專利名稱：：二咔唑芳族胺聚合物和電子器件的制作方法二咔唑芳族胺聚合物和電子器件本申請要求2005年3月4日提交的臨時申請，即美國申請60/661，419的優(yōu)先權(quán)，該臨時申請通過引用結(jié)合在此。本發(fā)明涉及包含N,N'-二咔唑-基芳族胺部分的聚合物組合物和包含這些組合物的電子器件。
背景技術(shù)：
：已知芴基共軛聚合物具有光電性質(zhì)。有幾份報導(dǎo)證實了來自芴均聚物的藍(lán)光發(fā)射，例如，A.W.Grice;D.D.C.Bradley,M.T.Bemius;M.Inbasekaran,W.Wu,E.P.Woo;Appl.Phys.Lett.1998,73以及Y.Young和Q.Pei;J.Appl.Phys.81，3294(1997)。通過將不同的芳族官能團結(jié)合到聚合物鏈中，芴-基共軛聚合物顯示出發(fā)射光譜跨越整個可見光范圍(400-700nm)的不同的發(fā)光顏色(M.T.Bemius，M.Inbasekaran，J.O'Brien,W.Wu:Adv.Mater.2000,12,1737)。高效和穩(wěn)定的電致發(fā)光要求將空穴和電子分別從陽極和陰極有效率地注入到發(fā)光聚合物層中。由于在芴均聚物的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)和陽極的功函之間的能量失配，芴均聚物的空穴注入趨向于效率差。USP6，309,763、USP6，353，083和USP5,879,821教導(dǎo)將三芳基胺作為空穴傳輸部分結(jié)合到芴-基聚合物中以提高芴-基聚合物的電致發(fā)光性能。USPAP2004127666進一步發(fā)現(xiàn)與含有其它的電荷傳輸基團如無環(huán)三芳基胺的聚芴(參見USP6,353,083)相比，在芴-基光電聚合物的主鏈中包含三環(huán)芳基胺提供在低電壓下提高的電導(dǎo)率以及優(yōu)異的器件效率。開發(fā)具有提高的效率和壽命并且發(fā)射各種顏色的光的光電材料和器件的需要仍然存在。其中特別令人感興趣的是發(fā)現(xiàn)了新的芳族胺部分，所述芳族胺部分適于結(jié)合到芴-基聚合物中以提供例如更深的藍(lán)光發(fā)射以及良好的空穴注入和空穴傳輸性能。N,N'-二咔唑-基芳族胺是在小分子光電器件中用作空穴注入、空穴傳輸和主體材料的熟知的一類電子材料。然而，還沒有將N,N'-二咔唑-基芳族胺結(jié)合到共軛聚合物的骨架中。發(fā)明概述本發(fā)明涉及在聚合物主鏈中包含N,N'-二咔唑-基芳族胺部分的共軛聚合物，所述共軛聚合物具有高的空穴傳導(dǎo)率和深藍(lán)光發(fā)射。更具體而言，本發(fā)明是在骨架中包含式I的結(jié)構(gòu)單元的共軛或部分共軛的聚合物其中Ar,是含有一個或多個雜原子的芳族基團或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的芳族基團，所述芳族基團可以是取代或未取代的；并且R,是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F。在另一個實施方案中，本發(fā)明是含式I的聚合物的膜。在另一個方面中，本發(fā)明是含式I的聚合物與至少一種另外的共軛聚合物的共混物。在另一個實施方案中，本發(fā)明是包含膜的電致發(fā)光器件，所述膜包含含式I的聚合物。在另一個實施方案中，本發(fā)明是一種光電池，所述光電池包含第一電極、包含含式I的聚合物的膜和第二電極。在另一個實施方案中，本發(fā)明是一種場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管包含(a)絕緣體層，所述絕緣體層是電絕緣體，所述絕緣體層具有第一側(cè)面和第二側(cè)面；(b)柵極，所述柵極是電導(dǎo)體，所述柵極與所述絕緣體層的第一側(cè)面相鄰安置；(c)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包含含式I的聚合物和第二電極；(d)源極，所述源極是電導(dǎo)體，所述源極與所述半導(dǎo)體層的第一端電接觸；和(e)漏極，所述漏極是電導(dǎo)體，所述漏極與所述半導(dǎo)體層的第二端電接觸。在另一個方面中，本發(fā)明是式IV的化合物工V其中Ar,是含有一個或多個雜原子或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的取代或未取代的芳族基團，所述環(huán)可以是取代或未取代的，R,是烷基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F，并且X是鹵素或硼酸酯基團。發(fā)明詳述本發(fā)明是包含式I的結(jié)構(gòu)單元的共軛或部分共軛聚合物其中An是含有一個或多個雜原子的芳族基團或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的芳族基團，所述芳基可以是取代或未取代的；并且R,是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F。優(yōu)選地，Ar,選自芴基、噻吩基(thiophenyl)、呋喃基、吡咯基、吡啶基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、芘基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、菲啶基(Phenanthridenyl)、菲咯啉基、吩嗪基、吖啶基、二苯并矽咯基(dibenzosilolyl)、酞嗪基、噌啉基、喹喔啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、咔唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、噻吩并[3,4-b]吡嗪基、[1,2,5]噻二唑并[3,4-§]-喹喔啉基、苯并[l,2-c;3-4-c']雙[1，2,5]-噻二唑基、吡嗪并[2,3-g]喹喔啉基、苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、噻蒽基、苯并二噁英基、苯并二噁烷基、二苯并二噁英基、吩嗪基、吩噁硫雜環(huán)己二烯基(Phenoxathiinyl)、苯并二硫雜環(huán)己二烯基(benzodithiinyl)、苯并間二氧雜環(huán)戊烯基、苯并環(huán)丁烯基、二氫苯并二硫雜環(huán)己二烯基(dihydrobenzodithiinyl)、二氫噻吩并二噁英基、苯并二氫吡喃基、異苯并二氫吡喃基、9,10-二氫菲基、噻嗪基、吩噁嗪基、異B引哚基、二苯并噻吩磺酰基和吩噻嗪基，或者Ar,選自苯基、聯(lián)苯基、9,9-雙取代的-2,7-芴基、N-取代的-3,6-咔唑基、N-取代的-3，7-吩噁嗪基、N-取代的-3，7-吩噻嗪基。在另一個實施方案中，本發(fā)明是包含式I的結(jié)構(gòu)單元的共軛或部分共軛聚合物其中Ar,是可以取代或未取代的聯(lián)苯基，并且R,是垸基、垸氧基、芳基、氰基或F。在兩個實施方案中，R,可以獨立地為烷基、垸氧基、芳基、氰基或F。優(yōu)選地，R、是CrC2o垸基、羰-d-C2o烷氧基、C廣C2o垸氧基，它們可以含有一個或多個雜原子，如0、S、N或Si，并且其中一個或多個氫原子可以被F取代；或芳族基團；或可以進一歩被取代并且可以含有一個或多個雜原子的C6-C化芳基。更優(yōu)選地，R,是甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基或甲苯基。在另一個實施方案中，本發(fā)明是包含式n的結(jié)構(gòu)單元的共軛或部分共軛聚合物工工其中An是芳族基團，并且Ar2是可以與Ai",相同或不同的另一個芳族基團，An和Ar2都可以是取代或未取代的；Ar,含有一個或多個雜原子或者包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)，所述環(huán)可以是取代或未取代的，并且R,是垸基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F。在另一個實施方案中，本發(fā)明是包含式II的結(jié)構(gòu)單元的共軛或部分共軛聚合物其中Ar,是聯(lián)苯基，并且Ar2是可以與Ar,相同或不同的另一個芳族基團，Ar,和Ar2都可以是取代或未取代的，并且R,是烷基、垸氧基、芳基、氰基或F。在兩個實施方案中，優(yōu)選地，A&是1，4-亞苯基、1，3-亞苯基、1,2-亞苯基、4,4'-亞聯(lián)苯基、萘-l,4-二基、萘-2，6-二基、呋喃-2，5-二基、噻吩-2，5-二基、2,2'-聯(lián)噻吩-5,5-二基、蒽-9,10-二基、2,1,3-苯并噻二唑-4,7-二基、N-取代的咔唑-3,6-二基、N-取代的咔唑-2,7-二基、二苯并矽咯(dibenzosilole)-3，8-二基、二苯并矽咯-4,7-二基、N-取代的-吩噻嗪-3,7-二基、N-取代的-吩噁嗪基-3，7-二基、包括三苯胺-4,4'-二基、二苯基-對甲苯基胺一4，4'-二基和N,N-二苯基苯胺-3,5-二基的三芳基胺-二基、N,N,N',N'-四芳基-1,4-二氨基苯-二基、N，N,N',N'-四芳基聯(lián)苯胺-二基、芳基硅烷-二基和9,9-雙取代的笏-2,7-二基。更優(yōu)選地，Ar2包括具有式III的芴其中Q是R'或Ar，其中Ar是C4至Cu)的芳基或雜芳基或取代的C4至C4()的芳基或雜芳基；R'在每次出現(xiàn)時獨立地為H、Cm。徑基或含有一個或多個S、N、O、P或Si原子的C34o烴基，或者兩個R'和芴上的9位碳可以一起形成可含有一個或多個S、N、Si、P或0原子的Cs.2。環(huán)結(jié)構(gòu)；W在每次出現(xiàn)時獨立地為CM。烴、含有S、N、O、P或Si中的一個或多個雜原子的C3,烴基或取代或未取代的芳基或雜芳基；n在每次出現(xiàn)時獨立地為0-3。本發(fā)明的由式(I)表示的聚合物優(yōu)選在每次出現(xiàn)時獨立地包含選自下式或下式的組合的共軛單元中的聚合物鏈中的部分<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>其中共軛單元可以含有一個或多個取代基，這些取代基在每次出現(xiàn)時獨立地為C,.2o烴基、d.2q氫羧基氧基(hydrocarboxyloxy)、Cwo硫醚、Cwo烴氧基羰基、C,—2o氫羧基羰氧基(hydrocarboxycarbonyoxy)、氰基或氟代基團；X,是O或S;Q是R'或Ar;.W在每次出現(xiàn)時獨立地為C,-2()烴基、C,-20烴氧基、d.20硫醚、C,.20烴氧基羰基、d.2。烴基羰氧基、氰基或氟代基團；W在每次出現(xiàn)時獨立地為h、Cm。徑基或含有一個或多個S、N、O、P或Si原子的c3—4。烴基，或者兩個R4和芴上的9位碳可以一起形成可含有一個或多個S、N、Si、P或0原子的C5.20環(huán)結(jié)構(gòu)；并且rs在每次出現(xiàn)時獨立地為h、C烴基或含有一個或多個S、N、O、？或^原子的<:3.4()烴基；n在每次出現(xiàn)時獨立地為0-3;Ar是C4至Cu)的芳基或雜芳基或取代的C4至C4C)的芳基或雜芳基；R'在每次出現(xiàn)時獨立地為H、C^o烴基或含有一個或多個S、N、O、P或Si原子的C3—4()烴基，或者兩個R'和芴上的9位碳可以一起形成可含有一個或多個S、N、Si、？或0原子的05.2。環(huán)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明包括包含至少一個有機膜的電致發(fā)光器件，所述至少一個有機膜包含含式I的聚合物，被安置在陽極材料和陰極材料之間，使得在施加的電壓下，該有機膜發(fā)射透過器件的透明外部的光。本發(fā)明還是一種場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管包含(a)絕緣體層，所述絕緣體層是電絕緣體，所述絕緣體層具有第一側(cè)面和第二側(cè)面；(b)柵極，所述柵極是電導(dǎo)體，所述柵極與所述絕緣體層的第一側(cè)面相鄰安置；(c)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包含含式I的聚合物和第二電極；(d)源極，所述源極是電導(dǎo)體，所述源極與所述半導(dǎo)體層的第一端電接觸；和(e)漏極，所述漏極是電導(dǎo)體，所述漏極與所述半導(dǎo)體層的第二端電接觸。本發(fā)明還包括一種光電池，所述光電池包含第一電極、包含含式I的聚合物的膜和第二電極。在另一個實施方案中，本發(fā)明是式IV的化合物其中Ar,是含有一個或多個雜原子或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的取代或未取代的芳族基團，所述環(huán)可以是取代或未取代的；R,是烷基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F，并且X是鹵素或硼酸酯基團。優(yōu)選地，Ar,選自荷基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、茈基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吖啶基、二苯并矽咯基、酞嗪基、噌啉基、喹喔啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、咔唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、噻吩并[3,4-b]吡嗪基、[1，2，5]噻二唑并[3，4-g]-喹喔啉基、苯并[l,2-c;3-4<，]雙[1,2,5]-噻二唑基、吡嗪并[2，3-g]喹喔啉基、苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、噻蒽基、苯并二噁英基、苯并二噁烷基、二苯并二噁英基、吩嗪基、吩噁硫雜環(huán)己二烯基、苯并二硫雜環(huán)己二烯基、苯并間二氧雜環(huán)戊烯基、苯并環(huán)丁烯基、二氫苯并二硫雜環(huán)己二烯基、二氫噻吩并二噁英基、苯并二氫吡喃基、異苯并二氫吡喃基、9,10-二氫菲基、噻嗪基、吩噁嗪基、異吲哚基、二苯并噻吩磺?；头脏玎夯?，或者Ar,選自苯基、聯(lián)苯基、9,9-雙取代的-2,7-芴基、N-取代的-3,6-咔唑基、N-取代的-3，7-吩噁嗪基、N-取代的-3，7-吩噻嗪基。在另一個實施方案中，本發(fā)明是式IV的化合物其中Ar,是取代或未取代的聯(lián)苯基，Ri是烷基、垸氧基、芳基、氰基或F，并且X是鹵素或硼酸酯基團。在兩個實施方案中，優(yōu)選X為溴。R,獨立地為烷基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F。優(yōu)選的R,是C-C2Q烷基、羰-C,-C2o烷氧基、C,-C2o烷氧基，它們可以含有一個或多個雜原子，如0、S、N、P或Si，并且其中一個或多個氫原子可以被F取代；或芳族基團；或可以進一步被取代并且可以含有一個或多個雜原子的C6-Ck)芳基。更優(yōu)選地，R,是甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基或甲苯基。本發(fā)明的聚合物的重均分子量等于或大于約IO，OOO道爾頓、等于或大于20,000道爾頓、或優(yōu)選等于或大于50,000道爾頓；等于或小于l，OOO,OOO道爾頓、等于或小于500,000道爾頓并且優(yōu)選等于或小于400,000道爾頓。使用采用聚苯乙烯作為內(nèi)標(biāo)的凝膠滲透色譜法測定分子量。所述聚合物具有等于或小于10、等于或小于5、等于或小于4并且優(yōu)選等于或小于3的多分散性(Mw/Mn)?？梢酝ㄟ^用于制備芳族化合物的任何已知的偶聯(lián)反應(yīng)組裝本發(fā)明的聚合物。優(yōu)選地，使用Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)。Suzuki反應(yīng)使用二硼酸酯化的芳族部分和二鹵化的芳族部分偶聯(lián)芳族化合物。該反應(yīng)允許形成長鏈、高分子量的聚合物。另外，通過控制添加的順序，可以制備無規(guī)或嵌段共聚物。優(yōu)選地，Suzuki反應(yīng)從二硼酸酯化單體開始。在美國專利5,777,070中教導(dǎo)了Suzuki法，該專利通過引用清楚地結(jié)合在此。甲苯或二甲苯是用于制備本發(fā)明的聚合物的Suzuki反應(yīng)的優(yōu)選溶劑。碳酸鈉水溶液是優(yōu)選的堿，鈀配合物催化劑，如四(三苯膦)鈀或二氯雙(三苯膦)鈀(II)是優(yōu)選的催化劑，并且使用優(yōu)選為季銨鹽的相轉(zhuǎn)移催化劑加速反應(yīng)以在短時間內(nèi)獲得高分子量。在下列方案中概述了通常的合成路線以說明本發(fā)明的式II的單體的合成技術(shù)。用于合成本發(fā)明式II的單體(其中Y是鹵原子，Ar,、R,和X如上限定)的原料可從許多供應(yīng)商如AldrichChemicalCompany商購。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>可以遵照文獻的方、去(A.R.Katritzky和Z.Wang，JournalofHeterocyclicChemistry,25，671,(1988);J.-KLuo,R.N.Castle,M.L.Lee,JournalofHeterocyclicChemistry,26，1213,(1989);CrosbyU.Rogers和B.B.Corson,JournaloftheAmericanChemicalSociety,69,2910)，從對位取代或未取代的苯肼鹽酸鹽和環(huán)己酮或取代的環(huán)己酮開始，制備3-取代的-9-H-咔唑(3)。例如，對甲苯肼鹽酸鹽與環(huán)己酮在沸騰的冰醋酸中反應(yīng)以制備l,2,3，4-四氫-6-甲基咔唑。通過在活性炭上的鈀在高溫下催化使l,2,3,4-四氫-6-甲基咔唑脫氫，生成作為化合物(3)的一個實例的3-甲基-9-H-咔唑。還可以使用類似的反應(yīng)，從苯肼鹽酸鹽和4-甲基-環(huán)己酮開始制備3-甲基-9-H-咔唑，其中中間體化合物(2)是l,2,3，4-四氫-3-甲基咔唑。可以使化合物(3)與二鹵代芳族化合物通過C-N偶聯(lián)反應(yīng)制備雙(3-取代基-咔唑基)芳族化合物(4)，所述二鹵代芳族化合物如l,4-二碘代苯、4,4'-二碘聯(lián)苯基、3，6-二溴-9-對甲苯基咔唑?？墒褂玫腃-N偶聯(lián)反應(yīng)包括并且不限于Ullmann反應(yīng)(US4,588,666)和鈀催化的交叉偶聯(lián)反應(yīng)(M.S.Driver,J.F.Hartwig，JournaloftheAmericanChemicalSociety,118,7217(1996);J.P.Wolfe,S.Wagaw，S.L.Buchwald,JournaloftheAmericanChemicalSociety,118,7215(1996);J.P.Wolfe和S.L.Buchwald,JournalofOrganicChemistry,61，1133(1996);A.S.Guran,R.A.Rennels,S.L.Buchwald,Angew.Chem.Int.Ed.Engl"34，r348(1995);J.Louie,J.F.Hartwig,TetrahedronLett"36，3609(1995))?？梢酝ㄟ^使用鹵化劑如N-溴代琥珀酰亞胺(NBS)、N-碘代琥珀酰亞胺(NIS)、溴處理化合物(4)，制備化合物(5)的二鹵代單體。可以使用已知的技術(shù)(US6,169,163;W.-L.Yu，J.Pei,Y.Cao,A.J.Heeger,ChemicalCommunications,1837(1999);T.Tshiyama，M.Murata,N.Miyaura,JournalofOrganicChemistry,60,7508(1995))將化合物(5)的二鹵代單體進一步轉(zhuǎn)化為二硼酸酯單體。本發(fā)明的另一個方面涉及聚合物共混物。所述共混物包含含有式I或式I的結(jié)構(gòu)單元的聚合物，所述聚合物與至少一種優(yōu)選為共軛聚合物的其它共軛聚合物共混。如在此所用的，術(shù)語"共軛聚合物"指具有重疊TC軌道的骨架的聚合物?？梢栽诠不煳镏惺褂玫墓曹椌酆衔锇ň圮?、聚(亞芳基亞乙烯基)、聚亞苯基、聚茚并芴和聚噻吩，包括這些共軛聚合物中任一種的均聚物、共聚物或取代的均聚物和/或共聚物。優(yōu)選地，聚合物共混物由至少1重量％含式I的結(jié)構(gòu)單元的聚合物組成。最優(yōu)選的聚合物共混物具有高的光致發(fā)光和電致發(fā)光效率?？梢匀芜x加入其它添加劑，比如粘度調(diào)節(jié)劑、抗氧化劑和涂層改進劑。另外，還可以配制兩種或更多種組成類似但分子量不同的低多分散性聚合物的共混本發(fā)明的另一個方面是由本發(fā)明的聚合物形成的膜。這些膜可以用于聚合物發(fā)光二極管、光電池和場效應(yīng)晶體管。優(yōu)選使用這些膜作為發(fā)射層或載流子傳輸層。所述膜還可以用作電子器件的保護涂層和用作熒光涂層。所述膜或涂層的厚度取決于應(yīng)用。通常這種厚度可以是0.005至200微米。當(dāng)使用涂層作為熒光涂層時，涂層或膜的厚度是50至200微米。當(dāng)使用涂層作為電子保護層時，涂層的厚度可以是5至20微米。當(dāng)涂層用于聚合物發(fā)光二極管時，形成的層的厚度是0.005至0.2微米。本發(fā)明的聚合物形成良好的無針孔和無缺陷的膜。通過涂布來自本發(fā)明的另一個實施方案的聚合物組合物容易形成膜，其中所述組合物包含所述聚合物和至少一種有機溶劑。優(yōu)選的溶劑是脂肪族烴、氯代烴、芳族烴、酮、醚及它們的混合物?？梢允褂玫牧硗獾娜軇┌?,2,4-三甲基苯、1，2,3,4-四甲基苯、戊基苯、1,3，5-三甲基苯、枯烯、異丙基甲苯、環(huán)己基苯、二乙苯、1,2,3,4-四氫化萘、十氫化萘、2,6-二甲基吡啶、2-氟-間-二甲苯、3-氟-鄰-二甲苯、2-氯三氟甲苯、二甲基甲酰胺、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟-甲基苯甲醚、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、4-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、2-氟芐腈、4-氟藜戸醚、2,6-二甲基苯甲醚、3-氟芐腈、2，5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、芐腈、3，5-二甲基苯甲醚、N,N-二甲基苯胺、苯甲酸乙酯、l-氟-3，5-二甲氧基苯、1-甲基萘、N-甲基吡咯烷酮、3-氟三氟甲苯、三氟甲苯、三氟甲苯、二噁烷、三氟甲氧基苯、4-氟三氟甲苯、3-氟吡啶、甲苯、2-氟甲苯、2-氟三氟甲苯、3-氟甲苯、4-異丙基聯(lián)苯、苯醚、吡啶、4-氟甲苯、2，5-二氟甲苯、1-氯-2，4-二氟苯、2-氟吡啶、3-氯氟苯、3-氯氟苯、l-氯-2,5-二氟苯、4-氯氟苯、氯苯、鄰-二氯苯、2-氯氟苯、對-二甲苯、間-二甲苯、鄰-二甲苯或鄰-、間-和對-異構(gòu)體的混合物。優(yōu)選這些溶劑具有較低的極性。高沸點溶劑(Highboilers)和溶劑混合物用于噴墨更好，而二甲苯和甲苯用于旋涂最好。優(yōu)選地，所述溶液包含約0.1至5%的含式1的結(jié)構(gòu)單元的聚合物。膜可以通過本領(lǐng)域中熟知的方式制備，這些方式包括旋涂、噴涂、浸涂、輥涂、膠版印刷、噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷、印花涂布(stamp-coating)或刮刀法。在一個優(yōu)選的實施方案中，本發(fā)明是包含在溶劑中的本發(fā)明的聚合物或聚合物共混物的組合物?？梢允褂玫娜軇┌妆健⒍妆?、二甲苯的鄰、間和對-異構(gòu)體的混合物、1，3,5-三甲基苯、二乙苯、乙苯或更高取代程度的苯衍生物。優(yōu)選地，溶液含0.1至10重量％的組合物。對于薄涂層，優(yōu)選組合物包含0.5至5.0重量X的組分(composition)。通過適宜的方法將該組合物涂覆到合適的基底上，并且使溶劑蒸發(fā)?？梢酝ㄟ^真空、加熱和/或通過用惰性氣體如氮氣吹掃除去殘留的溶劑。除光致發(fā)光外，本發(fā)明的聚合物表現(xiàn)出強的電致發(fā)光。因此，本發(fā)明的另一個方面涉及具有包含本發(fā)明的聚合物的膜的有機電致發(fā)光(EL)器件。優(yōu)選地，當(dāng)經(jīng)受等于或小于20伏、等于或小于IO伏并且優(yōu)選等于或小于6伏的施加電壓時，本發(fā)明的EL器件發(fā)光。有機EL器件典型地由夾在陽極和陰極之間的有機膜構(gòu)成。當(dāng)將正偏壓施加到器件上時，空穴從陽極注入到有機膜中，并且電子從陰極注入到有機膜中?？昭ê碗娮拥慕Y(jié)合可以產(chǎn)生激子，而激子通過釋放光子可以經(jīng)歷輻射衰變返回到基態(tài)。實際上，由于導(dǎo)電性和透明性，陽極通常為錫和銦的混合氧化物。將混合氧化物(ITO)沉積在透明基底比如玻璃或塑料上，因而可以觀察到由機膜發(fā)射的光。有機膜可以是各自為不同功能所設(shè)計的幾個單獨的層的復(fù)合體。由于空穴從陽極注入，因此與陽極相鄰的層應(yīng)當(dāng)具有傳輸空穴的功能。類似地，與陰極相鄰的層應(yīng)當(dāng)具有傳輸電子的功能。在很多情況下，電子或空穴傳輸層還可以作為發(fā)射層。在一些情況下，單層可以完成空穴及電子傳輸和發(fā)光的組合功能。可以通過熱蒸發(fā)或濺射沉積金屬陰極。陰極的厚度可以為lnm至1000nm。優(yōu)選的金屬是鈣、鎂、銦、鋁和鋇?？梢圆捎脡A性或堿金屬鹵化物例如LiF、NaF、CsF或RbF的薄層(l-10nm)作為在發(fā)光聚合物和陰極鈣、鋇或鎂之間的緩沖層。還可以使用這些金屬的合金。優(yōu)選含1至5%鋰的鋁合金以及含至少80%鎂的鎂合金。在另一個實施方案中，電致發(fā)光器件包括至少一個空穴注入聚合物膜(例如，PEDOT膜)以及由本發(fā)明組合物構(gòu)成且被安置在陽極材料和陰極材料之間的發(fā)光聚合物膜，使得在將正向偏壓加到器件上時，在施加的電壓下，空穴從陽極材料經(jīng)由空穴注入聚合物膜注入到發(fā)光聚合物中，并且電子從陰極材料注入到發(fā)光聚合物膜中，從而導(dǎo)致來自發(fā)光層的光發(fā)射。在另一個實施方案中，安置空穴傳輸聚合物的層，以使最靠近陽極的層具有最低的氧化電勢，同時相鄰層具有越來越高的氧化電勢。通過這些方法，可以制備相對于每單位電壓具有較高的光輸出的電致發(fā)光器件。本發(fā)明的另一個實施方案涉及含一種或多種本發(fā)明的聚合物的光電池，其中所述聚合物以單層膜或多層膜的形式存在，其組合厚度在10nm至1000nm的范圍內(nèi)，在25nm至500nm的范圍內(nèi)，或優(yōu)選在50nm至300nm的范圍內(nèi)。當(dāng)使用兩種或更多種聚合物時，可以將它們分別沉積為不同層或由含有需要的聚合物的共混物的溶液沉積為一層。"光電池"指能夠?qū)⑷肷涔饽芰哭D(zhuǎn)變成電能的一類光電器件。光電池的實例是光生伏打器件、太陽能電池、光電二極管和光檢測器。光電池通常包含沉積在透明基底上的透明或半透明的第一電極。然后在第一電極上形成聚合物膜，所述聚合物膜轉(zhuǎn)而被第二電極涂覆。透過基底和第一電極的入射光被聚合物膜轉(zhuǎn)變成激子，所述激子可以在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下離解成電子和空穴，從而產(chǎn)生電流。本發(fā)明的另一個實施方案涉及金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管含有用作半導(dǎo)電聚合物的本發(fā)明的一種或多種聚合物。場效應(yīng)晶體管包含5個元件。第一元件是絕緣體層。該絕緣體層是電絕緣體，具有第一側(cè)面和第二側(cè)面。第二元件是柵極。所述柵極是電導(dǎo)體。所述柵極是與所述絕緣體層的第一側(cè)面相鄰安置的。第三元件是半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層包括含上式I的結(jié)構(gòu)單元的聚合物。半導(dǎo)體層具有第一側(cè)面、第二側(cè)面、第一端和第二端，半導(dǎo)體層的第二側(cè)面與絕緣體層的第二側(cè)面相鄰。將所述聚合物沉積到絕緣體上，其中所述聚合物以單層膜或多層膜的形式存在，其組合厚度在10nm至1000tim的范圍內(nèi)，在25nm至500nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在50nm至300nm的范圍內(nèi)。場效應(yīng)晶體管的第四元件是源極。源極是電導(dǎo)體。源極與半導(dǎo)體層的第一端電接觸。第五元件是漏極。漏極是電導(dǎo)體。漏極與半導(dǎo)體層的第二端電接觸。施加到柵極上的負(fù)偏壓導(dǎo)致在連接源極與漏極的半導(dǎo)體層中形成空穴傳導(dǎo)通道。施加到柵極上的正偏壓導(dǎo)致在所述半導(dǎo)體層中形成電子傳導(dǎo)通道。與電致發(fā)光器件一樣，可以通過基于溶劑的處理技術(shù)如旋涂、輥涂、浸涂、噴涂和刮涂和噴墨印刷形成含半導(dǎo)體層的聚合物膜。當(dāng)使用兩種或更多種聚合物時，可以將它們分別沉積為不同層或由含有需要的聚合物的共混物的溶液沉積為一層。將兩個電極(源極和漏極)附著到半導(dǎo)電聚合物上，并且將第三電極(柵極)連到絕緣體的反面上。如果半導(dǎo)電聚合物傳輸空穴(即，主要的載流子是正空穴)，那么向柵極電極施加負(fù)DC電壓誘導(dǎo)空穴在聚合物-絕緣體界面附近累積，從而形成傳導(dǎo)通道，通過該傳導(dǎo)通道電流可以在源極和漏極之間流動。晶體管處于"開"狀態(tài)。使柵極電壓反向?qū)е略诶鄯e區(qū)中的空穴的耗盡和電流的中斷。晶體管處于"關(guān)"狀態(tài)。實施例為了說明性目的包含下列實施例，且實施例不限制權(quán)利要求的范圍。反應(yīng)萬案:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>(3)1,2，3，4-四氫-6-甲基咔唑(化合物l)的合成將環(huán)己酮(49.1g，0.5mol)和冰醋酸(180g)裝填到1L三頸圓底燒瓶(RBF)中。加熱溶液以使其回流。在回流條件下，在l小時的時間內(nèi)加入對甲苯肼鹽酸鹽(79.3g，0.3mol)。在加入對甲苯肼鹽酸鹽之后，在氮氣下繼續(xù)另外3小時的回流。移走加熱套并且將反應(yīng)混合物冷卻，然后過濾。將固體用水洗滌，然后用300mL75。/。甲醇洗滌，并且過濾。通過過濾收集的粗制產(chǎn)物是灰白色晶體。通過從甲醇中重結(jié)晶純化粗制產(chǎn)物，得到70g無色針狀晶體作為最終產(chǎn)物。HPLC表明純度基本上為100重量％。3-甲基咔唑(化合物2)的合成將在1LRBF中的l,2,3，4-四氫-6-甲基咔唑(化合物l)(35g)和5。/。鈀活性炭(12g)在氮氣下于260。C加熱1.5小時。在冷卻至室溫之后，加入THF以使所述化合物溶解。通過過濾除去活性炭和Pd。除去THF，然后將粗制產(chǎn)物從乙醇中重結(jié)晶兩次。以白色晶體的形式獲得25.9g最終產(chǎn)物。HPLC表明純度為99.5重量％。4，4'-雙(3-甲基咔唑-9-基)聯(lián)苯(化合物3)的合成將10g(55.2mmol)3-甲基咔唑(化合物2)、7.47g(18.4mmol)4,4'-二碘聯(lián)苯、7.1g(110.4mmol)銅、30.4g(0.22mol)碳酸鉀和1.45g(5.5mmol)18-冠-6在氮氣下分散到500mL三頸RBF中的270mL鄰二氯苯中，所述三頸RBF配備有冷凝器和迪安斯達克分水器。使用氮氣將懸浮液脫氣15分鐘，然后在氮氣下加熱以使其回流。通過迪安斯達克分水器除去在反應(yīng)過程中生成的水。在16小時之后，HPLC表明沒有4,4'-二碘聯(lián)苯原料。在移走加熱套之前，繼續(xù)另外4小時的回流。在反應(yīng)冷卻至接近室溫之后，將反應(yīng)混合物通過堿性氧化鋁床(2cm厚)過濾并且用甲苯洗脫。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器在減壓下除去溶劑以得到白色固體作為粗制產(chǎn)物。通過從甲苯中重結(jié)晶純化產(chǎn)物，得到白色晶體。HPLC表明純度為99.3重量。/。。將產(chǎn)物在55。C的真空烘箱中干燥2小時。獲得8.75g白色晶體作為最終產(chǎn)物。4，4'_雙(3-溴-6-甲基咔唑-9-基)聯(lián)苯(化合物4)的合成在室溫將50mL二氯甲烷中的1.97g(12.28mmol)溴滴加至U3g(5.85mmol)4,4'-雙(3-甲基咔唑-9-基)聯(lián)苯(化合物3)的500mL二氯甲垸的溶液中。在加入之后，在室溫下攪拌另外l小時進行反應(yīng)。過濾混合物，并且通過過濾以白色固體的形式收集粗制的產(chǎn)物。從甲苯中重結(jié)晶兩次，以白色固體(0.78g)的形式生成最終產(chǎn)物。HPLC表明純度為99.1重量n/。。反應(yīng)方案<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>(5)1,4-雙(3-甲基咔唑-9-基)苯(化合物5)的合成將7.25g(40mmo1)3-甲基昨唑(化合物2)、4.95g(15mmo1)1,4-二碘苯、6.4g(0.1mmol)銅、28g(0.22mol)碳酸鉀和1.3g(5.5mmo1)18-冠-6在氮氣下分散到500mL三頸RBF中的250mL鄰二氯苯中，所述三頸RBF配備有冷凝器和迪安斯達克分水器。在通宵反應(yīng)之后，HPLC表明沒有l(wèi),4-二碘苯原料。繼續(xù)另外4小時的回流，之后移走加熱套。在反應(yīng)冷卻至室溫之后，將反應(yīng)混合物通過堿性氧化鋁床(2cm厚)過濾并且用甲苯洗脫。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器在減壓下除去溶劑，得到白色固體作為粗制產(chǎn)物。通過從甲苯中重結(jié)晶純化產(chǎn)物，得到白色晶體。HPLC表明純度為99.6重量。/。。將產(chǎn)物在55。C的真空烘箱中通宵干燥。獲得6.01g白色晶體作為最終產(chǎn)物。根據(jù)HPLC，純度為99.6重量％。產(chǎn)率為91.6摩爾％。1,4-雙(3-溴-6-甲基咔唑-9-基)苯(化合物6)的合成在室溫將溶于10mLDMF的3.71g(20.8mmo1)NBS加入到溶于700mLTHF的4.5g(10.3mmo1)1，4-雙(3-甲基昨唑-9-基)苯(化合物5)的溶液中。將反應(yīng)混合物在室溫下通宵攪拌。使白色固體沉淀。HPLC表明原料完全轉(zhuǎn)化。將反應(yīng)混合物加熱以使其回流并且變得澄清。在室溫加入1%NBS然后加熱以使其回流。將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，然后冷卻至室溫以將產(chǎn)物重結(jié)晶。獲得白色針狀晶體。HPLC表明純度為99重量。/。。重復(fù)一次從THF中的重結(jié)晶，并且純度增加至99.4重量％。產(chǎn)量為3.0g。反應(yīng)方案<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>(10)9-對甲苯基-9H-咔唑(化合物7)的合成將16.7g(O.lmol)咔唑、32.7g(0.15mol)4-碘甲苯、12.8g(0.2mol)銅、34.5g(0.25mol)碳酸鉀和2.8g(lOmmol)18-冠-6在氮氣下分散到1L三頸RBF中的500mL鄰二氯苯中，所述三頸RBF配備有冷凝器和迪安斯達克分水器。使用氮氣將懸浮液脫氣30分鐘，然后在氮氣下加熱以使其回流。在反應(yīng)的最初幾個小時內(nèi)，在迪安斯達克分水器中有一些收集到的水。將水從迪安斯達克分水器中取出。在22小時之后，使反應(yīng)冷卻至70。C，將反應(yīng)混合物通過堿性氧化鋁床(2cm厚)過濾并且用甲苯洗脫。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器在減壓下除去溶劑，得到白色固體作為粗制產(chǎn)物。通過從乙醇和甲苯的混合物中重結(jié)晶純化產(chǎn)物。產(chǎn)量為15.25g。根據(jù)HPLC，純度為99，81%。3,6-二溴-9-對甲苯基-9H-咔唑(化合物8)將20.81g(116.6mmo1)N-溴代琥珀酰亞胺分成小份在0。C(以冰水浴冷卻)加入至lJ500mL三頸RBF中的15.02g(58.3mmo1)9-對甲苯基-9H-咔唑(化合物7)的170mL二氯甲烷溶液中。在加入之后，使反應(yīng)混合物溫?zé)嶂潦覝?，并且在室溫下通宵攪拌。然后通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器除去溶劑，并且通過從乙醇和己烷的混合物中重結(jié)晶純化粗制產(chǎn)物。產(chǎn)量為18.68g。根據(jù)HPLC，純度為99.7%。3,6-雙(3'-甲基咔唑-9'-基)-9-對甲苯基-9H-咔唑(化合物9)將7.25g(40mmo1)3-甲基咔唑(化合物2)、6.23g(15mmo1)3,6誦二溴-9陽對甲苯基-9H-咔唑(8)、6.4g(O.lmmol)銅、28g(0.22mol)碳酸鉀和1.3g(5.5mmo1)18-冠-6在氮氣下分散至lJ500mL三頸RJBF中的250mL鄰二氯苯中，所述三頸RBF配備有冷凝器和迪安斯達克分水器，并且將反應(yīng)混合物加熱以使其回流。在4.5天之后，加入另外lg3-甲基咔唑，并且繼續(xù)另外一天的回流。然后使反應(yīng)冷卻至接近室溫，并且使反應(yīng)混合物通過堿性氧化鋁床(~l英寸)，用300mL1，2-二氯苯洗脫。在除去大部分溶劑之后，使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將褐色固體再溶解于少量甲苯中，并且通過用己烷+甲苯(體積比為7:3)洗脫的硅膠柱純化。獲得6.2g白色固體，并且HPLC表明純度為98.85%。將白色固體從甲苯和乙腈的混合物中重結(jié)晶，得到5.7g通過HPLC測定的純度為99.P/。的白色固體。3,6-雙(3'-溴-6'-甲基咔唑-9'-基)-9-對甲苯基-姐-咔唑(化合物10)在室溫將溶于10mLDMF的3.26g(18.31mmol)N-溴代琥珀酰亞胺(NBS)加入到5.5g(8.73mmo1)3，6-雙(3'-甲基咔唑-9'-基)-9-對甲苯基-9H-咔唑(化合物9)的200mLTHF溶液中。將反應(yīng)混合物在室溫通宵攪拌。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器將反應(yīng)混合物濃縮至50mL，并且使產(chǎn)物在甲醇(300mL)中沉淀。將粗制產(chǎn)物通過過濾以白色固體的形式收集，然后通過從甲苯和乙醇混合物中重結(jié)晶純化，以白色晶體的形式得到最終產(chǎn)物。產(chǎn)量為5.6g。根據(jù)HPLC，純度為99.8%。反應(yīng)方案<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>(12)3，7-雙(3'-甲基咔唑-9'-基)-N-(4-正丁基苯基)吩噁嗪(化合物11)將7,lg(15mmo1)3,7-二溴-N-(4-正丁基苯基)吩噁嗪、8.14g3-甲基咔唑、7.1g銅、30.4g碳酸鉀、1.45g18-冠-6在氮氣下分散至lj500mL三頸RBF中的250ml鄰二氯苯中，所述三頸RBF配備有冷凝器和迪安斯達克分水器。使用流動的氮氣將懸浮液脫氣15分鐘，然后加熱使其回流7天。使反應(yīng)冷卻至80。C，并且通過堿性氧化鋁層(2cm)過濾，并且用300ml鄰二氯苯洗滌。使合并的溶液蒸發(fā)以除去溶劑。通過使用甲苯和己烷(2:8體粉體積)的混合物洗脫的快速硅膠色譜法純化粗制產(chǎn)物，以白色粉末的形式得到5.83g通過HPLC所示的純度為99.3G/。的最終產(chǎn)物。3，7-雙(3'-溴-6'-甲基咔唑-9'-基)-N-(4-正丁基苯基)吩噁嗪(化合物12)在0。C(冰浴)將溶于10mLDMF的1.8g(lO.lmmol)NBS加入到溶于200mLTHF的3.35g(5mmo1)3,7-雙(3'-甲基咔唑-9'-基)-N-(4-正丁基苯基)吩噁嗪中。將反應(yīng)混合物在室溫通宵攪拌。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器除去溶劑。通過從甲苯和乙醇混合物中重結(jié)晶純化粗制產(chǎn)物，以白色針狀晶體的形式得到最終產(chǎn)物。產(chǎn)量2.7g。純度99.8%(HPLC)。聚合物l-發(fā)藍(lán)光聚合物的制備<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>在攪拌的情況下，將2,7-雙(l，3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-9,9-二辛基芴(2.439g,4.575mmo1)、2,7-二溴-9,9-雙(4-(2-乙氧基乙氧基)苯基)芴(2.665g,4.077mmo1)、4,4'-雙(3-溴-6-甲基咔唑-9-基)聯(lián)苯(0.305g，0.453匿o1)、AliquatTM336相轉(zhuǎn)移劑(0.72g)和反式二氯-雙(三苯膦)鈀(n)(4.2mg)在室溫溶于250mL三頸燒瓶中的甲苯(40mL)。然后將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，之后加入碳酸鈉(2M，10mL)。將混合物攪拌約2.5小時，然后加入苯基硼酸(0.27g)、隨后加入甲苯(25mL)，并且將反應(yīng)混合物通宵攪拌并且加熱，然后使其冷卻。將水相從反應(yīng)混合物中分離，并且使用另外的水(IOOmL)洗滌有機相，然后將其加入到三水二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3gDDC，溶于30mL水)的水溶液中，在氮氣、85。C下加熱并且攪拌4小時。將水相(16mL)從聚合物溶液中分離，并且用2%體積/體積的乙酸水溶液(2xl00mL)洗滌有機相，隨后水洗(3x100mL)。使含有聚合物產(chǎn)物的有機相通過C鹽(1")、二氧化硅(3")和氧化鋁(r')的柱子，并且用甲苯進行洗脫。將聚合物餾分合并，將溶液在真空下濃縮以生成約3%重量/體積的聚合物在甲苯中的溶液。使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將所述聚合物在60。C的真空中通宵干燥。將聚合物再溶解于甲苯(170mL)中，然后在甲醇中再沉淀。如前所述將聚合物收集并且在真空中干燥，收得3,9g白色纖維作為最終的聚合物。聚合物的GPC分析表明數(shù)均分子量(Mn)為109，000，重均分子量(Mw)為21O，OOO，并且多分散性(Mw/Mn)為1.92。聚合物2-發(fā)藍(lán)光聚合物的制備在攪拌的情況下，將2,7-雙(l,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(2.678g,5.05mmo1)、2,7-二溴-9,9-雙(4-(2-乙氧基乙氧基)苯基)芴(2.935g，4.50mmo1)、4',4-雙(3-溴-6-甲基昨唑-9-基)苯(0.297g,0.50mmol)、Aliquat336相轉(zhuǎn)移劑(0.6g)和反式二氯-雙(三苯膦)鈀(II)(3mg)在室溫溶于250mL三頸燒瓶中的甲苯(40mL)。然后將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，之后加入碳酸鈉(2M,13mL)。將混合物攪拌約2.5小時，然后加入苯基硼膽(0.25g)、隨后加入甲苯(40mL)，并且將反應(yīng)混合物通宵攪拌并且加熱，然后使其冷卻。加入三水二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3gDDC，溶于30mL水)的水溶液，并且將混合物在氮氣、95。C下加熱并且攪拌6小時。將水相從聚合物溶液中分離，并且用2。/。體積/體積的乙酸水溶液(3x300mL)洗滌溶液，隨后水洗(300mL)。將聚合物溶液倒入攪拌著的甲醇(3L)中以使聚合物沉淀。將所述聚合物通過過濾收集并且在60。C的真空烘箱中通宵干燥。將聚合物再溶解于300mL甲苯中，并且使溶液通過C鹽(r)、二氧化硅(3")和氧化鋁(1")的柱子，并且用甲苯進行洗脫。將聚合物餾分合并，并且將溶液在真空下濃縮以生成約3%重量/體積的聚合物在甲苯中的溶液。使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將聚合物在60。C的真空中通宵干燥。使所述聚合物再溶解于甲苯(200mL)中，然后在甲醇中再沉淀。如前所述將纖維收集并且在真空中干燥，以白色纖維的形式收得3.5g聚合物。聚合物的GPC分析表明數(shù)均分子量(Mn)為103,867，重均分子量(Mw)為303,412，并且多分散性(Mw/Mn)為2.92。聚合物3-發(fā)磷光聚合物的制備在攪拌的情況下，將2，7-雙(l，3，2-二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-9,9-二己基芴(1.927g，4.08mmo1)、2,7-二溴-9，9-雙(4-己氧基苯基)芴(2.359g，3.48mmo1)、4',4-雙(3-溴-6-甲基咔唑-9-基)聯(lián)苯(0.271g,0.40mmo1)、具有下面所示的結(jié)構(gòu)的銥配合物單體(0.116g,0.12mmol)、Aliquaf336相轉(zhuǎn)移劑(0.9g)和反式二氯-雙(三苯膦)鈀(II)(3.6mg)在室溫溶于250mL三頸燒瓶中的甲苯(40mL)中。然后將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，之后加入碳酸鈉(2M，llmL)。將反應(yīng)混合物在氮氣下通宵攪拌，然后加入苯基硼酸(0.27g》、隨后加入甲苯(10mL)，并且將反應(yīng)混合物在101。C攪拌3.5小時，然后使其冷卻。加入三水二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3gDDC，溶于30mL水)的水溶液，并且將混合物在氮氣、95。C下加熱并且攪拌3小時。將水相從聚合物溶液中分離，并且用水(5x300mL)洗滌所述溶液。將聚合物溶液倒入攪拌著的甲醇(3L)中以使聚合物沉淀。將所述聚合物通過過濾收集并且在60。C的真空烘箱中通宵干燥。將聚合物再溶解于300mL甲苯中，并且使溶液通過C鹽(r)、二氧化硅(3")和氧化鋁(1")的柱子，并且用甲苯進行洗脫。將聚合物餾分合并，并且將溶液在真空下濃縮以生成約3%重量/體積的聚合物在甲苯中的溶液。使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將聚合物在60。C的真空中通宵干燥。使所述聚合物再溶解于甲苯(200mL)中，然后在甲醇中再沉淀。如前所述將聚合物收集并且在真空中干燥，以淺黃色纖維的形式收得2.9g聚合物。聚合物的GPC分析表明數(shù)均分子量(Mn)為103，867，重均分子量(Mw)為303,412，并且多分散性(Mw/Mn)為2.92。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>聚合物4-發(fā)藍(lán)光聚合物的制備在攪拌的情況下，將2，7-雙(l,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-9,9-二辛基荷(2.1426g,4.04mmo1)、2，7-二溴-9,9-雙(4-(2-乙氧基乙氧基)苯基)荷(2.3487g,3.60mmo1)、3，6-雙(3'-溴-6'-甲基咔唑-9'-基)-9-對甲苯基-9H-昨唑(0.315:0g,0.40mmol)、Aliquat336相轉(zhuǎn)移劑(0.6g)和反式二氯-雙(三苯膦)鈀(11)(2.5mg)在室溫下溶于250mL三頸燒瓶中的甲苯(40mL)。然后將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，之后加入碳酸鈉(2M,llmL)。將混合物攪拌約2.5小時，然后加入苯基硼酸(0.25g)、隨后加入甲苯(40mL)，并且將反應(yīng)混合物通宵攪拌并且加熱，然后使其冷卻。加入三水二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3gDDC，溶于30mL水)的水溶液，并且將混合物在氮氣、95。C下加熱并且攪拌6小時。將水相從聚合物溶液中分離，并且用2%體積/體積的乙酸水溶液(3x300mL)洗滌溶液，隨后水洗(300mL)。將聚合物溶液倒入攪拌的甲醇(3L)中以使聚合物沉淀。將所述聚合物通過過濾收集并且在60。C的真空烘箱中通宵干燥。將聚合物再溶解于300mL甲苯中，并且使溶液通過C鹽(r)、二氧化硅(3")和氧化鋁(1")的柱子，并且用甲苯進行洗脫。將聚合物餾分合并，并且將溶液在真空下濃縮以生成約3%重量/體積的聚合物在甲苯中的溶液。使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將聚合物在60。C的真空中通宵干燥。使所述聚合物再溶解于甲苯(200mL)中，然后在甲醇中再沉淀。如前所述將纖維收集并且在真空中干燥，以白色纖維的形式收得2.6g聚合物。聚合物的GPC分析表明數(shù)均分子量(Mn)為234，239，重均分子量(Mw)為705,872，并且多分散性(Mw/Mn)為3.01。聚合物5A-發(fā)藍(lán)光聚合物的制備<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>在攪拌的情況下，將2,7-雙(l,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-9,9-二辛基芴(1.S562g,3.035mmol)、2，7-二溴-9，9-雙(4-(2-乙氧基乙氧基)苯基)芴(2.0551g,3.15mmo1)、3,7-雙(3'-溴-6'-甲基咔唑畫9'-基)-N-(4-正丁基苯基)吩噁嗪(0.291lg,0,35mmol)、Aliquat336相轉(zhuǎn)移劑(0.6g)和反式二氯-雙(三苯膦)鈀(n)(2.5mg)在室溫下溶于250mL三頸燒瓶中的甲苯(40mL)。然后將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，之后加入碳酸鈉(2M，llmL)。將混合物攪拌約2.5小時，然后加入苯基硼酸(0.25g)、隨后加入甲苯(40mL)，并且將反應(yīng)混合物通宵攪拌并且加熱，然后使其冷卻。加入三水二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3gDDC，溶于30mL水)的水溶液，并且將混合物在氮氣、95。C下加熱并且攪拌6小時。將水相從聚合物溶液中分離，并且用2%體積/體積的乙酸水溶液(3x300mL)洗滌溶液，隨后水洗(300mL)。將聚合物溶液倒入攪拌的甲醇(3L)中以使聚合物沉淀。將所述聚合物通過過濾收集并且在60。C的真空烘箱中通宵干燥。將聚合物再溶解于300mL甲苯中，并且使溶液通過C鹽(l")、二氧化硅(3")和氧化鋁(1")的柱子，并且用甲苯進行洗脫。將聚合物餾分合并，并且將溶液在真空下濃縮以生成約3%重量/體積的聚合物在甲苯中的溶液。使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將聚合物在60。C的真空中通宵干燥。使所述聚合物再溶解于甲苯(200mL)中，然后在甲醇中再沉淀。如前所述將纖維收集并且在真空中干燥，以白色纖維的形式收得2.5g聚合物。聚合物的GPC分析表明數(shù)均分子量(Mn)為161,244，重均分子量(Mw)為409,100，并且多分散性(Mw/Mn)為2.54。聚合物5B-含有芴的交替共聚物的制備在攪拌的情況下，將2，7-雙(l,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基)-9,9-二辛基芴(1.4850g,2.80mmol)、3,7-雙(3'-溴-6'-甲基咔唑-9'-基)-N-(4-正丁基苯基)吩噁嗪(2.3285g,2.80mmol)、Aliquat336相轉(zhuǎn)移劑(0.6g)和反式二氯-雙(三苯膦)鈀(II)(2.5mg)在室溫下溶于250mL三頸燒瓶中的甲苯(40mL)。然后將反應(yīng)混合物加熱以使其回流，之后加入碳酸鈉(2M,llmL)。將混合物攪拌約l天，然后加入苯基硼酸(0.25§)、隨后加入甲苯(40mL)，并且將反應(yīng)混合物通宵攪拌并且加熱，然后使其冷卻。加入三水二乙基二硫代氨基甲酸鈉(3gDDC，溶于30mL水)的水溶液，并且將混合物在氮氣、95。C下加熱并且攪拌6小時。將水相從聚合物溶液中分離，并且用2%體積/體積的乙酸水溶液(3x300mL)洗滌溶液，隨后水洗(300mL)。將聚合物溶液倒入攪拌的甲醇(3L)中以使聚合物沉淀。將所述聚合物通過過濾收集并且在60。C的真空烘箱中通宵干燥。將聚合物再溶解于300mL甲苯中，并且使溶液通過C鹽(1")、二氧化硅(3")和氧化鋁(1")的柱子，并且用甲苯進行洗脫。將聚合物餾分合并，并且將溶液在真空下濃縮以生成約3°/。重量/體積的聚合物在甲苯中的溶液。使產(chǎn)物在甲醇中沉淀。將聚合物在60。C的真空中通宵干燥。使所述聚合物再溶解于甲苯(200mL)中，然后在甲醇中再沉淀。如前所述將纖維收集并且在真空中干燥，以白色纖維的形式收得2.2g聚合物。聚合物的GPC分析表明數(shù)均分子量(Mn)為21,072，重均分子量(Mw)為55，716，并且多分散性(Mw/Mn)為2.64。遵循類似的方法，制備下列交替共聚物聚合物6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>Mn=125,433;Mw=315,200;多分散性(Mw/Mn)=2.51聚合物7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>Mn=50，000;Mw=102，000;多分散性(Mw/Mn)=2.04Mn=23,131;Mw=84,259;多分散性(Mw/Mn)=3.64聚合物9Mn=21，072;Mw^55，716;多分散性(Mw/Mn)=2.64在Li/Cal/Al陰極上的藍(lán)光聚合物L(fēng)ED器件將聚合物l(85mg)溶解于二甲苯(5mL)中并且通過0.22jiL針筒式濾器過濾。將1:16重量/重量的聚乙二氧基噻吩(PEDOT》聚苯乙烯磺酸(PSS)的80nm膜沉積在清潔的氧化錫銦(ITO)涂布的玻璃基底上，并且在200。C烘焙15分鐘。將聚合物/二甲苯溶液的80nm膜旋涂在PEDOT:PSS膜上，并且在氮氣下，將涂布的基底在130。C烘焙1小時。然后將陰極層LiF(3nm)、Ca(1Onm)和Al(150nm)真空沉積在聚合物膜上。類似地，使用LiF/Ca/Al作為陰極測試聚合物2、聚合物4和聚合物5。在下表中概述了典型的器件數(shù)據(jù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>在200cd/n^的亮度下測量如我們從表中的數(shù)據(jù)可以看出的，在使用Li/Ca/Al作為陰極的器件中聚合物l、2和4全部發(fā)射深藍(lán)色光。在Ba陰極上的藍(lán)光聚合物L(fēng)ED器件將聚合物l(85mg)溶解于二甲苯(5mL)中并且通過0.22pL針筒式濾器過濾。將l:16重量/重量的聚乙二氧基噻吩(PEDOT):聚苯乙烯磺酸(PSS)的80nm膜沉積在清潔的氧化錫銦(ITO)涂布的玻璃基底上，并且在200。C烘焙15分鐘。將聚合物/二甲苯溶液的80nm膜旋涂在PEDOT:PSS膜上，并且在氮氣下，將涂布的基底在130。C烘焙1小時。然后將陰極金屬Ba(5nm)和Al(150nm)真空沉積在聚合物膜上。類似地，使用LiF/Ca/Al作為陰極測試聚合物2、聚合物4和聚合物5。在下表中概述了典型的器件數(shù)據(jù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>在200cd/n^的亮度下測量如我們從表中的數(shù)據(jù)可以看出的，在使用Ba/Al作為陰極的器件中聚合物l、2、4和5全部發(fā)射深藍(lán)光。使用包含聚合物6的共混物作為發(fā)射層的藍(lán)光聚合物L(fēng)ED器件將17mg聚合物6和68mg聚(9,9-二辛基芴)溶解于5mL二甲苯中并且通過0.22[iL針筒式濾器過濾。將l:16重量/重量的聚乙二氧基噻吩(PEDOT):聚苯乙烯磺酸(PSS)的80nm膜沉積在清潔的氧化錫銦(ITO)涂布的玻璃基底上，并且在200。C烘焙15分鐘。將聚合物/二甲苯溶液的80nm膜旋涂在PEDOT:PSS膜上，并且在氮氣下，將涂布的基底在130。C烘焙1小時。然后將陰極層LiF(3。nm)、Ca(10nm)和Al(150nm)真空沉積在聚合物膜上。得到的器件在dc電壓下發(fā)射藍(lán)光(CIE坐標(biāo)x二0.160;y=0.080)，并且在7.5V產(chǎn)生400cd/r^的平均亮度以及0.2cd/A的平均發(fā)光效率。在10V，器件的平均亮度為644cd/m2。知術(shù)1<口盡管將本發(fā)明描述成具有優(yōu)選的方面，但是可以在本公開的精神和范圍內(nèi)進一步修改本發(fā)明。因此，本申請意在覆蓋使用在此公開的普遍原理的本發(fā)明的任何變化、使用或調(diào)整。此外，本申請意在覆蓋這些在本發(fā)明所屬領(lǐng)域中己知或通常的實踐范圍內(nèi)對本發(fā)明的偏離，并且其落入后附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種共軛或部分共軛聚合物，所述聚合物包含式I的結(jié)構(gòu)單元其中Ar1是含有一個或多個雜原子的芳族基團，或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的芳族基團，所述芳族基團可以是取代或未取代的；并且R1是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F。2.權(quán)利要求l所述的聚合物，其中An選自芴基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、茈基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吖啶基、二苯并矽咯基、2，3-二氮雜萘基、噌啉基、喹喔啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并噻挫基、咔唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、噻吩并[3,4-b]吡嗪基、[1,2,5]噻二唑并[3,4-g]-喹喔啉基、苯并[l,2-c;3-4-c']雙[l,2，5]-噻二唑基、吡嗪射2，3-g]喹喔啉基、苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、噻蒽基、苯并二噁英基、苯并二噁烷基、二苯并二噁英基、吩嗪基、吩噁硫雜環(huán)己二烯基、苯并二硫雜環(huán)己二烯基、苯并間二氧雜環(huán)戊烯基、苯并環(huán)丁烯基、二氫苯并二硫雜環(huán)己二烯基、二氫噻吩并二噁英基、苯并二氫吡喃基、異苯并二氫吡喃基、9,10-二氫菲基、噻嗪基、吩噁嗪基、異吲哚基、二苯并噻吩磺?；头脏玎夯?.權(quán)利要求l所述的聚合物，其中An選自苯基、聯(lián)苯基、9,9-雙取代的-2,7-芴基、N-取代的-3,6-咔唑基、N-取代的-3,7-吩噁嗪基、N-取代的-3,7-吩噻嗪基。4.一種共軛或部分共軛聚合物，所述聚合物包含式I的結(jié)構(gòu)單元其中Ar,是可以取代或未取代的聯(lián)苯基，并且R,是垸基、烷氧基、芳基、氰基或F。5.權(quán)利要求1或4所述的聚合物，其中R,獨立地為垸基、垸氧基、芳基、氰基或F。6.權(quán)利要求1或4所述的聚合物，其中R,是Q-C2。烷基、羰-C,-C20烷氧基、d-C2。垸氧基，它們可以含有一個或多個雜原子，如0、S、N或Si，并且其中一個或多個氫原子可以被F取代；或芳族基團；或可以進一步被取代并且可以含有一個或多個雜原子的CVC4o芳基。7.權(quán)利要求1或4所述的聚合物，其中R,是甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基或甲苯基。8.—種共軛或部分共軛聚合物，所述聚合物包含式II的結(jié)構(gòu)單元其中Ar,是芳族基團，并且Ar2是可以與An相同或不同的另一個芳族基團，Ar,和Ai"2都可以是取代或未取代的；An含有一個或多個雜原子或者包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)，所述環(huán)可以是取代或未取代的，并且R,是垸基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F。9.一種共軛或部分共軛聚合物，所述聚合物包含式II的結(jié)構(gòu)單元其中Ar,是聯(lián)苯基，并且Ar2是可以與An相同或不同的另一個芳族基團，Ar,和Ar2都可以是取代或未取代的，并且&是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F。10.權(quán)利要求8或9所述的聚合物，其中Af2是l,4-亞苯基、1,3-亞苯基、1，2-亞苯基、4,4'-亞聯(lián)苯基、萘-l，4-二基、萘陽2,6-二基、呋喃-2,5-二基、噻吩-2，5-二基、2，2'-聯(lián)噻吩-5,5-二基、蒽-9,10-二基、2,1，3-苯并噻二唑-4,7-二基、N-取代的咔唑-3,6-二基、N-取代的咔唑-2，7-二基、二苯并矽咯-3,8-二基、二苯并矽咯-4,7-二基、N-取代的-吩噻嗪-3,7-二基、N-取代的-吩噁嗪-3,7-二基、包括三苯胺-4,4'-二基、二苯基-對甲苯基胺4'-二基和N，N-二苯基苯胺-3，5-二基的三芳基胺-二基、N,N，N',N'-四芳基-l,4-二氨基苯-二基、N,N，N',N'-四芳基聯(lián)苯胺-二基、芳基硅烷-二基和-雙取代的芴-2,7-二基。11.權(quán)利要求8或9所述的聚合物，其中Ar2包括具有式III的芴工工工其中Q是R'或Ar，其中Ar是C4至Qo的芳基或雜芳基或取代的C4至C4o的芳基或雜芳基；R'在每次出現(xiàn)時獨立地為H、Cmg徑基或含有一個或多個S、N、或8;原子的(:3.4()經(jīng)基，或者兩個R'和芴上的9位碳可以一起形成可含有一個或多個S、N、Si、P或0原子的C5—2Q環(huán)結(jié)構(gòu)；W在每次出現(xiàn)時獨立地為C卜4。烴、含有S、N、O、P或Si中的一個或多個雜原子的C340烴基或取代或未取代的芳基或雜芳基，.n在每次出現(xiàn)時獨立地為0-3。12.權(quán)利要求1或4所述的聚合物，所述聚合物在每次出現(xiàn)時還獨立地包含選自下式或下式的組合的共軛單元中的聚合物鏈中的部分<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中所述共軛單元可以含有一個或多個取代基，這些取代基在每次出現(xiàn)時獨立地為C卜20烴基、C,.2。氫羧基氧基、C,^硫醚、C,.2。烴氧基羰基、Cwo氫羧基氧基羰氧基、氰基或氟代基團；X,是O或S;Q是R'或Ar;rs在每次出現(xiàn)時獨立地為C,.20烴基、C,.2。烴氧基、d-20硫醚、C,-20烴氧基羰基、Cwo烴基羰氧基、氰基或氟代基團；R"在每次出現(xiàn)時獨立地為H、C^烴基或含有一個或多個S、N、0、？或3源子的(:3.4()烴基，或者兩個R4和芴上的9位碳可以一起形成可含有一個或多個S、N、Si、P或0原子的Cs.2C)環(huán)結(jié)構(gòu)；并且rs在每次出現(xiàn)時獨立地為H、Cm。徑基或含有一個或多個S、N、O、P或Si原子的C34。烴基；n在每次出現(xiàn)時獨立地為0-3;Ar是Q至C40的芳基或雜芳基或取代的C4至C4Q的芳基或雜芳基；R'在每次出現(xiàn)時獨立地為H、C,-4。烴基或含有一個或多個S、N、O、P或Si原子的Cw。烴基，或者兩個R'和芴上的9位碳可以一起形成可含有一個或多個S、N、Si、P或O原子的<:5.2()環(huán)結(jié)構(gòu)。13.權(quán)利要求l、4、8或9所述的聚合物，還包含溶劑。14.一種包含權(quán)利要求l、4、8或9所述的聚合物的膜。15.與至少一種另外的共軛聚合物共混的權(quán)利要求1、4、8或9所述的聚合物。16.權(quán)利要求l、4、8或9所述的聚合物，其中所述聚合物發(fā)射在深藍(lán)色光譜范圍內(nèi)的光。17.—種電致發(fā)光器件，所述電致發(fā)光器件包含至少一個有機膜，所述至少一個有機膜包含權(quán)利要求l、4、8或9所述的聚合物，被安置在陽極材料和陰極材料之間，使得在施加的電壓下，所述有機膜發(fā)射透過所述器件的透明外部的藍(lán)光。18.—種場效應(yīng)晶體管，所述場效應(yīng)晶體管包含(a)絕緣體層，所述絕緣體層是電絕緣體，所述絕緣體層具有第一側(cè)面和第二側(cè)面；(b)柵極，所述柵極是電導(dǎo)體，所述柵極與所述絕緣體層的第一側(cè)面相鄰安置；(c)半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包含權(quán)利要求l、4、8或9所述的聚合物和第二電極；(d)源極，所述源極是電導(dǎo)體，所述源極與所述半導(dǎo)體層的第一端電接觸；禾口(e)漏極，所述漏極是電導(dǎo)體，所述漏極與所述半導(dǎo)體層的第二端電接觸。19.一種光電池，所述光電池包含第一電極、包含權(quán)利要求l、4、8或9所述的聚合物的膜和第二電極。20.—種式IV的化合物其中Ar,是含有一個或多個雜原子或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的取代或未取代的芳族基團，所述環(huán)可以是取代或未取代的；R,是垸基、烷氧基、芳基取代的基團、氰基或F，并且X是鹵素或硼酸酯基團。21.—種式IV的化合物其中Ar,是取代或未取代的聯(lián)苯基，R，是垸基、烷氧基、芳基、氰基或F，并且X是鹵素或硼酸酯基團。22.權(quán)利要求20或21所述的化合物，其中X是溴。23.權(quán)利要求20所述的化合物，其中Ar,選自芴基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、茈基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、菲啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吖啶基、二苯并矽咯基、2，3-二氮雜萘基、噌啉基、喹喔啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、咔唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、噻吩并[3,4-b]吡嗪基、[1,2,5]噻二唑并[3,4-g]-喹喔啉基、苯并[l，2-c;3-4-c']雙[l,2,5]-噻二唑基、吡嗪并[2,3-g]喹喔啉基、苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、噻蒽基、苯并二噁英基、苯并二噁烷基、二苯并二噁英基、吩嗪基、吩噁硫雜環(huán)己二烯基、苯并二硫雜環(huán)己二烯基、苯并間二氧雜環(huán)戊烯基、苯并環(huán)丁烯基、二氫苯并二硫雜環(huán)己二烯基、二氫噻吩并二噁英基、苯并二氫吡喃基、異苯并二氫吡喃基、9,10-二氫菲基、噻嗪基、吩噁嗪基、異B引哚基、二苯并噻吩磺?；头脏玎夯?4.權(quán)利要求20所述的化合物，其中Ar,選自苯基、聯(lián)苯基、9,9-雙取代的-2，7-芴基、N-取代的-3,6-咔唑基、N-取代的-3,7-吩噁嗪基、N-取代的-3,7-吩噻嗪基。25.權(quán)利要求20或21所述的化合物，其中R,獨立地為垸基、垸氧基、芳基取代的基團、氰基或F。26.權(quán)利要求20或21所述的化合物，其中R,是Q-C2o垸基、羰-CrC20垸氧基、d-C2o烷氧基，它們可以含有一個或多個雜原子，如O、S、N、P或Si，并且其中一個或多個氫原子可以被F取代；或芳族基團；或可以進一步被取代并且可以含有一個或多個雜原子的C6-Q()芳基。27.權(quán)利要求20或21所述的化合物，其中R,是甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基或甲苯基。28.—種共軛或部分共軛聚合物，所述聚合物包含式II的結(jié)構(gòu)單元其中Ar,是芳基并且Ar2是金屬配合物單體，Ar,和Ai"2均可以是取代或未取代的，并且R,是烷基、垸氧基、芳基、氰基或F。29.—種發(fā)磷光的聚合物，所述聚合物包含式I的結(jié)構(gòu)單元其中An是可以取代或未取代的芳族基團，并且Rl是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F。全文摘要一種共軛或部分共軛聚合物，所述聚合物包含式I:I的結(jié)構(gòu)單元，其中Ar₁是含有一個或多個雜原子的芳族基團，或包含一個或多個稠合芳族或非芳族環(huán)的芳族基團，所述芳族基團可以是取代或未取代的；并且R₁是烷基、烷氧基、芳基、氰基或F。文檔編號C08G61/12GK101495534SQ200680007077公開日2009年7月29日申請日期2006年3月2日優(yōu)先權(quán)日2005年3月4日發(fā)明者余旺林,吳衛(wèi)希,米歇爾·L·胡達克,詹姆斯·J·奧布賴恩申請人:住友化學(xué)株式會社