專利名稱：：有機電致發(fā)光元件用材料以及有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光元件用材料以及使用了該有機電致發(fā)光元件用材料的有機電致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光元件(以下，有時將"電致發(fā)光"簡單記為"EL，，)是利用下述原理的自發(fā)光元件，所述原理為通過施加電場而利用從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子的復(fù)合能量來使熒光性物質(zhì)發(fā)光的原理。作為有機EL元件的層疊結(jié)構(gòu)，熟知的有空穴輸送(注入)層、電子輸送性發(fā)光層的2層型，或空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的3層型等。在此類層疊型結(jié)構(gòu)元件中，為了提高注入的空穴與電子的復(fù)合效率，正在努力研究元件結(jié)構(gòu)及形成方法。以往，作為使用于有機EL元件的空穴輸送材料，已知有在專利文獻1中記載的芳香族二胺衍生物、或?qū)＠墨I2中記載的芳香族稠環(huán)二胺衍生物。但是，將這些芳香族二胺衍生物使用于空穴輸送材料而成的有機EL元件要想得到充分的發(fā)光亮度，需要提高施加電壓，因此，產(chǎn)生元件壽命降低或消耗電力增大等問題。作為這些問題的解決方法，提出了在有機EL元件的空穴注入層中摻入路易斯酸等受電子性化合物的方法(專利文獻39等)。但是，在專利文獻36中使用的受電子性化合物存在下述問題在有機EL元件的制造工序中操作上不穩(wěn)定，或者在有機EL元件驅(qū)動時，耐熱性等穩(wěn)定性不足，壽命下降等。另外，對于作為在專利文獻3、4等中例示的受電子性化合物的四氟四氰基喹啉二甲烷而言，其分子量小，被氟取代后升華性高，當(dāng)用真空蒸鍍制作有機EL元件時，可能會在裝置內(nèi)擴散，污染裝置或元件。本發(fā)明人等對受電子性化合物進行了深入研究，結(jié)果著眼于芴酮衍生物。己知芴酮衍生物用作電子照片感光體的電子輸送材料(參照專利文獻10、11)。但是，為了電子照片感光體的課題即改善電子照片感光體與粘接樹脂的相溶性、或?qū)θ軇┑娜芙庑远鴮?dǎo)入硫醚基等，因而可能存在下述的問題擔(dān)心由于作為有機EL元件所必要的蒸鍍工序或元件驅(qū)動時的焦耳熱等硫醚部發(fā)生分解等、或即使作為電子照片感光體是足夠的但應(yīng)用于有機EL元件中時受電子性差等。專利文獻1美國專利4720432號說明書美國專利5061569號說明書日本特開2003—031365號公報日本特開2001—297883號公報日本特開2000—196140號公報日本特開平11一251067號公報日本特開平4—297076號公報日本特表2004—514257號公報US2005/0255334A1日本特開2005—121887號公報日本專利第3670481號本發(fā)明是鑒于上述何題而完成的，目的在于提供一種適合作為有機EL元件的構(gòu)成材料特別適合作為空穴注入材料的受電子性材料。專利文獻2專利文獻3專利文獻4專利文獻5專利文獻6專利文獻7專利文獻8專利文獻9專利文獻IO專利文獻ll
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明人等對有機EL元件用材料、特別是作為空穴注入層用材料的芴酮衍生物進行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過使芴酮衍生物的醌部位形成二氰基亞甲基結(jié)構(gòu)或氰基亞氨基結(jié)構(gòu)等規(guī)定的結(jié)構(gòu)并進一步提高受電子性，可形成適用于有機EL元件的受電子性材料。另外，在使用了這些化合物的有機EL元件中，發(fā)現(xiàn)實現(xiàn)了驅(qū)動電壓的低電壓化或長壽命化。根據(jù)本發(fā)明，提供以下的有機EL元件用材料等。l.以下式(I)表示的有機電致發(fā)光元件用材料。(式中，X1為下述(a)(e)所示的二價基團中的任一種，Y1Y"分別表示碳原子或氮原子，WW分別表示氫、烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵原子、氟代垸基或氰基，另外，W與R2、以及W與W可以分別鍵合形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)。)(式中，RSW分別為氫、氟代烷基、烷基、芳基或雜環(huán)基，W與R"也可形成環(huán)。)2.根據(jù)1記載的有機電致發(fā)光元件用材料，其為空穴注入材料。3.根據(jù)1或2記載的有機電致發(fā)光元件用材料，其為下式(II)表示的化合物，(式中，f為下述(a)或(b)所示的二價基團，RSR"分別為氫、垸基、芳基、雜環(huán)、鹵原子、氟代烷基或氰基。)NC^CF3NC^COOR5R6OOCvCOOR7TTT(c)(d)(e)cNcN74.根據(jù)1或2記載的有機電致發(fā)光元件用材料，其為下式(III)表示的化合物，x2(式中，乂2為下述(a)或(b)所示的二價基團，R"R"分別為氫、烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵原子、氟代烷基或氰基，另外，R"與R19、以及R^與R"可以分別鍵合形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)。)5.根據(jù)14中任一項記載的有機電致發(fā)光元件用材料，其在乙腈溶液中的還原電位為一1.0V(vsFc+/Fc;此處，F(xiàn)c表示二茂鐵)以上。6.—種有機電致發(fā)光元件，其具有陽極、陰極、以及處于所述陽極和陰極之間的含發(fā)光層的一層或多層的有機薄膜層，所述有機薄膜層的至少一層含有15中任一項所記載的有機電致發(fā)光元件用材料。7.根據(jù)6記載的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層為從陽極側(cè)依次包括空穴輸送層、發(fā)光層以及電子輸送層的層疊體。8.根據(jù)7記載的有機電致發(fā)光元件，其中，所述空穴輸送層含有15中任一項記載的有機電致發(fā)光元件用材料。9.根據(jù)6記載的有機電致發(fā)光元件，其中，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>所述有機薄膜層為從陽極側(cè)依次包括空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層以及電子輸送層的層疊體，所述空穴注入層含有15中任一項記載的有機電致發(fā)光元件用材料。10.根據(jù)8或9記載的有機電致發(fā)光元件，其中，含有所述有機電致發(fā)光元件用材料的空穴輸送層或空穴注入層還含有下式(IV)所示的苯二胺化合物，(式中，R"R"為氫、囪原子、三氟甲基、烷基、芳基或雜環(huán)，R22R"也可與所鍵合的苯基一起形成萘骨架、咔唑骨架或芴骨架，n為l或2。)根據(jù)本發(fā)明，可提供新的有機EL元件用材料。另外，可提供能以低電壓驅(qū)動且壽命長的有機EL元件。圖1是表示本發(fā)明的有機EL元件的一實施方式的簡略截面圖。具體實施例方式首先，對本發(fā)明的有機EL元件用材料進行說明。本發(fā)明的有機EL元件用材料是以下式(I)表示的化合物。(式中，乂1為下述(a)(e)所示的二價基團中的任一種，Y1YA分別表示碳原子或氮原子，WW分別表示氫、垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵原子、氟代烷基或氰基，另外，W與R2、以及W與W可以分別鍵合形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(式中，RSW分別為氫、氟代烷基、烷基、芳基或雜環(huán)基，W與R"也可形成環(huán)。)通過在有機EL元件中使用式(I)的化合物能夠降低元件的驅(qū)動電壓并延長壽命。式(I)中，作為WW所示的烷基，例如有甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、叔丁基等。其中，優(yōu)選甲基、叔丁基。作為WW所示的芳基，例如有苯基、萘基等。作為取代基，可以舉出氟原子等鹵原子、三氟甲基、氰基等。對于芳基，可以鍵合有多個取代基，此時取代基可以分別相同也可以不同。其中，優(yōu)選4一三氟甲基苯基、3—三氟甲基苯基、4一三氟甲基一3—氟苯基、3—三氟甲基一4一氟苯基、4—氟苯基、2，4一二氟苯基、2，3，4一三氟苯基。作為1^114所示的雜環(huán)，優(yōu)選例如吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、咪唑環(huán)、苯并咪唑等。其中，優(yōu)選吡嗪環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)。作為取代基，可以舉出氟原子等鹵原子、三氟甲基、氰基、苯基等。對于雜環(huán)，可以鍵合有多個取代基，此時取代基可以分別相同也可以不用。作為R'W所示的鹵原子優(yōu)選氟原子。作為WW所示的氟代垸基，優(yōu)選例如三氟甲基。另外，W與R2、以及113與114可分別鍵合形成芳香環(huán)或雜環(huán)。芳香環(huán)或雜環(huán)也可以被取代。例如有下述(f)、(g)、(h)等之類的苯環(huán)、吡嗪環(huán)、吡啶環(huán)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中，『^為氫、鹵基、氰基、垸基、取代或未取代的芳基、雜環(huán)基、氟代垸基、垸氧基、取代或未取代的芳氧基。各取代基的具體例與式(I)的W相同。取代或未取代的芳氧基的芳基以及取代基也與式(I)的取代或未取代的芳基相同。其中，優(yōu)選以下的結(jié)構(gòu)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>在上述2價的取代基(d)以及(e)中，RSW所示的氟代烷基、烷基、芳基或雜環(huán)基的具體例與上述WW相詞。RS與W形成環(huán)時，X'優(yōu)選下式所示的取代基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(式中，R51'、R"分別為甲基、乙基、丙基、叔丁基)式(I)的化合物優(yōu)選下式(II)所示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>另外，X2優(yōu)選隨著升華溫度的降低化合物的純度提高及耐熱性優(yōu)良的(b)。式(II)中，RSR"所示的烷基、芳基、雜環(huán)、鹵原子以及氟代垸基的具體例與上述RiW相同。另外，式(I)的化合物中，優(yōu)選下式(III)所示的化合物。(式中、X2與上述式(II)相同，R18R21與上述式(I)的WR4相同。)本發(fā)明的有機EL元件用材料優(yōu)選在乙腈溶液中的還原電位為一l.O(vsFc+/Fc;其中，F(xiàn)c表示二茂鐵)以上(更優(yōu)選為一0.8.以上)。通過使用還原電位為一1.0V以上的化合物，受電子性進一步變強。以下表示本發(fā)明的有機EL元件用材料的優(yōu)選例。式中，乂2為下述(a)或(b)所示的二價基團，RSR"分別為氫、烷基、芳基、雜環(huán)、鹵原子、氟代垸基或氰基，ccc<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>W。CN(A-94)(A-95)(A-96)NCNC丫CN(A-100)F3C(A-101)CF3上述式(I)所示的有機EL元件用材料通過例如下述的方案1或方案2來合成。合成條件等可詳細參照LiebigsAnn.Chem.(1986)142頁等。經(jīng)升華精制回收目的物。19方案1本發(fā)明的有機EL元件用材料優(yōu)選使用作有機EL元件的空穴注入材料。具體而言，優(yōu)選使用作有機EL元件的空穴輸送區(qū)域(陽極一發(fā)光層間)的層的材料。由此，可降低驅(qū)動電壓延長壽命。接著，對本發(fā)明的有機EL元件進行說明。本發(fā)明的有機EL元件在陽極與陰極之間具有包括發(fā)光層的一層或多層的有機薄膜層。并且，形成有機薄膜層的至少一層包括本發(fā)明的有機EL元件用材料。圖1是表示本發(fā)明的有機EL元件的一實施方式的簡略截面圖。有機EL元件1中，在基板(未圖示)上依次層疊陽極10、空穴注入層20、空穴輸送層30、發(fā)光層40、電子輸送層50和陰極60。在該元件中，有機薄膜層為包括空穴注入層20、空穴輸送層30、發(fā)光層40和電子輸送層50的層疊結(jié)構(gòu)。在形成這些有機薄膜層的層中，至少一層含有本發(fā)明的有機EL元件用材料。由此，可以降低有機EL元件的驅(qū)動電壓，另外，可以實現(xiàn)長壽命化。另外，相對于形成含有本發(fā)明的有機EL元件用材料的有機薄膜層的層，該材料的含量優(yōu)選為1100摩爾％。在本發(fā)明的有機EL元件中，位于陽極10和發(fā)光層40之間的區(qū)域(空穴輸送帶區(qū)域)的層、具體而言即空穴注入層20或空穴輸送層30，優(yōu)選含有本發(fā)明的有機EL元件用材料。另外，如本實施方式，在具有空穴注入層20和空穴輸送層30這二者的元件中，優(yōu)選位于陽極側(cè)的空穴注入層20含有上述材料。另外，將本發(fā)明的有機EL元件用材料用于空穴輸送帶區(qū)域的層中時，可以由本發(fā)明的化合物單獨形成空穴注入層或空穴輸送層，也可以與其他的材料混合使用。例如，將本發(fā)明的有機EL元件用材料與芳香族胺衍生物混合、形成空穴注入層或空穴輸送層的情況下，優(yōu)選式(IV)所示的苯二胺化合物。(式中，R"R"為氫、卣原子、三氟甲基、烷基、芳基或雜環(huán)，R22R"也可與所鍵合的苯基一起形成萘骨架、咔唑骨架或芴骨架，n為1或2。)若含有苯二胺化合物，則也存在可以改良單獨使用本發(fā)明的化合物時的膜質(zhì)的勻質(zhì)性、耐熱性或電荷注入性的情況。在式(IV)中，作為R^R"的鹵原子，優(yōu)選氟原子。作為1122仗27的垸基，優(yōu)選例如甲基、異丙基、叔丁基、環(huán)己基。作為R^R"的芳基，優(yōu)選例如苯基、萘基、芴基。另外，它們也可以被甲基等取代。作為11221127的雜環(huán)，優(yōu)選例如吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)。21200780045960.8說明書第18/48另外，R"R"也可以含有所鍵合的苯基而形成萘骨架、咔唑骨架或芴骨架。另外，它們也可以被甲基等取代。相對于空穴輸送層或空穴注入層的式(V)的化合物的含量優(yōu)選為0.198mol%。以下示出式(IV)的化合物的優(yōu)選例。22<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>另外，本發(fā)明的有機EL元件的構(gòu)成并不限于上述實施方式，也可具有例如以下所示的(1)(15)的構(gòu)成。(1)陽極/發(fā)光層/陰極(2)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極(3)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(4)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(5)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/付著改善層/陰極(6)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(圖1)(7)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(8)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(9)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(10)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(11)陽極/無機半導(dǎo)體層/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層24(12)陽極/絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣層/陰極(13)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/絕緣5(14)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/陰極(15)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/絕緣層/陰極其中，通常優(yōu)選使用(4)、(6)、(7)、(8)、(12)、(13)以及(15)的構(gòu)成。以下對構(gòu)成本發(fā)明的有機EL元件的各部材進行說明。(透光性基板)在透光性的基板上制作本發(fā)明的有機EL元件。在此，所謂透光性基板為支撐有機EL元件的基板，優(yōu)選400700nm的可見光區(qū)域的光的透過率為50%以上且平滑的基板。具體而言，可以列舉玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板，特別可以列舉鈉鈣玻璃、含鋇和鍶的玻璃、鉛玻璃、硅酸鋁玻璃、硅酸硼玻璃、硅酸鋇硼玻璃、石英等。作為聚合物板，可以列舉聚碳酸酯、丙烯酸類、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜等。另外，當(dāng)支撐基板位于光發(fā)出方向的相反側(cè)時，不需要透過性。(陽極)當(dāng)有機薄膜EL元件的陽極擔(dān)當(dāng)將空穴注入到空穴輸送層或發(fā)光層中的作用，并且陰極側(cè)不需要透明性時，可以應(yīng)用氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、氧化銦鋅合金(IZO)、金、銀、鉑、銅等。另外，當(dāng)不需要透明性并且為反射型電極時，除了使用上述金屬之外，還使用鋁、鉬、鉻、鎳等金屬或合金?？梢詥为毷褂眠@些材料，也可以適宜選擇添加了這些材料之間的合金、或其它元素的材料使用。當(dāng)來自發(fā)光層的發(fā)光從陽極發(fā)出時，對陽極的發(fā)光的透射率優(yōu)選大于2510%以上。另外，陽極的片阻抗優(yōu)選為數(shù)百Q(mào)/CD以下。陽極的膜厚根據(jù)材料而異，但通常從10nmlpm、優(yōu)選從10200nm的范圍內(nèi)選擇。(發(fā)光層)有機EL元件的發(fā)光層兼具以下(1)(3)的功能。(1)注入功能在施加電場時可以從陽極或空穴注入層注入空穴，可以從陰極或電子注入層注入電子的功能；(2)輸送功能借助電場的力使注入的電荷(電子和空穴)移動的功能；(3)發(fā)光功能；提供電子與空穴的復(fù)合場所，從而引起發(fā)光的功能?？昭ǖ淖⑷肴菀锥群碗娮拥淖⑷肴菀锥瓤梢圆煌?，而且用空穴和電子的遷移度表示的輸送能力還可以大小不同，優(yōu)選利用其中之一表示電荷的移動。作為可使用于發(fā)光層中的發(fā)光材料或摻雜材料，例如、蒽、萘、菲、芘、并四苯、暈苯、窟、熒光素、茈、酞茈、萘并茈、紫環(huán)酮(perinone)、二苯代酚酞、萘并紫環(huán)酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、嗨二唑、醛連氮、二苯并嚼唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬絡(luò)合物、氨基喹啉金屬絡(luò)合物、苯并喹啉金屬絡(luò)合物、亞胺、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、多甲川、份菁、咪唑螯合化8-羥基喹啉酮(oxinoid)化合物、喹吖啶酮、紅熒烯及熒光色素，但并不限于這些。作為可使用于光層中的主體材料，優(yōu)選下述(i)(ix)所示的化合物。以下式(i)所示的非對稱蒽。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>(式中，Ar是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1050的稠合芳基。Ar'是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。X是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。a、b以及c分別為04的整數(shù)。n為l3的整數(shù)。另外，當(dāng)n為2以上時，[]內(nèi)可以相同也可以不同。)以下式(ii)表示的非對稱單蒽衍生物。R31R3a(式中，Ar1以及Ai^分別獨立地為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香環(huán)基，m以及n分別為14的整數(shù)。其中，當(dāng)m二n二l且Ar1和A在苯環(huán)上的鍵合位置為左右對稱型時，Ai^與A一不相同，當(dāng)m或n為24的整數(shù)時，m與n是不相同的整數(shù)。R"R"分別獨立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香環(huán)基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧羰基、取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。)以下式(iii)表示的非對稱芘衍生物。(式中，Ar3以及A一分別為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。L1以及1^分別為取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基或取代或未取代的亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基(dibenzosilolylene)。m是02的整數(shù)，n是l4的整數(shù)，s是02的整數(shù)，t是04的整數(shù)。另外，！^和ArS鍵合于芘的l5位中的任意位置，而I^和A/鍵合于芘的610位中任意位置。其中，當(dāng)n+t為偶數(shù)時，Ar3、Ar4、L1、L2滿足下述(1)或(2)。(1)Ai^A/和/或L^L2(其中，^表示的是不同結(jié)構(gòu)的基團。)(2)Ar3二Ar4且I^二L2時，(2—1)m弁和/或n弁，或者(2—2)m二s且n二t時，當(dāng)(2—2—1)1/和L2、或芘分別鍵合于Ai^和A/上的不同鍵合位置，或者當(dāng)(2—2—2)L)以及L2、或芘鍵合于A—以及A/上的相同鍵合位置時，L1以及I^或Ar3以及A/的芘中的取代位置不處于1位和6位、或者2位和7位。)以下式(IV)所示的非對稱蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>(式中、A1以及入2分別獨立地為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1020的稠合芳香環(huán)基。Ar5以及A一分別獨立地為氫原子、或取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香環(huán)基。R"R^分別獨立地為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香環(huán)基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧羰基、取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。Ar5、Ar6、R49以及R5()即可以分別為多個，也可以在相鄰基團之間形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。其中，在式(IV)中，在中心蒽的9位以及IO位上不鍵合相對于該蒽上所示的X—Y軸成對稱型的基團。)下式(v)所示的蒽衍生物。(式中、R"R^分別獨立地表示氫原子、垸基、環(huán)烷基、可以被取代的芳基，烷氧基，芳氧基，垸基氨基，鏈烯基，芳基氨基或可以被取代的雜環(huán)基團，a和b分別表示15的整數(shù)，但其為2以上時，R"之間或R"之間可以分別相同也可以不同，而且R"之間或R"之間也可鍵合形成環(huán)，R53與R54、R55與R56、R57與R58、R59與R6G可相互鍵合形成環(huán)。L3表示單鍵、一O—、—S—、—N(R)—(R是垸基或可以被取代的芳基)、亞烷基或亞芳基。)以下式(vi)所示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>(式中、R"R"分別獨立地表示氫原子、烷基、環(huán)垸基、芳基、烷氧基、芳氧基、垸基氨基、芳基氨基或可以被取代的雜環(huán)基團，c、d、e以及f分別表示15的整數(shù)，但其為2以上時，R"之間、R"之間、R66之間或1167之間可以分別相同也可以分別不同，而且R"之間、R"之間、R"之間或RW之間也可相互鍵合形成環(huán)，R"與R64、R^與R^也可以相互鍵合形成環(huán)。1/表示單鍵、一O—、—S—，—N(R)—(R是烷基或可以被取代的芳基)、亞烷基或亞芳基。)以下式(vii)所示的螺芴衍生物。(式中、A5A8分別獨立地為取代或未取代的聯(lián)苯基或者取代或未取代的萘基。)以下式(viii)所示的含有稠環(huán)的化合物。(式中，ASA"與上述相同，R"R"分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)為16的垸基、碳原子數(shù)為36的環(huán)垸基、碳原子數(shù)為16的垸氧基、碳原子數(shù)為518的芳氧基、碳原子數(shù)為718的芳烷氧基、碳原子數(shù)為516的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)16的酯基或鹵原子，A9A14中的至少一個是具有三環(huán)以上稠合芳香環(huán)的基團。)以下式(ix)所示的芴化合物。(式中、R^以及R"表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵原子。鍵合于不同的芴基的R"之間、R^之間可以相同也可以不同，鍵合于相同的芴基的R"以及R"可以相同也可以不同。W以及R77表示氫原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜環(huán)基，鍵合于不同的芴基的1176之間、R77之間可以相同也可以不同，鍵合于相同的芴基的R76以及R"可以相同也可以不同。Ai^以及ArS表示共計有三個以上苯環(huán)的取代或未取代的稠合多環(huán)芳基團，或者苯環(huán)與雜環(huán)共計有三個以上的取代或未取代的用碳原子鍵合于芴基的稠合多環(huán)雜環(huán)基,A^以及ArS可以相同也可以不同。n表示l10的整數(shù)。)以上的主體材料中，優(yōu)選蒽衍生物，更優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選非對稱蒽。另外，作為發(fā)光材料，可以使用磷光發(fā)光性的化合物。當(dāng)使用磷光發(fā)光性的化合物時，主體材料優(yōu)選含有昨唑環(huán)的化合物。作為摻雜劑是可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要是由三重態(tài)激子發(fā)光就沒有特別限制，但是優(yōu)選其中含有從Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re中選出的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物，其中優(yōu)選卟啉金屬絡(luò)合物或者原金屬(才，卜^夕》)化金屬絡(luò)合物。適于由含有咔唑環(huán)的化合物構(gòu)成的磷光發(fā)光的主體，是具有以下功能的化合物，所述功能為由該激發(fā)態(tài)引起磷光發(fā)光性化合物能量移動，結(jié)果使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光。作為主體化合物只要是在磷光發(fā)光性化合物中可以使激子能量產(chǎn)生能量移動的化合物即可，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的來進行適宜選擇。在咔唑環(huán)以外可以具有任意的雜環(huán)等。作為這種主體化合物的具體實例，可以舉出昨唑衍生物、三唑衍生物、瞎唑衍生物、瞎二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基鏈烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代的査耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二次甲基系化合物、卟啉化合物、蒽醌二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲垸衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘二萘嵌苯衍生物等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8-喹啉酚衍生物的金屬絡(luò)合物或金屬酞菁、以苯并嚼、唑或苯并噻唑作為配體的金屬絡(luò)合物為代表的各種金屬絡(luò)合物的多硅烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚亞苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等。主體化合物可以單獨使用或者兩種以上并用。作為具體實例可以舉出下列化合物。磷光發(fā)光性的摻雜物為可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要能夠由三重態(tài)激子發(fā)光就沒有特別限制，則優(yōu)選含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re中的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物。優(yōu)選為卟啉金屬絡(luò)合物或原金屬化金屬絡(luò)合物。作為卟啉金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉鉑絡(luò)合物。磷光發(fā)光性化合物可以單獨使用，也可以并用2種以上。作為形成原金屬化金屬絡(luò)合物的配體可以為各種，但作為優(yōu)選的配體，可以列舉2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻嗯基)吡啶衍生物、2-(l-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可以根據(jù)需要具有取代基。特別是引入有氟化合物、三氟甲基的化合物，優(yōu)選作為藍色系摻雜物。另外可以具有乙酰丙酮化物、苦味酸等除了上述配體以外的配體作為輔助配體。作為磷光發(fā)光性的摻雜物在發(fā)光層中的含量，沒有特別的限制，可以根據(jù)目的來進行適宜選擇，例如為0.170質(zhì)量％，優(yōu)選為130質(zhì)量％。當(dāng)磷光發(fā)光性化合物的含量不足0.1質(zhì)量％時，發(fā)光微弱，不能充分地發(fā)揮其含有效果，當(dāng)超過70質(zhì)量％時，被稱為濃度消光的現(xiàn)象變顯著，元件性能降低。發(fā)光層根據(jù)需要可以含有空穴傳輸材料、電子傳輸材料、聚合物粘合劑。發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為550nm，更優(yōu)選為750nm，最優(yōu)選為1050nm。不足5nm時難以形成發(fā)光層，可能色度的調(diào)整變難，超過50nm時可能驅(qū)動電壓會上升。(空穴輸送層空穴注入層)空穴輸送層是有助于空穴在發(fā)光層中的注入，輸送到發(fā)光區(qū)域的層，空穴遷移率大，離子化能量通常小到5.5eV以下。作為這種空穴輸送層，優(yōu)選在更低的電場強度下能將空穴輸送到發(fā)光層的材料，更優(yōu)選空穴的遷移率，例如當(dāng)施加104105V/cm電場時至少達到10—41112*秒的材料。如上所述，將本發(fā)明的有機EL元件用材料使用于空穴輸送帶域時，既可以單獨用本發(fā)明的化合物形成空穴輸送層，也可以與其他材料混合形成空穴輸送層。另外，混合時，優(yōu)選以上述式(IV)所示的苯二胺化合物。但是，作為混合物，并不限定于式(IV)的化合物，除此之外，也可以在光導(dǎo)材料中作為空穴的電荷輸送材料而慣用的那些材料，以及在EL元件的空穴輸送層中使用的公知的材料中任意選擇使用。另外，在空穴輸送帶域以外的層含有本發(fā)明的材料時，下述的混合材料可單獨形成空穴輸送層。作為混合材料的具體例，例如、三唑衍生物(參照美國專利3112197號說明書等)、噁二唑衍生物(參照美國專利3189447號說明書等)、咪唑衍生物(參照日本特公昭37—16096號公報等)、多芳基鏈垸衍生物(參照美國專利3615402號說明書、美國專利第3820989號說明書、美國專利第3542544號說明書、日本特公昭45—555號公報、日本特公昭51—10983號公報、特開昭51—93224號公報、日本特公昭55—17105號公報、日本特公昭56—4148號公報、日本特公昭55—108667號公報、日本特公昭55一156953號公報、日本特公昭56—36656號公報等)、吡唑啉衍生物以及吡唑啉酮衍生物(參照美國專利第3180729號說明書、美國專利第4278746號說明書、日本特開昭55—88064號公報、日本特開昭55—88065號公報、日本特開昭49—105537號公報、日本特開昭55—51086號公報、日本特開昭56—80051號公報、日本特開昭56—88141號公報、日本特開昭57—45545號公報、日本特開昭54—112637號公報、日本特開昭55—74546號公報等)、苯二胺衍生物(參照美國專利第3615404號說明書、日本特公昭51—10105號公報、日本特公昭46—3712號公報、日本特公昭47—25336號公報、特開昭54—53435號公報、日本特公昭54—110536號公報、日本特公昭54—119925號公報等)、芳基胺衍生物(參照美國專利第3567450號說明書、美國專利第3180703號說明書、美國專利第3240597號說明書、美國專利第3658520號說明書、美國專利第4232103號說明書、美國專利第4175961號說明書、美國專利第4012376號說明書、日本特公昭49—35702號公報、日本特公昭39—27577號公報、日本特開昭55—144250號公報、日本特開昭56—119132號公報、日本特開昭56—22437號公報、西德專利第1110518號說明書等參照)、氨基取代的查爾酮衍生物(美國專利第3526501號說明書等)、嗯唑衍生物(美國專利第3257203號說明書等中公開的化合物)、苯乙烯蒽衍生物(日本特開昭56—46234號公報等參照)、芴酮衍生物(日本特開昭54—110837號公報等參照)、腙衍生物(參照美國專利第3717462號說明書、日本特開昭54—59143號公報、日本特開昭55—52063號公報、日本特開昭55—52064號公報、日本特開昭55—46760號公報、日本特開昭55—85495號公報、日本特開昭57—11350號公報、日本特開昭57—148749號公報、日本特開平2—311591號公報等)、二苯乙烯衍生物(參照日本特開昭61—210363號公報、曰本特開昭第61—228451號公報、日本特開昭61—14642號公報、日本特開昭61—72255號公報、日本特開昭62—47646號公報、日本特開昭62—36674號公報、日本特開昭62—10652號公報、日本特開昭62—30255號公報、日本特開昭60—93455號公報、日本特開昭60—94462號公報、日本特開昭60—174749號公報、日本特開昭60—175052號公報等)、硅氮衍生物(美國專利第4950950號說明書)、聚硅烷系(日本特開平2—204996號公報)、苯胺系共聚合體(日本特開平2—282263號公報)、日本特開平1一211399號公報中公開的導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。除了空穴輸送層之外，為了有助于空穴的注入還優(yōu)選通過另外的方式設(shè)置空穴注入層。作為空穴注入層的材料，可單獨使用本發(fā)明的有機EL用材料，也可與其它的材料混合。作為其它的材料，可使用與空穴輸送層同樣的材料，除了上述式(V)例示的化合物之外，可用卟啉化合物(日本特開昭63—2956965號公報等中公開的化合物)、芳香族叔胺化合物以及苯乙烯胺化合物(參照美國專利第4127412號說明書、日本特開昭53—27033號公報、日本特開昭54—58445號公報、日本特開昭54—149634號公報、日本特開昭54—64299號公報、日本特開昭55—79450號公報、日本特開昭55—144250號公報、日本特開昭56—119132號公報、日本特開昭61—295558號公報、日本特開昭61—98353號公報、日本特開昭63一295695號公報等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。另外，在美國專利第5061569號中記載的在分子內(nèi)具有兩個稠合芳香環(huán)的，例如4，4'一雙(N—(l一萘)—N—苯氨基)聯(lián)苯，或在日本特開平4—308688號公報中記載的三苯基胺單元連接成3個星爆(starburst)型的4,4，,4"-三(N-(3-甲基苯)-N-苯氨基)三苯胺等。另外，除了芳香族二亞甲基系化合物之外，也可以使用P型Si、p型SiC等無機化合物作為空穴注入層的材料。作為空穴注入層、空穴輸送層的膜厚沒有特別的限定，通常為5nm5pm?？昭ㄗ⑷搿⑤斔蛯尤粼诳昭ㄝ斔蛶в蛑泻斜景l(fā)明的化合物，則可以通過由上述材料的一種或二種以上構(gòu)成的一層來構(gòu)成，或者可以是將由不同的化合物構(gòu)成的多種空穴注入層以及空穴輸送層層疊而成的層。另外，有機半導(dǎo)體層為空穴輸送層中的一種，其是有助于向發(fā)光層空穴注入或電子注入的層，優(yōu)選具有10—1QS/cm以上的導(dǎo)電率的物質(zhì)。作為這樣的有機半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩低聚物或日本特開平8-193191號公報中公開的含芳胺低聚物等導(dǎo)電性低聚物、含芳胺樹枝狀低聚物(fVK'y^)等導(dǎo)電性樹枝狀高分子等。(電子注入層電子輸送層)電子注入以及電子輸送層是有助于電子向發(fā)光層的注入并輸送至發(fā)光區(qū)域的層，電子遷移率大，而且附著改善層是在此電子注入層中特別是由與陰極附著良好的材料組成的層。電子注入層以及電子輸送層可以在數(shù)nm數(shù),的膜厚中適當(dāng)選擇，但特別是膜厚厚時，為了避免電壓上升，優(yōu)選在施加104106./cm的電場時電子遷移率即使變少也至少在10_5cm2/Vs以上。作為使用于電子注入層以及電子輸送層中的材料，以8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物以及螺二唑衍生物最為適用。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體實例，可以使用含有喔星(一般是指8-喹啉酚或8-羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合類喔星化合物，例如可以使用三(8-喹啉酚)鋁作為電子注入材料。另一方面，作為嗯二唑衍生物可以舉出以下通式表示的電子傳導(dǎo)化合物。(式中、Ar11,Ar12，Ar13，Ar15，Ar16，A,分別表示取代或未取代的芳基，它們可以分別相同，也可以不同。另外，Ar14、Ar17、Ar"表示取代或未取代的亞芳基，它們可以相同也可以不同)在此，作為芳基，可以舉出苯基、聯(lián)苯基、蒽基、茈基、芘基。另外，作為亞芳基，可以舉出亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。另夕卜，作為取代基，可以舉出碳原子數(shù)為110的烷基、碳原子37數(shù)為110的烷氧基或氰基等。這種電子傳導(dǎo)性化合物優(yōu)選形成薄膜性的。作為上述電子傳導(dǎo)性化合物的具體實例，可以舉出下述物質(zhì)。(式(A)以及(B)中，A"A"分別獨立地為氮原子或碳原子。A,為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基，Ar^為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、或取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基或它們的2價基團。其中，Ar21以及Af中的任一種均為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1060的稠環(huán)基、或取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的單雜稠環(huán)基或它們的2價基團。A嚴(yán)為取代或未取代的碳原子數(shù)為660的亞芳基、或取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜亞芳基。L11、L^以及L"分別獨立地為單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的亞雜芳基、或取代或未取代的亞芴基。R81為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為l20的烷基、或取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸氧基，n為05的整數(shù)，n為2以上時，多個R"可以相同也可以不同，另外，鄰接的多個R81基之間可以鍵合形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香環(huán)。R"為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為l20的垸基、或取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基、或一L"一Ar21一Ar22。)所示的含氮雜環(huán)衍生物。HAr-L"一Ar24—Ar25(C)(式中、HAr表示也可以具有取代基的碳原子數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L"表示單鍵、也可具有取代基的碳原子數(shù)為660的亞芳基、也可具有取代基的碳原子數(shù)為360的亞雜芳基或也可具有取代基的亞芴基，Ar24為也可具有取代基的碳原子數(shù)為660的2價芳香族烴基，Ar25為也可具有取代基的碳原子數(shù)為660的芳基或也可具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜芳基。)所示的含氮雜環(huán)衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>(D)(式中，XH以及YH分別獨立地表示碳原子數(shù)為16的飽和或不飽和烴基、烷氧基、鏈烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基或者X11與Y11鍵合形成飽和或不飽和環(huán)的結(jié)構(gòu)；R85Rss分別獨立地表示氫、齒原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為16的烷基、垸氧基、芳氧基、全氟代垸基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、垸氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、垸基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧羰氧基、芳氧羰氧基、亞磺?；?、磺?；?、對氨基苯磺?；?、甲硅垸基、氨基甲?；?、芳基、雜環(huán)基、鏈烯基、炔基、硝基、甲?；喯趸?、甲酸基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫代氰酸酯基、異硫代氰酸酯基或者氰基或相鄰的情況下取代或未取代的環(huán)稠合的結(jié)構(gòu))所示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物。(式中，RWR"以及ZZ分別獨立地表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基，X12、Y12以及21分別獨立地表示飽和或不飽和的烴基、芳基、雜環(huán)基、取代氨基、垸氧基或芳氧基，力與ZZ的取代基也可以相互鍵合形成稠環(huán)，n表示l3的整數(shù)，當(dāng)n為2以上時，Z'也可以不同。但是不包括n為1，X12、Y12以及R92為甲基且R98為氫原子或取代氧硼基的情況，以及n為3、Z,為甲基的情況。)所示的硼烷衍生物。Q1Ga—L15這種金屬絡(luò)合物，作為n型半導(dǎo)體的性質(zhì)強，電子注入能力大。此外，由于絡(luò)合物形成時的能量也低，所以形成的金屬絡(luò)合物中金屬與配體的鍵合性也堅固，能使作為發(fā)光材料的熒光量子效率變大。若要列舉形成式(G)的配體的環(huán)A"以及A"的取代基的具體例子，則可以舉出氯、溴、碘、氟等鹵原子，甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂?；?、三氯甲基等取代或未取代的垸基，苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟代苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基，甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3,3-四氟丙氧基、1,1，1,3，3,3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基，苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3-氟代苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基，甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的垸硫基，苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3-氟代苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳基硫基，氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等一取代或二取代的氨基，雙(乙酰氧基甲基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等酰基氨基，羥基、甲硅烷氧基、?；被柞；?、甲基氨基甲酰基、41二甲基氨基甲?；?、乙基氨基甲酰基、二乙基氨基甲酰基、丙基氨基甲?；?、丁基氨基甲?；?、苯基氨基甲?；热〈蛭慈〈陌被柞；然?、磺酸基、亞氨基，環(huán)戊基、環(huán)己基等環(huán)烷基，苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基，吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三唑基、B引哚滿基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二螺烷基、哌啶基、嗎啉基、哌嗪基、三嗪基、氨基甲?；⑦秽?、噻吩基、瞎、唑基、嗯二唑基、苯并嗯唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、呋喃基等雜環(huán)基團。而且，以上取代基之間也可以鍵合形成六元芳環(huán)或雜環(huán)。在本發(fā)明的優(yōu)選的方式中，有在輸送電子領(lǐng)域或者陰極與有機層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。這里所述的還原性摻雜劑，被定義為能將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因此，若具有一定的還原性，則可以使用各種物質(zhì)，例如優(yōu)選使用從堿金屬、堿土類金屬、稀土金屬、堿金屬氧化物、堿金屬鹵化物、堿土金屬氧化物、堿土金屬鹵化物、稀土金屬氧化物或稀土金屬鹵化物、堿金屬的有機絡(luò)合物、堿土金屬的有機絡(luò)合物和稀土金屬的有機金屬絡(luò)合物構(gòu)成的組中選出的至少一種物質(zhì)。更具體而言，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，特別優(yōu)選從Li(功函數(shù)2.9eV)、Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28e.)、Rb(功函數(shù)2.16eV)以及Cs(功函數(shù)1.95e.)構(gòu)成的組中選出的至少一種堿金屬，以及從Ca(功函數(shù):2.9eV)、Sr(功函數(shù):2.02.5eV)和Ba(功函數(shù).-2.52eV)構(gòu)成的組中選出的至少一種堿土類金屬等功函數(shù)處于2.9eV以下的物質(zhì)。這些物質(zhì)中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑是從K、Rb以及Cs構(gòu)成的組中選擇的至少一種堿金屬，尤其優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選Cs。這些堿金屬還原能力特別高，通過向電子注入?yún)^(qū)域添加少量就能使有機EL元件中的發(fā)光亮度提高、壽命延長。而且，作為功函數(shù)處于2.9eV以下的還原性摻雜劑，也優(yōu)選將這些堿金屬中兩種以上堿金屬組合，特別優(yōu)選包含Cs的組合，例如Cs與Na、Cs與K、Cs與Rs、或者Cs與Na和K的組合。通過組合含有Cs，能夠有效地發(fā)揮還原能力，在電子注入?yún)^(qū)域添加之后，可以使有機EL元件的發(fā)光亮度提高，壽命延長。本發(fā)明中，也可以在陰極與有機層之間設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。此時，能夠防止電流的泄露，進一步提高電子注入性。作為這種絕緣體，優(yōu)選使用從堿金屬硫?qū)僭鼗衔?、堿土類金屬硫?qū)僭鼗衔?、堿金屬的鹵化物、堿土金屬鹵化物構(gòu)成的組中選出的至少一種金屬化合物。電子注入層若由這些堿金屬硫?qū)僭鼗衔锏葮?gòu)成，則從能夠進一步提高電子注入性的觀點來看優(yōu)選。具體而言，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)僭鼗衔?，例如可以舉出Li20、LiO、Na2S、Na2Se和Na20，作為優(yōu)選的堿土金屬硫?qū)僭鼗衔铮缈梢耘e出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS和CaSe。而且作為優(yōu)選的堿金屬的卣化物，例如可以舉出LiF、NaF、KF、LiCl、KCl和NaCl等。此外，作為優(yōu)選的堿土類金屬鹵化物，例如可以舉出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2和BeF2等氟化物，以及氟化物以外的鹵化物。另外，作為構(gòu)成電子注入層的半導(dǎo)體，可以舉出其中含有Ba、Ca、SR、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb以及Zn中的至少一種元素的氧化物、氮化物以及氧氮化物等一種或兩種以上的組合。另外，作為構(gòu)成電子注入層的無機化合物，優(yōu)選微晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子注入層若由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，由于能夠形成更均勻的薄膜，所以能夠減少黑點等像素缺陷。其中作為這種無機化合物，可以舉出上述的堿金屬硫?qū)僭鼗衔?、堿土金屬硫?qū)僭鼗衔铩A金屬鹵化物和堿土金屬鹵化物。(陰極)作為陰極，使用以功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、電導(dǎo)性化合物及其混合物作為電極物質(zhì)的陰極。作為這種電極物質(zhì)的具體實例，可以舉出鈉、鈉一鉀合金、鎂、鋰、鎂一銀合金、鋁/氧化鋁、鋁一鋰合金、銦、稀土金屬等。這些陰極能夠通過利用蒸鍍法和濺射法等方法將這些電極物質(zhì)形成薄膜的方式制作。其中當(dāng)從陰極取出發(fā)光層發(fā)光的情況下，陰極對發(fā)光的透過率優(yōu)選大于腦。而且，作為陰極的片阻抗優(yōu)選處于數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為10nm43l微米，優(yōu)選50200nm。(絕緣層)為了對超薄膜施加電場，有機EL元件容易產(chǎn)生因漏電和沖擊而出現(xiàn)的像素缺陷。為了杜絕此缺陷，優(yōu)選在一對電極之間插入絕緣性薄膜層。作為絕緣層用材料，例如可以舉出氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化鈰、氧化鈰、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化f丐、氟化鈰、碳酸鈰、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。也可使用這些物質(zhì)的混合物或?qū)盈B物。'(有機EL元件的制作例)采用以上例示的材料，從陽極依次形成必要的層最后形成陽極即可。而且也可以從陰極至陽極，采用與上述順序相反的順序制作有機EL元件。以下，說明依次在透光性基板上設(shè)置陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極所構(gòu)成的有機EL元件的制作實例。首先，采用蒸鍍法或濺射法等方法在適當(dāng)?shù)耐腹庑曰迳闲纬捎申枠O材料構(gòu)成的薄膜，使其膜厚達到lwm以下，優(yōu)選使膜厚處于10200nm范圍內(nèi)，制成陽極。進而在此陽極上設(shè)置空穴輸送層?？昭ㄝ斔蛯拥男纬?，雖然像上述那樣可以采用真空蒸鍍法、旋涂法、澆鑄法、LB法等方法進行，但是從容易得到均勻的薄膜而且難于產(chǎn)生針孔等觀點來看，優(yōu)選采用真空蒸鍍法。采用真空蒸鍍法形成空穴輸送層的情況下，其蒸鍍條件因使用的化合物(空穴輸送層材料)、目的空穴輸送層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)、復(fù)合結(jié)構(gòu)等而異，一般情況下優(yōu)選在蒸鍍源溫度為5045(TC、真空度為10'7l(T3TOrr、蒸鍍速度為0.0150nm/秒、基板溫度為-50300"C、膜厚為5nm5um范圍內(nèi)選擇。其次，在空穴注入層上設(shè)置發(fā)光層。發(fā)光層的形成雖然也能采用所需的有機發(fā)光材料，按照真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、澆鑄法等方法將有機發(fā)光材料薄膜化的方式形成，但是從容易得到均質(zhì)的薄膜，而且難于產(chǎn)生針孔等觀點來看優(yōu)選采用真空蒸鍍法形成。采用真空蒸鍍法形成發(fā)光層的情況下，其蒸鍍條件雖然因使用的化合物而異，但是一般可以從與空穴注入層同樣的條件范圍內(nèi)選擇。接著在此發(fā)光層上設(shè)置電子輸送層。與空穴輸送層、發(fā)光層同樣，由于必須得到均質(zhì)的膜，所以優(yōu)選采用真空蒸鍍法形成。蒸鍍條件可以在與空穴輸送層、發(fā)光層同樣的條件范圍內(nèi)選擇。最后層疊陰極后形成有機EL元件。由于陰極是由金屬構(gòu)成的，所以可以采用蒸鍍法、濺射法。但是為了防止作為基底的有機物層在制膜時損傷，優(yōu)選采用真空蒸鍍法。這種有機EL元件的制作，優(yōu)選采用一次抽真空的情況下從陽極至陰極一氣呵成地制作。其中，本發(fā)明的有機EL元件的各層的形成方法沒有特別限定。具體而言，可以采用真空蒸鍍法、分子射線蒸鍍法(MBE法)、或?qū)⒉牧先芙庥谌軇┒傻娜芤旱慕糠?、旋涂法、澆鑄法、棒涂法、輥涂法等涂布法等公知的方法形成。本發(fā)明的有機EL元件的各有機層的膜厚沒有特別的限定，但是一般而言，膜厚過薄容易產(chǎn)生針孔等缺陷，而膜厚過厚就必須施加高電壓，從而使效率變差，所以通常優(yōu)選處于數(shù)nmlpm的范圍。利用有機EL元件對電極間施加電壓而發(fā)光。對有機EL元件施加直流電壓時，若以陽極為+，陰極為一，則一旦施加540V的電壓，就能觀測到發(fā)光。在相反極性下施加電壓，電流不會流過而完全不發(fā)光。此外施加交流電的情況下，僅當(dāng)陽極為+極性而且陰極為-極性時，才可以觀測到均一發(fā)光。施加的交流的波形可以任意。[實施例]'在實施例l一5中，合成下述所示的6種有機EL元件用材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>實施例1(A—l的合成)(1)下述中間體(B—l)的合成(A-94)在三口燒瓶中加入2，7—二溴一9一芴酮5.0g和4一(三氟甲基)苯基硼酸5.6g、氟化鉀5.1g以及三(二亞芐基丙酮)二鈀0.37g，用氬氣置換。然后，加入三叔丁基膦0,26g以及甲苯40ml，在110。C下加熱攪拌6小時。冷卻后，將結(jié)晶過濾，用水、甲醇洗滌后，用硅膠進行柱精制(氯仿溶劑)，得到黃色固體1.5g。根據(jù)該化合物的質(zhì)譜測定結(jié)果，確認M/Z二468處有峰。(2)(A—1)的合成在三口燒瓶中，加入事先合成的(B—l)2.0g以及二氯甲垸120ml，將燒瓶內(nèi)用氬氣置換，在食鹽一冰浴中冷卻至5度以下。然后，滴入雙(三甲基甲硅垸基)碳化二亞胺10g與二氯甲烷20ml的混合液，冷卻直至發(fā)熱停止，然后在室溫下放置4小時，進一步回流攪拌2小時。冷卻后，將析出的橙色結(jié)晶過濾，用甲醇洗滌，干燥。然后，在22(TC下升華精制，得到橙紅色結(jié)晶1.5g。測定該化合物的IR，結(jié)果在2186cm—1處觀察到氰基的吸收。根據(jù)質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二492的峰。將該化合物以0.01摩爾/升的濃度溶解于乙腈中，作為支持電介質(zhì)，使用過氯酸四丁基銨(TBAP)，參照電極使用銀一氯化銀電極，由循環(huán)伏安法(cyclicvoltammetry)測定還原電位。作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，將作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的二茂鐵(以下記為Fc)的第一氧化電位為基準(zhǔn)時的(A—l)的還原電位如表1所示。實施例2(A—18的合成)在三口燒瓶中加入預(yù)先合成的中間體(B—l)2.0g、丙二腈0.28g、乙醇30ml以及哌啶6滴，在8(TC下加熱攪拌3小時。將反應(yīng)液冷卻后，將己析出的結(jié)晶過濾，用甲醇洗滌后，減壓干燥。然后在230'C下進行升華精制，得到紫色結(jié)晶1.2g。測定該化合物的IR，結(jié)果觀察到2195cm—i處有氰基的吸收。由質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二516的峰。將所得到的化合物與實施例1同樣地測定第一還原電位。將結(jié)果示于表K實施例3(1)下述中間體(B—2)的合成在三口燒瓶中加入2，7—二溴一9—芴酮5.0g、3，5—雙(三氟甲基)苯基硼酸7.5g、碳酸鈉9.2g、水35g以及四(三苯基膦)鈀0.65g，用氬氣置換。然后加入P(t—Bu)30.26g以及甲苯40ml，在ll(TC下加熱攪(B—2)47拌6小時。冷卻后，將結(jié)晶過濾，用水、甲醇洗滌后，用硅膠進行柱精制(氯仿溶劑)，得到黃色固體1.3g。根據(jù)該化合物的質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二604的峰。(2)(A—9)的合成在實施例1(2)的(A—1)的合成中，除了將中間體(B—l)2.0g變更為(B—2)2.5g以外，進行同樣的操作，得到桃色結(jié)晶1.5g。測定該化合物的IR，結(jié)果觀測到2192cm^處有氰基的吸收。根據(jù)質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二628的峰。將所得到的化合物與實施例1同樣地測定第一還原電位。結(jié)果如表l所示。實施例4(A—24的合成)在實施例2的(A—18)的合成中，除了將中間體(B—l)2.0g變更為(B—2)2.5g以外，進行同樣的操作，得到桃色結(jié)晶1.6g。測定該化合物的IR，結(jié)果觀測到2220cm—1處有氰基的吸收。根據(jù)質(zhì)譜測定的結(jié)果，確認到M/Z=652的峰。將所得到的化合物與實施例1同樣地測定第一還原電位。將結(jié)果示于表l。實施例5(A—64的合成)(1)下述中間體(B—3)的合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>在三口燒瓶中加入茚三酮10g、二氨基順丁烯二腈6.3g以及乙醇60ml，回流攪拌l小時。冷卻至室溫，將已析出的黃色結(jié)晶過濾。然后用硅膠柱進行精制(展開溶劑二氯甲垸)，得到黃色結(jié)晶9.6g。根據(jù)該化合物的質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z=232的峰。(2)(A—64)的合成在三口燒瓶中滴加預(yù)先合成的中間體(B—3)5.5g、丙二腈1.6g、乙醇160ml以及哌啶10滴，在8(TC下加熱攪拌6小時。將反應(yīng)液冷卻后，將已析出的結(jié)晶過濾，用甲醇洗滌后，減壓干燥。然后，在23(TC下進行(B—3)升華精制，得到橙色結(jié)晶2.38。測定化合物的IR，結(jié)果觀測到2282、2132cm—i處有氰基的吸收。根據(jù)質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二280的峰。將所得到的化合物與實施例1同樣地測定第一還原電位。將結(jié)果示于表l。實施例6(A—94的合成)(1)下述中間體(B—4)的合成在三口燒瓶中加入茚三酮3.6g、5，6—二氨基一2，3—二氰基吡嗪3.2g以及乙酸100ml，回流攪拌8小時。冷卻至室溫后，將已析出的黃色結(jié)晶過濾。用乙腈、甲醇洗滌后，干燥，得到黃色結(jié)晶5.2§。根據(jù)該化合物的質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二284的峰。(2)(A—94)的合成在三口燒瓶中投入預(yù)先合成的中間體(B—4)4.0g、丙二腈1.5g以及吡啶100ml，在氮氣氛圍下、室溫下攪拌6小時。將已析出的固體過濾，用稀鹽酸、離子交換水、甲醇洗滌，干燥。然后，在28(TC下進行升華精制，得到暗紅色結(jié)晶3.28。測定化合物的IR，結(jié)果觀測到2272、2135cm—J處有氰基的吸收。根據(jù)質(zhì)譜測定結(jié)果，確認到M/Z二332的峰。將所得到的化合物與實施例1同樣地測定第一還原電位。結(jié)果如表l所示。表1化合物還原電位(VvsFc+/Fc)A-l-0.95A-18-1.00A-9-0.95A-24-1.00A-64-0.46A-94-0.4349實施例7將25mmx75mmxUmm厚的帶有ITO透明電極的玻璃基板(Di—O一Matic公司^才7亍,、;/夕公司制)在異丙醇中超聲處理5分鐘后，用UV臭氧洗滌30分鐘。將清洗后的帶有透明電極線的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板支撐架上，首先在形成電極線的側(cè)面上以厚度為60nm將實施例1中合成的式(A—l)所示的化合物以及下式(C一l)所示的化合物以2:98(摩爾比)的比成膜，將上述透明電極覆蓋。該混合膜具有空穴注入層的功能。接著，在該混合膜上以20nm的膜厚形成下式所示的化合物(HTM-1)的層。該膜具有空穴輸送層的功能。進一步，將膜厚為40nm的EMl蒸鍍，進行成膜。同時，作為發(fā)光分子，將下述具有苯乙烯基的胺化合物D1以EM1與D1的重量比為40:2的方式蒸鍍。該膜具有發(fā)光層的功能。將該膜上形成膜厚10nm的Alq膜。它具有電子注入層的功能。之后，對作為還原性摻雜劑的Li(Li源廿工7歹、;/夕一公司制)與Alq進行二元蒸鍍，形成Alq:Li膜(膜厚10nm)作為電子注入層(陰極)。將金屬鋁蒸鍍在該Alq:Li膜上形成金屬陰極，形成有機EL發(fā)光元件。將測定電流密度10mA/cn^下的驅(qū)動電壓以及初期亮度1000nit、室溫、DC定電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期的結(jié)果示于表2。A1q實施例8在實施例7中，除了將空穴注入層僅僅使用實施例3中合成的(A—9)之外，與實施例7同樣地形成有機EL發(fā)光元件并進行評價。結(jié)果示于表2。實施例9在實施例7中，除了將空穴注入層僅僅使用實施例5中合成的(A—64)之外，與實施例7同樣地形成有機EL發(fā)光元件并進行評價。結(jié)果如表2所示。實施例10在實施例7中，除了在空穴注入層中僅僅使用實施例6中合成的(A—94)并以空穴注入層的膜厚為10nm，且以作為空穴輸送層的(HTM—1)(HTM—1)0—H…H—(EM1)c6(Dl〉的膜厚為70nm以外，與實施例7同樣地形成有機EL元件并進行評價。結(jié)果示于表1。比較例1在實施例7中，除了單獨使用式(C一l)所示的化合物將空穴注入層成膜以外，與實施例7同樣地形成有機EL發(fā)光元件并進行評價。結(jié)果示于表2。<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的有機EL元件用材料適合作為有機EL元件的構(gòu)成材料，特別是作為空穴輸送層、空穴注入層的材料。本發(fā)明的有機EL元件適合使用于平面發(fā)光體或顯示器的背光燈等光源、移動電話、PDA、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、車的儀表板等顯示部、照明等。該說明書中記載的文獻的全部內(nèi)容均可援引于此。上述將幾個本發(fā)明的實施方式和/或?qū)嵤├M行了詳細的說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明的啟示以及效果的情況下，能夠容易地將上述例示的實施例和/或?qū)嵤├鞲嗟淖兏?。因此，這些諸多的變更都包含在本發(fā)明的范圍中。權(quán)利要求1、下式(I)表示的有機電致發(fā)光元件用材料，式中，X1為下述(a)～(e)所示的二價基團中的任一種，Y1～Y4分別表示碳原子或氮原子，R1～R4分別表示氫、烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵原子、氟代烷基或氰基，另外，R1與R2、以及R3與R4可以分別鍵合形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)，式中，R5～R7分別為氫、氟代烷基、烷基、芳基或雜環(huán)基，R6與R7也可形成環(huán)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光元件用材料，其為空穴注入材料。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光元件用材料，其為下式(II)所示的化合物，式中，乂2為下述(a)或(b)所示的二價基團，RSR"分別為氫、烷基、芳基、雜環(huán)、鹵原子、氟代垸基或氰基，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，X1為下述(a)(e)所示的二價基團中的任一種，Y174分別表示碳原子或氮原子，RiW分別表示氫、烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵原子、氟代烷基或氰基，另外，R1與R2、以及W與W可以分別鍵合形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光元件用材料，其為下式(III)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，^為下述(a)或(b)所示的二價基團，R"R"分別為氫、烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、^原子、氟代垸基或氰基，另外，R"與R19、以及R"與R"可以分別形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光元件用材料，其在乙腈溶液中的還原電位為一1.0V(vsFc+/Fc;此處，F(xiàn)c表示二茂鐵)以上。6、一種有機電致發(fā)光元件，其具有陽極、陰極、以及處于所述陽極和陰極之間的含發(fā)光層的一層或多層的有機薄膜層，所述有機薄膜層的至少一層含有權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光元件用材料。7、根據(jù)權(quán)利按要求6所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層為從陽極側(cè)依次包括空穴輸送層、發(fā)光層以及電子輸送層的層疊體。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述空穴輸送層含有所述有機電致發(fā)光元件用材料。9、根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述有機薄膜層為從陽極側(cè)依次包括空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層以及電子輸送層的層疊體，所述空穴注入層含有所述有機電致發(fā)光元件用材料。10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述空穴輸送層還含有下式(IV)所示的苯二胺化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>,式中，R^R"為氫、鹵原子、三氟甲基、烷基、芳基或雜環(huán)，R22R"也可與所鍵合的苯基一起形成萘骨架、咔唑骨架或芴骨架，n為1或2。11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述空穴注入層還含有下式(IV)所示的苯二胺化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中，R^R^為氫、囟原子、三氟甲基、垸基、芳基或雜環(huán)，R22-R^也可與所鍵合的苯基一起形成萘骨架、咔唑骨架或芴骨架，n為1或2(全文摘要本發(fā)明涉及以下式(I)所示的有機電致發(fā)光元件用材料。式中，X¹為下述(a)～(e)所示的二價基團中的任一種，Y¹～Y⁴分別表示碳原子或氮原子，R¹～R⁴分別表示氫、烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)、鹵原子、氟代烷基或氰基，另外，R¹與R²、以及R³與R⁴分別鍵合形成取代或未取代的芳香環(huán)、或者取代或未取代的雜環(huán)。文檔編號C07D241/36GK101558507SQ200780045960公開日2009年10月14日申請日期2007年12月10日優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日發(fā)明者森下浩延申請人:出光興產(chǎn)株式會社