一種芘基硼烷分子電子材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于分子電子材料領(lǐng)域，具體涉及一種芘基硼烷分子電子材料及其制備方法。本發(fā)明提出的分子電子材料在結(jié)構(gòu)上含有含芘基及吡啶基硼烷；該材料的優(yōu)點(diǎn)有兩個方面：（1）具有平面共軛大Π結(jié)構(gòu)；（2）B原子具有外層空軌道，N原子具有外層孤對電子，二者結(jié)合，可使電子在材料中的運(yùn)動速度加快、勢壘降低，即具有較高的載流子遷移率。該材料由2,7-二溴芘、4-吡啶基溴硼烷、正丁基鋰以及鈀炭為起始原料，通過一步法制備獲得，制備工藝簡單。
【專利說明】一種獲基硼院分子電子材料及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于分子電子材料領(lǐng)域，具體涉及一種芘基硼烷分子電子材料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)電子器件朝著越來越小的尺度進(jìn)軍時，依賴光刻、摻雜原理工作的傳統(tǒng)整流器卻面臨不可克服的缺陷。因?yàn)楦鶕?jù)瑞利判據(jù)，光刻下限為所用光線波長的一半。光刻技術(shù)所用光源的波長的可降空間畢竟是有限的，光刻的線寬因此受限；而從統(tǒng)計學(xué)角度來看，在納米尺度，摻雜原子分布的漲落問題凸現(xiàn)，必將導(dǎo)致整流器件的有效性無法保證。如果，一個有機(jī)分子具備P-η結(jié)的性能，可以分別實(shí)現(xiàn)得電子(受體)和給電子(給體)的功能，而且給體、受體之間有效絕緣，電子只允許從陰極到受體或從給體到陰極，那么就有望得到具整流特性的分子了。從化學(xué)合成上說，這不是不可能的，利用芳香體系上不同的取代基可以增加或降低有機(jī)化合物η電子云的密度，可以產(chǎn)生相對來說貧電子(P型)或富電子(η型)的分子次單元。吸電子取代基將使芳香次單元成為相對貧的η電子云密度，從而提高電子親和能，使其成為一個好 的電子給體.[0003]本發(fā)明制備的材料含有芘基、硼烷、吡啶環(huán)以及烷基鏈等基團(tuán)，是一種新型分子電子材料，其優(yōu)點(diǎn)如下:(I)具有平面共軛大H結(jié)構(gòu)；(2)B原子具有外層空軌道，N原子具有外層孤對電子，二者結(jié)合，可使電子在材料中的運(yùn)動速度加快、勢壘降低，即具有較高的載流子遷移率。(3)通過調(diào)節(jié)烷基的鏈長來控制材料在溶液中的溶解度，使材料適合于分子自組裝或LB工藝，提高分子電子器件成品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提出一種芘基硼烷分子電子材料及其制備方法。
[0005]本發(fā)明提出的芘基硼烷分子電子材料，在結(jié)構(gòu)上含芘基、硼烷、吡啶環(huán)以及烷基鏈等基團(tuán)，其結(jié)構(gòu)式如下所示::
[0006]
【權(quán)利要求】
1.一種芘基硼烷分子電子材料及其制備方法，其特征在于該材料在結(jié)構(gòu)上含芘基及吡啶基硼烷，其結(jié)構(gòu)式如下所示:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分子電子材料，其特征在于R為甲基，材料的分子式為C28H22B2N2，化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分子電子材料，其特征在于R為正丁基，材料的分子式為C34H34B2N2，化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:



4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分子電子材料，其特征在于R為正己基，材料的分子式為C38H42B2N2，化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分子電子材料，其特征在于R為正十二烷基，材料的分子式為C5tlH66B2N2，化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分子電子材料，其特征在于R為正十六烷基，材料的分子式為C5tlH66B2N2，化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:

7.—種如權(quán)利要求1~6所述的分子電子材料的制備方法,其特征在于該材料由2，7- 二溴芘、4-吡啶基溴硼烷、正丁基鋰以及鈀炭為起始原料，通過一步法制備獲得，反應(yīng)方程式如下:
【文檔編號】C07F5/02GK103450240SQ201310395852
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月3日
【發(fā)明者】藍(lán)碧健 申請人:太倉碧奇新材料研發(fā)有限公司