專利名稱：可b階段雙重固化的晶片級底層填料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及可B階段固化的(B-stageable)底層填料組合物，其適用于切割(singulation)前的硅晶片應用。該組合物含有兩種分別固化的化學成份。
背景技術：
微電子裝置中含有數(shù)以百萬計的電子電路元件，其相互之間保持電連接，元件機械地負載在一種載體或基體上并與之電連接。電子元件的電路終止端和相應的基體上的電路終止端之間保持連接。
一種實現(xiàn)這種互連的方法是將聚合的或金屬的材料以凸塊涂到電路元件或基體終端。調(diào)整終端使其相互接觸，加熱最終獲得的組件使金屬或聚合材料回流粘結，并加固這些連接。
在電子組件正常的使用壽命內(nèi)，其體系溫度經(jīng)歷了循環(huán)的升高和降低。由于電子元件、連接材料和基體材料熱擴散系數(shù)之間的差異，熱循環(huán)會施壓于組件的各個元件，并導致其失效。為了防止失效，在元件和基體之間的空隙之中填充聚合的膠囊密封材料(下文稱為底層填料或底層填充密封材料)，來強化連接材料，并吸收熱循環(huán)過程中的部分應力。
底層填料技術兩個顯著的用途為對于工業(yè)中的增強包裝來說公知的芯片刻度包裝(chip scale packages，CSP)，該方法中一種芯片包裝材料被粘附到基體上；和倒裝晶片包裝(flip-chip packages)，該方法中芯片通過互連陣列的方式粘附到基體上。
在傳統(tǒng)的底層填料應用領域中，底層填料的分散和固化發(fā)生在金屬或聚合連接材料的回流之后。如果連接材料為一種金屬焊接組合物，最初將一種焊藥涂到基體表面的金屬終端襯墊上，將半導體芯片放置到焊接點的熔焊區(qū)。然后加熱組件使焊接接頭材料回流、或聚合連接材料回流。其次，將計量化的底層填料分散到電子組件的一個或多個周邊，通過元件和基體之間空隙形成的毛細管作用，使底層填充材料向內(nèi)移動。在空隙填滿后，可以額外的分散一些底層填充密封材料在整個組件的周邊，以有利于降低應力密度，并延長組裝結構的疲勞壽命。隨后固化底層填充密封材料，達到其最優(yōu)的最終性能。
在另外一種傳統(tǒng)的方法中，底層填料分散到基體表面。將一塊凸起的芯片活性面朝下放置到底層填料上，加熱組件形成焊點或聚合的互連材料，并固化底層填料。
最近，采用各種嘗試來優(yōu)化整個加工過程，并通過將底層填充密封材料在半導體晶片被切割成單個芯片之前，直接放置到半導體晶片上來提高效率。這個過程可以通過各種方法來實現(xiàn)，包括絲網(wǎng)印刷術、模板印刷術和旋涂法。該過程允許將底層填料單獨涂布到半導體晶片上，半導體晶片隨后被切割成多個單一的芯片。
為了用作晶片級底層填充密封材料，底層填料必須具備一些性能。材料必須易于均一地涂到晶片上，使得整個晶片具有性能一致的涂層。在單個芯片最終粘結到基體上的過程中，底層填料必須能流動形成倒角，如果是使用焊料時必須能熔化焊料凸塊，并能提供良好的粘結。不管芯片和基體之間的互聯(lián)是采用焊料還是聚合材料實現(xiàn)的，在互連結構形成后，應該將底層填料固化，并且應該迅速固化。
底層填料另一個重要的性能是必須在涂到晶片后能被固化，以免干擾晶片到單個芯片的潔凈切割。底層填充密封材料的固化可以通過一個叫做B-階段固化的過程來實現(xiàn)，其所代表的含義是，底層填充材料在被放置到晶片上之后經(jīng)歷最初的加熱過程，形成一層不含殘余溶劑的光滑、干透涂層。
如果初始底層填充材料為一種固體材料，固體材料可以分散或溶解在一種溶劑中形成漿料，然后將漿料涂到晶片上。底層填料隨后被加熱以蒸發(fā)掉溶劑，在晶片上留下一層固體的、但非固化的底層填料。如果初始底層填充材料為一種液體或漿料，底層填料可被分散到晶片上，并加熱以部分固化形成一層固態(tài)涂層。
典型地B-階段加熱過程在低于150℃的溫度下進行，優(yōu)選在溫度為約100℃～約150℃的范圍進行。底層填充密封材料的最后固化必須推遲到焊料熔焊(當互連材料為焊料時)和互連形成之后進行，當使用錫-鉛低共熔焊料時，其在183℃溫度下進行。
發(fā)明概述本發(fā)明是一種底層填料組合物，包括兩種固化溫度或固化溫度范圍的間隔足夠大的化學組份，以使具有較低固化溫度的組份(下文稱為第一組份)固化，而不使具有較高固化溫度的組份(下文稱為第二組份)發(fā)生固化。在實際操作中，第一組份將在B-階段固化過程中被固化，第二組份直到需要最終的固化，如半導體芯片最終粘結到基體上之前都被保留而不固化。完全固化的材料是交聯(lián)或聚合到足夠高分子量的，以有效地賦予材料的結構完整性。
發(fā)明詳述第一和第二組份二者都是一種或多種單體、一種或多種低聚物、或一種或多種聚合物或樹脂、或這些化合物的組合，其可以相互反應以聚合或交聯(lián)。聚合和交聯(lián)都被稱為固化。通常在單體、低聚物或聚合物之外，組份還可以含有一種固化劑或固化引發(fā)劑；并且選擇性的可以含有一種溶劑。本申請說明書和權利要求書中，第一和第二組份的組合將被稱為整個可B階段固化底層填料。
第一組份包括一種分散或溶解在一種溶劑中的液體或固體。第二組份在室溫下是一種固體或半固體材料，可分散或溶解于液體第一組份、或和第一組份相同或相容的溶劑中。第一和第二組份的選擇部分地取決于半導體芯片和基體之間形成最終互連的溫度。
例如，在使用錫-鉛低共熔焊料時，焊料熔焊和互連的產(chǎn)生溫度為183℃。在焊料凸塊流動和互連形成之后，底層填料的最終固化應迅速地進行，并可以在焊料回流溫度或更高的溫度下進行。因此，在這種情況下，第二組份應選擇固化溫度接近、等于、或稍高于183℃的材料。如果使用聚合互連材料，第二組份應選擇固化溫度等于或接近聚合互連材料的固化溫度的材料。
選擇的第一組份應能在第二組份的固化溫度之前固化，并且在此溫度之前形成互連。雖然在B-階段固化過程中第二組份的不明顯固化是可以接受的，但是第一和第二組份的固化溫度應存在一定的間隔，以能有效地提供兩種截然不同的固化特性，以至于第二組份在第一組份固化溫度下或范圍內(nèi)不會固化。在優(yōu)選的實施方案中，第一和第二組份的固化溫度間隔至少30℃。
典型地，B-階段加熱過程，也就是第一組份固化過程，在溫度為約100℃～約150℃的范圍下進行。選擇使用的任何溶劑在第一組份固化的相同溫度范圍下應能被蒸發(fā)掉。在B-階段固化過程中，固化第一組份和蒸發(fā)溶劑會固化整個底層填料組合物，允許晶片的清潔切割，和阻止最終粘結過程中氣眼的形成。
當加熱到半導體模具適當?shù)恼辰Y溫度時，整個底層填料組合物應熔融，并充分地流動以完全潤濕基體表面。有效的潤濕可以獲得良好的粘結。
固化過程可以通過在進行B-階段的第一次固化時采用輻射(如紫外光)來引發(fā)和進行，隨后加熱進行最后的固化；或者B-階段和最后的固化都采用加熱來引發(fā)和進行。
第一和第二組份的摩爾比為5∶95～95∶5，摩爾比可以由實際操作者依據(jù)特定的最終用途而確定。完全的可B階段固化底層填料的第一組份和第二組份的組合包括第一熱固化的丙烯酸樹脂(如可以從Sartomer獲得)、馬來酰亞胺(如可以從Ciba Specialty Chemicals或National Starch and ChemicalCompany獲得)和乙烯基化合物(如乙烯基醚和乙烯基硅烷，可以從Aldrich獲得)和自由基固化劑。第二熱固化的環(huán)氧化合物或樹脂(如可以從National Starch，CIBA，Sumitomo或Dainippon獲得)和潛在的胺類或咪唑類固化劑。
第一熱固化丙烯酸類化合物(如可以從Sartomer獲得)和自由基固化劑。第二熱固化環(huán)氧化合物或樹脂(如可以從National Starch，CIBA，Sumitomo或Dainippon獲得)和潛在的胺類或咪唑類固化劑。
第一輻射固化環(huán)脂族環(huán)氧化合物(如CIBA CY179)和光引發(fā)劑。第二熱固化芳香族環(huán)氧化合物(如雙酚A雙環(huán)氧化物)和酚醛樹脂硬化劑和膦基固化劑。
第一輻射固化丙烯酸類化合物(如可以從Sartomer獲得)和光引發(fā)劑。第二熱固化環(huán)氧化合物(如可以從National Starch，CIBA，Sumitomo或Dainippon獲得)和潛在的胺類或咪唑類固化劑。
第一熱引發(fā)、自由基固化雙馬來酰亞胺化合物(電子受體)(如可以從Ciba Specialty Chemicals或National Starch and Chemical Company獲得)和(電子給體)乙烯基醚、乙烯基硅烷、苯乙烯基化合物、內(nèi)桂基化合物。第二熱固化環(huán)氧化合物(如可以從National Starch，CIBA，Sumitomo或Dainippon獲得)和潛在的胺類或咪唑類固化劑。
適合的環(huán)氧樹脂的例子包括單官能團和多官能團的雙酚A和雙酚F的縮水甘油醚、脂肪族和芳香族環(huán)氧樹脂、飽和和不飽和環(huán)氧樹脂、環(huán)脂族環(huán)氧樹脂和這些化合物的組合。
優(yōu)選的環(huán)氧樹脂為縮水甘油醚環(huán)氧樹脂，不論其單獨使用或與非縮水甘油醚環(huán)氧樹脂混合使用。優(yōu)選的這種類型的環(huán)氧樹脂是雙酚A環(huán)氧樹脂。雙酚A型樹脂可以購買Resolution Technology牌號為EPON 828的樹脂。另一種優(yōu)選的環(huán)氧樹脂是雙酚F環(huán)氧樹脂，其可以通過1摩爾雙酚F樹脂和2摩爾表氯醇反應制得。雙酚F型樹脂可以購買CVC SpecialtyChemicals，Maple Shade，New Jersey牌號為8230E的樹脂，和ResolutionPerformance Products LLC牌號為RSL1739的樹脂。雙酚A和雙酚F混合物可以購買Nippon Chemical Company牌號為ZX-1059的樹脂。
另一種適合的環(huán)氧樹脂是環(huán)氧酚醛清漆樹脂，其可以通過酚醛樹脂和表氯醇的反應制得。一種優(yōu)選的環(huán)氧酚醛清漆樹脂是苯基縮水甘油醚-甲醛共聚物。
其他適合的環(huán)氧樹脂是聯(lián)苯基環(huán)氧樹脂，其通常通過聯(lián)苯基樹脂和表氯醇的反應制得；二環(huán)戊二烯-苯酚環(huán)氧樹脂；萘樹脂；環(huán)氧官能丁二烯丙烯腈共聚物；環(huán)氧官能聚二甲基硅氧烷和上述化合物的混合物。
非縮水甘油醚環(huán)氧化合物也可以使用。合適的例子包括3，4-環(huán)氧環(huán)己基甲基-3，4-環(huán)氧環(huán)己烷羧酸酯，其含有兩個環(huán)氧基團，分別為環(huán)結構和酯鍵的一部分；乙烯基環(huán)己烯雙氧化物，其含有兩個環(huán)氧基團，其中一個是環(huán)結構的一部分；3，4-環(huán)氧-6-甲基環(huán)己基甲基-3，4-環(huán)氧環(huán)己烷羧酸酯和二環(huán)戊二烯雙氧化物。
合適的環(huán)氧化合物的進一步例子包括 在整個可B階段固化底層填料的過程中，使用的對于環(huán)氧組份優(yōu)選的催化劑為一種咪唑/酸酐加合物。如果固化劑反應的較快，其可以使各組份凝膠化，并阻止焊料的熔焊。咪唑/酸酐加合物的使用，可以保持組份體系足夠低水平的粘度，在190℃通常為5,000mPa.s以下，以確保可以進行熔焊。
優(yōu)選的用于制備該加合物的咪唑類包括非氮取代的咪唑類，如2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-咪唑和咪唑。其他可用于該加合物的咪唑類組份包括烷基取代的咪唑類、氮取代的咪唑類和它們的混合物。
優(yōu)選的用于制備該加合物的酸酐為環(huán)脂族酸酐，如苯均四酸酐，可以從Aldrich購買其PMDA。其他合適的酸酐包括甲基六氫化鄰苯二甲酸酐(可以從Lonza Inc.Intermediates and Actives購買其MHHPA)、甲基四氫化鄰苯二甲酸酐、橋亞甲基四氫化鄰苯二甲酸酐、六氫化鄰苯二甲酸酐、四氫化鄰苯二甲酸酐、鄰苯二甲酸酐、十二烷基琥珀酸酐、二苯基二酸酐、二苯甲酮四甲酸二酐、和它們的混合物。
兩種優(yōu)選的加合物為一份1，2，4，5-苯四羧酸酐和四份2-苯基-4-甲基咪唑的復合物，和一份1，2，4，5-苯四羧酸二酐和兩份2-苯基-4-甲基咪唑的復合物。該加合物通過將各組份加熱溶解在合適的溶劑如丙酮中，然后冷卻沉淀出該加合物來制備。
除了第一和第二組份和固化劑之外，整個可B階段固化底層填料選擇性地進一步可以含有一種溶劑、一種無機填料和助熔劑。其他可選的組份可以由配方者自由選擇使用，可以包括一種或多種空氣釋放劑、流動添加劑、粘結促進劑、流變改性劑和表面活性劑。選擇特定的組份以獲得期望的所選系列化合物性能的相互平衡。
和馬來酰亞胺一起使用的合適的肉桂基電子給體包括
此處C36代表由亞油酸和油酸衍生的36個碳的直鏈或支鏈烷基。和馬來酰亞胺一起使用的合適的苯乙烯基電子給體包括 此處C36代表由亞油酸和油酸衍生的36個碳的直鏈或支鏈烷基。
底層填料組合物也可以含有一種助熔劑，以去除電路終端襯墊的金屬氧化物，并防止其再次被氧化。雖然優(yōu)選的助熔劑為羧酸或酸酐，但是一系列的不同助熔劑都可以使用。優(yōu)選的助熔劑包括聚癸二酸酐、松香膠、十二雙酸(可以從Aldrich購買其Corfree M2)、己二酸、酒石酸和檸檬酸。其他適合的助熔劑包括乙醇、羥基酸和羥基堿。優(yōu)選的助熔材料包括多元醇如乙二醇、甘油、3-[二(縮水甘油基氧甲基)甲氧基]-1，2-丙二醇、右旋糖、右旋纖維素二糖、纖維素和3-環(huán)己烯-1，1-二甲醇。
選擇性地，可以使用溶劑來改性組合物的粘度，并且如果使用，應選擇可以在B-階段加熱過程中蒸發(fā)掉的溶劑。典型地，B-階段加熱過程在溫度為約100℃～約150℃的范圍下進行。可以使用的溶劑例子包括酮、酯、醇、醚和其他穩(wěn)定的并可以溶解組合物各組份的溶劑。優(yōu)選溶劑包括γ-丁內(nèi)酯和丙二醇甲基乙酸乙酯。
對于底層填料合適的填料為不導電材料，包括蛭石、云母、矽礦石、碳酸鈣、二氧化鈦、砂石、玻璃、熔凝硅石、煅制二氧化硅、硫酸鋇和鹵化乙烯聚合物如四氟乙烯、三氟乙烯、偏二氟乙烯、氟乙烯、偏二氯乙烯和氯乙烯聚合物的微粒。如果使用填料時，填料通常最高占配方總重量的98％。
固化劑如自由基引發(fā)劑、熱引發(fā)劑和光引發(fā)劑應具有足夠量以能固化組合物。通常，其含量范圍為組合物中總的有機材料(也就是不包括任何無機填料)重量的0.1～30％，優(yōu)選為1～20％。優(yōu)選的自由基引發(fā)劑為過氧化物，如過氧化辛酸丁酯和過氧化枯基，相應的商業(yè)化產(chǎn)品如USP90MD(Witco公司產(chǎn)品)和偶氮化合物，如VAZO52和VAZO64(Dupont公司產(chǎn)品)、2，2’-偶氮二(2-甲基-丙腈)和2，2’-偶氮二(2-甲基-丁腈)。優(yōu)選的光引發(fā)劑為Ciba Specialty Chemicals公司出售的注冊商標為Irgacure的產(chǎn)品。
對于一些第一組份來說，可以更有益的含有一種固化加速劑，如新癸酸鈷，以降低固化溫度。如果添加，固化加速劑占第一組份有機組份總重量，即排除第二組份的有機組份和任何填料后的約0.05～約1.0％。在一些情形下，也可以有益地添加陽離子固化劑，如Rhodorsil 2074。
依據(jù)配方者的處理方式，其他可選的成分是消泡劑、粘結促進劑、潤濕劑、流動添加劑和流變改性劑，其如果添加，典型地占總重量的0.01～5％。
硅晶片具有一個微電路嵌入其中的活性面和一個中性面。本發(fā)明的雙固化底層填料組合物用模板印刷術附著到硅晶片的活性面上。在進一步的實施方案中，本發(fā)明為一種具有含電路的活性面的硅晶片，活性面上已經(jīng)沉積了一種可B階段固化的底層填料，該可B階段固化底層填料包括如前所述的具有較低固化溫度的第一組份和如前所述的具有較高固化溫度的第二組份，其特征在于第一組份已經(jīng)被完全固化。
實施例實施例1制備兩種可雙固化的組合物，并測試其性能，以確定B-階段固化的合適參數(shù)以及證實形成了適當?shù)幕ミB。各組份的重量份數(shù)記錄在表1。


獲得合適的B-階段固化參數(shù)對于晶片的切割和半導體芯片最后粘結到基體中都是很重要的。如果配方組合物被加熱(B-階段固化)小于最佳時間，底層填料就不能干透并將影響晶片的切割過程。如果材料在較高溫下加熱(B-階段固化)或加熱較長時間，第二組份就會開始固化。如果第二組份開始固化，在芯片上的過B-階段涂層在芯片粘結到基體上時將不再流動，其將影響底層填充密封材料的粘結效果和最終半導體包裝的性能。
用來確定用作B-階段固化組份和適當?shù)腂-階段固化參數(shù)的測試載體是一塊有直徑為20密耳低共熔焊料球凸塊的載玻片。配方A和B的組合物分別用模板印刷術涂在測試載體上，高度達到20密耳。測試載體在型號為5831的NAPCO真空釜內(nèi)真空下加熱到130℃，30分鐘時讀取的真空度為73.66cm(29英寸)汞柱，并每間隔10分鐘讀取一次，直到100分鐘。
在每個加熱時間段后，通過肉眼觀察和手動觸摸來檢測該測試載體上是否為干透的、均一的、光滑涂層。
該測試載體也可以用來研究第二組份的固化性能。如上所述的每次加熱時間段后，將測試載體的底層填料邊向下放置在一塊具有銅表面的FR-4板上。隨后將整個組件通過一個具有最高溫度為240℃的典型回流溫度曲線的回流釜。肉眼檢查整個組件中載玻片上焊料球的熔焊狀況和載玻片測試載體與FR-4板之間的粘結狀況。擴大的焊料球是熔焊的標志。熔焊不發(fā)生是第二組份固化的標志，其將抑制焊料和阻止其流動。熔焊不發(fā)生也阻礙了測試載體和FR-4板之間的粘結。
測試結果記錄于表2，表明對于這些配方來說，B-階段固化可以獲得一層干透涂層并且第二組份不固化。

肉眼觀察和數(shù)據(jù)表明對于在真空釜中，130℃下20密耳厚的組合物最佳的B-階段固化時間段為50-60分鐘。在這樣的B-階段固化條件下，載玻片表面形成一層光滑的、干透的和不含氣眼的涂層。如果材料在低于該時間段下固化，底層填料將還是粘性的。如果B-階段固化時間超過60分鐘，在載玻片粘結到FR-4板上后，整個組件表現(xiàn)出焊料球的不熔焊或部件之間的較差粘結、或兩種情況都有。
應當指出的是最佳的B-階段固化時間段取決于底層填料密封材料的厚度和配方化學組份?？偟膩碚f，底層填料密封材料越厚，所需的B-階段固化時間段越長。最佳B-階段固化時間段的測定是在本領域技術人員的技能以及本發(fā)明說明書公開內(nèi)容之內(nèi)的。
實施例2本實施例證實雙固化底層填料組合物熔焊低共熔Pb/Sn焊料并與基體形成互連的能力。采用和實施例1相同的配方A和B。在載玻片上放置直徑為20密耳的低共熔焊料球。通過模板印刷術在載玻片上涂敷一層厚度約為20密耳的底層填充材料。載玻片然后放置到在135℃下預加熱的熱盤上，在相同溫度下加熱50分鐘。一層光滑的、無氣眼的、干透的涂層就形成了。
隨后將涂布后的載玻片放置(涂層面向下)在一塊有銅面的FR-4基體上。該FR-4基體(涂層載玻片在其上端)放置到預加熱到240℃的熱盤上。觀察發(fā)現(xiàn)焊料球直徑增加，并且載玻片跌落到基體表面上，表明焊料熔焊以及芯片和基體之間互連的形成。底層填料也潤濕了基體，并在載玻片周圍流動形成一個完整的倒角。
使用完全相同的底層填料組合物和方法，在OSP(有機軟焊鈍化層)涂布的銅基體上也獲得相似的結果。
權利要求
1.一種可B階段固化的底層填料沉積在一個表面上的硅晶片，所述可B階段固化的底層填料包括兩種化學組份，第一組份和第二組份，所述化學組份具有間隔足夠大的固化溫度或固化溫度范圍，以使具有較低固化溫度的組份，即第一組份固化，而不使具有較高固化溫度的組份，即第二組份發(fā)生固化，其特征在于，第一組份已經(jīng)固化，而第二組份未固化。
2.如權利要求1所述的硅晶片，其中第一組份和第二組份的固化溫度間隔是至少30℃。
3.如權利要求1所述的硅晶片，其中第一組份選自丙烯酸化合物、環(huán)脂族環(huán)氧化合物、雙馬來酰亞胺化合物和雙馬來酰亞胺化合物與乙烯基醚、乙烯基硅烷、苯乙烯基或肉桂基化合物的組合。
4.如權利要求1所述的硅晶片，其中第二組份為一種環(huán)氧化合物。
5.如權利要求4所述的硅晶片，其中第二組份為一種環(huán)氧化合物和一種咪唑/酸酐加合物。
6.如權利要求5所述的硅晶片，其中咪唑/酸酐加合物為一份1，2，4，5-苯四羧酸酐和四份2-苯基-4-甲基咪唑的復合物，或一份1，2，4，5-苯四羧酸二酐和兩份2-苯基-4-甲基咪唑的復合物。
7.一種可B階段固化的底層填料組合物，包括兩種化學組份，第一組份和第二組份，所述化學組份具有間隔足夠大的固化溫度或固化溫度范圍，以使具有較低固化溫度的組份，即第一組份固化，而不使具有較高固化溫度的組份，即第二組份發(fā)生固化。
8.如權利要求7所述的組合物，其中第一組份和第二組份的固化溫度間隔是至少30℃。
9.如權利要求7所述的組合物，其中第一組份選自丙烯酸化合物、環(huán)脂族環(huán)氧化合物、雙馬來酰亞胺化合物和雙馬來酰亞胺化合物與乙烯基醚、乙烯基硅烷、苯乙烯基或肉桂基化合物的組合。
10.如權利要求7所述的組合物，其中第二組份為一種環(huán)氧化合物。
11.如權利要求10所述的組合物，其中第二組份為一種環(huán)氧化合物和一種咪唑/酸酐加合物。
12.如權利要求9所述的組合物，其中咪唑/酸酐加合物為一份1，2，4，5-苯四羧酸酐和四份2-苯基-4-甲基咪唑的復合物，或一份1，2，4，5-苯四羧酸二酐和兩份2-苯基-4-甲基咪唑的復合物。
全文摘要
一種可B階段固化的底層填料沉積在活性表面上的硅晶片，一種可B階段固化的底層填料，包括具有較低固化溫度的第一組份和具有較高固化溫度的第二組份，其特征在于第一組份已經(jīng)被完全固化。
文檔編號C08G59/18GK1605122SQ02824937
公開日2005年4月6日 申請日期2002年11月19日 優(yōu)先權日2001年12月14日
發(fā)明者B·馬, S·H·萊曼, Q·K·童 申請人:國家淀粉及化學投資控股公司