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新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法

文檔序號(hào):3492748閱讀:214來(lái)源:國(guó)知局
新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及含有在酸的作用下對(duì)堿顯影液的溶解性發(fā)生改變的基材成分(A)和通過(guò)曝光來(lái)產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑成分(B)的抗蝕劑組合物,其特征在于,所述產(chǎn)酸劑成分(B)含有由下述通式(b1-1)表示的化合物形成的產(chǎn)酸劑(B1),式中,RX是可以具有取代基(但氮原子除外)的烴基;Q2和Q3分別獨(dú)立地為單鍵或2價(jià)的連接基團(tuán);Y1是碳原子數(shù)為1~4的亞烷基或氟代亞烷基;Z+是有機(jī)陽(yáng)離子(但下述通式(w-1)表示的離子除外)。
【專利說(shuō)明】新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法
[0001]本申請(qǐng)是201210243584.6的分案申請(qǐng),原申請(qǐng)的申請(qǐng)日為2008年12月18日,原申請(qǐng)的發(fā)明名稱為新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物以及抗蝕劑圖案形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物和抗蝕劑圖案形成方法、以及能作為用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物的中間體使用的新型化合物及其制造方法。
[0003]本申請(qǐng)要求2007年12月21日在日本提出的特愿2007-330891號(hào)、2007年12年21日在日本提出的特愿2007-331163號(hào)以及2008年3月6日在日本提出的特愿2008-056880號(hào)的優(yōu)先權(quán),在此引用其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0004]在光刻技術(shù)中進(jìn)行如下工序:例如在基板上形成由抗蝕劑材料形成的抗蝕劑膜,用光、電子射線等放射線對(duì)該抗蝕劑膜進(jìn)行選擇性曝光,實(shí)施顯影處理,從而在上述抗蝕劑膜上形成規(guī)定形狀的抗蝕劑圖案。將曝光后的部分向在顯影液中溶解的特性轉(zhuǎn)變的抗蝕劑材料稱為正型,將曝光后的部分向不溶于顯影液的特性轉(zhuǎn)變的抗蝕劑材料稱為負(fù)型。
[0005]近年來(lái),在半導(dǎo)體元件和液晶顯示元件的制造中,隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步,圖案的微細(xì)化發(fā)展迅速。
[0006]作為微細(xì)化的方法,通常是使曝光光源的波長(zhǎng)變短。具體而言,以往采用以g線、i線為代表的紫外線,但現(xiàn)在開(kāi)始采用KrF準(zhǔn)分子激光或ArF準(zhǔn)分子激光來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體元件的批量生產(chǎn)。另外,正在研究波長(zhǎng)比上述準(zhǔn)分子激光短的F2準(zhǔn)分子激光、電子射線、EUV(超紫外線)和X射線等。
[0007]伴隨著曝光光源的短波長(zhǎng)化,謀求抗蝕劑材料相對(duì)于曝光光源的靈敏度、能再現(xiàn)微細(xì)尺寸的圖案的析像度等光刻特性提高。作為滿足此要求的抗蝕劑材料,已知有含有在酸的作用下對(duì)堿顯影液的溶解性發(fā)生改變的基材成分和通過(guò)曝光來(lái)產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑成分的化學(xué)增幅型抗蝕劑。
[0008]以往,作為這種化學(xué)增幅型抗蝕劑的基材成分,主要采用樹脂,例如使用聚羥基苯乙烯(PHS)或其羥基的一部分被酸解離性溶解抑制基保護(hù)的樹脂等PHS類樹脂、由(甲基)丙烯酸酯衍生而來(lái)的共聚物或其羧基的一部分被酸解離性溶解抑制基保護(hù)的樹脂等。
[0009]另外,“(甲基)丙烯酸酯”是指α位與氫原子鍵合的丙烯酸酯和α位與甲基鍵合的甲基丙烯酸酯中的一方或兩方?!?甲基)丙烯酸鹽”是指α位與氫原子鍵合的丙烯酸鹽和α位與甲基鍵合的甲基丙烯酸鹽中的一方或兩方?!?甲基)丙烯酸”是指α位與氫原子鍵合的丙烯酸和α位與甲基鍵合的甲基丙烯酸中的一方或兩方。
[0010]迄今為止,已提出多種在化學(xué)增幅型抗蝕劑中使用的產(chǎn)酸劑,已知的有例如碘鎗鹽、锍鹽等鎗鹽類產(chǎn)酸劑等(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0011]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開(kāi)2003-241385號(hào)公報(bào)
[0012]作為上述鎗鹽類產(chǎn)酸劑,現(xiàn)在一般采用具有全氟烷基磺酸離子作為陰離子部(酸)的鎗鹽類產(chǎn)酸劑。
[0013]但是,這種鎗鹽類產(chǎn)酸劑從其結(jié)構(gòu)上而言對(duì)堿顯影液的親和性低,且很難在抗蝕劑膜內(nèi)均一分布,有可能對(duì)析像度等光刻特性造成不良影響。
[0014]另外,上述陰離子部的全氟烷基鏈由于能抑制曝光后的酸的擴(kuò)散,因此認(rèn)為越長(zhǎng)越好,但碳原子數(shù)為6~10的全氟烷基鏈難以分解。為此,從考慮到生物體蓄積性的操作安全方面出發(fā),使用碳原子數(shù)為4以下的全氟烷基磺酸離子、例如壬氟丁烷磺酸離子等。
[0015]因此,需求具有比作為抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑更有用的陰離子部的鎗鹽類化合物,與此同時(shí)還需要在制造該化合物時(shí)有用的中間體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的發(fā)明,其目的在于提供用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的新型化合物及其制造方法、產(chǎn)酸劑、抗蝕劑組合物和抗蝕劑圖案形成方法、以及能作為合成用作抗蝕劑組合物用產(chǎn)酸劑的化合物時(shí)的中間體而使用的新型化合物及其制造方法。
[0017]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下構(gòu)成。
[0018]即,本發(fā)明的第I方式是一種抗蝕劑組合物,其是含有在酸的作用下對(duì)堿顯影液的溶解性發(fā)生改變的基材成分(A)和通過(guò)曝光來(lái)產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑成分(B)的抗蝕劑組合物,其特征在于,上述產(chǎn)酸劑成分(B)含有由下述通式(bl-Ι)表示的化合物形成的產(chǎn)酸劑(BI),
[0019]
【權(quán)利要求】
1.由下述通式(bo-1-11)表示的化合物,
2.一種化合物的制造方法,其包括:通過(guò)使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)來(lái)得到下述通式(bO-Ι)表示的化合物(bO-Ι)的工序,
3.一種化合物的制造方法,其包括:通過(guò)使下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)與胺或銨鹽反應(yīng)來(lái)得到下述通式(bO-Ι)表示的化合物(bO-Ι)的工序,
4.一種化合物的制造方法,其包括:通過(guò)使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)與銨鹽反應(yīng)來(lái)得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序,
5.一種化合物,其由下述通式(bO-1-12)表示,
6.一種化合物的制造方法,其包括:通過(guò)使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)與銨鹽反應(yīng)來(lái)得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序,
【文檔編號(hào)】C07C309/17GK103969952SQ201410152054
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2007年12月21日
【發(fā)明者】羽田英夫, 內(nèi)海義之, 石塚啟太, 松澤賢介, 金子文武, 大下京子, 清水宏明, 吉井靖博 申請(qǐng)人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社
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