一種高效率的單晶爐的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高效率的單晶爐，包括單晶爐主體，單晶爐主體內(nèi)設有坩堝，坩堝設置在坩堝底座上，坩堝底座下端設有轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸連接坩堝上升旋轉(zhuǎn)機構，坩堝設置在加熱裝置內(nèi)，單晶爐主體上端設有上爐腔，上爐腔中設有提拉桿，提拉桿與上爐腔頂部的上升旋轉(zhuǎn)機構連接，單晶爐主體上端一側(cè)設有視覺傳感器，本實用新型結構新穎，通過設置的視覺傳感器能夠準確的把握單晶硅的生長狀態(tài)，實現(xiàn)實時監(jiān)測，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，也進一步提高了生產(chǎn)效率，通過雙抽氣泵接口的設置，快速使惰性氣體的充滿爐腔，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】
一種高效率的單晶爐
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種單晶爐，具體是一種高效率的單晶爐。
【背景技術】
[0002]單晶硅為一種半導體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件，單晶硅生長技術有兩種:一種是區(qū)熔法，另一種是直拉法，其中直拉法使目前普遍采用的方法。直拉法生長單晶硅的方法如下:將高純度的多晶硅原料放入直拉法單晶爐的石英坩禍內(nèi)，然后在低真空有流動惰性氣體的保護下加熱熔化，把一支有著特定生長方向的單晶硅(也叫做籽晶)裝入籽晶夾持裝置中，并使籽晶與硅溶液接觸，調(diào)整熔融硅溶液的溫度，使其接近熔點溫度，然后驅(qū)動籽晶自上而下伸入熔融的硅溶液中并旋轉(zhuǎn)，然后緩緩上提籽晶，此時，單晶硅進入錐體部分的生長，當錐體的直徑接近目標直徑時，提高籽晶的提升速度，使單晶硅體直徑不再增大而進入晶體的中部生長階段，在單晶硅體生長接近結束時，再提高籽晶的提升速度，單晶硅體逐漸脫離熔融硅，形成下錐體而結束生長。用這種方法生長出來的單晶硅，其形狀為兩段呈錐形的圓柱體，將該圓柱體切片，即得到單晶硅半導體原料，這種圓形單晶硅片就可以作為集成電路或太陽能的材料。單晶硅拉制一般在直拉法單晶爐中進行。目前市面上單晶爐的結構較為簡單，無法準確的把握單晶硅的生產(chǎn)狀態(tài)，生產(chǎn)效率低下。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種高效率的單晶爐，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0005]—種高效率的單晶爐，包括單晶爐主體，所述單晶爐主體內(nèi)設有坩禍，所述坩禍設置在坩禍底座上，坩禍底座下端設有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸連接坩禍上升旋轉(zhuǎn)機構，所述坩禍設置在加熱裝置內(nèi)，所述單晶爐主體上端設有上爐腔，所述上爐腔中設有提拉桿，所述提拉桿與上爐腔頂部的上升旋轉(zhuǎn)機構連接，所述單晶爐主體上端一側(cè)設有視覺傳感器。
[0006]作為本實用新型進一步的方案:所述坩禍底座上設有與坩禍相匹配的坩禍槽。
[0007]作為本實用新型進一步的方案:所述單晶爐主體下端設有轉(zhuǎn)軸通道。
[0008]作為本實用新型進一步的方案:所述加熱裝置為電熱裝置，所述加熱裝置安裝在下端的電極上。
[0009]作為本實用新型進一步的方案:所述單晶爐下端兩側(cè)設有抽氣栗接口。
[0010]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型結構新穎，通過設置的視覺傳感器能夠準確的把握單晶硅的生長狀態(tài)，實現(xiàn)實時監(jiān)測，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，也進一步提高了生產(chǎn)效率，通過雙抽氣栗接口的設置，快速使惰性氣體的充滿爐腔，提高了生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0011]圖1為高效率的單晶爐的結構示意圖。
[0012]圖中:1-坩禍上升旋轉(zhuǎn)機構、2-轉(zhuǎn)軸通道、3-電極、4，16-抽氣栗接口、5_坩禍底座、6_i甘禍、7-單晶爐主體、8-軒晶、9-上爐腔、I O-上升旋轉(zhuǎn)機構、11-提拉桿、12-視覺傳感器、13-單晶硅、14-加熱裝置、15-轉(zhuǎn)軸。
【具體實施方式】
[0013]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0014]請參閱圖1，本實用新型實施例中，一種高效率的單晶爐，包括單晶爐主體7，單晶爐主體7內(nèi)設有坩禍6，坩禍6設置在坩禍底座5上，坩禍底座5下端設有轉(zhuǎn)軸15，轉(zhuǎn)軸15連接坩禍上升旋轉(zhuǎn)機構I，坩禍6設置在加熱裝置14內(nèi)，單晶爐主體7上端設有上爐腔9，上爐腔9中設有提拉桿11，提拉桿11與上爐腔9頂部的上升旋轉(zhuǎn)機構10連接，單晶爐主體7上端一側(cè)設有視覺傳感器12，坩禍底座5上設有與坩禍相6匹配的坩禍槽，單晶爐主體7下端設有轉(zhuǎn)軸通道2，加熱裝置14為電熱裝置，加熱裝置14安裝在下端的電極3上，單晶爐主體7下端兩側(cè)設有抽氣栗接口 4。
[0015]本實用新型結構新穎，通過雙抽氣栗接口的設置，快速使惰性氣體的充滿爐腔，提高了生產(chǎn)效率，加熱裝置安裝在坩禍四周，實現(xiàn)快速加熱，提高了生產(chǎn)效率，通過設置的視覺傳感器能夠準確的把握單晶硅的生長狀態(tài)，實現(xiàn)實時監(jiān)測，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，也進一步提高了生產(chǎn)效率。
[0016]對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0017]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【主權項】
1.一種高效率的單晶爐，包括單晶爐主體，其特征在于，所述單晶爐主體內(nèi)設有坩禍，所述坩禍設置在坩禍底座上，坩禍底座下端設有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸連接坩禍上升旋轉(zhuǎn)機構，所述坩禍設置在加熱裝置內(nèi)，所述單晶爐主體上端設有上爐腔，所述上爐腔中設有提拉桿，所述提拉桿與上爐腔頂部的上升旋轉(zhuǎn)機構連接，所述單晶爐主體上端一側(cè)設有視覺傳感器。2.根據(jù)權利要求1所述的高效率的單晶爐，其特征在于，所述坩禍底座上設有與坩禍相匹配的坩禍槽。3.根據(jù)權利要求1所述的高效率的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐主體下端設有轉(zhuǎn)軸通道。4.根據(jù)權利要求1所述的高效率的單晶爐，其特征在于，所述加熱裝置為電熱裝置，所述加熱裝置安裝在下端的電極上。5.根據(jù)權利要求1所述的高效率的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐主體下端兩側(cè)設有抽氣栗接口。
【文檔編號】C30B29/06GK205443512SQ201521116870
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年12月30日
【發(fā)明人】張忠安
【申請人】江西豪安能源科技有限公司