一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置,包括:操作平臺(tái),操作平臺(tái)的上表面水平,帶有待取碳化硅單晶錠的石墨托自由放置在操作平臺(tái)的上表面,操作平臺(tái)上方設(shè)置有水平切割的電圓鋸,電圓鋸的驅(qū)動(dòng)軸穿過操作平臺(tái)與動(dòng)力裝置連接,操作平臺(tái)高度可調(diào)地固定在驅(qū)動(dòng)軸外的軸套上。本實(shí)用新型利用機(jī)械傳動(dòng)的方式對(duì)碳化硅晶錠進(jìn)行切割，保證了晶錠處于水平面上，避免了人工豎立晶錠時(shí)不能保證垂直而使晶錠受力不均裂開的風(fēng)險(xiǎn)；由于生長(zhǎng)出的單晶錠應(yīng)力較大，使用固定裝置容易使晶錠裂開，故操作平臺(tái)上不設(shè)置固定晶錠裝置。
【專利說明】
一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]碳化硅(SiC)作為目前發(fā)展最成熟的寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，其優(yōu)異的性能可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率、高壓以及抗輻射的新要求，因而被看作是半導(dǎo)體材科領(lǐng)域最有前景的材料之
O
[0003]PVT(物理氣相沉積)法是目前生長(zhǎng)大尺寸、高質(zhì)量碳化硅單晶的唯一成熟方法。目前國(guó)際上只有少數(shù)幾個(gè)機(jī)構(gòu)掌握了 PVT法生長(zhǎng)單晶的關(guān)鍵技術(shù)，其原因在于PVT法生長(zhǎng)過程難于控制，這主要包括四個(gè)方面:第一，單晶生長(zhǎng)涉及到多個(gè)生長(zhǎng)參數(shù)的動(dòng)態(tài)控制問題，而這些工藝參數(shù)之間是相互制約的；第二，影響生長(zhǎng)室內(nèi)氣相過飽和度的因素較多；第三，在界面穩(wěn)定性控制問題上，迄今為止氣相法界面穩(wěn)定性理論遠(yuǎn)未成熟;第四，生長(zhǎng)過程中碳化硅粉料被碳化并結(jié)晶長(zhǎng)大，對(duì)氣相組成以及生長(zhǎng)過飽和度造成一定的影響。因此，碳化硅單晶片價(jià)格較高，其使用范圍在一定程度上受到了制約。
[0004]現(xiàn)在常用的坩禍在生長(zhǎng)過程中籽晶是鑲嵌在石墨托上的，一般均采用托大于籽晶的方式鑲嵌在底托上。這樣的結(jié)構(gòu)因籽晶邊緣存在裸露石墨，在生長(zhǎng)過程中容易在這一區(qū)域先結(jié)晶，結(jié)晶為異質(zhì)結(jié)晶自由成核，生長(zhǎng)速度快于籽晶結(jié)晶的生長(zhǎng)速度，造成生長(zhǎng)的晶體邊緣與石墨托長(zhǎng)在一起且邊緣應(yīng)力突出。碳化硅單晶生結(jié)束后，如何把晶錠從石墨托上完整的取下來是決定單晶生長(zhǎng)是否成功的至關(guān)重要的一步。由于生長(zhǎng)出的單晶錠邊緣結(jié)晶問題及取錠操作失誤問題造成大量碳化硅單晶錠的碎裂，浪費(fèi)了資源，造成公司的損失。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的本實(shí)用新型一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置，包括:操作平臺(tái)，所述操作平臺(tái)的上表面水平，帶有待取碳化硅單晶錠的石墨托自由放置在操作平臺(tái)的上表面，操作平臺(tái)上方設(shè)置有水平切割的電圓鋸，所述電圓鋸的驅(qū)動(dòng)軸穿過操作平臺(tái)與動(dòng)力裝置連接，操作平臺(tái)高度可調(diào)地固定在所述驅(qū)動(dòng)軸外的軸套上。
[0007]進(jìn)一步，所述電圓鋸的圓鋸片為金剛石材質(zhì)。
[0008]進(jìn)一步，所述操作平臺(tái)通過卡固件限定操作平臺(tái)在所述軸套上的移動(dòng)高度。
[0009]進(jìn)一步，所述軸套上帶有高度標(biāo)尺。
[0010]進(jìn)一步，所述電圓鋸在遠(yuǎn)離被切割物的一側(cè)設(shè)置有圓鋸片的安全保護(hù)罩。
[0011]該水平式外圓鋸裝置使用比碳化硅硬的金剛石鋸片利用機(jī)械傳動(dòng)的方式對(duì)碳化硅晶錠進(jìn)行切割，保證了晶錠處于水平面上，避免了人工豎立晶錠時(shí)不能保證垂直而使晶錠受力不均裂開的風(fēng)險(xiǎn)；由于生長(zhǎng)出的單晶錠應(yīng)力較大，使用固定裝置容易使晶錠裂開，故操作平臺(tái)上不設(shè)置固定晶錠裝置。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為圖1的俯視圖。
[0014]其中，I操作平臺(tái)、2石墨托、3待取碳化硅單晶錠、4圓鋸片、5驅(qū)動(dòng)軸、6安全保護(hù)罩、7卡固件、8高度標(biāo)尺。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0016]如圖1和圖2所示的碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置包括:操作平臺(tái)I，操作平臺(tái)I的上表面水平，帶有待取碳化硅單晶錠3的石墨托2自由放置在操作平臺(tái)I的上表面，操作平臺(tái)I上方設(shè)置有水平切割的電圓鋸，電圓鋸選用比碳化硅硬的金剛石圓鋸片4進(jìn)行切害J，并且在遠(yuǎn)離被切割物的一側(cè)設(shè)置有圓鋸片4的安全保護(hù)罩6。電圓鋸的驅(qū)動(dòng)軸5穿過操作平臺(tái)I與動(dòng)力裝置連接，操作平臺(tái)I下方設(shè)置由卡固件8，通過卡固件8限定操作平臺(tái)I在驅(qū)動(dòng)軸5的軸套上的移動(dòng)高度，為了更加直觀地獲知操作平臺(tái)I與電圓鋸之間的距離，軸套上帶有高度標(biāo)尺。操作平臺(tái)I可以設(shè)置獨(dú)立的支撐結(jié)構(gòu)，也可以利用卡固件8的限位固定在驅(qū)動(dòng)軸5的軸套上。
[0017]使用本實(shí)用新型裝置，將待取碳化硅單晶3連同石墨托2—同放置在操作平臺(tái)I上，調(diào)節(jié)操作平臺(tái)I的高度使金剛石圓鋸片4與籽晶粘接位置處于同一水平線，取錠時(shí)輕輕按壓晶錠調(diào)整與圓鋸片4的位置，然后有人工逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)晶錠使其由邊緣均勻進(jìn)刀直至中心，得到與石墨托2分離的晶錠，操作簡(jiǎn)單。此種方法避免了單一人為操作的失誤，提高了產(chǎn)品合格率，操作簡(jiǎn)便，為公司節(jié)約了人力物力，增加了效益。
[0018]上述示例只是用于說明本實(shí)用新型，本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不限于這些示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員所做出的符合本實(shí)用新型思想的各種【具體實(shí)施方式】都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置，其特征在于，包括:操作平臺(tái)，所述操作平臺(tái)的上表面水平，帶有待取碳化硅單晶錠的石墨托自由放置在操作平臺(tái)的上表面，操作平臺(tái)上方設(shè)置有水平切割的電圓鋸，所述電圓鋸的驅(qū)動(dòng)軸穿過操作平臺(tái)與動(dòng)力裝置連接，操作平臺(tái)高度可調(diào)地固定在所述驅(qū)動(dòng)軸外的軸套上。2.如權(quán)力要求I所述的用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置，其特征在于，所述電圓鋸的圓鋸片為金剛石材質(zhì)。3.如權(quán)力要求I所述的用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置，其特征在于，所述操作平臺(tái)通過卡固件限定操作平臺(tái)在所述軸套上的移動(dòng)高度。4.如權(quán)力要求I所述的用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置，其特征在于，所述軸套上帶有高度標(biāo)尺。5.如權(quán)力要求I所述的用于碳化硅單晶取錠的水平式外圓鋸裝置，其特征在于，所述電圓鋸在遠(yuǎn)離被切割物的一側(cè)設(shè)置有圓鋸片的安全保護(hù)罩。
【文檔編號(hào)】C30B35/00GK205474115SQ201620103700
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年2月2日
【發(fā)明人】靳麗婕, 韓金波, 張?jiān)苽? 李龍遠(yuǎn), 馬曉亮, 張雪
【申請(qǐng)人】北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司