一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈涉及的是一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造過程使用的噴燈,使用該噴燈及方法可有效提升生產(chǎn)速率、原材料利用率,降低生產(chǎn)成本。一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈包括原料中心管、內(nèi)層密封氣體噴燈口、燃燒氣體噴出口、內(nèi)層助燃性氣體噴出口、外層助燃性氣體噴出口和外層密封氣體噴燈口;噴燈的原料中心管為原料管,原料中心管的外側(cè)為內(nèi)層密封氣體噴出口,內(nèi)層密封氣體噴出口的外側(cè)為燃燒氣體噴燈口,燃燒氣體噴出口內(nèi),相對(duì)于原料管同心地布置一圈內(nèi)層助燃性氣體噴出口,在內(nèi)層助燃性氣體噴出口的外側(cè),同心地布置一圈外層助燃性氣體噴出口,外層助燃性氣體噴出口的外側(cè)為外層密封氣體噴出口。
【專利說明】
-種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈設(shè)及的是一種大尺寸光纖預(yù)制棒 制造過程使用的噴燈,使用該噴燈及方法可有效提升生產(chǎn)速率、原材料利用率,降低生產(chǎn)成 本。
【背景技術(shù)】
[0002] 為降低光纖生產(chǎn)成本,同時(shí)提高沉積效率,大尺寸光纖預(yù)制棒成為預(yù)制棒技術(shù)發(fā) 展的主要方向。
[0003] 光纖預(yù)制棒主要有四種制造工藝,即VAD(軸向氣相沉積法)、0VD(外部氣相沉積 法XPCVD(低溫等離子氣相沉積法)和MCVD(改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法)。
[0004] 外部氣相沉積法(OVD)是目前最常用的外包層制備方法。該方法的沉積速率、原材 料利用率主要受噴燈結(jié)構(gòu)及流量設(shè)定的影響。目前OVD廣泛使用的噴燈,由于噴燈結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 不合理,燃燒氣體、助燃?xì)怏w、原材料無法充分反應(yīng),造成沉積速率和原材料利用率較低。
[0005] 為了提高光纖預(yù)制棒的產(chǎn)能,必須提升沉積速率。然而,沉積速率的增加會(huì)導(dǎo)致沉 積效率的降低,使得光纖預(yù)制棒的生產(chǎn)成本增加。另外,沉積效率的降低使沉積腔體內(nèi)沒有 沉積在粉末棒上的Si化顆粒增加,導(dǎo)致腔體內(nèi)漂浮的顆粒物附著到粉末棒的表面,使得粉 末棒燒結(jié)后在預(yù)制棒內(nèi)存在氣泡。
[0006] 外部氣相沉積法(0VD)所使用的噴燈,中國(guó)發(fā)明專利尚未設(shè)及。日本專利No . 04-243929公開了一種具有同軸線多管路結(jié)構(gòu)的噴燈,在該結(jié)構(gòu)中,原料噴出口位于燃燒氣體 噴出口和助燃?xì)怏w噴出口之間。在該噴燈中,噴出燃燒氣體化2)和助燃?xì)怏w(02),從而原料 氣體(SiC14)夾在該燃燒氣體和助燃?xì)怏w之間,使得形成Si02,該種結(jié)構(gòu)的噴燈沉積速率較 慢。
[0007] 現(xiàn)有的大尺寸光纖預(yù)制棒OVD制造技術(shù)中,由于噴燈結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝參數(shù)設(shè)定的 原因,產(chǎn)量無法有效提升,同時(shí)原材料利用率較低,給企業(yè)帶了損失。因此,發(fā)明一種新型噴 燈,并設(shè)計(jì)出最佳的流量匹配值,成為了一個(gè)亟待解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[000引本實(shí)用新型目的是針對(duì)上述不足之處提供一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈,主 要是發(fā)明了一種新型噴燈,并根據(jù)噴燈的管路結(jié)構(gòu)及原料氣體流速,設(shè)定了最佳的原料、氣 體流量。該新型噴燈,能夠有效提升噴燈的沉積速率、原材料利用率;同時(shí),使用最佳的原 料、氣體流量能有效降低預(yù)制棒內(nèi)的氣泡數(shù)量。
[0009] -種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈是采取W下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0010] 目前最通用的預(yù)制棒制造工藝為軸向氣相沉積工藝(VAD工藝)+外部氣相沉積工 藝(0VD工藝),使用軸向氣相沉積工藝(VAD工藝)制備出忍棒,制備出的忍棒使用外部氣相 沉積工藝(0VD工藝)在忍棒的外層附著Si02粉末,形成疏松體粉末棒,粉末棒經(jīng)燒結(jié)爐脫 水、玻璃化形成最終的透明預(yù)制棒。
[0011] OVD裝置是利用相對(duì)的、沿軸向移動(dòng)的噴燈將石英粉末沉積在旋轉(zhuǎn)的接有把棒的 忍棒上,忍棒直徑約50mm,當(dāng)噴燈支架運(yùn)行回?cái)?shù)達(dá)到設(shè)定值時(shí),設(shè)備自動(dòng)停止。粉末棒沉積 速率、原材料利用率的高低主要取決于噴燈的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)及流量設(shè)定,目前外部氣相沉積工 藝(0VD工藝)使用的噴燈受制于設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的限制,沉積速率、原材料利用率相對(duì)較低;且由 于原材料利用率低,腔體內(nèi)懸浮的石英顆粒較多,容易附著在粉末棒上,燒結(jié)后在預(yù)制棒內(nèi) 形成氣泡。
[0012] -種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈包括原料中屯、管、內(nèi)層密封氣體噴燈口、燃燒 氣體噴出口、內(nèi)層助燃性氣體噴出口、外層助燃性氣體噴出口和外層密封氣體噴燈口。
[0013] 本實(shí)用新型的噴燈安裝在外包沉積設(shè)備噴燈支架上,在生產(chǎn)過程中噴燈隨噴燈支 架往復(fù)移動(dòng),將Si化顆粒附著在忍棒上。本實(shí)用新型的噴燈的原料中屯、管為原料管,原料中 屯、管的外側(cè)為內(nèi)層密封氣體噴出口,用于隔絕原料和燃燒、助燃?xì)怏w,防止原料在噴燈口反 應(yīng),堵塞噴燈。內(nèi)層密封氣體噴出口的外側(cè)為燃燒氣體噴燈口,燃燒氣體噴出口內(nèi),相對(duì)于 原料中屯、管同屯、地布置一圈內(nèi)層助燃性氣體噴出口。在內(nèi)層助燃性氣體噴出口的外側(cè),同 屯、地布置一圈外層助燃性氣體噴出口。外層助燃性氣體噴出口的外側(cè)為外層密封氣體噴出 口,用于控制噴燈的火焰形狀,防止火焰分散。
[0014] 本實(shí)用新型一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造方法包括W下工藝步驟:
[001引 1)使用軸向氣相沉積工藝(VAD工藝)制備出忍棒,忍棒直徑約50mm;
[0016] 2)在忍棒兩端對(duì)接把棒;
[0017] 3)對(duì)接有把棒的忍棒進(jìn)行拋光,除去對(duì)接口的應(yīng)力,同時(shí)除去忍棒表面的雜質(zhì)。拋 光流量:出:300L/min,內(nèi)〇2:80L/min,外〇2:70L/min ;
[0018] 4)將對(duì)接有把棒的忍棒兩端安裝在沉積設(shè)備的卡盤基座上;
[0019] 5)對(duì)沉積噴燈噴燈點(diǎn)火,按"自動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)"按鈕,沉積設(shè)備卡盤基座WSOrpm的轉(zhuǎn)速 開始旋轉(zhuǎn),噴燈隨噴燈支架W250mm/min的移動(dòng)速度開始在忍棒表面沉積Si化粉末,排風(fēng) 罩始終位于噴燈的正上方,和噴燈的移動(dòng)速度相同;
[0020] 6)生產(chǎn)過程中噴燈流量:SiCl4:50g/min,出:120L/min,內(nèi)〇2 :20L/min,外〇2 : 35L/min,內(nèi) Ar:4L/min,夕FAr:20L/min;
[0021] 7)噴燈將石英粉末沉積在旋轉(zhuǎn)的接有把棒的忍棒上,轉(zhuǎn)速50rpm,當(dāng)噴燈支架運(yùn)行 回?cái)?shù)達(dá)到設(shè)定值時(shí),沉積結(jié)束,設(shè)備自動(dòng)停止;
[0022] 8)粉末棒沉積結(jié)束后,沉積用噴燈自動(dòng)焰火,沉積結(jié)束;
[0023] 9)粉末棒在燒結(jié)爐進(jìn)行脫水、玻璃化,制成大尺寸光纖預(yù)制棒;
[0024] 10)根據(jù)沉積過程中消耗的SiCU總流量及最終的預(yù)制棒有效重量,預(yù)制棒有效重 量為總重量-忍棒重量-把棒重量,計(jì)算沉積速率及原材料利用率;
[0025] 11)燒結(jié)得到的透明預(yù)制棒在暗室的聚光燈下觀察進(jìn)行檢查,確認(rèn)包層內(nèi)的氣泡 數(shù)量,包層內(nèi)氣泡的數(shù)量小于2,且氣泡直徑小于Imm為合格品。
[0026] -種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈及其大尺寸光纖預(yù)制棒制造方法設(shè)計(jì)合理,能 夠有效升沉積速率、原材料利用率;同時(shí)結(jié)合最佳的流量設(shè)定值,能有效降低預(yù)制棒內(nèi)氣泡 的數(shù)量。運(yùn)種噴燈構(gòu)造簡(jiǎn)單,成本與當(dāng)前廣泛使用的噴燈相當(dāng)。
[0027] 本實(shí)用新型不僅可W確保生產(chǎn)的正常進(jìn)行,還可W提升沉積速率、原材料利用率, 提升企業(yè)的產(chǎn)能,降低企業(yè)生產(chǎn)成本。同時(shí),該發(fā)明能有效降低預(yù)制棒內(nèi)氣泡的數(shù)量,提升 預(yù)制棒的質(zhì)量,降低拉絲斷纖率,提升拉絲合格率。
【附圖說明】
[0028] W下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明:
[0029] 圖1外部氣相沉積法(OVD)制造光纖預(yù)制棒的設(shè)備示意圖。
[0030] 圖2本實(shí)用新型噴燈的噴嘴配置的主視圖。
[0031] 圖3比較對(duì)比例1中使用噴燈的噴嘴配置的主視圖。
[0032] 圖4實(shí)施例1和比較對(duì)比例1中的原料的供給速率和沉積效率之間的關(guān)系較圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 目前最通用的預(yù)制棒制造工藝為軸向氣相沉積工藝(VAD工藝)+外部氣相沉積工 藝(0VD工藝),使用軸向氣相沉積工藝(VAD工藝)制備出忍棒,制備出的忍棒使用外部氣相 沉積工藝(0VD工藝)在忍棒的外層附著Si化粉末,形成疏松體粉末棒,粉末棒經(jīng)燒結(jié)爐脫 水、玻璃化形成最終的透明預(yù)制棒。
[0034] OVD裝置是利用相對(duì)的、沿軸向移動(dòng)的噴燈將石英粉末沉積在旋轉(zhuǎn)的接有把棒的 忍棒上,忍棒直徑約50mm,當(dāng)噴燈支架運(yùn)行回?cái)?shù)達(dá)到設(shè)定值時(shí),設(shè)備自動(dòng)停止。粉末棒沉積 速率、效率、原材料利用率的高低主要取決于噴燈的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)及流量設(shè)定,目前外部氣相沉 積工藝(0VD工藝)使用的噴燈受制于設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的限制,沉積速率、原材料利用率相對(duì)較低; 且由于原材料利用率低,腔體內(nèi)懸浮的石英顆粒較多,容易附著在粉末棒上,燒結(jié)后在預(yù)制 棒內(nèi)形成氣泡。
[0035] 參照附圖1~4,一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈包括原料中屯、管6、內(nèi)層密封氣 體噴出(燈)口 7、燃燒氣體噴出口 8、內(nèi)層助燃性氣體噴出口 9、外層助燃性氣體噴出口 10、外 層密封氣體噴燈口 11。
[0036] 本實(shí)用新型的噴燈4安裝在外包沉積設(shè)備噴燈支架5上,在生產(chǎn)過程中噴燈4隨噴 燈支架5往復(fù)移動(dòng),將Si化顆粒附著在忍棒1上。本實(shí)用新型的噴燈的中屯、管為原料中屯、管 6,原料中屯、管6的外側(cè)為內(nèi)層密封氣體噴出口 7,用于隔絕原料和燃燒、助燃?xì)怏w,防止原料 在噴燈口反應(yīng),堵塞噴燈。內(nèi)層密封氣體噴出口 7的外側(cè)為燃燒氣體噴出口 8,燃燒氣體噴出 口8內(nèi),相對(duì)于原料中屯、管6同屯、地布置一圈內(nèi)層助燃性氣體噴出口9。在內(nèi)層助燃性氣體噴 出口 9(內(nèi)層助燃性氣體噴出口 9)的外側(cè),同屯、地布置一圈外層助燃性氣體噴出口 10。外層 助燃性氣體噴出口 10的外側(cè)為外層密封氣體噴出口 11,用于控制噴燈的火焰形狀,防止火 焰分散。
[0037] 本實(shí)用新型一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造方法包括W下工藝步驟:
[003引 1)使用軸向氣相沉積工藝(VAD工藝)制備出忍棒1,忍棒直徑約50mm;
[0039] 2)在忍棒1兩端對(duì)接把棒2;
[0040] 3)對(duì)接有把棒2的忍棒1進(jìn)行拋光,除去對(duì)接口的應(yīng)力,同時(shí)除去忍棒表面的雜質(zhì)。 拋光流量:出:300L/min,內(nèi)〇2 :80L/min,外〇2 :70L/min ;
[0041] 4)將對(duì)接有把棒2的忍棒1兩端安裝在沉積設(shè)備的卡盤基座3上;
[0042] 5)對(duì)沉積噴燈4噴燈點(diǎn)火,按"自動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)"按鈕,沉積設(shè)備卡盤基座3W50rpm的轉(zhuǎn) 速開始旋轉(zhuǎn),噴燈4隨噴燈支架5W250mm/min的移動(dòng)速度開始在忍棒1表面沉積Si化粉末, 排風(fēng)罩12始終位于噴燈4的正上方,和噴燈的移動(dòng)速度相同;
[0043] 6)生產(chǎn)過程中噴燈4流量:Si(n4:50g/min,此:120L/min,內(nèi)〇2 :20L/min,外〇2 : 35L/min,內(nèi) Ar:4L/min,夕FAr:20L/min;
[0044] 7)噴燈4將石英粉末沉積在旋轉(zhuǎn)的接有把棒2的忍棒1上,轉(zhuǎn)速50rpm,當(dāng)噴燈支架5 運(yùn)行回?cái)?shù)達(dá)到設(shè)定值時(shí),沉積結(jié)束,設(shè)備自動(dòng)停止;
[0045] 8)粉末棒沉積結(jié)束后,沉積用噴燈4自動(dòng)焰火,沉積結(jié)束;
[0046] 9)粉末棒在燒結(jié)爐進(jìn)行脫水、玻璃化,制成大尺寸光纖預(yù)制棒;
[0047] 10)根據(jù)沉積過程中消耗的SiCU總流量及最終的預(yù)制棒有效重量,預(yù)制棒有效重 量為總重量-忍棒重量-把棒重量,計(jì)算沉積速率及原材料利用率;
[0048] 11)燒結(jié)得到的透明預(yù)制棒在暗室的聚光燈下觀察進(jìn)行檢查,確認(rèn)包層內(nèi)的氣泡 數(shù)量,包層內(nèi)氣泡的數(shù)量小于2,且氣泡直徑小于Imm為合格品。
[0049] 實(shí)施例1
[0050] 采用VAD工藝制備忍棒,將忍棒延伸后,測(cè)試其折射率剖面,由測(cè)試結(jié)果計(jì)算外包 層所需量。
[0051] 測(cè)試完成的忍棒在兩端對(duì)接把棒,對(duì)接把棒后對(duì)忍棒進(jìn)行拋光,去除由于對(duì)接產(chǎn) 生的應(yīng)力。拋光完成的帶有把棒的忍棒稱為枝棒,根據(jù)測(cè)試結(jié)果選擇合適的目標(biāo)回?cái)?shù),采用 OVD法在忍棒上沉積外包層,最后制得目標(biāo)外徑為400mm的粉末棒。
[0052] 本實(shí)用新型的噴燈的原料中屯、管6供給SiCl4+化,內(nèi)層密封氣體噴出口7供給Ar,燃 燒氣體噴燈口 8供給此,內(nèi)層助燃性氣體噴出口 9供給化,外層助燃性氣體噴出口 10供給化, 外層密封氣體噴出口 11供給Ar。
[0053] 表1列出了供給到各噴嘴的氣體的種類、流量和流速W及各氣流在其各自出口處 女似n也b 八U 口 麻
[0054] 沉積結(jié)束的粉末棒在燒結(jié)爐進(jìn)行脫水、玻璃化,得到透明的預(yù)制棒。透明預(yù)制棒在 暗室的聚光燈下觀察,包層內(nèi)無氣泡。
[0055] 根據(jù)沉積過程中消耗的SiCl4總流量及最終的預(yù)制棒有效重量(總重量-忍棒重 量-把棒重量),計(jì)算沉積速率及原材料利用率:
[0化6] 沉積速率97g/min,原材料利用率71〇/〇。
[0化7]實(shí)施例2
[0058] 采用與實(shí)施例1相同的噴燈及OVD工藝。本實(shí)施例噴燈的原料中屯、管6供給SiCU+ 出,其它噴燈管路供應(yīng)氣體與實(shí)施例1相同。
[0059] 表2列出了供給到各噴嘴的氣體的種類、流量和流速W及各氣流在其各自出口處 在噴嘴的徑向上的距離
[0060] 沉積結(jié)束的粉末棒在燒結(jié)爐進(jìn)行脫水、玻璃化,得到透明的預(yù)制棒。透明預(yù)制棒在 暗室的聚光燈下觀察,包層內(nèi)無氣泡。
[0061] 根據(jù)沉積過程中消耗的SiCl4總流量及最終的預(yù)制棒有效重量(總重量-忍棒重 量-把棒重量),計(jì)算沉積速率及原材料利用率:
[0062] 沉積速率95g/min,原材料利用率69%。
[0063] 對(duì)比例1
[0064] 對(duì)比例1中所用的噴燈為五層管路結(jié)構(gòu),如圖3。其中管13供給SiCU+化,管14供給 Ar,管15供給此,管16供給化,管17供給Ar。管13、管14的氣流厚度分別為2.6mm、2.5mm,大于 實(shí)施例1、2。對(duì)比例1所用的OVD工藝與實(shí)施例1相同。
[0065] 表3列出了供給到各噴嘴的氣體的種類、流量和流速W及各氣流在其各自出口處 左喊鵬的僅亡1 的口FJ南
暗室的聚光燈下觀察,包層內(nèi)有2個(gè)氣泡,且氣泡的直徑< Imm。
[0067] 根據(jù)沉積過程中消耗的SiCl4總流量及最終的預(yù)制棒有效重量(總重量-忍棒重 量-把棒重量),計(jì)算沉積速率及原材料利用率:
[0068] 沉積速率81g/min,原材料利用率54%。
[0069] 對(duì)比
[0070] 實(shí)施例1中的原料SiCU與助燃?xì)怏w化的混和氣體的流量和流速與比較例1相同。 但是,在實(shí)施例1中氣流的厚度是1.0mm,而在比較例1中氣流的厚度是2.6mm,即:實(shí)施例1 中氣流的厚度明顯比比較例1的厚度小(實(shí)施例2與實(shí)施例1相同)。因此,實(shí)施例1和實(shí)施例2 中,原料能夠與從其它噴嘴噴出的燃燒氣體和助燃?xì)怏w迅速地混和,從而促進(jìn)水解反應(yīng)。因 此,實(shí)施例巧日2中的沉積速率分別提高到97g/min和95g/min,高于比較例1中的81g/min;原 材料利用率分別提高到71%和69%,高于比較例1中的54%。
[0071 ]當(dāng)分別改變實(shí)施例1和比較例1中的原料Si(n4的供給速率時(shí),實(shí)施例1中的沉積效 率隨供給速率的增加僅輕微波動(dòng),而比較例1中的沉積效率隨著供給速率的增加而顯著下 降,如圖4。
[0072]因此,根據(jù)本實(shí)用新型,能夠明顯地提高光纖預(yù)制棒的沉積速率、原材料利用率, 提升企業(yè)產(chǎn)能,降低企業(yè)生產(chǎn)成本;同時(shí),預(yù)制棒內(nèi)氣泡的數(shù)量明顯降低,預(yù)制棒的質(zhì)量得 W提升。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈,其特征在于:包括原料中心管、內(nèi)層密封氣體噴 燈口、燃燒氣體噴出口、內(nèi)層助燃性氣體噴出口、外層助燃性氣體噴出口和外層密封氣體噴 燈口; 噴燈的原料中心管的外側(cè)為內(nèi)層密封氣體噴出口,用于隔絕原料和燃燒、助燃?xì)怏w,防 止原料在噴燈口反應(yīng),堵塞噴燈,內(nèi)層密封氣體噴出口的外側(cè)為燃燒氣體噴燈口,燃燒氣體 噴出口內(nèi),相對(duì)于原料管同心地布置一圈內(nèi)層助燃性氣體噴出口;在內(nèi)層助燃性氣體噴出 口的外側(cè),同心地布置一圈外層助燃性氣體噴出口,外層助燃性氣體噴出口的外側(cè)為外層 密封氣體噴出口,用于控制噴燈的火焰形狀,防止火焰分散。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸光纖預(yù)制棒制造用噴燈,其特征在于:噴燈安裝在 外包沉積設(shè)備噴燈支架上,在生產(chǎn)過程中噴燈隨噴燈支架往復(fù)移動(dòng),將SiO 2顆粒附著在芯 棒上。
【文檔編號(hào)】C03B37/018GK205473379SQ201520971138
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年11月30日
【發(fā)明人】張彬, 沈春, 沈一春, 陳京京
【申請(qǐng)人】中天科技精密材料有限公司, 江蘇中天科技股份有限公司