專利名稱：3,5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物及其合成方法與應用的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及金屬有機配合物及其合成方法，具體地說是涉及一系列3，5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物及其合成方法與其在制備高K材料方面的應用。
背景技術：
對于產品文獻尚無報道，所合成的是一系列新型3，5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物。對于方法目前合成這些配合物都是在嚴格的無水無氧條件下進行。對于應用所合成的3，5- 二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物是一種新的配合物，所以還沒有把它作為前驅體制備高K薄膜材料的報道。隨著微電子技術的快速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，從大規(guī)模集成電路發(fā)展到極大規(guī)模集成電路。當器件特征尺寸位于45nm以下技術節(jié)點時，傳統(tǒng)的柵介質材料SiO2 已經不能滿足要求，需要由介電常數更大的高K材料替代Si02。近幾年，研究最多的三種高 K 材料是 ZrO2 (k = 25)，HfO2 (k = 25)和 Al2O3 (k = 9) ( Niinisto L,Paivasaari J，Niinisto J， et al.phys. stat. sol. (a), 2004, 201 (7) :1443 1452.)。除此之外，稀土氧化物由于具有很高的穩(wěn)定性和優(yōu)異的電學性能，也是一種非常有前景的高K材料(LeskelaM，Ritala M.J.Solid State Chem.，2003，171 (1—2) 170 174·)。原子層沉積技術(ALD)是近年來發(fā)展起來的薄膜沉積技術，尋找適合于ALD技術的前驅體是關鍵。對一個理想的ALD前驅體，必須滿足兩個基本的要求。(1)足夠的揮發(fā)性①配體的位阻大，防止多聚；②沒有溶劑配位的單核配合物； ③分子極性低，分子間引力小。(2)適當的反應性①在沉積溫度范圍內，不能自身分解；②對氧源(一般為H2O) 有很高的反應活性；③前驅體必須可以與基底發(fā)生吸附或反應，且不會腐蝕基底。目前研究較多的稀土氧化物的ALD前驅體，可以分為六大類烷氧基化合物、 β - 二酮化合物、稀土的有機胺化物和金屬有機化合物(環(huán)戊二烯型化合物)，稀土的脒基配合物，稀土的胍基配合物。
權利要求
1. 一類3，5_二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物，其特征在于用下述通式表其中
2.根據權利要求1所述的3，5_二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物，其特征在于所述配合物具有一個稀土金屬離子，和兩種不同的配體，所述稀土金屬為鑭離子或釓離子，所述配體為3，5- 二取代吡唑和六甲基二硅氮烷，其中，3，5- 二取代吡唑的取代基為苯基或含1 4個碳原子的烷基，兩種配體的摩爾比例為1 1，或者1 2。
3.權利要求1所述的3，5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物的合成方法， 其特征在于在惰性氣體的保護下，將3，5_ 二取代吡唑與Ln[N(SiMe3)J3，加入無水有機溶劑中，其中Ln = La或Gd，反應后，用減壓除去溶劑得灰白色固體，經過重結晶，即得到目標稀土金屬配合物。
4.根據權利要求3所述的3，5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物的合成方法，其特征在于(1)反應物Ln[N(SiMe3)J3，與3，5-二取代吡唑的投料摩爾比為1 1或者1 2 ；(2)反應時間6 72小時；(3)反應溫度0 60°C；(4)無水有機溶劑為乙醚、乙二醇二甲醚、四氫呋喃、甲苯或正己烷中的一種或任意兩種上述溶劑按照0. 1 0. 9的體積比例混合的混合溶劑。、5.3，5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物在制備高K材料前驅體上的應
全文摘要
一類3，5-二取代吡唑和六甲基二硅氮烷鑭(釓)配合物，其特征在于用下述通式表示其中Ln＝La或Gd；n＝1或2；R＝Ph、CH3、CH2CH3、iPr、nPr、nBu或tBu。本發(fā)明結合3，5-二取代吡唑及六甲基二硅氮烷這兩種配體的優(yōu)點，六甲基二硅氮烷具有很大的空間位阻，3，5-二取代吡唑配體的位阻可以通過調節(jié)兩個取代基的大小來調節(jié)?？梢杂行Х乐瓜⊥炼嗑畚锏男纬?，有利于提高揮發(fā)性。
文檔編號C07F19/00GK102382149SQ20111026549
公開日2012年3月21日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權日2011年9月8日
發(fā)明者馮猛, 湯清云, 沈應中, 陶弦 申請人:南京航空航天大學