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一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩堝的制作方法

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一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩堝的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩堝,它包括坩堝本體(1),所述的坩堝本體(1)的內(nèi)側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽。本實(shí)用新型的有益效果是:凹槽能夠增加坩堝的形變量,減少了坩堝和藍(lán)寶石單晶間的熱應(yīng)力差值,而剩余的熱應(yīng)力只作用于晶體表面,不影響藍(lán)寶石單晶的整體質(zhì)量,從而有效的提升了藍(lán)寶石單晶的質(zhì)量和提高了藍(lán)寶石單晶體的成品率,從而降低了成本。
【專利說(shuō)明】
一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩堝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及坩禍,特別是一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前大直徑藍(lán)寶石生產(chǎn)使用的坩禍都是鉬或鎢材料,因鎢鉬材料和藍(lán)寶石單晶的熱膨脹系數(shù)不同,使得坩禍邊緣處易產(chǎn)生熱應(yīng)力,生長(zhǎng)出藍(lán)寶石單晶外部易開裂,大直徑藍(lán)寶石晶體一般在50公斤以上,單位價(jià)值高、生長(zhǎng)周期長(zhǎng),晶體外部開裂嚴(yán)重影響產(chǎn)品的質(zhì)量和成本。
[0003]大直徑藍(lán)寶石制備法是一個(gè)生長(zhǎng)和退火同時(shí)進(jìn)行的過(guò)程,生長(zhǎng)停止后從2050度逐步下降至常溫,當(dāng)溫度降低至常溫后,因熱膨脹系數(shù)不一致分離坩禍和晶體時(shí)晶體外部開裂。如圖1所示,現(xiàn)使用的鎢鉬坩禍?zhǔn)潜容^標(biāo)準(zhǔn)的圓形且內(nèi)壁是光滑的,鉬坩禍和藍(lán)寶石單晶在生長(zhǎng)過(guò)程熱膨脹系數(shù)的不同時(shí)而形變量不同,藍(lán)寶石的性質(zhì)無(wú)法改變,因此需要更改坩禍的形態(tài),增加坩禍的形變量,減少坩禍和藍(lán)寶石單晶間的熱應(yīng)力差值,剩余的力只作用于晶體表面,不影響藍(lán)寶石單晶的整體質(zhì)量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種形變量大、成品率高和成本低能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍。
[0005]本實(shí)用新型的目的通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,它包括坩禍本體,所述的坩禍本體的內(nèi)側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽。
[0006]所述的坩禍本體為圓筒體。
[0007]所述的凹槽均勻分布在坩禍本體的內(nèi)側(cè)壁上。
[0008]所述的凹槽為V形槽。
[0009]所述相鄰的V形槽相接,且所有的V形槽構(gòu)成一封閉的環(huán)形。
[0010]所述的凹槽為弧形槽。
[0011]所述相鄰的弧形槽相接,且所有的弧形槽構(gòu)成一封閉的環(huán)形。
[0012]本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型的坩禍,在坩禍的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置有凹槽,凹槽能夠增加坩禍的形變量,減少了坩禍和藍(lán)寶石單晶間的熱應(yīng)力差值,而剩余的熱應(yīng)力只作用于晶體表面,不影響藍(lán)寶石單晶的整體質(zhì)量,從而有效的提升了藍(lán)寶石單晶的質(zhì)量和提高了藍(lán)寶石單晶體的成品率,從而降低了成本。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為現(xiàn)有坩禍的俯視示意圖;
[0014]圖2為實(shí)施例一的俯視不意圖;
[0015]圖3為實(shí)施例一■的俯視不意圖;
[0016]圖中,1-坩禍本體,2-V形槽,3-弧形槽。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述:
[0018]實(shí)施例一:
[0019]如圖2所示,一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,它包括坩禍本體I,所述的坩禍本體I的內(nèi)側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽,在本實(shí)施例中,所述的坩禍本體I為圓筒體,所述的凹槽均勻分布在坩禍本體I的內(nèi)側(cè)壁上,進(jìn)一步的,所述的凹槽為V形槽2,所述相鄰的V形槽2相接,且所有的V形槽2構(gòu)成一封閉的環(huán)形,V形槽2增加了坩禍的形變量,減少了坩禍和藍(lán)寶石單晶間的熱應(yīng)力差值,而剩余的熱應(yīng)力只作用于晶體表面,不影響藍(lán)寶石單晶的整體質(zhì)量,從而有效的提升了藍(lán)寶石單晶的質(zhì)量和提高了藍(lán)寶石單晶體的成品率,從而降低了成本。
[0020]實(shí)施例二:
[0021]如圖3所示,一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,它包括坩禍本體I,所述的坩禍本體I的內(nèi)側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽,在本實(shí)施例中,所述的坩禍本體I為圓筒體,所述的凹槽均勻分布在坩禍本體I的內(nèi)側(cè)壁上,進(jìn)一步的,所述的凹槽為弧形槽3,所述相鄰的弧形槽3相接,且所有的弧形槽3構(gòu)成一封閉的環(huán)形,弧形槽3增加了坩禍的形變量,減少了坩禍和藍(lán)寶石單晶間的熱應(yīng)力差值,而剩余的熱應(yīng)力只作用于晶體表面,不影響藍(lán)寶石單晶的整體質(zhì)量,從而有效的提升了藍(lán)寶石單晶的質(zhì)量和提高了藍(lán)寶石單晶體的成品率,從而降低了成本。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:它包括坩禍本體(I),所述的坩禍本體(I)的內(nèi)側(cè)壁上開設(shè)有多個(gè)凹槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:所述的坩禍本體(I)為圓筒體。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:所述的凹槽均勻分布在坩禍本體(I)的內(nèi)側(cè)壁上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:所述的凹槽為V形槽(2)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:所述相鄰的V形槽(2)相接,且所有的V形槽(2)構(gòu)成一封閉的環(huán)形。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:所述的凹槽為弧形槽(3)。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能有效減少藍(lán)寶石單晶之間熱應(yīng)力差值的坩禍,其特征在于:所述相鄰的弧形槽(3)相接,且所有的弧形槽(3)構(gòu)成一封閉的環(huán)形。
【文檔編號(hào)】C30B29/20GK205603722SQ201620277579
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年4月6日
【發(fā)明人】錢幼平, 陳宣澄, 婁澤亮
【申請(qǐng)人】四川鑫通新材料有限責(zé)任公司
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