一種保護(hù)籽晶型坩堝的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種保護(hù)籽晶型坩堝，包括坩堝主體，其中，所述坩堝主體的內(nèi)底部具有凹槽。所述保護(hù)籽晶型坩堝，通過(guò)在坩堝底部設(shè)置凹槽，使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部的籽晶，在保持正常底部籽晶預(yù)留高度的情況下，使得四周邊角的籽晶保存完好，從而起到了保護(hù)籽晶的作用。
【專利說(shuō)明】
一種保護(hù)籽晶型坩堝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及多晶硅鑄錠技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種坩禍。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在的坩禍主要承載著裝載硅料和硅錠成型長(zhǎng)晶工作。光伏太陽(yáng)能電站的不斷發(fā)展和生產(chǎn)技術(shù)的不斷提高，客戶對(duì)高效硅片和高效組件的需求不斷提升，而鑄錠是這其中的關(guān)鍵所在。以往的全熔工藝由于沒(méi)有穩(wěn)定的引晶作用，生產(chǎn)出來(lái)的硅錠的整體質(zhì)量偏低。研發(fā)人員從單晶使用籽晶來(lái)拉晶處得到啟發(fā)，研發(fā)出了半熔工藝，大大的提高了多晶鑄錠的質(zhì)量，提高了光電轉(zhuǎn)換效率。但由于保溫?zé)釄?chǎng)不均勻，采用半熔工藝時(shí)，硅錠邊角的籽晶經(jīng)常全熔，沒(méi)有起到引晶的作用，因此，如何保護(hù)邊角籽晶不熔，是研發(fā)人員一直想攻克的難題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種保護(hù)籽晶型坩禍，在保持正常底部紫晶預(yù)留高度的情況下，不會(huì)使得所有的籽晶全熔，有效地保護(hù)了籽晶。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種保護(hù)籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。
[0005]其中，所述凹槽為環(huán)形凹槽。
[0006]其中，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部?jī)?nèi)側(cè)壁的間距為20mm-40mm。
[0007]其中，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部?jī)?nèi)側(cè)壁的間距處處相等。
[0008]其中，所述環(huán)形凹槽的縱截面為長(zhǎng)方形、梯形或圓弧形。
[0009]其中，所述環(huán)形凹槽的寬度為20mm-150mm。
[0010]其中，所述環(huán)形凹槽的深度為2mm-10mm。
[0011]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的保護(hù)籽晶型坩禍，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0012]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的保護(hù)籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。
[0013]所述保護(hù)籽晶型坩禍，通過(guò)在坩禍底部設(shè)置凹槽，這就使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預(yù)留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會(huì)全熔，從而起到了保護(hù)籽晶的作用，提高整體硅錠的質(zhì)量，得到高效硅片。
[0014]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的保護(hù)籽晶型坩禍，通過(guò)在坩禍底部設(shè)置凹槽，起到了保護(hù)籽晶的作用，提高整體硅錠的質(zhì)量，得到高效硅片。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的保護(hù)籽晶型坩禍的一種【具體實(shí)施方式】的俯視圖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的保護(hù)籽晶型坩禍的一種【具體實(shí)施方式】的正視圖結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中為了得到更優(yōu)質(zhì)的硅錠，多晶鑄錠時(shí)采用了半熔生產(chǎn)工藝，但半熔鑄錠時(shí)硅錠邊角籽晶經(jīng)常會(huì)全熔，導(dǎo)致引晶效果差。因此，如何保證邊角籽晶不熔是需要研發(fā)人員克服的難題。
[0019]基于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種保護(hù)籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。
[0020]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的保護(hù)籽晶型坩禍，通過(guò)在坩禍底部設(shè)置凹槽，這就使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預(yù)留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會(huì)全熔，從而起到了保護(hù)籽晶的作用，提高整體硅錠的質(zhì)量，得到高效硅片。
[0021]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0022]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0023]請(qǐng)參考圖1-2，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的保護(hù)籽晶型坩禍的一種【具體實(shí)施方式】的俯視圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的保護(hù)籽晶型坩禍的一種【具體實(shí)施方式】的正視圖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]在一種具體方式中，所述保護(hù)籽晶型坩禍，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽I。
[0025]所述保護(hù)籽晶型坩禍，通過(guò)在坩禍底部設(shè)置凹槽I，這就使得底部凹槽I中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預(yù)留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會(huì)全熔，從而起到了保護(hù)籽晶的作用，提高整體硅錠的質(zhì)量，得到高效硅片。
[0026]由于采用半熔工藝時(shí)，使得開(kāi)始熔化后的液體流入所述凹槽I，為使得凹槽I內(nèi)各處的液體的溫度的差別減小，提高導(dǎo)熱效率，所述凹槽I為環(huán)形凹槽I。需要說(shuō)明的是，這里的環(huán)形凹槽I是指凹槽I沒(méi)有首尾，凹槽I內(nèi)的液體可以沿著一個(gè)方向流動(dòng)時(shí)，可以回到原來(lái)的位置，凹槽I的整體的外形可以是圓環(huán)形，也可以是方形或其它形狀，而且凹槽的數(shù)量可以是一個(gè)也可以是多個(gè)，本實(shí)用新型對(duì)凹槽的形狀和數(shù)量不做具體限定。
[0027]由于對(duì)坩禍加熱的加熱器絕大多數(shù)時(shí)候是在坩禍的外部設(shè)置的，為使得加熱均勻，與坩禍外壁的距離相等，為減少凹槽I內(nèi)的液體的溫度差，提高整體硅錠的質(zhì)量，得到高效硅片，所述環(huán)形凹槽I與所述坩禍的底部?jī)?nèi)側(cè)壁2的間距為20mm-40mm。
[0028]更進(jìn)一步，所述環(huán)形凹槽I與所述坩禍的底部?jī)?nèi)側(cè)壁2的間距處處相等。
[0029]為降低凹槽I的加工工藝，同時(shí)也使得凹槽I的形狀更加有規(guī)則，凹槽I內(nèi)的液體的溫差越小，所述環(huán)形凹槽I的縱截面為長(zhǎng)方形、梯形或圓弧形。需要說(shuō)明的是所述環(huán)形凹槽I的縱截面還可以是其它的形狀，如橢圓弧等，本實(shí)用新型對(duì)此不作具體限定。
[0030]為確保坩禍結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，所述環(huán)形凹槽I的寬度為20mm-150mm，所述環(huán)形凹槽I的深度為2mm-10mm。
[0031]—般所述環(huán)形凹槽I為長(zhǎng)方形環(huán)形凹槽I，通過(guò)在坩禍底部四周做環(huán)形凹槽I，使得底部四周的籽晶的最低處低于中間處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預(yù)留高度的情況下，使得四周的籽晶不會(huì)全熔，從而起到了保護(hù)籽晶的作用，這種方法比較簡(jiǎn)單，有效的保護(hù)了籽晶，替代了其他各種通過(guò)改進(jìn)鑄錠爐熱場(chǎng)工藝的方法，且改進(jìn)熱場(chǎng)、工藝的方法不夠明顯有效，且不同爐臺(tái)普適性不強(qiáng)，而在坩禍底部做凹槽I的方法具有較強(qiáng)的普適性。
[0032]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例的保護(hù)籽晶型坩禍，通過(guò)在坩禍底部設(shè)置凹槽，這就使得底部凹槽中的籽晶的最低處低于其它處底部籽晶，在保持正常底部籽晶預(yù)留高度的情況下，使得其余位置的籽晶不會(huì)全熔，從而起到了保護(hù)籽晶的作用，提高整體硅錠的質(zhì)量，得到高效硅片。
[0033]以上對(duì)本實(shí)用新型所提供的保護(hù)籽晶型坩禍進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，包括坩禍主體，其中，所述坩禍主體的內(nèi)底部具有凹槽。2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，所述凹槽為環(huán)形凹槽。3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部?jī)?nèi)側(cè)壁的間距為20mm-40mm。4.如權(quán)利要求3所述的保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽與所述坩禍的底部?jī)?nèi)側(cè)壁的間距處處相等。5.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽的縱截面為長(zhǎng)方形、梯形或圓弧形。6.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽的寬度為20mm-.150mm.7.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)籽晶型坩禍，其特征在于，所述環(huán)形凹槽的深度為2mm-.1Omnin
【文檔編號(hào)】C30B29/06GK205474106SQ201620274267
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年4月5日
【發(fā)明人】閆燈周, 李林東, 陳偉, 肖貴云, 黃晶晶, 李亮, 金浩
【申請(qǐng)人】晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司