專利名稱：光致生酸劑和包含所述光致生酸劑的光致抗蝕劑的制作方法
光致生酸劑和包含所述光致生酸劑的光致抗蝕劑
背景技術(shù)：
基于短波輻射(例如在193nm處運(yùn)行ArF準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生)或其它類似的短波源的改進(jìn)的光刻技術(shù)能用于通過(guò)增加集成電路的器件密度得到更快且更高效的半導(dǎo)體器件?？捎糜谶@種短波應(yīng)用的光致抗蝕劑材料包括化學(xué)擴(kuò)增型輻射敏感樹(shù)脂組合物，它依賴于包含酸不穩(wěn)定官能團(tuán)的樹(shù)脂組分和通過(guò)輻照產(chǎn)生酸的光致生酸劑(PAG)的有效相互作用。用于ArF準(zhǔn)分子激光器光刻技術(shù)的光致抗蝕劑材料的必需性質(zhì)包括在193nm處的透明度(即低光學(xué)密度)，以及高抗蝕性，具有高碳密度和多環(huán)結(jié)構(gòu)。可用的光致抗蝕劑平臺(tái)樹(shù)脂包括基于聚(甲基)丙烯酸酯-基骨架和由大的叔烷基保護(hù)的羧酸部分的樹(shù)脂，它在193nm處是高度透明的。對(duì)羧酸脫保護(hù)(本文中也稱為“解封閉”)的效率與對(duì)比度和分
辨率直接相關(guān)。 PAG陰離子不斷地被設(shè)計(jì)得體積更大，從而抑制PEB過(guò)程中的酸擴(kuò)散，以得到較高分辨率。但是，由于大體積疏水PAG在顯影劑和清洗水中的溶解度差，這種趨勢(shì)通常導(dǎo)致較高的缺陷度。同時(shí)實(shí)現(xiàn)低擴(kuò)散率和良好的缺陷度水平的一種方式是通過(guò)連接大的親水部分來(lái)同時(shí)增加PAG陰離子的尺寸和極性特性。通過(guò)這樣做，PAG陰離子的尺寸能增大到足夠大，從而抑制PEB時(shí)的酸擴(kuò)散，并且高極性光致酸能容易地溶解在堿性顯影劑(如氫氧化四甲基銨，TMAH)中，進(jìn)而得到較低的缺陷水平(即較低的缺陷度)。

發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)有技術(shù)的上述或其它問(wèn)題可以通過(guò)式(I)的光致生酸劑來(lái)克服:
權(quán)利要求
1.一種式(I)的光致生酸劑:
2.如權(quán)利要求1所述的光致生酸劑，其中L1是C1,連接基團(tuán)，所述連接基團(tuán)包括醚、酯、胺、酰胺、酮、縮醛、縮酮、硫化物、二硫化物、硫代羰基、磺酸酯、磺酰胺，或包括至少一種上述基團(tuán)的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的光致生酸劑，其中L1是直鏈或支鏈的，氟化或非氟化的，包括C1,亞烷基、C1,亞烷氧基、C1,酯、C1,酰胺、C1,磺酸酯、C1,磺酰胺，或者包括至少一個(gè)上述基團(tuán)的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的光致生酸劑，所述光致生酸劑具有式(III):
5.如權(quán)利要求1所述的光致生酸劑，所述光致生酸劑具有式(IV):
6.如權(quán)利要求1所述的光致生酸劑，所述光致生酸劑具有式(V):
7.如權(quán)利要求1所述的光致生酸劑，所述光致生酸劑具有下式:
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的光致生酸劑，其中G+是式X-XV的锍鹽:
9.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的光致生酸劑，其中G+具有下式:
10.一種光致抗蝕劑，其包含權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的光致生酸劑和酸可脫保護(hù)共聚物。
11.一種涂覆的膜，其包括:(a)基材，其包括位于其表面上的將被圖案化的一個(gè)層或多個(gè)層；和(b)權(quán)利要求10所述的光致抗蝕劑層，其位于所述將被圖案化的一個(gè)層或多個(gè)層上。
全文摘要
一種光致生酸劑，包括式(I)所示的化合物其中，式(I)中各Ra獨(dú)立地是H、F、C1-10非氟化有機(jī)基團(tuán)、C1-10氟化有機(jī)基團(tuán)，或包括至少一種上述基團(tuán)的組合，前提是至少一個(gè)Ra是F或C1-10氟化有機(jī)基團(tuán)，所述C1-10氟化和非氟化有機(jī)基團(tuán)各自任選地包含O,S,N或包括至少一種上述雜原子的組合；L1是連接基團(tuán)，所述連接基團(tuán)包含包括O,S,N,F的雜原子或者包括至少一種上述雜原子的組合；G+是式(II)的鎓鹽其中在式(II)中，X是S或I，各R0獨(dú)立地是C1-30烷基，多環(huán)或單環(huán)C3-30環(huán)烷基，多環(huán)或單環(huán)C4-30芳基，或包括至少一種上述基團(tuán)的組合，前提是各R0是C6單環(huán)芳基時(shí)至少一個(gè)R0是被取代的，其中當(dāng)X是I時(shí)，a是2，X是S時(shí),a是3，p是0或1，q是1-10的整數(shù)。
文檔編號(hào)C07C381/12GK103186046SQ20121058617
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者E·阿恰達(dá), C-B·徐, 李明琦, W·威廉姆斯 申請(qǐng)人:羅門哈斯電子材料有限公司