一種用于鑄造準單晶的異形坩堝的制作方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型設及一種異形相蝸,用于準單晶鑄錠,改善產品質量,屬于光伏、新能 源領域。
【背景技術】
[0002] 隨著環(huán)境污染和資源短缺問題的日益嚴峻,需要積極尋求一種替代能源,太陽能 電池作為一種對環(huán)境友好的新型能源器件受到大家的青睞。太陽能電池片作為影響太陽能 電池效率的重要因素,如何提高電池片的質量和效率成為國內外光伏廠家的研究重點。近 年來,在多晶鑄錠的基礎上逐漸成長的準單晶鑄錠技術,使用一整塊單晶塊作為巧晶,運有 別于傳統(tǒng)多晶鑄錠技術使用粒料巧晶,生產的娃片的效率介于多晶和單晶之間。
[0003] 但是傳統(tǒng)相蝸因為邊緣側壁導致斜向晶,使得準單晶的得率很低,降低了娃片的 效率,增加了鑄錠成本。 【實用新型內容】
[0004] 本實用新型所要解決的技術問題是針對W上弊端提供一種用于鑄造準單晶的異 形相蝸,準單晶的得率更高,與現(xiàn)有G6傳統(tǒng)相蝸的準單晶娃片相比,提高準單晶得率12~ 15〇/〇。
[0005] 為解決上述技術問題,本實用新型的技術方案是:
[0006] -種用于鑄造準單晶的異形相蝸,包括相蝸主體,所述相蝸主體為上大下小的梯 形體結構。
[0007] 上述一種用于鑄造準單晶的異形相蝸,其中,所述相蝸主體包括底板和四塊側板, 所述側板為梯形結構,側板頂邊的長度11>側板底邊的長度L2,四塊側板分別傾斜的固定 在底板的四周,側板與底板之間的傾斜角度為a,90°<a<180°。
[000引本實用新型的有益效果為:
[0009] 本實用新型相蝸采用上大下小的梯形設計,相蝸側板的傾斜角度在90~180°,同樣 裝料量的情況下,節(jié)約巧晶的用量;
[0010] 相蝸開口采用上大下小設計,巧晶引晶后,有利于形核點隨固液界面更好的生長, 減少了傳統(tǒng)相蝸因邊緣側壁導致斜向晶,提高了準單晶的得率;
[0011] 相蝸側板的斜向晶更容易去除,提高了電池效率,但是工序更簡單易行、成本更低 廉。
【附圖說明】
[0012] 圖1為本實用新型剖視圖。
[0013] 圖2為本實用新型側板結構圖。
[0014] 圖3為本實用新型底板剖視圖。
【具體實施方式】 [001引實施例一
[0016]如圖所示一種用于鑄造準單晶的異形相蝸,包括相蝸主體1,相蝸主體W石英為材 料制成,所述相蝸主體1為上大下小的梯形體結構,所述相蝸主體1包括底板2和四塊側板3, 所述底板2為正方形結構,所述側板3為等腰梯形結構,側板3頂邊的長度Ll>側板底邊的長 度L2,四塊側板3分別傾斜的固定在底板2的四周,側板3與底板2之間的傾斜角度a為135% 所述側板和底板固定成一體式結構。
[0017]實施例二
[0018] 如圖所示一種用于鑄造準單晶的異形相蝸,包括相蝸主體1,相蝸主體W石英為材 料制成,所述相蝸主體1為上大下小的梯形體結構,所述相蝸主體1包括底板2和四塊側板3, 所述底板2為正方形結構,所述側板3為等腰梯形結構,側板3頂邊的長度Ll>側板底邊的長 度L2,四塊側板3分別傾斜的固定在底板2的四周,側板3與底板2之間的傾斜角度a為140% 所述側板和底板固定成一體式結構。
[0019] 作為進一步的優(yōu)化,所述底板2上設有吸熱腔4,所述吸熱腔4內填充有吸熱棉5,吸 熱棉可W充分吸收相蝸內的余熱,減慢相蝸降溫的過程,進一步提高了存活率。
[0020] 現(xiàn)使用實施例一、實施例二的異形相蝸與傳統(tǒng)G6相蝸進行長晶,經對比,S者單晶 存活率如下:
10022]由上表可W得出,實用本專利的異形相蝸鑄造準單晶,由于側板是傾斜設置的,其 存活率大幅增加,且當傾斜角度為135°與140°運一傾斜角度時,最能貼合準單晶生長所需, 在運角度所能達到的存活率明顯優(yōu)于其他相蝸。
[0023]運里本實用新型的描述和應用是說明性的,并非想將本實用新型的范圍限制在上 述實施例中,因此,本實用新型不受本實施例的限制,任何采用等效替換取得的技術方案均 在本實用新型保護的范圍內。
【主權項】
1. 一種用于鑄造準單晶的異形坩堝,包括坩堝主體,其特征為,所述坩堝主體為上大下 小的梯形體結構。2. 如權利要求1所述的一種用于鑄造準單晶的異形坩堝,其特征為,所述坩堝主體包括 底板和四塊側板,所述側板為梯形結構,側板頂邊的長度L1 >側板底邊的長度L2,四塊側板 分別傾斜的固定在底板的四周,側板與底板之間的傾斜角度為a,90° <a<180°。
【專利摘要】本實用新型涉及一種用于鑄造準單晶的異形坩堝,包括坩堝主體,所述坩堝主體為上大下小的梯形體結構,所述坩堝主體包括底板和四塊側板,所述側板為梯形結構,側板頂邊的長度L1>側板底邊的長度L2,四塊側板分別傾斜的固定在底板的四周,側板與底板之間的傾斜角度為a,90°<a<180°,準單晶的得率更高,與現(xiàn)有G6傳統(tǒng)坩堝的準單晶硅片相比,提高準單晶得率12~15%。
【IPC分類】C30B28/06, C30B29/06, C30B11/00
【公開號】CN205258659
【申請?zhí)枴緾N201520989167
【發(fā)明人】馬翔宇, 王海慶, 王祿寶, 吳明山
【申請人】江蘇美科硅能源有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月3日