專(zhuān)利名稱(chēng)：四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料及其制備和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電存儲(chǔ)材料，具體涉及一種四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
2009年歲末3D Imax電影《阿凡達(dá)》由于其前所未有的視聽(tīng)效果而享譽(yù)全球，然而承載這部電影的膠片重量達(dá)到700kg之多，這也說(shuō)明了現(xiàn)有的存儲(chǔ)材料和存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于信息社會(huì)快速發(fā)展的步伐。目前在超高密度信息存儲(chǔ)研究領(lǐng)域幾乎所有的努力都集中在減小存儲(chǔ)單元的尺寸來(lái)提高信息存儲(chǔ)密度，當(dāng)無(wú)機(jī)材料由于其自身性質(zhì)無(wú)法進(jìn)一步縮小尺寸時(shí)，研究者就把精力都轉(zhuǎn)向具有良好加工性能的聚合物或有機(jī)材料，以期能通過(guò)進(jìn)一步減小存儲(chǔ)單元尺寸來(lái)提高信息存儲(chǔ)密度。然而這種尺寸縮小也僅僅是從微米到納米尺寸的改變，對(duì)存儲(chǔ)密度的提高貢獻(xiàn)也就在1000倍以?xún)?nèi)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看仍然滿足不了超高密度信息存儲(chǔ)的需求。這是因?yàn)楝F(xiàn)在的光存儲(chǔ)、磁存儲(chǔ)及基于聚合物和有機(jī)材料的電存儲(chǔ)基本都是傳統(tǒng)的“0”和“ 1，，的二進(jìn)制存儲(chǔ)，如何從根本上解決信息存儲(chǔ)密度提高的問(wèn)題，阿加沃和我們課題組先后利用無(wú)機(jī)納米線和有機(jī)材料實(shí)現(xiàn)了 0、1、2三進(jìn)制存儲(chǔ)，突破了傳統(tǒng)的“0”和“1”的二進(jìn)制存儲(chǔ)限制，可使單位面積內(nèi)的存儲(chǔ)密度成千萬(wàn)倍的增長(zhǎng)(如同樣40個(gè)存儲(chǔ)單元，三進(jìn)制存儲(chǔ)密度將比二進(jìn)制存儲(chǔ)密度提高1千多萬(wàn)倍)，這就可以實(shí)現(xiàn)用更少的存儲(chǔ)單元獲得驚人的存儲(chǔ)能力，將使所有需要具有存儲(chǔ)能力的電子器件變得更加緊湊，意味著器件制造工藝會(huì)更加簡(jiǎn)單，從而真正意義上實(shí)現(xiàn)容量大、尺寸小、功耗低、成本低的新一代超高密度信息存儲(chǔ)器件(參見(jiàn):H. Li，Q. Xu, N. Li，R. Sun, J. Ge，J. Lu，H. Gu, F. Yan, J. Am. Chem. Soc. 2010,132, 5542. ；Y. W. Jung, S. H. Lee, A. T. Jennings, R. Agarwal, Nano Lett. 2008,8,2056.)。如果能進(jìn)一步提高材料的存儲(chǔ)位數(shù)，器件的存儲(chǔ)密度將會(huì)進(jìn)一步得到提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種具有“0”、“1”、“2”、“3”四進(jìn)制存儲(chǔ)功能的電存儲(chǔ)材料。為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料，所述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)通式如下所示
權(quán)利要求
1.一種四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料，其特征在于，所述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)通式如下所示
2.權(quán)利要求1所述四進(jìn)制信息存儲(chǔ)材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)在10 35°C下，對(duì)4，4’_ 二氨基二苯砜進(jìn)行單邊保護(hù)，得到化合物1，所述化合物1的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
3.一種四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件，所述四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件包括底電極和上電極，其特征在于，所述四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件還包括有機(jī)薄膜層，有機(jī)薄膜層設(shè)置在底電極和上電極之間，底電極、有機(jī)薄膜層和上電極構(gòu)成三明治結(jié)構(gòu)；所述有機(jī)薄膜層的材料為權(quán)利要求1所述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件，其特征在于，底電極的厚度為10-300nm；有機(jī)薄膜層的厚度為40-150nm ；上電極的厚度為20-300nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述底電極的材料選自 ITO導(dǎo)電玻璃、可蒸鍍金屬或?qū)щ娋酆衔铩?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求3所述四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述上電極的材料選自可蒸鍍金屬及金屬氧化物。
7.應(yīng)用權(quán)利要求1所述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料制備四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的方法，包括以下步驟在底電極上沉積上述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料，形成一層40-150nm的有機(jī)薄膜；再在有機(jī)薄膜上真空沉積一層上電極，制成“底電極/有機(jī)薄膜/上電極”的三明治結(jié)構(gòu)器件；所述底電極的材料選自ΙΤ0導(dǎo)電玻璃、可蒸鍍金屬或?qū)щ娋酆衔?；所述上電極的材料選自可蒸鍍金屬及金屬氧化物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電存儲(chǔ)材料，具體公開(kāi)了一種四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料及其制備和應(yīng)用，所述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下所示式中，所述R和R*選自鹵素、硝基或甲氧基中的一種；其中，R1選自C1～C6的烷基或苯基中的一種。由于本發(fā)明所述四進(jìn)制電存儲(chǔ)材料的應(yīng)用，本發(fā)明成功制得四進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件，同時(shí)，本發(fā)明中所涉及的有機(jī)材料合成簡(jiǎn)單，器件制作工藝成熟，器件性能穩(wěn)定，在單位密度內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量將比基于“0”，“1”和“2”三進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，因此在下一代的超高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中具有巨大的價(jià)值。
文檔編號(hào)C07C317/32GK102437284SQ20111044485
公開(kāi)日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月27日
發(fā)明者李華, 路建美 申請(qǐng)人:蘇州大學(xué)