專(zhuān)利名稱(chēng)：用于固定液晶的聚亞酰胺、含有它們的顯示器件和制造這些器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明的基本目標(biāo)是提供新型聚合物以在顯示晶胞內(nèi)固定液晶分子。
液晶顯示器件通常包括兩塊在其內(nèi)表面上含電極的限制平板或基底和在兩塊板之間的液晶材料。而且，在限制平板上提供了一種器件以確保和控制液晶分子的固定。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員知道如何通過(guò)表面處理如聚合物涂層讓向列液晶與基質(zhì)的表面垂直取向(該方向叫垂面取向)或與該表面平行取向(該方向叫平面取向)。
更具體地，“螺旋向列式”液晶顯示要求強(qiáng)的平面取向固定或輕微的傾斜固定。該強(qiáng)烈的平面固定通常根據(jù)已有的技術(shù)、通過(guò)淀積取向的聚合物或在給定的角度上蒸發(fā)SiO獲得。
最近已經(jīng)出現(xiàn)另一種向列液晶顯示器家族(專(zhuān)利WO-97/17632)，也就是表面突變向列顯示器家族。它們?cè)试S雙穩(wěn)態(tài)因此允許顯示器在不消耗能量下永久保持；只有兩態(tài)之間的轉(zhuǎn)換需要一些能量。雙穩(wěn)態(tài)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是高清晰度，因?yàn)轱@示線的數(shù)目?jī)H僅是信息必須被轉(zhuǎn)換的時(shí)間與寫(xiě)入線的時(shí)間的比率的函數(shù)。線數(shù)目可超過(guò)10,000。制造這種顯示器的主要困難與需要破壞表面固定相關(guān)即可復(fù)制的低能固定的必要性。本發(fā)明主要用于制造該類(lèi)顯示器。
一個(gè)使用弱固定的雙穩(wěn)態(tài)向列顯示器的典型例子在文獻(xiàn)WO-97/17632中作了說(shuō)明。根據(jù)該文獻(xiàn)，液晶被置于兩塊涂有混合氧化銦錫(即通常所指的ITO玻璃)的導(dǎo)電層的玻璃平板之間，其中一個(gè)電極的涂層提供了強(qiáng)平面或傾斜固定，另外一個(gè)電極的涂層提供了低峰值固定能和中等或強(qiáng)烈方位固定能的平面單穩(wěn)固定。兩個(gè)起偏器以適當(dāng)?shù)姆较虬仓迷陲@示晶胞的兩邊。
“雙穩(wěn)技術(shù)”的原理是基于無(wú)電場(chǎng)時(shí)雙穩(wěn)態(tài)的存在——一個(gè)均勻態(tài)和一個(gè)180°螺旋態(tài)。該兩態(tài)對(duì)應(yīng)于最小能級(jí)。它們通過(guò)正介電各向異性的向列液晶，比如攙雜手性添加劑的戊烷基氰基二苯(已知為5CB)平衡。
顯示技術(shù)使用弱平面固定斷裂的可能性和強(qiáng)平面固定的持久性，通過(guò)一定形狀和強(qiáng)度的電場(chǎng)從一個(gè)狀態(tài)向另一個(gè)狀態(tài)轉(zhuǎn)變。該電場(chǎng)垂直于顯示晶胞，誘導(dǎo)了一個(gè)類(lèi)似于TN技術(shù)中的“黑”態(tài)的同向織構(gòu)，但在TN技術(shù)中，靠近低能級(jí)固定表面的分子是垂直于后者的。該非平衡態(tài)織構(gòu)是過(guò)渡態(tài)，它可以向兩穩(wěn)定態(tài)中的一個(gè)轉(zhuǎn)化。當(dāng)移去電場(chǎng)后，該織構(gòu)將依據(jù)是傾向彈性耦合效應(yīng)還是傾向流體動(dòng)力耦合效應(yīng)而轉(zhuǎn)化為兩穩(wěn)定態(tài)中的一個(gè)。
已經(jīng)提出了多種方法以確保液晶材料的固定。
然而，由于所有固定方法都必須遵守多種的限制，因此找出完全令人滿意的方法被證明是很困難的。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員特別知道固定聚合物必需滿足以下條件1)為了適合應(yīng)用于接受平板或基底以便合適地潤(rùn)濕和覆蓋后者，固定聚合物必須是可溶于某種介質(zhì)；2)能夠使平板或基底各向異性；3)在液晶材料中不可溶；以及4)限定一種給予所需方向和所需的固定。
而且，雖然目前存在能夠限定令人滿意的強(qiáng)固定方法，但只有很少的方法能夠確保弱固定(下面將會(huì)解釋該概念)。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種能夠限定低能固定的新方法。
該目的在本發(fā)明上下文的實(shí)現(xiàn)歸功于液晶晶胞的制備方法，包括·在基底上淀積基于有側(cè)基的具有分子式(I)或分子式(II)的(所說(shuō)的分子式如下文所示)聚酰亞胺的聚合物；·以預(yù)定的溫度對(duì)聚合物進(jìn)行熱處理；以及·確?？刂凭酆衔锏姆较颉?br> 具有分子式(I)和分子式(II)的新型聚酰亞胺也是本發(fā)明的目的。
本發(fā)明使在液晶顯示器晶胞，特別是雙穩(wěn)向列液晶顯示晶胞中產(chǎn)生低能固定(排列)層可行。
本發(fā)明也涉及由此獲得的器件。
術(shù)語(yǔ)“強(qiáng)固定”和“弱固定”可根據(jù)專(zhuān)利申請(qǐng)F(tuán)R00/16135所描述的進(jìn)展來(lái)定義。
這些進(jìn)展總結(jié)如下。
液晶分子的固定起源于它與取向?qū)酉嗷プ饔玫母飨虍愋?。分子固定的特征在于有效性和在無(wú)任何外加影響下施加在液晶分子上的方向。該方向稱(chēng)為易軸，可被z軸垂直于表面和基底的笛卡兒坐標(biāo)系中的單位矢量 或天頂角θ0和方位角0描述。
如果液晶分子的易軸垂直于基底，排列是垂面取向的。如果它平行于基底，排列是平面取向的。在這兩種狀態(tài)之間，有一個(gè)所謂的傾斜排列，通過(guò)天頂固定角描述，該角是參考垂直于基底表面而定義的，或者通過(guò)其互補(bǔ)角傾斜(欲傾斜)角描述。
天頂固定能可由如下描述的簡(jiǎn)單方法測(cè)量，也就是測(cè)量固定被破壞的臨界電場(chǎng)。
在一個(gè)液晶顯示晶胞中，已知通過(guò)對(duì)正介電各向異性的向列液晶施加一個(gè)垂直于平板的電場(chǎng)E＞Ec就可破壞表面固定。因?yàn)樵黾与妶?chǎng)E使之接近Ec，表面分子的角度θs快速?gòu)?0°轉(zhuǎn)換到0°；這與顯示晶胞的可探測(cè)的雙折射變化相對(duì)應(yīng)。在Ec以上，角θs保持為0——這時(shí)表面就稱(chēng)為破裂。
破壞固定的臨界電場(chǎng)Ec由下式定義Ec=1LzK∈0∈a]]>其中K是曲率彈性(～10pN)，Lz是定義天頂固定能的外延長(zhǎng)度，可表達(dá)如下Wz=(1/2)(K/Lz)cos2θsθs是表面分子的角度。
對(duì)于天頂固定，如果Lz＜20nm(Ec＞20V/μm)，固定被認(rèn)為是強(qiáng)固定，如果Lz≥40nm(Ec＜10V/μm)則為弱吸附。天頂固定的數(shù)量級(jí)較小。如果La＜100nm，不依賴于天頂吸附，方位固定被認(rèn)為是強(qiáng)固定。
為了通過(guò)破壞固定以產(chǎn)生一個(gè)雙穩(wěn)晶胞，固定表面必須有相對(duì)低的天頂固定能(例如，Lz≥40nm)和相對(duì)強(qiáng)的方位固定(La＜＜d，d為晶胞的厚度)。在本發(fā)明上下文中，低能天頂固定是通過(guò)淀積特別選擇的基于一種聚酰亞胺的聚合物獲得的，該聚酰亞胺有側(cè)基，它經(jīng)歷了一系列的特定處理。
基于聚酰亞胺的固定層是通過(guò)旋涂的方法從聚合物溶液中淀積的。溶劑蒸發(fā)之后，就獲得了在幾個(gè)納米～100納米之間，有特定(但沒(méi)有限制)厚度的聚合物層。
然后，聚合物層優(yōu)選用現(xiàn)有技術(shù)的織物滾筒摩擦以向液晶施加一個(gè)方位角。
本發(fā)明的主體物質(zhì)的聚合物和共聚物是用側(cè)基取代的具有分子式(I)和(II)的聚酰亞胺的衍生物。
Hyung-Jong Lee等在第36卷Polymer Science Part A的301-307頁(yè)(1998)中描述了來(lái)自酐6-FDA聚酰亞胺的合成，該聚酰亞胺用傳統(tǒng)的DR1和DANS的發(fā)色側(cè)基取代。這些聚酰亞胺具有非線性光學(xué)特性，易溶于有機(jī)溶劑。
根據(jù)本發(fā)明，第一類(lèi)聚酰亞胺是從具有分子式I的2，2’-雙(3，4-二羧基苯)六氟丙烷二酐(6FDA)和3，3’-二羥基-4，4’-二氨基二苯衍生的 其中基團(tuán)R1和R2可以相同也可不同，代表烷基、(環(huán)烷基)烷基、芳香烷基、雜芳香烷基、氟代烷基或硅烷基。
術(shù)語(yǔ)“烷基”表示具有直鏈或支鏈的烷基如，乙基，丁基或辛基。
術(shù)語(yǔ)“環(huán)烷基”指有3～16個(gè)碳原子的單環(huán)或多環(huán)烷基，它們可以被功能基團(tuán)取代。作為實(shí)例，可以提及雙環(huán)烷基如金剛基(adamantyl)。
術(shù)語(yǔ)“芳基”表示一個(gè)單核或多核芳香基團(tuán)，優(yōu)選是有6～16個(gè)碳原子。比如，它們可以是苯或萘基團(tuán)，苯或萘基團(tuán)可以被一個(gè)或多個(gè)取代基取代。
術(shù)語(yǔ)“雜芳香基”在本發(fā)明上下文中表示單核或多核雜芳香族基團(tuán)，最好有5～16個(gè)碳原子和1～4個(gè)雜原子，優(yōu)選氮，氧和硫原子。比如，它們可以是由pheryl，pyraline，tetrazoline，吡啶，和carbazoline基團(tuán)。
在本發(fā)明上下文中，優(yōu)選以下基團(tuán)直鏈或支鏈的C8～C18烷基或苯烷基或特別地，正辛烷基，正十二烷基，正十八烷基，2-環(huán)己基乙基，2-(乙基)己基，8-(苯基)辛基，2-(1-金剛基)-乙基，2-苯基乙基和2-(9-咔唑基)乙基。
n值在1～20之間。
構(gòu)成本發(fā)明主體的第二類(lèi)聚酰亞胺是衍生自苯均四酸酐(PMDA)和具有分子式(II)的2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯)六氟丙烷(Bis-AP-AF)的聚酰亞胺，其中基團(tuán)R3和R4可以相同或不同，和上述的基團(tuán)R1和R2意義相同。N值和上面給定的一致。 衍生自聚酰亞胺(I)和(II)的共聚物也屬于本發(fā)明的聚合物的范圍。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物按如下描述的方式使用。聚合物通過(guò)旋涂溶液的方法淀積在基底上。合適的溶劑是，如，THF、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二噁烷、二甲基亞碸(DMSO)、丁內(nèi)酯和二甲基甲酰胺(DMF)。
在100℃～230℃之間某個(gè)溫度下退火，優(yōu)選200℃，退火時(shí)間為幾分鐘～2小時(shí)，最好是1小時(shí)左右，退火后，用織物滾筒擦拭聚合物層(方位角方向)。
該層通常是產(chǎn)生在ITO基底上，但別的電極也可以。
本發(fā)明的另一個(gè)形式是固定層的方位角可不通過(guò)織物輥摩擦獲得，比如使用通過(guò)以下方式預(yù)處理的基底印刷或光誘導(dǎo)·通過(guò)SiO的傾斜蒸發(fā)；
·通過(guò)被拉伸的聚合物；·通過(guò)腐蝕在基底上的柵格。
本發(fā)明的方法可以獲得一個(gè)低能天頂固定排列層。
闡述本發(fā)明的聚合物的實(shí)例說(shuō)明如下。
實(shí)施例1聚合物的制備a)第一類(lèi)聚合物該類(lèi)聚合物家族是從具有如下所示的分子式(1a)的二羥基聚酰亞胺合成的。可以從T.Chen，A.Jen和Y.Cai在1996年29期Micromolecues第535-539頁(yè)中的描述了解它。 b)第二類(lèi)聚合物該類(lèi)聚合物家族是從具有如下所示的分子式(2a)的二羥基聚酰亞胺合成的。這是已知的，見(jiàn)T.Chen，A.Jen和Y.Cai在1996年29期Miromolecules第535-539頁(yè)中的描述。 然后羥基聚酰亞胺(1a)和(2a)通過(guò)Mitsunobu反應(yīng)接枝。使用本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的方法，該反應(yīng)可以將限定的側(cè)基接枝到化合物(1a)和(2a)的羥基上。該方法的描述見(jiàn)書(shū)OrganicReactionsVol.42(1992)?？墒褂枚喾N具有直鏈或支鏈或末端基團(tuán)的醇，部分例子給出如下表。
表I第一類(lèi)和第二類(lèi)聚酰亞胺括號(hào)中的數(shù)字分別表示取代的第一類(lèi)和第二類(lèi)聚酰亞胺。
部分特性如分解溫度和玻璃轉(zhuǎn)化溫度在表II中給出如下。
表II本發(fā)明的聚合物的分解溫度和玻璃轉(zhuǎn)化溫度的例子(實(shí)驗(yàn)條件在空氣中，溫度從30℃升～600℃，10℃/min)。
n.d.未測(cè)定。實(shí)施例2聚酰亞胺2c的合成鏈接枝反應(yīng)是在氬氣中進(jìn)行。548mg(1mmol，1eq)的化合物2a(根據(jù)D.Yu，A.Garani和L.Yu在J.Am.Chem.Soc.117頁(yè)，11680(1995)中描述的方法合成)，550mg(3mmol，3eq)十二烷基-1-醇和880(3.35nmol，3.35eq)的三苯基膦溶解在30ml蒸餾了的四氫呋喃(THF).攪動(dòng)化合物直到反應(yīng)物完全溶解，然后向溶液中滴加冷卻到0℃的0.4ml(3mmol，3eq)的二乙基偶氮雙羧酸鹽(即通常所說(shuō)的DEAD)。馬上會(huì)形成橙色的沉淀。然后把混合物在70℃回流；隨溫度升高，沉淀逐步再溶解(50℃以上沉淀迅速溶解)，溶液回到初始的黃色。
在70℃回流4天后，通過(guò)在溶液中滴加含1％的HCl，400ml的50/50的甲醇/水的混合物的沉淀溶液。通過(guò)過(guò)濾收集的樣品再溶解在30ml的蒸餾過(guò)的THF中并攪動(dòng)24小時(shí)。為了完全純化該接枝產(chǎn)品和從中析取未接枝的烷基鏈，需要完成兩個(gè)連續(xù)的沉淀/重新溶解操作(純化的過(guò)程用1H NMR監(jiān)控)，最后再沉淀是在乙醇而不是在甲醇/水混合物中進(jìn)行。最后獲得的產(chǎn)品在60℃真空干燥24小時(shí)。1H NMR(200MHz，CDCI3)(

圖1)8.46(s，2H)，7.47(d，2H)，7.40(s，2H)，7.06(s，2H，J＝8.8Hz)，4.03(t，4H，-O-CH2)，1.65(m，4H，CβH2)，1.22(m，36H，CH2)，83(T，6H，CH3)；13C NMR(50MHz，CDCI3)(圖2)164.75，155.18，137.32，133.17，131.69，124.83，121.04，119.47，119.17，112.54，68.82，31.87，31.84，29.62，29.51，29.47，29.32，29.28，29.12，29.06，28.72，25.64，14.07；對(duì)100％C12接枝的聚酰亞胺鏈計(jì)算出的元素組分為C，66.48；H，6.61；N，3.17；O，10.85；F，12.89；測(cè)量的元素組分為C，65.91；H，6.13；N，3.21；轉(zhuǎn)移度為92±2％；起始分解溫度為250℃。
圖1和圖2顯示從純化的聚酰亞胺2c獲得的核磁共振譜。
圖1顯示聚酰亞胺2c的1H NMR(CD2CI2，200MHz)譜。
圖2顯示聚酰亞胺2c的13C NMR(50MHz，CDCI3)譜。
實(shí)施例3液晶晶胞的制備
a)第一個(gè)例子是用來(lái)在兩個(gè)涂ITO的玻璃平板之間固定1.5μm厚的液晶晶胞(用5CB)。其中一塊平板進(jìn)行SiO蒸發(fā)(厚107nm，入射角82.5°)以獲得一個(gè)強(qiáng)的方位固定。另一個(gè)參考2h涂有聚酰亞胺，該聚酰亞胺是根據(jù)實(shí)施例1制備的(第二類(lèi)；取代基R3＝R4＝2-環(huán)己基乙烯)第一步通過(guò)旋涂1％二噁烷溶液沉淀聚合物；第二步在200℃下退火1小時(shí)；第三步用絲絨滾筒刷涂(以誘導(dǎo)該聚合物方位角對(duì)齊)。
所述的兩個(gè)平板連接在一起形成由Nemoptic制造的BINEM單元。該單元用攙雜了5CB的液晶(手性度6.13微米)填充。該單元在18伏的脈沖電壓下操作，對(duì)比度為20°～22°。
b)根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)例子，所使用的液晶是一個(gè)適用于BINEM技術(shù)的混合物，操作范圍在18伏的脈沖電壓下從18°拓展到超過(guò)60°。
根據(jù)本發(fā)明，弱平面取向的固定有以下特征—當(dāng)與所用的液晶混合物接觸時(shí)，排列層在化學(xué)上和機(jī)械上穩(wěn)定很長(zhǎng)時(shí)間；—固定是平面取向的，因此在所用的測(cè)量精度范圍內(nèi)，不超過(guò)0.2°。
—通過(guò)高場(chǎng)技術(shù)測(cè)量的天頂角固定力在22℃的5CB是大約為L(zhǎng)z＝35nm，根據(jù)本發(fā)明它隨所用的聚合物的變化很小。
測(cè)量了幾個(gè)商業(yè)化的向列式混合物，根據(jù)向列相和溫度外推得到的長(zhǎng)度為30nm～60nm。與顯示器中用的傳統(tǒng)聚合物獲得的值相比，這些值對(duì)應(yīng)于較低的天頂角固定能。
獲得的方位角的固定力依賴于對(duì)固定層所做的處理，比如，經(jīng)過(guò)擦涂之后獲得的方位角外推長(zhǎng)度為50nm～200nm。擦涂后化合物2hd的方位角固定力La＝120nm。這些值和BINEM單元操作相兼容。
特別地，本發(fā)明有以下優(yōu)點(diǎn)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，通過(guò)真空方法獲得低能固定，也就是說(shuō)，具有氧化硅SiO層。真空淀積方法費(fèi)時(shí)，昂貴且難于控制。
與已知獲得低能固定的方法相比，使用根據(jù)本發(fā)明的聚合物層具有簡(jiǎn)單和低制造成本的明顯優(yōu)勢(shì)。
當(dāng)然，本發(fā)明不局限于以上所述的具體實(shí)施方案，根據(jù)其精神可以延伸至其所有可選擇形式。
權(quán)利要求
1.以下類(lèi)型的、在向列式液晶晶胞中產(chǎn)生低能固定層的聚酰亞胺·衍生自2，2’-雙(3，4-二羧基苯)六氟丙烷二酐(6FDA)和具有分子式I的3，3’-二羥基-4，4’二氨基二苯的聚酰亞胺 其中基團(tuán)R1和R2以相同或不同，代表烷基、芳香烷基、雜芳香烷基、(環(huán)烷基)烷基、氟代烷基或硅氧烷基，n在1～20之間；·衍生自苯均四酸酐(PMDA)和具有分子式II的2，2’-雙(3-氨基-4-羥基苯)六氟丙烷(Bis-AP-AF)的聚酰亞胺。 其中基團(tuán)R3和R4可以相同或不同，與R1和R2有相同的定義，n在1～20之間；以及·聚酰亞胺(I)和聚酰亞胺(II)的共聚物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺，其中所述的基團(tuán)R1和R2是相同的，基團(tuán)R3和R4是相同的，它們獨(dú)立相互代表-C8～C18烷基，特別是正辛基，正十二烷基，正十八烷基，2-(乙基)己烷基；或-2-(1-金剛基)乙基或2-(環(huán)己烷基)乙基；或-苯烷基，特別是8-苯辛烷基或2-苯乙基；或-2-(9-咔唑基)乙基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有分子式(II)的聚酰亞胺，其中所述的基團(tuán)R3和R4與基團(tuán)R1和R2是相同的，代表正十二烷基或2-(環(huán)己基)乙基。
4.具有限制平板的向列液晶晶胞的制備方法，該方法包含如下步驟·在基底上淀積權(quán)利要求1～3所述的聚酰亞胺；·在100℃～230℃之間某個(gè)溫度、一步或多步退火聚酰亞胺，退火時(shí)間為幾分鐘～2小時(shí)；以及·確定聚酰亞胺涂層的方位角取向，誘導(dǎo)控制液晶的方位角固定以在至少一個(gè)液晶限制平板上獲得液晶的低天頂角固定能。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中在限定液晶的控制的方位角固定步驟之前和之后的不同步驟中進(jìn)行一次或多次退火操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求4和5任意一項(xiàng)所述的方法，其中所述的退火是在大約200℃的溫度下進(jìn)行1小時(shí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6所述的方法，其中所述的步驟存在通過(guò)織物滾筒擦拭聚酰亞胺提供液晶的方位角取向的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求4，5，6或7所述的方法，其中所述的步驟存在在通過(guò)特殊處理已變得各向異性的基底上淀積聚酰亞胺限定液晶的控制方位角固定，特殊處理例如另一種拉伸的聚合物、SiO或其它蒸涂的氧化物，或是在基底上腐蝕、印刷或是光誘導(dǎo)的柵格。
9.根據(jù)權(quán)利要求4～8任意一項(xiàng)所述的方法，其中所述的聚酰亞胺是通過(guò)旋涂淀積到基底上。
10.根據(jù)權(quán)利要求4～9任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于聚酰亞胺是沉積在基于二噁烷、四氫呋喃、N-甲基吡咯酮烷、二甲基亞砜或二甲基甲酰胺的溶劑的溶液中的。
11.根據(jù)權(quán)利要求4～10所述的方法，其中所述的聚酰亞胺涂層的厚度在幾個(gè)納米～100納米之間。
12.一種使用至少一種根據(jù)權(quán)利要求4～11任意一項(xiàng)所述的方法制備的低能固定層的雙穩(wěn)向列液晶器件。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中所述的固定層是淀積在透明或發(fā)射電極上的。
14.包含至少一個(gè)限制平板的雙穩(wěn)向列液晶器件，由如權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的聚酰亞胺構(gòu)成的基底沉積在所述的平板上。
15.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的聚酰亞胺的方法，該方法利用Mitsunobu反應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及衍生自6FDA和3，3’－二羥基－4，4’－二氨基二苯合成的新型聚酰亞胺及衍生自PMDA和Bis－AP－AF的新型聚酰亞胺，這些聚酰亞胺有烷基、芳烷基、雜芳香烷基、(環(huán)烷基)烷基、氟代烷基或硅氧烷側(cè)基。本發(fā)明也涉及一個(gè)制造向列液晶顯示器件的方法，它包含以下步驟·在基底上淀積根據(jù)本發(fā)明的聚酰亞胺；·該聚酰亞胺經(jīng)過(guò)一步或多步退火；·限制聚酰亞胺涂層的方位角取向。
文檔編號(hào)C08G73/10GK1463379SQ0280191
公開(kāi)日2003年12月24日 申請(qǐng)日期2002年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月31日
發(fā)明者S·拉馬克, J-C·迪布瓦, D·加萊爾, J·勒穆瓦涅, I·N·多祖伏 申請(qǐng)人:內(nèi)莫普蒂公司