多晶硅鑄錠爐及應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐的導(dǎo)熱臺(tái)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅制備工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐的導(dǎo)熱臺(tái)。本實(shí)用新型還涉及一種多晶硅鑄錠爐。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，多晶硅鑄錠爐為頂側(cè)部共同加熱結(jié)構(gòu)，即在爐體隔熱腔內(nèi)，在頂部和側(cè)部分別設(shè)置有頂加熱器和側(cè)加熱器。通過輻射熱量將置于坩禍內(nèi)的塊狀多晶硅料加熱融化，然后定向凝固得到鑄造多晶硅錠。
[0003]在多晶硅鑄錠爐隔熱腔內(nèi)，在頂部和側(cè)部分別設(shè)有頂加熱器和側(cè)加熱器，在隔熱腔內(nèi)設(shè)有導(dǎo)熱臺(tái)，導(dǎo)熱臺(tái)用于承載坩禍，同時(shí)導(dǎo)熱臺(tái)用以傳導(dǎo)熱量。在凝固長(zhǎng)晶的過程中，坩禍內(nèi)硅熔體熱量通過導(dǎo)熱臺(tái)向下傳導(dǎo)，以定向凝固生長(zhǎng)晶體。
[0004]然而在凝固長(zhǎng)晶的過程中，上述鑄錠爐會(huì)呈現(xiàn)側(cè)部散熱形式，即坩禍內(nèi)硅熔體的熱量會(huì)由坩禍側(cè)部散失，其側(cè)部散熱速率大于中心位置散熱速率，硅熔體四周溫度明顯低于中心溫度，四周長(zhǎng)晶速度大于中心位置，會(huì)形成凹型長(zhǎng)晶界面，因此不能得到豎直生長(zhǎng)的晶體生長(zhǎng)方向。這導(dǎo)致在硅錠切割過程中，硅片的切割面不能與晶體生長(zhǎng)方向垂直，會(huì)增加少子復(fù)合速率，增加晶界的影響，會(huì)降低電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供一種多晶硅鑄錠爐及應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐的導(dǎo)熱臺(tái)，可調(diào)整鑄錠爐隔熱腔內(nèi)熱區(qū)分布，有助于促使硅錠呈現(xiàn)豎直生長(zhǎng)的晶體生長(zhǎng)方向。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐的導(dǎo)熱臺(tái)，設(shè)置于鑄錠爐隔熱腔內(nèi)，包括:
[0007]用于承載坩禍的導(dǎo)熱臺(tái)本體；
[0008]沿所述導(dǎo)熱臺(tái)本體四周邊緣設(shè)置的柔性保溫體，所述柔性保溫體具有預(yù)設(shè)橫向?qū)挾取?br>[0009]可選地，所述柔性保溫體沿所述導(dǎo)熱臺(tái)本體的上端邊設(shè)置。
[0010]可選地，還包括沿所述導(dǎo)熱臺(tái)本體下端邊設(shè)置的柔性保溫體。
[0011 ]可選地，所述柔性保溫體為軟氈。
[0012]可選地，所述柔性保溫體的橫向?qū)挾葹?-8厘米。
[0013]可選地，所述柔性保溫體的厚度為1-10毫米。
[0014]本實(shí)用新型還提供一種多晶硅鑄錠爐，包括:
[0015]置于爐體內(nèi)的隔熱腔；
[0016]設(shè)置于所述隔熱腔內(nèi)的導(dǎo)熱臺(tái)，所述導(dǎo)熱臺(tái)為以上所述的導(dǎo)熱臺(tái)。
[0017]可選地，在所述隔熱腔的內(nèi)側(cè)壁低于所述導(dǎo)熱臺(tái)的區(qū)域設(shè)有沿四周設(shè)置的柔性保溫體。
[0018]可選地，所述柔性保溫體的橫向?qū)挾葹?-8厘米，厚度為1-10毫米。
[0019]由上述內(nèi)容可以看出，本實(shí)用新型所提供的多晶硅鑄錠爐以及應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐的導(dǎo)熱臺(tái)，導(dǎo)熱臺(tái)設(shè)置在鑄錠爐隔熱腔內(nèi)，所述導(dǎo)熱臺(tái)包括導(dǎo)熱臺(tái)本體和柔性保溫體，導(dǎo)熱臺(tái)本體用于承載坩禍，柔性保溫體沿導(dǎo)熱臺(tái)本體四周邊緣設(shè)置，其具有預(yù)設(shè)橫向?qū)挾取?br>[0020]柔性保溫體沿導(dǎo)熱臺(tái)四周邊緣設(shè)置，具有預(yù)設(shè)橫向?qū)挾?，在凝固長(zhǎng)晶的過程中，它能夠阻止坩禍側(cè)部熱量從隔熱腔側(cè)壁與導(dǎo)熱臺(tái)之間的空隙向下傳導(dǎo)散失，因此對(duì)坩禍側(cè)部空間具有保溫作用，可降低坩禍側(cè)部散熱速率，有助于促使坩禍內(nèi)硅熔體熱量通過下方導(dǎo)熱臺(tái)向下傳導(dǎo)，從而促使硅錠呈現(xiàn)豎直生長(zhǎng)的晶體生長(zhǎng)方向。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種導(dǎo)熱臺(tái)的截面示意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種多晶硅鑄錠爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0025]請(qǐng)參考圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種應(yīng)用于多晶硅鑄錠爐的導(dǎo)熱臺(tái)，所述導(dǎo)熱臺(tái)設(shè)置于鑄錠爐隔熱腔內(nèi)，包括:
[0026]用于承載坩禍的導(dǎo)熱臺(tái)本體10;
[0027]沿所述導(dǎo)熱臺(tái)本體10四周邊緣設(shè)置的柔性保溫體11，所述柔性保溫體11具有預(yù)設(shè)橫向?qū)挾取?br>[0028]由上述內(nèi)容可以看出，柔性保溫體11沿導(dǎo)熱臺(tái)四周邊緣設(shè)置，具有預(yù)設(shè)橫向?qū)挾?，在凝固長(zhǎng)晶的過程中，它能夠阻止坩禍側(cè)部熱量從隔熱腔側(cè)壁與導(dǎo)熱臺(tái)之間的空隙向下傳遞散失，因此對(duì)坩禍側(cè)部空間具有保溫作用，有助于降低坩禍側(cè)部散熱速率，促使坩禍內(nèi)硅熔體熱量通過下方導(dǎo)熱臺(tái)向下傳導(dǎo)，相比于現(xiàn)有技術(shù)，能夠使硅熔體四周溫度與中心溫度的溫度差降低，使長(zhǎng)晶界面凹度降低，有助于促使硅錠呈現(xiàn)豎直生長(zhǎng)的晶體生長(zhǎng)方向。
[0029]優(yōu)選的，所述柔性保溫體11沿導(dǎo)熱臺(tái)本體10的上端邊設(shè)置，其具有預(yù)設(shè)橫向?qū)挾取?br>[0030]在多晶硅化料過程中，要求達(dá)到較低的籽晶保留高度和較大的籽晶保留面積，而現(xiàn)有技術(shù)中，側(cè)加熱器向坩禍輻射熱量，同時(shí)熱量會(huì)傳遞到導(dǎo)熱臺(tái)，由導(dǎo)熱臺(tái)端邊向?qū)崤_(tái)內(nèi)部傳導(dǎo)，并傳導(dǎo)到坩禍底部，對(duì)于導(dǎo)熱臺(tái)其端邊溫度高于中心位置溫度，在坩禍底部同樣四周溫度高于中心位置溫度，這樣會(huì)加劇坩禍內(nèi)化料界面呈凸型，導(dǎo)致化料中籽晶保留面積減小，這會(huì)影響整體的出材率以及高效多晶的比例，最終影響電池成本以及電池效率。對(duì)于本實(shí)施例所述導(dǎo)熱臺(tái)，在導(dǎo)熱臺(tái)上端邊設(shè)置柔性保溫體，基于柔性保溫體的隔熱作用，能夠阻擋側(cè)加熱器輻射的熱量傳遞到導(dǎo)熱臺(tái)端邊，可避免導(dǎo)熱臺(tái)邊緣溫度明顯高于中心位置溫度，從而有助于增大籽晶保留面積，有助于控制達(dá)到較低的籽晶保留高度和較大的籽晶保留面積的化料效果。
[0031]進(jìn)一步的，本實(shí)施例中，在導(dǎo)熱臺(tái)本體10下端邊也設(shè)置有柔性保溫體