專利名稱：：有機金屬化合物的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明一般涉及有機金屬化合物領域。具體來說，本發(fā)明涉及可用來通過原子層沉積和化學氣相沉積來沉積薄膜的有機金屬化合物領域。
背景技術：
：在原子層沉積("ALD")法中，通過使表面暴露于兩種或更多種化學反應物交替的蒸氣來沉積共形的薄膜。使得來自第一前體(或反應物)的蒸氣到達其上將要沉積所需薄膜的表面。在真空下將任何未反應的蒸氣從該體系中除去。接下來，使來自第二前體的蒸氣到達該表面，使其與所述第一前體反應，除去任何過量的第二前體蒸氣。ALD法中的每一步通常沉積單層所需的膜。重復這些步驟順序，直至得到所需的膜厚度。通常ALD法在相當?shù)偷臏囟认逻M行，例如溫度為200-400°C。確切的溫度范圍將取決于具體的待沉積的膜以及具體使用的前體。人們已經(jīng)使用ALD法沉積純金屬以及金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳氮化物(metalcarbidenitride)禾口金屬硅氮化物(metalsilicidenitride)。ALD前體必須具有足夠的揮發(fā)性，以確保在反應器中具有足夠的前體蒸氣濃度，使得能夠在合理的時間內(nèi)在基板表面上沉積單層。所述前體還必須具有足夠的穩(wěn)定性，使得在蒸發(fā)的時候不會發(fā)生過早分解和不希望有的副反應，但是必須具有充分的活性，以在基板上形成所需的膜。由于需要揮發(fā)性和穩(wěn)定性之間的平衡，因此總體上來說缺少合適的前體。常規(guī)的前體是同配體型的(homoleptic),即它們具有單一(single)的配位基團。同配體型前體提供均勻的化學特性，因此具有能夠使配體的官能團與沉積法相匹配和協(xié)調(diào)的固有優(yōu)點。但是，僅使用單一的配位基團對其它的極為重要的前體特性的控制較少，所述其它前體特性例如金屬中心的屏蔽，而這些特性能夠控制表面反應(例如化學吸附)和氣相反應(例如與第二種補充的前體的反應)、調(diào)節(jié)前體的揮發(fā)性、使前體達到所需的熱穩(wěn)定性。例如，目前人們使用四(二烷氨基)鉿作為HfCU的不含氯的替代品。但是這類化合物中的前體容易在儲存過程中和/或到達反應器之前過早地分解。人們曾嘗試使用能提供熱穩(wěn)定性的另一種有機基團取代一個或多個二烷氨基，但是由于無法使其它基團的官能度匹配和獲得所需的穩(wěn)定性，因此收效甚微。已知某些金屬亞氨基配位化合物可作為氣相沉積的前體。例如，美國專利申請No.2005/0202171(Shin)披露了一些適合用作ALD的前體的金屬亞氨基配位化合物。這些化合物在某些ALD條件下可能無法提供所需的揮發(fā)性與熱穩(wěn)定性(或其它性質(zhì))的平衡。人們?nèi)匀恍枰軌驖M足沉積的要求、制得基本不含碳的膜的合適而穩(wěn)定的前體。-
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了具有以下化學式(EDG-(CR'R2)y-N=)nM+mLVL2,.L:'p的有機金屬化合物，式中R'和I^獨立地選自H、(C,-C6)垸基和EDG;EDG是給電子基團；M=金屬；L'一月離子型配體；L2是選自氨基、烷基氨基、二垸基氨基和烷氧基烷基二垸基氨基的配體；L'-中性配體；y=0-6;m二M的價數(shù)；n=l-2;x'>0;x"》0;m=2n+x，+x";p=0-3;其中，當m=2-3時n=1，當m》4時n=1-2;L'#L2;條件是當m》3且EDG=氨基、烷基氨基、二烷基氨基、吡啶基或垸氧基時，x'》1。這些化合物適用于各種氣相沉積法，例如化學氣相沉積("CVD")，特別適用于ALD。還提供了一種包含上述有機金屬化合物和有機溶劑的組合物。這種組合物特別適用于ALD和直接液體注射(directliquidinjection)法。本發(fā)明還提供了一種沉積膜的方法，該方法包括以下步驟在反應器中提供基板；將上述有機金屬化合物以氣態(tài)形式輸送到所述反應器；在基板上沉積包含所述金屬的膜。在另一個實施方式中，本發(fā)明提供了一種沉積膜的方法，該方法包括以下步驟在反應器中提供基板；將上述有機金屬化合物作為第一前體以氣態(tài)形式輸送到所述反應器；將所述第一前體化合物化學吸附到所述基板的表面上；從所述反應器中除去任何未被化學吸附的第一前體化合物；將第二前體以氣態(tài)形式輸送到該反應器；使所述第一前體和第二前體反應，以在基板上形成膜；除去任何未反應的第二前體。優(yōu)選實施方式在本說明書中，除非上下文清楚地另外說明，否則以下縮寫的含義如下°C=攝氏度;卯m:份/百萬份;ppb:份/十億份;RT:室溫;M:摩爾/升(molar);Me:甲基;Et二乙基；i-P產(chǎn)異丙基；t-Bu巧叔丁基；c-Hx二環(huán)己基；Cp-環(huán)戊二烯基；Py二吡啶基；BiPy二聯(lián)吡啶基；COD:環(huán)辛二烯；CO—氧化碳；82=苯；Ph二苯基；VTMS二乙烯基三甲基硅垸和THF-四氫呋喃。"鹵素"指氟、氯、溴和碘，"鹵代"表示氟代、氯代、溴代和碘代。類似的,"鹵化的"表示氟化、氯化、溴化和碘化的。"烷基"包括直鏈、支鏈和環(huán)狀垸基。類似的，"烯基"和"炔基"分別包括直鏈、支鏈和環(huán)狀的烯基和炔基。冠詞"一個"和"一種"表示單數(shù)和復數(shù)。除非另外說明，所有的量都是重量百分數(shù)，所有的比例都是摩爾比。所有的數(shù)值范圍都包括端值且可以以任意的順序互相組合，除非很明顯這些數(shù)值范圍限制為相加之和等于100%。本發(fā)明的有機金屬化合物統(tǒng)稱為金屬亞氨基絡合物，具有以下通式(EDG-(CR'R2),-恥)JTL1,L2X"L3P，式中，1^和112獨立地選自H、(C廣C6)烷基和EDG;EDG是給電子基團；M-金屬；1^=陰離子型配體；1^2是選自氨基、垸基氨基、二烷基氨基和垸氧基垸基二垸基氨基的配體；1^=中性配體；y=0-6;m=M的價數(shù)；n=1—2;x'》0;x"》0;ra=2n+x，+x";p=0—3;其中，當m=2—3時n=1，當m^4時n=1-2;L1#L2;條件是當m>3且EDG二氨基、烷基氨基、二烷基氨基、吡啶基或垸氧基時，x'>1。在一個實施方式中，y=0-3。下標"n"代表本發(fā)明化合物中亞氨基配位配體的數(shù)目。M的價數(shù)通常為2-7(即，通常m=2-7)，優(yōu)選3-7，更優(yōu)選3-6。本領域技術人員應理解，當m》6時，n=l或2。當金屬的價數(shù)《5(即，ra《5)時，n通常為l。一般而言，x，=0-5。當m=2時，x，=x"=0。一般而言，x"=0-5，更優(yōu)選0-4。在一個實施方式中，W和R2，R3和R4各自獨立地選自H、甲基、乙基、丙基、丁基或給電子基團("EDG")?？梢赃m當?shù)厥褂迷S多種金屬來形成本發(fā)明的亞氨基絡合物。通常,M選自第2族至第16族的金屬。在本文中，術語"金屬"包括準金屬(metalloid)硼、硅、砷、硒和碲，但是不包括碳、氮、磷、氧和硫。在一個實施方式中，M-M二Be，Mg，Sr，Ba,Al，Ga,In,Si，Ge，Sb，Bi，Se，Te，Po，Cu,Zn，Sc，Y，La，鑭系金屬，Ti，Zr,Hf,Nb,W，Mn,Co,Ni,Ru，Rh，Pd,Ir或Pt。在另一個實施方式中，M=A1，Ga，In，Ge,La,鑭系金屬，Ti,Zr，Hf，Nb，W,Mn,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Ir或Pt。適合用于EDG的給電子基團是能為金屬提供n-電子穩(wěn)定作用的任何基團。給電子基團可以是包含氧、磷、硫、氮、烯基、炔基和芳基的中的一個或多個的任何基團。也可以使用給電子基團的鹽，如其堿金屬或堿土金屬鹽。示例的給電子基團包括但不限于羥基("-0H")、(c「a)垸氧基("-0R")、羰基("-C(0)-")、羧基("-C02X")、羰(C廠Q垸氧基(carbalkoxy，"-C02R")、碳酸酯基("-0C02R")、氨基("-NH2")、(d-Ce)烷基氨基("-NHR")、二(d-Ce)烷基氨基("-服2")、巰基("-SH")、硫醚("-SR，，)、硫代羰基("-C(S)-")、膦基("PH2")、(d-C6)烷基膦基("-P服")、二(C「Ce)烷基膦基("-PR2")、乙烯基("C=C")、乙炔基("C^C")、吡啶基、苯基、呋喃基、苯硫基、氨基苯基、羥基苯基、(d-C6)烷基苯基、二(d-Ce)烷基苯基、(d-Ce)烷基苯酚、(d-Cj烷氧基-(d-C6)垸基苯基、聯(lián)苯基和聯(lián)吡啶基。所述給電子基團可包括另一個給電子基團，如在羥基苯基、氨基苯基和垸氧基苯基。在本發(fā)明中可使用許多種陰離子型配體(L1)。這些配體帶負電荷?？赡艿呐潴w包括但不限于氫負離子(hydride)、鹵素負離子(halide)、疊氮根(azide)、烷基、烯基、炔基、羰基、二垸基氨基垸基、亞氨基、酰肼基(hydrazido)、磷基(phosphido)、亞硝?；⑾貂；?、亞硝酸根、硝酸根、腈、烷氧基、二垸基氨基烷氧基、甲硅烷氧基、二酮酸根(diketonate)、酮亞胺根(ketoiminate)、環(huán)戊二烯基、甲硅烷基、卩比唑根(pyrazolate)、胍根(guanidinate)、膦胍根(phosphoguanidinate)、脒根(amidinate)禾口膦脒根(phosphoamidinate)。這些配體可以任選地被取代，例如用卣素、氨基、二甲硅垸基氨基和甲硅烷基之類的其它取代基取代一個或多個氫。示例性的陰離子型配體包括但不限于(Crdo)烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、環(huán)丙基、環(huán)戊基和環(huán)己基；(CVChO烯基，例如乙烯基、烯丙基和丁烯基；(CVdo)炔基，例如乙炔基和丙炔基;(CrCu))垸氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基；環(huán)戊二烯基，例如環(huán)戊二烯基、甲基環(huán)戊二烯基和五甲基環(huán)戊二烯基；二(CrCn))烷基氨基(Q-Cu))烷氧基，例如二甲基氨基乙氧基、二乙基氨基乙氧基、二甲基氨基丙氧基、乙基甲基氨基丙氧基和二乙基氨基丙氧基；甲硅垸基，例如(CVCu))烷基甲硅垸基和(d-CH))垸基氨基甲硅烷基；以及烷基脒根(amidinate)，例如N,N'-二甲基-甲基脒基(amidinato)、N,N'-二乙基-甲基脒基、N，N，-二乙基-乙基脒基、N，N，-二異丙基-甲基脒基、N，N，-二異丙基異丙基脒基和N,N，-二甲基苯基脒基。當m^3且EDG=氨基、烷基氨基、二垸基氨基、吡啶基或烷氧基時，至少一個L'配體存在于有機金屬化合物中，即x'》1。通常，最多可以有五個L'配體存在。在一個實施方式中，x'=1-4。當存在2個或更多個i;配體時，這些配體可以相同或不同。L2是選自以下的配體氨基、烷基氨基、二垸基氨基和垸氧基垸基二垸基氨基。當3且EDG=氨基、垸基氨基、二垸基氨基、吡啶基或垸氧基時，配體y存在。l/的示例性配體包括但不限于(d-CJ烷基氨基，如甲基氨基、乙基氨基和丙基氨基；二(d-CJ烷基氨基，如二甲基氨基、二乙基氨基、乙基甲基氨基和二丙基氨基。所述化合物中任選包含中性配體(L3)。這些中性配體整體不帶電荷，可作為穩(wěn)定劑。中性配體包括但不限于CO、NO、烯烴、二烯、三烯、炔和芳族化合物。示例性的中性配體包括但不限于(C2-do)烯烴，例如乙烯、丙烯、l-丁烯、2-丁烯、l-戊烯、2-戊烯、l-己烯、2-己烯、降冰片烯、乙烯基胺、烯丙基胺、乙烯基三(d-C6)垸基硅垸、二乙烯基二(CrC6)垸基硅垸、乙烯基三(CrC6)垸氧基硅垸和二乙烯基二(Q-C6)垸氧基硅垸；(OrQ2)二烯，例如丁二烯、環(huán)戊二烯、異戊二烯、己二烯、辛二烯、環(huán)辛二烯、降冰片二烯和a-萜品烯；(CVd6)三烯；(C2-Q())炔，例如乙炔和丙炔；以及芳族化合物，例如苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、甲苯、鄰甲基異丙基苯、間甲基異丙基苯、對甲基異丙基苯、吡啶、呋喃和噻吩。中性配體的數(shù)量取決于M選擇的具體金屬。通常，中性配體的數(shù)目為0-3。當包含2個或更多個中性配體的時候，這些配體可以是相同或不同的。本發(fā)明的金屬亞氨基絡合物可以通過本領域已知的各種方法制備。例如，美國專利申請No.2005/0202171(Shin)中揭示的制備某些乙基甲基氨基金屬化合物的一般方法可以用來制備本發(fā)明的有機金屬化合物。或者，本領域的技術人員可容易地對國際專利申請W02004/007796和WO2005/112101中所揭示的制備某些亞氨基絡合物的一般方法進行改進，用來制備本發(fā)明的金屬亞氨基絡合物。上述有機金屬化合物特別適用作薄膜氣相沉積的前體。這類化合物可以用于多種CVD工藝以及多種ALD工藝。一個實施方式中，兩種或更多種這類有機金屬化合物可以用于CVD或ALD工藝。當使用兩種或更多種有機金屬化合物時，這些化合物可以含有相同的金屬但具有不同的配體，或者含有不同的金屬。在另一個實施方式中，本發(fā)明的一種或多種有機金屬化合物可以與一種或多種其它的前體化合物一起使用。起泡器(也被稱為氣缸)是用來向沉積反應器提供處于氣相的本發(fā)明有機金屬化合物的常規(guī)輸送裝置。所述起泡器通常包括裝料口(miport)、氣體進口和與蒸發(fā)器相連的出口，如果使用直接液體注射，蒸發(fā)器與沉積室相連。出口也可以與沉積室直接相連。載氣通常經(jīng)過氣體進口進入起泡器，攜帶或挾帶前體蒸氣或含前體的氣流。然后攜帶或挾帶的蒸氣經(jīng)由出口離開起泡器，輸送到沉積室。可使用許多種載氣，例如氫氣、氦氣、氮氣、氬氣及其混合物。根據(jù)具體使用的沉積設備，可使用許多種起泡器。當前體化合物為固體的時候，可使用美國專利第6,444,038號(Rangarajan等)和第6,607,785號(Timmons等)所揭示的起泡器以及其它的設計。對于液態(tài)前體化合物，可使用美國專利第4,506,815號(Melas等)和第5，755，885號(Mikoshiba等)中所揭示的起泡器，以及其它的液態(tài)前體起泡器。源化合物以液體或固體形式保存在起泡器中。固體源化合物通常首先被蒸汽化或升華，然后輸送到沉積室。用于ALD法的起泡器可以在進口和出口具有氣動閥，以便于根據(jù)需要快速開關，從而提供所需的蒸氣脈沖。在常規(guī)的CVD法中，用來提供液態(tài)前體的起泡器以及某些用來提供固態(tài)前體的起泡器會包括與氣體進口相連的汲取管。通常，載氣在有機金屬化合物(也被稱為前體或源化合物)的表面以下引入，向上移動通過所述源化合物，到達其上的頂部空間，將源化合物的蒸氣攜帶或挾帶在載氣中。用于ALD法的前體通常是液體、低熔點固體或者配制在溶劑中的固體。為了處理這些種類的前體，用于ALD法的起泡器可包括與出口相連的汲取管。氣體經(jīng)由進口進入這些起泡器，對起泡器加壓，迫使前體沿著汲取管向上流動，離開起泡器。本發(fā)明提供了一種包含上述有機金屬化合物的輸送裝置。在一個實施方式中,所述輸送裝置包括一容器，該容器具有細長圓柱形的部分(該部分包括具有橫截面的內(nèi)表面)、頂部封閉部分和底部封閉部分，所述頂部封閉部分具有用來引入載氣的進口，還具有出口，所述細長的圓柱形部分包括含有上述有機金屬化合物的室。一個實施方式中，本發(fā)明提供了一種用來將被有機金屬化合物飽和的流體流輸送至化學氣相沉積系統(tǒng)的裝置，所述有機金屬化合物的化學式為(EDG-(CR'R2)y-N=)JTIA.L2,L3P，式中，R1和R2獨立地選自H、(C廣C6)垸基和EDG;EDG是給電子基團；M^金屬；1;=陰離子型配體；1/是選自氨基、垸基氨基、二垸基氨基和烷氧基烷基二垸基氨基的配體；1^=中性配體；y=0-6;m^M的價數(shù)；n=1—2;x，》0;x"》0;m二2n+x，+x":p=0—3;其中，當m=2—3時n=1，當m》4時n=1-2;L1#L2;條件是當m>3且EDG=氨基、烷基氨基、二烷基氨基、吡啶基或烷氧基時，x'》1，所述裝置包括一容器，該容器包括細長的圓柱形部分(其包括具有橫截面的內(nèi)表面)、頂部封閉部分和底部封閉部分，所述頂部封閉部分包括用來引入載氣的進口，還包括出口，所述細長的圓柱形部分包括含有所述有機金屬化合物的室；所述進口與所述室流體連通，所述室與所述出口流體連通。在另一個實施方式中，本發(fā)明提供了用來化學氣相沉積金屬膜的設備，該設備包括一個或多個用來加入被上述有機金屬化合物飽和的流體流的裝置。所述沉積室通常是其中設有至少一個、可能是許多個基板的加熱的容器。所述沉積室具有一個出口，該出口通常與真空泵相連，以便在適宜的時候?qū)⒏碑a(chǎn)物抽出室外，以及提供減小的壓力。金屬有機CVD("MOCVD")可以在大氣壓或減壓下進行。所述沉積室保持在足以引發(fā)源化合物分解的足夠高的溫度。通常的沉積室溫度為200-1200°C，更優(yōu)選為200-600°C,對確切的溫度進行選擇，使其能夠最優(yōu)化地提供有效的沉積。如果基板保持在升高的溫度下、或者如果通過射頻("RF")能源產(chǎn)生等離子體之類的其它能量，可以任選地降低沉積室中整體的溫度。在電子器件制造中，適用于沉積的基板可以是硅、硅鍺、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等。這些基板特別適用于制造集成電路。根據(jù)需要持續(xù)沉積任意長的時間，以制備具有所需性質(zhì)的膜。通常當停止沉積的時候，膜厚度為數(shù)百至數(shù)千A或更厚。因此，本發(fā)明提供了一種沉積金屬膜的方法，該方法包括以下步驟a)在氣相沉積反應器中提供基板；b)將上述有機金屬化合物作為前體以氣態(tài)輸送到所述反應器內(nèi)；c)在所述基板上沉積包含金屬的膜。在常規(guī)的CVD法中，上述方法還包括使所述前體在所述反應器中分解的步驟。以每次一種前體的方式，通過ALD對所述基板交替施加形成含金屬薄膜的各種元素的前體化合物的蒸氣，制得的幾乎具有完美的化學計量關系的含金屬的薄膜。在ALD法中，對基板施加能夠與基板表面反應的第一種前體的蒸氣，這種施加操作在足以使該反應進行的足夠高的溫度下進行，在基板表面上形成第一前體(或其中所包含的金屬)的單原子層，對在其上形成了第一前體原子層的表面施加第二種前體的蒸氣，所述第二種前體在足夠高的溫度下與第一種前體反應，從而在所述基板的表面上形成所需金屬膜的單原子層?？梢越惶媸褂盟龅谝磺绑w和第二前體持續(xù)交替進行該過程，直至形成的膜達到所需的厚度為止。所述ALD法中使用的溫度通常低于MOCVD法中使用的溫度，可以為200-400。C,但是也可根據(jù)所選的前體、待沉積的膜、以及本領域技術人員所知的其它標準選擇其它合適的溫度。ALD設備通常包括真空室裝置，用來提供抽真空的氣氛，還包括位于所述真空室裝置內(nèi)的一對裝置，這對裝置包括用來支承至少一個基板的支承裝置、以及用來分別形成兩種不同前體的至少兩種蒸氣的來源的源裝置，還包括操作裝置，該操作裝置與所述一對裝置中的一個操作連接，用來相對于這對裝置中的另一個、對這一個裝置進行操作，首先在基板上提供一種前體的單原子層，然后提供另一種單體的單原子層。例如參見美國專利No.4，058，430(Suntola)中對ALD設備的描述。在另一個實施方式中，本發(fā)明提供了一種沉積膜的方法，該方法包括以下步驟在氣相沉積反應器中提供基板；將上述有機金屬化合物作為第一前體以氣態(tài)形式輸送到所述反應器；使所述第一前體化合物化學吸附到所述基板的表面上；從所述反應器中除去任何未被化學吸附的第一前體化合物；將第二前體以氣態(tài)形式輸送到所述反應器；使所述第一前體和第二前體反應，在基板上形成膜；除去任何未反應的第二前體。重復交替進行輸送所述第一和第二前體的步驟以及使第一前體與第二前體反應的步驟，直至得到所需的膜厚度。從反應器除去前體的步驟可包括在真空下對反應器抽氣一次或多次，并使用非反應物氣體和/或多種溶劑蒸氣吹掃所述反應器。所述第二前體可以是任何能夠與所述第一前體反應生成所需膜的合適的前體。該第二前體可任選地包含另外的金屬。示例性的第二前體包括但不限于氧氣、臭氧、水、過氧化氫、醇、一氧化二氮和氨。當本發(fā)明的有機金屬化合物用于ALD法或者用于直接液體注射法的時候，它們可與有機溶劑相混合?？墒褂萌魏螌τ袡C金屬化合物呈適當?shù)亩栊缘挠袡C溶劑。示例性的有機溶劑包括，但不限于脂族烴、芳香烴、直鏈垸基苯、鹵代烴、甲硅烷基化的烴、醇、醚、甘醇二甲醚、二醇、醛、酮、羧酸、磺酸、酚、酯、胺、垸基腈、硫醚、硫胺(thioamine)、氰酸酯、異氰酸酯、硫氰酸酯、硅油、硝基烷基、垸基硝酸酯、以及它們的混合物。合適的溶劑包括四氫呋喃、二甘醇二甲醚、乙酸正丁酯、辛烷、乙酸2-甲氧基乙酯、乳酸乙酯、1，4-二噁烷、乙烯基三甲基硅烷、吡啶、均三甲苯、甲苯和二甲苯。可使用有機溶劑的混合物。當用于直接液體注射法的時候，有機金屬化合物的濃度通常為0.05-0.25M,更優(yōu)選為0.05-0.15M。所述有機金屬化合物/有機溶劑組合物可以為溶液、漿液或分散體的形式。包含本發(fā)明的有機金屬化合物和有機溶劑的組合物適用于米用直接液體注射的氣相沉積法。合適的直接液體注射法見述于美國專利申請第2006/0110930號(Senzaki)中的那些方法。本發(fā)明還提供了一種制造電子器件的方法，該方法包括使用任何一種上述方法沉積包含金屬的膜的步驟。本發(fā)明提供了一種解決方案，通過使用膦脒根配體，從而得以將異配體型(heteroleptic)前體用于氣相沉積、特別是ALD，從而所述異配體型前體能適當?shù)仄胶庖韵绿匦怨δ苄?、所需的熱穩(wěn)定性、合適的金屬中心屏蔽、良好調(diào)整的表面、以及氣相反應。以下實施例用來說明本發(fā)明的各個方面。實施例1預期如下合成二(二-異丙基乙脒根(acetaraidinate))鉭-(二甲基氨基)-(2-二異丙基氨基)-乙基亞胺，(i-Pr)2NCH2CH2NTa(amd)2(麗e》<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>在低溫(約-3(TC至-4(rC)下將(2-二異丙基氨基乙基)(三甲基甲硅烷基)胺加入在甲苯中的TaCls。使用三頸圓底燒瓶。該燒瓶裝備有磁力或機械攪拌以及有效的加熱/冷卻系統(tǒng)，以控制反應速率。室溫攪拌該混合物1小時后，加入過量的批啶。形成的混合物然后在氮氣的惰性氣氛下攪拌過夜。試劑以連續(xù)滴加的方式加入，并可以緩慢混合，以控制反應的放熱。然后，預期過濾后，以期望的高產(chǎn)率使粗中間產(chǎn)物與反應物分離。接下來，將該中間體加入己烷。在該混合物中緩慢加入懸浮于己垸的二異丙基乙脒化鋰(Li-amd，由N，N，-二異丙基碳二亞胺和甲基鋰在乙醚中制備的)。預期攪拌該混合物過夜期間，該混合物逐漸變?yōu)樽厣?。然后在反應混合物中加入二甲基氨化?二甲基氨化鋰是由二甲基胺和在己垸中的正丁基鋰制備得到的)。過濾之后，濾液進行濃縮。預期通過真空蒸餾進行純化，得到純化合物。預期以高產(chǎn)率制得目標產(chǎn)物，并預期由FT-NMR測定產(chǎn)物基本上不含有機溶劑(〈0.5ppm)，并且由ICP-MS/ICP-0ES測定基本不含金屬雜質(zhì)(〈10ppb)。實施例2預期按照以下反應路線合成二(2-二異丙基氨基乙基亞氨基)-二(二甲基氨基)鎢(VI)。在低溫(約-3(TC至-4(TC)下將(2-二異丙基氨基乙基)(三甲基甲硅垸基)胺緩慢加入在甲苯中的WCle。使用三頸圓底燒瓶。該燒瓶裝備有磁力或機械攪拌以及有效的加熱/冷卻系統(tǒng)，以控制反應速率。室溫攪拌該混合物數(shù)小時后，加入過量的吡啶。形成的混合物然后在氮氣的惰性氣氛下攪拌過夜。試劑以連續(xù)滴加的方式加入，并可以緩慢混合，以控制反應的放熱。然后，過濾后，以期望的高產(chǎn)率使粗中間產(chǎn)物與反應物分離。接下來，將該中間體加入己垸。在該混合物中緩慢加入懸浮于己烷的LiNMe2或者Li麗e2粉末(該Li躍e2粉末是由二甲胺和在己烷中的正丁基鋰制備得到的)。預期該混合物攪拌過夜期間變?yōu)樯钭厣?。過濾后，濾液進行濃縮。預期通過真空蒸餾純化獲得所需化合物。預期以合理的高產(chǎn)率獲得目標產(chǎn)物，并預期由FT-NMR測定產(chǎn)物基本上不含有機溶劑(〈0.5卯ra)，并且由ICP-MS/ICP-OES測定基本不含金屬雜質(zhì)(〈10ppb)。實施例3預期下表所列的通式(EDG-(CR'R2)y-N-)jTLVL2X"L3P的有機金屬化合物按照以下一個或多個文獻中的方法制備美國專利申請No.2004/0202171和國際專利申請WO2004/007796和WO2005/112101。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>AMD二N，N'-二甲基-甲基-脒根；PAMD=N，P-二甲基-甲基膦基脒根；KIM二3-二酮亞胺根(diketiminate);DMAE=二甲基氨基乙基；薩P=1-甲氧基-2-甲基-丙氧基；MP=N-甲基吡咯垸酮；上面表中，用逗號分開的配體表示每個配體存在于化合物中。實施例4適用于ALD或直接液體注射方法的組合物采用將實施例3的一些化合物與某些有機溶劑混合來制備。具體組成示于下表。對直接液體注射，有機金屬化合物通常的濃度為0.1M。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>權(quán)利要求1.一種有機金屬化合物，具有以下通式(EDG-(CR1R2)y-N＝)nM+mL1x′L2x″L3p，式中，R1和R2獨立地選自H、(C1-C6)烷基和EDG；EDG是給電子基團；M＝金屬；L1＝陰離子型配體；L2是選自氨基、烷基氨基、二烷基氨基和烷氧基烷基二烷基氨基的配體；L3＝中性配體；y＝0-6；m＝M的價數(shù)；n＝1-2；x’≥0；x”≥0；m＝2n+x’+x”；p＝0-3；其中，當m＝2-3時n＝1，當m≥4時n＝1-2；L1≠L2；條件是當m≥3且EDG＝氨基、烷基氨基、二烷基氨基、吡啶基或烷氧基時，x’≥1。2.如權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于，L'選自氫負離子、鹵素負離子、疊氮根、垸基、烯基、炔基、羰基、二垸基氨基烷基、亞氨基、酰肼基、磷基、亞硝?；?、硝酰基、硝酸根、腈、烷氧基、二烷基氨基烷氧基、甲硅烷氧基、二酮酸根、酮亞胺根、環(huán)戊二烯基、甲硅垸基、吡唑根、胍根、膦胍根、脒根和膦脒根。3.如權(quán)利要求所述的化合物，其特征在于，EDG包含氧、磷、硫、氮、烯、炔和芳基中的一個或多個。4.如權(quán)利要求l所述的化合物，其特征在于，M選自第2族至第16族的金屬。5.—種組合物，包含權(quán)利要求1所述的化合物和有機溶劑。6.—種沉積膜的方法，該方法包括以下步驟在氣相沉積反應器中提供基板；將權(quán)利要求1所述的有機金屬化合物作為前體以氣態(tài)形式輸送到所述反應器;在基板上沉積包含所述金屬的膜。7.—種沉積薄膜的方法，該方法包括以下步驟在反應器中提供基板；采用直接液體注射將權(quán)利要求5所述的組合物輸送到反應器；在基板上沉積包含所述金屬的膜。8.--.種沉積薄膜的方法，該方法包括以下步驟在氣相沉積反應器中提供基板；將權(quán)利要求1所述的有機金屬化合物作為第一前體以氣態(tài)形式輸送到所述反應器；將所述第一前體化合物化學吸附到所述基板的表面上；從所述反應器中除去任何未被化學吸附的第一前體化合物；將第二前體以氣態(tài)形式輸送到該反應器；使所述第一前體和第二前體反應，在基板上形成膜；除去任何未反應的第二前體。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二前體選自氧氣、臭氧、水、過氧化物、醇類、一氧化二氮和氨。10.—種輸送裝置，用來將前體以蒸氣相輸送到包含權(quán)利要求1所述的化合物的氣相沉積反應中。全文摘要提供某些亞氨基絡合物形式的有機金屬化合物。這類絡合物特別適合用作氣相沉積的前體。還提供例如通過ALD和CVD，用所述化合物沉積薄膜的方法。文檔編號C07F19/00GK101182339SQ200710141350公開日2008年5月21日申請日期2007年7月31日優(yōu)先權(quán)日2006年7月31日發(fā)明者D·V·舍奈-卡特克哈特,Q·M·王申請人:羅門哈斯電子材料有限公司