底壁端部的高度高于坩禍底板端部的高度，所述坩禍底壁端部和坩禍底板端部之間設(shè)有由坩禍底壁端部、坩禍底板端部和坩禍側(cè)壁所圍成的緩沖區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型用以制造多晶硅錠的坩禍，其特征在于，所述坩禍底壁中部和端部的厚度相等。
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型用以制造多晶硅錠的坩堝，屬于光伏太陽能領(lǐng)域。它包括坩堝本體，所述坩堝本體包括坩堝側(cè)壁、坩堝底壁和坩堝底板，所述坩堝底壁端部與坩堝側(cè)壁相連，所述坩堝側(cè)壁端部與坩堝底板端部相連，所述坩堝底壁中部與坩堝底板中部重合，且坩堝底壁端部的高度高于坩堝底板端部的高度，所述坩堝底壁端部和坩堝底板端部之間設(shè)有由坩堝底壁端部、坩堝底板端部和坩堝側(cè)壁所圍成的緩沖區(qū)，所述坩堝底壁中部和端部的厚度相等。本實用新型將坩堝底壁設(shè)計成曲面，在坩堝底壁下增設(shè)坩堝底板，不僅能保證后續(xù)鑄錠質(zhì)量，同時保證多晶硅錠成晶率，還能抑制枝晶生長。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06
【公開號】CN204676192
【申請?zhí)枴緾N201520357027
【發(fā)明人】楊道祥, 楊波, 李偉業(yè), 王娜
【申請人】安徽旭能光伏電力有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年5月29日