Vgf鍺單晶生長爐支撐底座的制作方法
【專利摘要】VGF鍺單晶生長爐支撐底座，涉及一種底座，尤其是一種VGF鍺單晶生長爐支撐底座。本實用新型的VGF鍺單晶生長爐支撐底座，其特征在于該裝置由橫桿、底板、活動塊、散熱孔和細圓棒構(gòu)成；底板通過內(nèi)六角螺栓固定在兩根橫桿之間，活動塊拼接在底板側(cè)面，底板與活動塊相對的一側(cè)都具有一個半圓孔，兩者通過外六角螺栓連接構(gòu)成一個圓孔，底板中間設(shè)置散熱孔，兩根細圓棒通過U型卡槽固定在散熱孔的兩側(cè)。本實用新型的VGF鍺單晶生長爐支撐底座，在保證能平穩(wěn)、牢固地支撐爐芯、石英管及爐套的情況下，也能固定好石英棒與測溫熱電偶，且安裝方便，使用簡單，穩(wěn)固性好，散熱性好，實用性高，適合用在不同尺寸的VGF爐中。
【專利說明】
VGF鍺單晶生長爐支撐底座
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種底座，尤其是一種VGF鍺單晶生長爐支撐底座。
【背景技術(shù)】
[0002]VGF法(垂直梯度凝固法)由于生長單晶時溫度梯度較低，生長速率較小，目前已成為生長大直徑、低位錯密度晶體的主流技術(shù)之一。在VGF法生長晶體工藝過程中，備爐是一個很重要的階段，在該階段中，需要將做好的爐芯、石英管(支撐管)及爐套重疊起來，然后從爐體的下方放入爐內(nèi)，下端置于底座上。其中，爐芯主要是用來放置測溫熱電偶、散熱以及進行籽晶熔接;爐套主要用來保溫;石英管主要用來支撐裝有Ge(GaAs、InP)料的異型管。
[0003]目前用VGF法生長晶體時，采用的底座容易使石英管發(fā)生位移或傾斜，會直接影響到晶體的質(zhì)量，而且插入爐芯底端的石英棒與底座的散熱性也會影響籽晶的熔接程度，進而影響到晶體生長的質(zhì)量。另外，怎么固定好爐體下方石英棒與測溫熱電偶也是一個普遍存在的冋題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型針對石英管容易發(fā)生位移或傾斜，散熱性差，無法固定好爐體下方石英棒與測溫熱電偶的問題，提供一種VGF鍺單晶生長爐支撐底座。
[0005]本實用新型的VGF鍺單晶生長爐支撐底座，其特征在于該裝置由橫桿、底板、活動塊、散熱孔和細圓棒構(gòu)成;底板通過內(nèi)六角螺栓固定在兩根橫桿之間，活動塊拼接在底板側(cè)面，底板與活動塊相對的一側(cè)都具有一個半圓孔，兩者通過外六角螺栓連接構(gòu)成一個圓孔，底板中間設(shè)置散熱孔，兩根細圓棒通過U型卡槽固定在散熱孔的兩側(cè)。
[0006]所述的橫桿、底板、活動塊及細圓棒的上表面保持在同一水平面。
[0007]所述的內(nèi)六角螺栓的下方有一排十字螺栓。
[0008]本實用新型的VGF鍺單晶生長爐支撐底座，在保證能平穩(wěn)、牢固地支撐爐芯、石英管及爐套的情況下，也能固定好石英棒與測溫熱電偶，且安裝方便，使用簡單，穩(wěn)固性好，散熱性好，實用性高，適合用在不同尺寸的VGF爐中。
【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型底座結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0010]圖2是本實用新型底座結(jié)構(gòu)的正視圖；
[0011]圖3是本實用新型底座結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0012]圖中，橫桿1、底板2、散熱孔3、細圓棒4、U型卡槽5、活動塊6、圓孔7、外六角螺栓8、內(nèi)六角螺栓9、十字螺栓1。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細說明。
[0014]實施例1: VGF鍺單晶生長爐支撐底座由橫桿1、底板2、活動塊6、散熱孔3及細圓棒4構(gòu)成;橫桿1、底板2及活動塊6都為長方形，橫桿1、底板2、活動塊6及細圓棒4的上表面保持在同一水平面，以使底座平穩(wěn)放置，底板2通過內(nèi)六角螺栓9固定在兩根橫桿I之間，活動塊6拼接在底板2上，底板2與活動塊6相對的一側(cè)都具有一個半圓孔，通過外六角螺栓8連接將兩個半圓孔構(gòu)成一個圓孔7，底板2中間設(shè)置散熱孔3，散熱孔3為圓角矩形，兩根細圓棒4通過U型卡槽5固定在散熱孔3的兩側(cè)，兩根細圓棒4之間的距離為3cm。
[0015]備爐時，通過圓孔7把底座固定在爐體下方的活動圓桿上，然后轉(zhuǎn)動手柄將爐體搖成45°傾斜，把做好的爐芯、石英管及爐套重疊在一起，從爐體的下方放入爐內(nèi)，用一只手托住，另一只手轉(zhuǎn)動手柄，等爐體成90°垂直后慢慢將爐芯、石英管及爐套置于底座上，該步驟中，爐芯下端的測溫熱電偶需從兩根細圓棒4的中間穿過。根據(jù)裝爐的尺寸，搖動活動圓桿的手柄，將底座搖至相應(yīng)的位置，然后從具有散熱作用的散熱孔3孔中插入石英棒與測溫熱電偶，并利用十字螺栓10固定起來。
[0016]以上僅為本實用新型的一種實施方式，只要使用了以上所述的結(jié)構(gòu)，均應(yīng)落入本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.VGF鍺單晶生長爐支撐底座，其特征在于該底座由橫桿(I)、底板(2)、活動塊(6 )、散熱孔(3)和細圓棒(4)構(gòu)成；底板(2)通過內(nèi)六角螺栓(9)固定在兩根橫桿(I)之間，活動塊(6)拼接在底板(2)側(cè)面，底板(2)與活動塊(6)相對的一側(cè)都具有一個半圓孔，兩者通過外六角螺栓(8)連接構(gòu)成一個圓孔(7)，底板(2)中間設(shè)置散熱孔(3)，兩根細圓棒(4)通過U型卡槽(5 )固定在散熱孔(3 )的兩側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VGF鍺單晶生長爐支撐底座，其特征在于所述的橫桿(1)、底板(2)、活動塊(6)及細圓棒(4)的上表面保持在同一水平面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VGF鍺單晶生長爐支撐底座，其特征在于所述的內(nèi)六角螺栓(9)的下方有一排十字螺栓(10)。
【文檔編號】C30B29/08GK205688056SQ201620518771
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月1日 公開號201620518771.4, CN 201620518771, CN 205688056 U, CN 205688056U, CN-U-205688056, CN201620518771, CN201620518771.4, CN205688056 U, CN205688056U
【發(fā)明人】肖祥江, 董汝昆, 李武芳, 祝永成, 何永彬, 高云浩, 金之生, 楊小瑞, 權(quán)忠朝
【申請人】云南中科鑫圓晶體材料有限公司, 昆明云鍺高新技術(shù)有限公司, 云南鑫耀半導體材料有限公司