專利名稱：一種去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及穩(wěn)定劑，特別是涉及一種去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)錫類化合物用在PVC樹(shù)脂做穩(wěn)定劑巳有許多專利，如美國(guó)專利3222317、 3396185等， 主要是丁基錫和辛基錫。二甲基錫雙(巰基乙酸異辛酯)的制備方法很多，如美國(guó)專利3810868、 3887519、 351966、 4129584等，以及中國(guó)專利CN1117495A、 CN1597764A、 CN1137048A、 CN1737003A等。月桂酸辛基錫的專利如中國(guó)專利CN1085559A。
以上這些生產(chǎn)有機(jī)錫的工藝中，均采用的是減壓蒸餾法去除水分或者低沸物用于提純。 而這些方法，去除水份很容易，但是去除一些有機(jī)低沸物就顯得有些困難了。顯然這些方法 很難得到純凈的有機(jī)錫穩(wěn)定劑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種在生產(chǎn)過(guò)程中能夠去除有機(jī)錫中的低沸物的有 效方法，以提高有機(jī)錫品質(zhì)。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是將有機(jī)錫穩(wěn)定劑粗品在真空條件下經(jīng)過(guò)預(yù)熱
器加熱至90 110'C，再通入刮板式薄膜蒸發(fā)器中蒸發(fā)，并形成O. 1 0.3mm的瀑布膜，此時(shí)， 刮板式薄膜蒸發(fā)器應(yīng)保持處于110-135'C的溫度和真空條件下，然后將從刮板式薄膜蒸發(fā)器 流出的物料通過(guò)氮?dú)饷摮羲罄鋮s。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)主要是由于有機(jī)錫在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)含有一定數(shù)量的低 沸物，在后期使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的氣味，同時(shí)對(duì)使用效果會(huì)產(chǎn)生一定的影響，因此需要采用 本發(fā)明的方法，即利用刮板式薄膜蒸發(fā)器和氮?dú)饷摮艄に噷?duì)有機(jī)錫進(jìn)行處理，使有機(jī)錫中的 低沸物去除，從而提高有機(jī)錫品質(zhì)和使用效果。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供的是一種去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，具體是將有機(jī)錫穩(wěn)
定劑粗品，在大于或等于0.09MPa的真空度下，經(jīng)過(guò)預(yù)熱器加熱至90 11(TC,然后通入刮 板式薄膜蒸發(fā)器中蒸發(fā)，并形成0. 1 0.3mm的瀑布膜，刮板式薄膜蒸發(fā)器保持大于或等于 0. 09MPa的真空度和110-135。C的溫度，再將經(jīng)過(guò)刮板式薄膜蒸發(fā)器的物料通過(guò)氮?dú)饷摮羲?冷卻即可。
上述物料流經(jīng)刮板式薄膜蒸發(fā)器時(shí)間為10 30S，以有效除去有機(jī)錫中的低沸物，保障 有機(jī)錫的品質(zhì)。刮板式薄膜蒸發(fā)器加熱面積為5 7m2。
上述有機(jī)錫粗品可采用通式為RnSnX4-n的有機(jī)錫粗品。其中，R代表具有l(wèi) 18個(gè)碳原 子的直鏈或支鏈的烷基，例如甲基、丁基、辛基；或者直鏈或支鏈的酯基，例如丙烯酸酯、丁烯酸酯。X代表低沸物，該低沸物為水以及月桂酸系化合物或馬來(lái)酸系化合物或硫醇酯系 化合物或馬來(lái)酸酯系化合物。n = l 4。
上述刮板式薄膜蒸發(fā)器可由市場(chǎng)上購(gòu)買，例如可采用型號(hào)為"LG6型"刮板式薄膜蒸發(fā)器。
權(quán)利要求
1.一種去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征是將有機(jī)錫穩(wěn)定劑粗品在真空條件下經(jīng)過(guò)預(yù)熱器加熱至90～110℃，再通入刮板式薄膜蒸發(fā)器中蒸發(fā)，并形成0.1～0.3mm的瀑布膜，此時(shí)，刮板式薄膜蒸發(fā)器應(yīng)保持處于110-135℃的溫度和真空條件下，然后將從刮板式薄膜蒸發(fā)器流出的物料通過(guò)氮?dú)饷摮羲罄鋮s。
2. 根據(jù)權(quán)利1所述的去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征在于所述有 機(jī)錫粗品采用通式為RnSnX4-n的有機(jī)錫粗品，其中，R代表垸基或酯基，X代表低沸物，n = 卜4。
3. 根據(jù)權(quán)利2所述的去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征在于所述垸 基為具有1 18個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的烷基，所述酯基為直鏈或支鏈的酯基。
4. 根據(jù)權(quán)利1所述的去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征在于所述低沸物為水，以及月桂酸系化合物或馬來(lái)酸系化合物或硫醇酯系化合物或馬來(lái)酸酯系化合物。
5. 根據(jù)權(quán)利1所述的有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征在于所述真空條件是指至少為0. 09MPa的真空度。
6. 根據(jù)權(quán)利l所述的有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征在于在所述通入刮板式薄膜蒸發(fā)器中蒸發(fā)時(shí)，蒸發(fā)時(shí)間為10 30秒。
7. 根據(jù)權(quán)利1所述的有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，其特征在于所述刮板式薄膜蒸發(fā)器的加熱面積為5 7m2。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種去除有機(jī)錫穩(wěn)定劑生產(chǎn)過(guò)程中低沸物的方法，具體是將有機(jī)錫穩(wěn)定劑粗品在真空條件下經(jīng)過(guò)預(yù)熱器加熱至90～110℃，再通入刮板式薄膜蒸發(fā)器，并形成0.1～0.3mm的瀑布膜，此時(shí)，刮板式薄膜蒸發(fā)器應(yīng)保持處于110-135℃的溫度和真空條件下，然后將從刮板式薄膜蒸發(fā)器流出的物料通過(guò)氮?dú)饷摮羲罄鋮s即可。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)主要是由于有機(jī)錫在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)含有一定數(shù)量的低沸物，在后期使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的氣味，同時(shí)對(duì)使用效果會(huì)產(chǎn)生一定的影響，因此需要采用本發(fā)明的方法，即利用刮板式薄膜蒸發(fā)器和氮?dú)饷摮艄に噷?duì)有機(jī)錫進(jìn)行處理，使有機(jī)錫中的低沸物去除，從而提高有機(jī)錫品質(zhì)和使用效果。
文檔編號(hào)C07F7/00GK101318973SQ20081004845
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2008年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月18日
發(fā)明者勇 劉, 勇 吳, 吳正保, 廷 宮, 興 張, 勇 張, 張建廣, 徐善武, 戴百雄, 溫志鵬, 王少培, 禾 蘇 申請(qǐng)人:湖北犇星化工有限責(zé)任公司