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苯并異喹啉金屬配合物及其制備方法與應(yīng)用的制作方法

文檔序號(hào):3495820閱讀:231來(lái)源:國(guó)知局
苯并異喹啉金屬配合物及其制備方法與應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種苯并異喹啉金屬配合物及其制備方法與應(yīng)用。該含有苯并異喹啉結(jié)構(gòu)單元的金屬配合物,其結(jié)構(gòu)通式如式I所示。該式I所示化合物,核磁檢測(cè)正確,基于現(xiàn)階段近紅外材料研究較少,存在著缺乏高效率、高穩(wěn)定性的近紅外發(fā)光材料,提供了一系列含有苯并異喹啉結(jié)構(gòu)單元的金屬配合物近紅外發(fā)光材料。該類化合物,原料易得,制備簡(jiǎn)便,總體收率高,對(duì)于研究近紅外材料的進(jìn)展與應(yīng)用,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
【專利說(shuō)明】苯并異喹啉金屬配合物及其制備方法與應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于有機(jī)合電致發(fā)光材料【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及苯并異喹啉金屬配合物及其制備 方法與應(yīng)用。

【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于有機(jī)電致發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱0LED)及相關(guān)的研究,早在1963年pope等人首 先發(fā)現(xiàn)了有機(jī)化合物單晶蒽的電致發(fā)光現(xiàn)象。1987年美國(guó)的柯達(dá)公司用蒸鍍有機(jī)小分子的 方法制成了一種非晶膜型器件,將驅(qū)動(dòng)電壓降到了 20V以內(nèi)。這類器件由于具有超輕薄、全 固化、自發(fā)光、亮度高、視角寬、響應(yīng)速度快、驅(qū)動(dòng)電壓低、功耗小、色彩鮮艷、對(duì)比度高、工藝 過(guò)程簡(jiǎn)單、溫度特性好、可實(shí)現(xiàn)柔軟顯示等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于平板顯示器和面光源,因此 得到了廣泛地研究、開(kāi)發(fā)和使用。
[0003] 經(jīng)過(guò)二十幾年的發(fā)展,有機(jī)EL材料已經(jīng)全面實(shí)現(xiàn)了紅、藍(lán)、綠色發(fā)光,應(yīng)用領(lǐng)域也 從小分子擴(kuò)展到了高分子以及金屬絡(luò)合物等領(lǐng)域。最近幾年有機(jī)電發(fā)光顯示技術(shù)已經(jīng)得到 了巨大進(jìn)展,并且實(shí)現(xiàn)了紅、藍(lán)、綠三原色發(fā)光。但是目前已知有實(shí)用價(jià)值和潛力的材料還 非常有限,特別是綜合指標(biāo)優(yōu)異的有機(jī)材料急需研制和開(kāi)發(fā),綠色材料發(fā)展最快,基本可以 滿足商業(yè)化實(shí)用的需求,而紅色和藍(lán)色材料的問(wèn)題較多,離實(shí)際應(yīng)用尚有距離。因此,穩(wěn)定、 高效率紅光和藍(lán)光材料的分子設(shè)計(jì)與合成成為重要的研究?jī)?nèi)容。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是提供一種苯并異喹啉金屬配合物及其制備方法與應(yīng)用。
[0005] 本發(fā)明提供的含有苯并異喹啉結(jié)構(gòu)單元的化合物,其結(jié)構(gòu)通式如式I所示,
[0006]

【權(quán)利要求】
1. 式I所示化合物:
所述式I中, R" R2、R3、R4 均選自 H、-F、-Cl、-Br、-CN、-CF3、-〇CF3、碳原子總數(shù)為 1-15 的烷基、碳原 子總數(shù)為1-15的烷氧基、碳原子總數(shù)為2-15的直鏈烯烴基、氟代的碳原子總數(shù)為1-15的 烷基、氟代的碳原子總數(shù)為1-15的烷氧基和氟代的碳原子總數(shù)為2-15的直鏈烯烴基中的 任意一種; R5選自碳原子總數(shù)為1-15的烷基、碳原子總數(shù)為1-15的烷氧基、碳原子總數(shù)為2-15 的直鏈烯烴基、氟代的碳原子總數(shù)為1-15的烷基、氟代的碳原子總數(shù)為1-15的烷氧基、氟 代的碳原子總數(shù)為2-15的直鏈烯烴基、N-苯基-咔唑-2-基、N-苯基-咔唑-3-基、9-蒽 基、1-萘基、2-萘基、苯基、4-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-三苯胺基、2-嘧啶基、3-咔唑基、3-吡 啶基、1,3, 4-噁二唑-2-基、二苯并[b,d]呋喃-2-基、二苯并[b,d]呋喃-4-基、二苯并 [b,d]噻吩-2-基和二苯并[b,d]噻吩-4-基中的任意一種; Μ選自金屬銥和鉬中的任意一種;且Μ為鉬時(shí),X不為3 ; X為1、2或3 ; y 為 0、1、2 或 3 ; L選自乙酰丙酮基、2-吡啶甲酸基、2-吡啶磺酸基、2-苯基吡啶基和帶有支鏈的碳原子 總數(shù)為5-25的乙酰乙酰基中的任意一種。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于:所述式I所示化合物為如下化合物中 的任意一種:


3. -種制備權(quán)利要求1或2任一所述式I所示化合物的方法,包括如下步驟: a、 將式XIII化合物、配體L和碳酸鈉混合回流進(jìn)行配位反應(yīng),反應(yīng)完畢后得到R5為H、 X為1或2的式I所示化合物;
b、 將式XVII化合物、配體L和碳酸鈉混合回流進(jìn)行配位反應(yīng),反應(yīng)完畢后得到R5不為 Η、X為1或2的式I所示化合物;
C、將式XVIII化合物與苯基)苯并[g]異喹啉進(jìn)行配 位反應(yīng),反應(yīng)完畢后得到X為3的式I所示化合物;
所述步驟a、b和c中,所述配體L均為乙酰丙酮、2-吡啶甲酸、2-吡啶磺酸、2-苯基吡 啶或帶有支鏈的碳原子總數(shù)為5-25的乙?;阴?; 所述式XIII、式XVI和式XVIII中,&、1?2、1?3、1?4、1? 541和1^的定義均與權(quán)利要求1所 述式I中的定義相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于:所述步驟a中,式XIII化合物與配體L的 摩爾比為 1:2 ?5,具體可為 1:2、1:2· 5、1:3、1:3· 5、1:4,優(yōu)選 1:2. 5 ; 式XIII化合物與碳酸鈉的摩爾比為1:5?15,具體可為1:5、1:6、1:7、1 :8、1:9、1:10、 1:11、1:12、1:13、1:14、1:15,優(yōu)選 1:10 ; 所述步驟b中,式XVI化合物與配體L的摩爾比為1:2?5,優(yōu)選1:2. 5 ; 式XVI化合物與碳酸鈉的摩爾比為1:5?15,優(yōu)選1:10 ; 所述步驟c中,式XVIII化合物與4-R5-l-(2-1^-3-1?2-4-1?3-5-1? 4-苯基)苯并[g]異喹 啉的摩爾比為1:1?2,優(yōu)選1:2。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3-4任一所述的方法,其特征在于:所述步驟a、b和c配位反應(yīng)步驟 中,溫度為150°C?200°C,優(yōu)選170°C?180°C;時(shí)間均為8?24小時(shí),優(yōu)選10?16小時(shí); 所述步驟a、b和c所述配位反應(yīng)均在溶劑中進(jìn)行;所述溶劑具體選自乙二醇乙醚、甘 油、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、己烷、乙酸、二甲苯、甲醇、乙醇、甲苯、水、鄰二氯苯、醋酸、 1,4-二氧六環(huán)、乙醚、二甲基亞砜、N,N-二甲基甲酰胺、乙腈、氯仿中的至少一種; 所述步驟a、b和c中,反應(yīng)氣氛均為惰性氣氛,優(yōu)選氮?dú)鈿夥铡?br> 6. 權(quán)利要求1或2所述式I所示化合物在制備有機(jī)電致發(fā)光器件或制備有機(jī)發(fā)光二極 管中的應(yīng)用。
7. 含有權(quán)利要求1所述式I所示化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件或有機(jī)發(fā)光二極管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用或權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于: 所述有機(jī)電致發(fā)光器件由下至上依次由透明基片、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā) 光層、電子傳輸層和陰極層組成; 其中,構(gòu)成所述透明基片的材料為玻璃或柔性基片; 構(gòu)成所述陽(yáng)極層的材料為無(wú)機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物;其中,所述無(wú)機(jī)材料為氧化銦 錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銀或銅;所述有機(jī)導(dǎo)電聚合物選自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸鈉和 聚苯胺中的至少一種; 構(gòu)成所述空穴注入層和空穴傳輸層的材料均選自NPB和2T-NATA中的至少一種: 所述NPB的結(jié)構(gòu)式如下:
所述2T-NATA的結(jié)構(gòu)式如下:
構(gòu)成所述有機(jī)發(fā)光層的材料為權(quán)利要求1-2任一所述式I所示化合物和主體材料; 其中,所述主體材料為CBP、CDBP、TPBI或TRZ ; 其中,CBP、CDBP、TPBI或TRZ的結(jié)構(gòu)式如下所示:
式I所示化合物的質(zhì)量為主體材料質(zhì)量的1-10%,具體為5% ; 構(gòu)成所述電子傳輸層的材料為Alq3或BPhen ; 其中,Alq3、BPhen的結(jié)構(gòu)式依次如下:
構(gòu)成所述陰極層的材料選自下述元素中的任意一種或任意兩種組成的合金或下述元 素的氟化物:鋰、鎂、銀、I丐、銀、錯(cuò)、銦、銅、金和銀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用或器件,其特征在于: 所述空穴注入層的厚度為30-50nm,具體為40nm ; 所述空穴傳輸層的厚度為5-15nm,具體為10nm ; 所述有機(jī)發(fā)光層的厚度為l〇-l〇〇nm,具體為50nm ; 所述電子傳輸層的厚度為10_30nm,具體為20nm ; 所述陰極層的厚度為90-110nm,具體為lOOnm。
【文檔編號(hào)】C07F15/00GK104193783SQ201410373196
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】曹建華, 逄輝, 王士波, 黃紅亮, 賈磊磊 申請(qǐng)人:石家莊誠(chéng)志永華顯示材料有限公司
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