專(zhuān)利名稱(chēng)：含有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物和使用其的元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及含有金屬絡(luò)合物的殘基的高分子化合物和含有其的元件。
背景技術(shù)：
作為電致發(fā)光元件的發(fā)光層中使用的發(fā)光材料，可以使用各種金屬絡(luò)合物。此外， 還提出了將該金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)用作高分子的重復(fù)單元的發(fā)光材料。例如，提出了具有以 銥為中心金屬的鄰位金屬化絡(luò)合物(IHppy)3:配位體中具有2-苯基吡啶的三(鄰位金屬 化)銥(III)絡(luò)合物)的結(jié)構(gòu)和芴二基作為重復(fù)單元的高分子化合物(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2003-7；3479號(hào)公報(bào)然而，上述高分子化合物在用于制造電致發(fā)光元件等時(shí)，并不能得到發(fā)光效率優(yōu) 良的元件。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供在用于制造電致發(fā)光元件等時(shí)可以得到發(fā)光效率 優(yōu)良的元件的高分子化合物等。本發(fā)明之一提供含有下述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物的殘基、和下述式(3-1)、 (3-2)、(3-3)、(3-4)或(3- 所表示的2價(jià)基團(tuán)的高分子化合物，
權(quán)利要求
1. 一種高分子化合物，其含有下述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物的殘基、和下述式 (3-1)、(3-2)、(3-3)、(3-4)或(3_5)所表示的 2 價(jià)基團(tuán)，
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的高分子化合物，其中，所述R1、! 2、! 3、! 4、! 5、! 6和R8分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、?；ⅤＱ趸?、酰胺基、酰亞胺 基、亞胺殘基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲娃 烷基氨基、1價(jià)雜環(huán)基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代羧基或氰基，或者R3 和R4、或R5和R6可以結(jié)合形成環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物為下述式(Ia)或(Ib)所表示的金屬絡(luò)合物，
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的高分子化合物，其中，所述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物是下述式(Ic)或(Id)所表示的金屬絡(luò)合物，
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中， 所述M為鉬原子或銥原子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中， 所述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物的殘基為1 3價(jià)的基團(tuán)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中，含有所述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物的殘基和所述式(3-1)所表示的基團(tuán)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中， 還含有下述式(4)所表示的基團(tuán)，
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中， 發(fā)出EL發(fā)光光譜的峰值波長(zhǎng)為550 SOOnm的光。
10.一種組合物，其中，含有權(quán)利要求1 9中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10中所述的組合物，其中， 還含有溶劑或分散介質(zhì)。
12.—種含有權(quán)利要求1 9中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物的膜。
13.一種含有權(quán)利要求1 9中任意一項(xiàng)所述的高分子化合物的元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13中所述的元件，其中， 所述元件為發(fā)光元件。
15.一種面狀光源，其使用權(quán)利要求14中所述的元件。
16.一種照明裝置，其使用權(quán)利要求14中所述的元件。
17.一種高分子化合物的制造方法，所述高分子化合物含有下述式(1)所表示的金屬 絡(luò)合物的殘基和下述式(3-1)、(3-2)、(3-3)、(3-4)或(3_5)所表示的2價(jià)基團(tuán)的高分子 化合物，
18.根據(jù)權(quán)利要求17中所述的制造方法，其中，所述W1和W2為-B (OH)2、硼酸酯殘基、-MgX、甲錫烷基或鹵素原子，X表示鹵素原子。
19.下述式( 所表示的金屬絡(luò)合物，
20. —種下述式(Ila)或(lib)所表示的化合物，
21. 一種下述式(1 所表示的化合物，
全文摘要
一種高分子化合物，其含有下述式(1)所表示的金屬絡(luò)合物的殘基和2價(jià)基團(tuán)，(式中，M表示釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑的金屬原子。R1、R2、R3、R4、R5、R6和R8分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基等，m是1～3的整數(shù)，n是0～2的整數(shù)。Z1、Z2、Z3、Z4和Z5分別獨(dú)立地表示碳原子或氮原子。其中，Z1、Z2、Z3、Z4和Z5的至少2個(gè)為氮原子。在Z1、Z2、Z3、Z4和Z5的任一個(gè)為碳原子的情況下，與該碳原子結(jié)合的氫原子可以被取代基所取代。(式(1)中，下述式(2)所表示的部分表示單陰離子性的2齒配位體。Rx和Ry為與金屬原子M結(jié)合的原子，分別獨(dú)立地表示碳原子、氧原子或氮原子。)
文檔編號(hào)C07D401/04GK102066455SQ20098012400
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月23日
發(fā)明者岡村玲, 秋野喜彥 申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社, 薩美甚株式會(huì)社