專利名稱：聚合物組合物和使用該聚合物組合物的高分子發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種聚合物組合物和使用該聚合物組合物的高分子發(fā)光
器件(以下有時稱為高分子LED)。
背景技術(shù)：
包含作為發(fā)光材料的聚合物的各種發(fā)光器件(高分子LED)已經(jīng)得到丫 研究。
有這樣一種方法，即通過噴墨法，使用含有聚合物和溶劑的溶液組合 物形成高分子LED的發(fā)光層。這種方法的優(yōu)點在于可以以低成本制備大面 積發(fā)光器件。
這種可應(yīng)用于這種噴墨法的溶液組合物的已知實例包括含有聚芴衍 生物和溶劑的溶液組合物(專利文件l);含有聚亞芳基亞乙烯基和溶劑的溶 液組合物(專利文件2);以及含有芳族醚化合物和低沸點溶劑的溶液組合物 (專利文件3)。另外，已知有通過使用作為芳族醚化合物的4-甲基苯甲醚和 具有三或四個取代基的l,3，5-三甲基苯或l,2,3,4-四甲基苯的混合物制備的 器件(專利文件4)。
專利文件l: WO00/59267單行本
專利文件2: WO02/96970單行本
專利文件3: JP-A-2004-535653
專利文件4: JP-A-2003-308969

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題
順帶提及，有這樣的問題，即使用只含有低沸點溶劑或具有高的聚合 物溶解度的溶劑的組合物形成薄膜得到不均勻的膜厚度。這種問題在通過
噴墨法形成薄膜時是明顯的。在這些情形下，需要有一種在形成薄膜時用 其得到均勻的膜厚度的組合物。
用于解決問題的手段
本發(fā)明人充分地研究以克服所述問題。結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過使用 下列組合物形成膜獲得具有均勻的厚度的膜包含芳族醚化合物和具有等 于或高于200。C的沸點且具有不太好的聚合物溶解度的溶劑的組合物；或 者包含兩種或更多種的沸點等于或高于100。C的有機化合物的組合物，其
中至少一種有機化合物是具有等于或高于200。C的沸點并且具有不太好的
聚合物溶解度的溶劑。從而完成了本發(fā)明。
艮P，本發(fā)明提供 一種組合物，所述組合物包含一種或多種芳族醚化合物、 一種或
多種沸點等于或高于200。C的化合物以及一種或多種在固態(tài)下傳輸電荷或 發(fā)光的聚合物，其特征在于，所述沸點等于或高于200。C的化合物選自可 以任選包含雜原子的脂族化合物、可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物、 包含兩個以下取代基的芳族化合物和包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合物； 和—種組合物，所述組合物包含兩種以上除芳族醚化合物以外的沸點 等于或高于100。C的有機化合物以及一種或多種在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光 的聚合物，其特征在于，所述有機化合物的至少一種選自可以任選包含雜 原子的脂族化合物和可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物，所述脂族化合 物和脂環(huán)族化合物具有等于或高于200。C的沸點。
根據(jù)本發(fā)明的組合物具有的優(yōu)點在于在形成膜時使用該組合物得到 具有均勻厚度的膜。
附圖
簡述
圖l顯示了使用組合物l形成的薄膜的剖面圖，其中橫坐標軸表示膜的 距離(pm)，縱坐標軸表示膜的膜厚度^m);
圖2顯示了使用組合物2形成的薄膜的剖面圖，其中橫坐標軸表示膜的 距離(pm)，縱坐標軸表示膜的膜厚度Oim);和
圖3顯示了使用組合物6形成的薄膜的剖面圖，其中橫坐標軸表示膜的
距離Oim)，縱坐標軸表示膜的膜厚度Oim)。
實施本發(fā)明的最佳方式
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物是這樣一種組合物，所述組合物包含 一種或多種的芳族醚化合物、 一種或多種的沸點等于或高于200。C的化合 物以及一種或多種在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光的聚合物，其特征在于所述沸 點等于或高于200。C的化合物選自可以任選包含雜原子的脂族化合物、可 以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物、包含兩個以下取代基的芳族化合物和 包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合物。
在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物中含有的芳族醚化合物的實例可 以包括苯甲醚、乙基苯基醚、丙基苯基醚、丁基苯基醚、甲基苯甲醚、 二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、甲基乙基苯甲醚、二乙基苯甲醚、丙基苯甲 醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、 甲基萘基醚和二苯基醚。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物包含一種或多種的芳族醚化合物。為 便于制備所述組合物，該組合物優(yōu)選包含一種或兩種的芳族醚化合物，并 且更優(yōu)選包含一種的芳族醚化合物。
考慮到組合物的性能，如聚合物的溶解度、粘度或成膜性，基于組合 物的重量，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物包含10至60重量％的芳族醚化 合物，并且更優(yōu)選為20至50重量％的該化合物。
在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物中含有的沸點等于或高于200。C的 化合物是在可以任選包含雜原子的脂族化合物、可以任選包含雜原子的脂 環(huán)族化合物、包含兩個以下取代基的芳族化合物或包含兩個以下取代基的 雜環(huán)化合物之中，沸點等于或高于200。C的化合物。
可以任選包含雜原子的脂族化合物的實例可以包含脂族烴化合物、 脂族醇化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、含有氮原子的脂族化合 物和含有硫原子的脂族化合物。
脂族烴化合物的實例可以包括正十二烷(沸點216°C)、正十三烷(沸 點234。C)和正十四烷(沸點252至254。C)。
脂族醇化合物的實例可以包括l-壬醇(沸點211°Q、正癸醇(沸點 231°C)、 2-癸醇(沸點211°C)、正H"^—垸醇(沸點241°C)、異癸醇(沸點
220。C)和正十四烷醇(沸點289°C)。
脂族二醇化合物的實例可以包括二甘醇(沸點244°C)、三甘醇(沸
點287°C)、三甘醇二甲基醚(沸點216°C)、四甘醇二甲基醚(沸點..275°C)、 乙二醇單-2-乙基己基醚(沸點229°C)、乙二醇單丁基醚(沸點231°C)、 乙二醇單己基醚(沸點208。C)、乙二醇單芐基醚(沸點256°C)、 一縮二 丙二醇(沸點232°C)、 二縮三丙二醇(沸點268°C)、 1,3-丁二醇(沸點 208°C)、 1,4-丁二醇(沸點228°C)、新戊二醇(沸點2U。C)、 1,5-戊二醇(沸 點238至239。C)和l,6-己二醇(沸點250°C)。
脂族酯化合物的實例可以包括乙酸正辛酯(沸點208。C)和琥珀酸二 乙酯(沸點218°C)。
含有氮原子的脂族化合物的實例可以包括乙酰胺(沸點222°C)。 含有硫原子的脂族化合物的實例可以包括硫二甘醇(沸點283°C)。
可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物的實例可以包括雙環(huán)己基
(bicyclohexyl)(沸點226至228。C)、 2-(l-環(huán)己烯基)環(huán)己酮(沸點265°C)、 Y-丁內(nèi)酯(沸點203至204。C)、碳酸異丙烯酯(沸點242°C)、 S-戊內(nèi)酯(沸 點218至220。C)、異佛爾酮(沸點215。C)、N-甲基吡咯垸酮(沸點202。C)、 2-吡咯垸酮(沸點245。C)和環(huán)丁砜(沸點287°C)。
包含兩個以下取代基的芳族化合物的實例可以包括芳族烴化合物、 芳族醇化合物、芳族酯化合物和芳族羧基化合物。
芳族烴化合物的實例可以包括正戊基苯(沸點205°C)、正己基苯(沸 點226至227。C)、正庚基苯(沸點233°C)、正辛基苯(沸點261至263。C)、 正壬基苯(n-nonalbenzene)(沸點282°C)、正癸基苯(沸點293°C)、 1,3-二異丙基苯(沸點205°C)、 1,4-二異丙基苯(沸點205°C)、環(huán)己基苯(沸 點239至240。C)、四氫化萘(沸點207。C)和聯(lián)苯(沸點255°C)。
芳族醇化合物的實例可以包括間甲酚(沸點202°C)、對甲酚(沸點
202°C)、對乙基苯酚(沸點218至219。C)、 4-甲氧基苯酚(沸點246°C)、 鄰-正丙基苯酚(沸點214°C)、鄰-異丙基苯酚(沸點215°C)、鄰-仲丁基 苯酚(沸點226至228。C)、鄰-叔丁基苯酚(沸點224°C)、間-叔丁基苯酚(沸
點240°C)、對-叔丁基苯酚(沸點237至239。C)和芐醇(沸點206°C)。
芳族酯化合物的實例可以包括苯甲酸乙酯(沸點212。C)和苯甲酸正丁 酯(沸點250°C)。
芳族羧基化合物的實例可以包括苯甲酸(沸點249。C)和苯乙酸(沸點
266。C)。
考慮到成膜性，優(yōu)選包含兩個以下取代基的芳族化合物是包含一個以 下取代基的芳族化合物。
包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合物的實例可以包括喹啉(沸點237。C) 和咪唑(沸點257°C)。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物是包含一種或多種的沸點等于或高 于200。C的化合物的組合物，所述沸點等于或高于200。C的化合物選自可以 任選包含雜原子的脂族化合物、可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物、包 含兩個以下取代基的芳族化合物和包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合物。為 了便于制備組合物，優(yōu)選所述組合物包含一種至三種的所述化合物、更優(yōu) 選包含一種或兩種的所述化合物，并且還優(yōu)選包含一種的所述化合物。
考慮到成膜性，在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物中含有的沸點等于 或高于200。C的化合物優(yōu)選選自可以任選包含雜原子的脂族化合物、可 以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物和包含兩個以下取代基的芳族化合物。
考慮到組合物的性能，如聚合物的溶解度、粘度或成膜性，基于組合 物的重量，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物優(yōu)選包含30至90重量％、更優(yōu) 選40至80重量。/。的沸點等于或高于200。C的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物可以任選包含與芳族醚化合物和選 自可以任選包含雜原子的脂族化合物、可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合 物、包含兩個以下取代基的芳族化合物和包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合 物中的沸點等于或高于200。C的化合物不同的化合物(以下稱為另外的化 合物)。所述另外的化合物的實例可以包括正戊烷、異戊烷、正己烷、異 己烷、正庚垸、異庚烷、正辛烷、異辛垸、壬烷、正癸烷、正十一垸、甲 醇、乙醇、l-丙醇、2-丙醇、l-丁醇、2-丁醇、叔-丁醇、l-戊醇、2-戊醇、 l-己醇、2-己醇、l-庚醇、2-庚醇、l-辛醇、2-辛醇、2-壬醇、二異丙醚、 二丁醚、乙二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇單甲醚、乙二
醇二甲基醚、丙二醇、丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚、己二醇、甲酸甲酯、 甲酸乙酯、甲酸正丁酯、甲酸正丙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸烯丙酯、 乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸正丙酯、琥珀酸二甲酯、草酸二乙酯、草 酸二甲酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、 丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、碳酸二甲酯、乙醛、丙醛、丁醛、糠醛、 丙酮、甲基乙基酮、甲基異丙基酮、甲基異丁基酮、二異丙酮、二異丁酮、
甲酸、乙酸、草酸、丙酸、乙腈、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、 N，N-二異丙基乙胺、二甲亞砜、環(huán)戊烷、環(huán)戊烯、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、 二甲基環(huán)己垸、乙基環(huán)己垸、環(huán)己烯、環(huán)庚烷、十氫化萘、環(huán)戊醇、環(huán)己 醇、甲基環(huán)己醇、二甲基環(huán)己醇、環(huán)己烯醇、環(huán)己基甲醇、四氫糠醇、糠 醇、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、甲基環(huán)己酮、二噁烷、四氫呋喃、四氫吡喃、苯、 甲苯、鄰-二甲苯、對-二甲苯、間-二甲苯、1,3,5-三甲基苯、1，2，4-三甲基 苯、四甲基苯、乙基苯、鄰-二乙基苯、間-二乙基苯、對-二乙基苯、1，2,4-三乙基苯、1,3,5-三乙基苯、四乙基苯、鄰-乙基甲基苯、對-乙基甲基苯、 間-乙基甲基苯、正丙基苯、異丙基苯、正丁基苯、仲丁基苯、異丁基苯、 叔-丁基苯、苯酚、鄰-甲酚、鄰-乙基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4-二甲苯酚、 2，5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,4-二叔丁基 苯酚、2,6-二-叔丁基苯酚、2-甲基-6-叔丁基苯酚、苯甲酸甲酯、苯胺和吡 啶。
本發(fā)明的組合物優(yōu)選包含另外的組分，其量等于或小于40重量％，更 優(yōu)選等于或小于30重量％，還更優(yōu)選等于或小于等于或小于20重量％，甚 至更優(yōu)選等于或小于10重量％，并且還甚至更優(yōu)選等于或小于1重量％。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物可以是液體或固體?？紤]到成膜性， 優(yōu)選該組合物在50。C處于液態(tài)，更優(yōu)選在40。C處于液態(tài)，并且還更優(yōu)選在 25。C處于液態(tài)?？紤]到儲存穩(wěn)定性，優(yōu)選固體物質(zhì)在20。C不沉淀，更優(yōu)選 固體物質(zhì)在10。C不沉淀，并且還更優(yōu)選固體物質(zhì)在0。C不沉淀。
考慮到儲存穩(wěn)定性，在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的組合物中含有的沸點 等于或高于200。C的化合物優(yōu)選具有等于或低于25。C、更優(yōu)選等于或低于 20。C并且還更優(yōu)選等于或低于10。C的熔點。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物是這樣一種組合物，所述組合物包含
兩種或更多種的除芳族醚化合物以外的沸點等于或高于100。C的有機化合
物以及一種或多種的在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光的聚合物，其特征在于，所
述有機化合物的至少一種是沸點等于或高于200。C的脂族化合物或脂環(huán)族 化合物。
在根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物中含有的沸點等于或高于200。C的 脂族化合物可以任選包含雜原子。脂族化合物的實例可以包括脂族烴化 合物、脂族醇化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、含有氮原子的脂 族化合物和含有硫原子的脂族化合物。上述描述了脂族烴化合物、脂族醇 化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、含有氮原子的脂族化合物和含 有硫原子的脂族化合物的實例。
考慮到成膜性，優(yōu)選脂族化合物為脂族烴化合物、脂族醇化合物、脂 族二醇化合物或脂族酯化合物，更優(yōu)選為脂族烴化合物或脂族醇化合物。
在根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物中含有的沸點等于或高于200。C的
脂環(huán)族化合物可以任選包含雜原子。脂環(huán)族化合物的實例可以包括脂環(huán)
族烴化合物、脂環(huán)族酮化合物、脂環(huán)族內(nèi)酯化合物、脂環(huán)族碳酸酯化合物、 含有氮原子的脂環(huán)族化合物和含有硫原子的脂環(huán)族化合物。脂環(huán)族烴化合
物的實例可以包括雙環(huán)己基(沸點226至228。C)。脂環(huán)族酮化合物的實 例可以包括:2-(l-環(huán)己烯基)環(huán)己酮(沸點265。C)和異佛爾酮(沸點215。C)。 脂環(huán)族內(nèi)酯化合物的實例可以包含Y-丁內(nèi)酉旨(沸點203至204。C)和5-戊內(nèi) 酯(沸點218至220。C)。脂族碳酸酯化合物的實例可以包括碳酸異丙烯酯 (沸點242°C)。含有氮原子的脂環(huán)族化合物的實例可以包括N-甲基吡咯 烷酮(沸點202。C)和2-吡咯垸酮(沸點245°C)。含有硫原子的脂環(huán)族化合 物的實例可以包括環(huán)丁砜(沸點2S7。C)。考慮到組合物的成膜性，脂環(huán)
族化合物優(yōu)選只由碳原子、氫原子和氧原子組成。更優(yōu)選地，脂環(huán)族化合
物是雙環(huán)己基和2-(l-環(huán)己烯基)環(huán)己酮。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物包含一種或多種沸點等于或高于
200。C的脂族化合物或脂環(huán)族化合物。為了便于制備組合物，所述組合物
優(yōu)選包含一種至三種所述脂族化合物或脂環(huán)族化合物，并且更優(yōu)選包含一 種或兩種所述脂族化合物或脂環(huán)族化合物。
考慮到形成均勻的膜，在根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物中含有的沸
點等于或高于200。C的脂族化合物和脂環(huán)族化合物優(yōu)選具有等于或高于 220。C的沸點。
考慮到組合物的性能，如聚合物的溶解度、粘度或成膜性，根據(jù)本發(fā) 明的第二方面的組合物優(yōu)選基于組合物的重量，以等于或大于30重量％并 且更優(yōu)選等于或大于40重量c/。的重量包含沸點等于或高于200。C的脂族化 合物或脂環(huán)族化合物。
除沸點等于或高于200。C的脂族化合物或脂環(huán)族化合物以外，根據(jù)本 發(fā)明的第二方面的組合物的特征在于，還包含至少一種的沸點等于或高于 100。C的有機化合物。
沸點等于或高于100。C的有機化合物的實例可以包括脂族烴化合物、 脂族醇化合物、脂族醚化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、脂族醛 化合物、脂族酮化合物、脂族羧基化合物、含有氮原子的脂族化合物、含 有硫原子的脂族化合物、脂環(huán)族化合物、含有雜原子的脂族化合物、芳族 烴化合物、芳族醇化合物、芳族酯化合物、芳族醛化合物和芳族羧基化合
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，脂族烴化合物的實
例還可以包括正-辛烷(沸點126°C)、壬烷(沸點151°C)、正癸烷(沸點
174。C)和正H"^—烷(沸點196°C)。
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，脂族醇化合物的實 例還可以包括l-丁醇(沸點116至118。C)、 l-戊醇(沸點136至138。C)、 2-戊醇(沸點118至119。C)、 l-己醇(沸點157°C)、 2-己醇(沸點136。C)、
1- 庚醇(沸點176°C)、 2-庚醇(沸點160至162。C)、 l-辛醇(沸點196。C)、
2- 辛醇(沸點174至181。C)和2-壬醇(沸點193至194。C)。
脂族醚化合物的實例可以包括二丁醚(沸點137至143。Q。 除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，脂族二醇化合物的
實例還可以包括乙二醇(沸點197°C)、乙二醇單乙醚(沸點135°C)、 乙二醇二乙醚(沸點124°C)、乙二醇單甲醚(沸點124°C)、丙二醇(沸點
187。C)、丙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚(沸點119至122。C)和己二醇(沸點 198。C)。
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，脂族酯化合物的實
例還可以包括甲酸正丁酯(沸點107°C)、乙酸烯丙酯(沸點103至104。C)、
乙酸正丁酯(沸點120至125。C)、琥珀酸二甲酯(沸點195°C)、草酸二乙 酯(沸點L85。C)、草酸二甲酯(沸點134至137。C)、乳酸甲酯(沸點 145。C)、乳酸乙酯(沸點154°C)、丙酮酸甲酯(沸點165。C)、丙酮酸乙
酯(沸點156°C)、丙二酸二甲酯(沸點181。C)和丙二酸二乙酉旨(沸點198
至199。C)。
脂族醛化合物的實例可以包括糠醛(沸點161。C)。 脂族酮化合物的實例可以包括甲基異丁基酮(沸點118°C)、 二異丙
酮(沸點124。C)和二異丁基酮(沸點163至173。C)。
脂族羧基化合物的實例可以包括甲酸(沸點101°C)、乙酸(沸點
117至118。C)和丙酸(沸點141°C)。
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，含有氮原子的脂族 化合物的實例還可以包括N,N-二甲基乙酰胺(沸點165至166。C)、 N,N-二甲基甲酰胺(沸點153。C)和N，N-二異丙基乙胺(沸點127°C)。
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，含有硫原子的脂族
化合物的實例還可以包括二甲亞砜(沸點189°C)。
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，脂環(huán)族化合物的實
例還可以包括甲基環(huán)己垸(沸點101°C)、 二甲基環(huán)己烷(沸點120至
129°C)、乙基環(huán)己烷(沸點132。C)、環(huán)庚烷(沸點116至118。C)以及十 氫化萘(沸點187至195。C)。
除上述沸點等于或高于200。C的脂族化合物以外，含有雜原子的脂環(huán)
族化合物的實例還可以包括環(huán)戊醇(沸點139至140。C)、環(huán)己醇(沸點
160至161。C)、甲基環(huán)己醇(沸點171至173。C)、 二甲基環(huán)己醇(沸點 186°C)、環(huán)己烯醇(沸點164至166。C)、環(huán)己基甲醇(沸點181°C)、四氫 糠醇(沸點178°C)、糠醇(沸點170至171。C)、環(huán)戊酮(沸點130至131。C)、 環(huán)己酮(沸點155°C)、 二噁垸(沸點102。C)和甲基環(huán)己酮(沸點162至 171°C)?？紤]到組合物的性能如成膜性，優(yōu)選的含有雜原子的脂環(huán)族化合
物是環(huán)戊醇、環(huán)己醇、甲基環(huán)己醇、二甲基環(huán)己醇、環(huán)戊酮和環(huán)己酮。
芳族烴化合物的實例可以包括甲苯(沸點111°C)、鄰-二甲苯(沸點:
143至145。C)、對-二甲苯(沸點138°C)、間-二甲苯(沸點138至139。C)、
1，3,5-三甲基苯(162至164。C)、 1,2,4-三甲基苯(沸點168。C)、乙基苯(沸點 136°C)、鄰-二乙基苯(沸點183至184。C)、間-二乙基苯(沸點181°C)、 對-二乙基苯(沸點184°C)、鄰-乙基甲基苯(沸點164至165。C)、對-乙
基甲基苯(沸點162。C)、間-乙基甲基苯(沸點161°C)、正丙基苯(沸點
159。C)、異丙基苯(沸點153°C)、正丁基苯(沸點183°C)、仲丁基苯(沸
點173。C)、異丁基苯(沸點173°C)、叔丁基苯(沸點169°C)、正戊基
苯(沸點205°C)、正己基苯(沸點226至227。C)、正庚基苯(沸點233°C)、 正辛基苯(沸點261至263。C)、正壬基苯(沸點282°C)、正癸基苯(沸點 293°C)、 1,3-二異丙基苯(沸點205°C)、 1，4-二異丙基苯(沸點205°C)、 環(huán)己基苯(沸點239至240。C)、四氫化萘(沸點207。C)和聯(lián)苯(沸點255。C)。
芳族醇化合物的實例可以包括苯酚(沸點1S2。C)、鄰-甲酚(沸點
190至195。C)、鄰-乙基苯酚(沸點195至197。C)、間-甲酚(沸點202°C)、 對甲酚(沸點202°C)、對-乙基苯酚(沸點218至219。C)、 4-甲氧基苯酚(沸 點246°C)、鄰-正丙基苯酚(沸點214°C)、鄰-異丙基苯酚(沸點215°C)、 鄰—仲丁基苯酚(沸點226至228。C)、鄰-叔丁基苯酚(沸點224°C)、間-叔 丁基苯酚(沸點240°C)、對-叔丁基苯酚(沸點237至239。C)和芐醇(沸點 206。C)。
芳族酯化合物的實例可以包括苯甲酸甲酉旨(沸點199°C)、苯甲酸乙
酯(沸點212。C)和苯甲酸正丁酉旨(沸點250°C)。
芳族醛化合物的實例可以包括苯甲醛(沸點178°C)。 芳族羧基化合物的實例可以包括苯甲酸(沸點249。C)和苯乙酸(沸
點266。C)。
考慮到組合物的性能如成膜性，優(yōu)選的沸點等于或高于ioo。c的有機
化合物是脂族烴化合物、脂族醇化合物、脂族酯化合物、脂族酮化合物、 脂環(huán)族化合物、含有雜原子的脂族化合物、芳族烴化合物、芳族醇化合物 和芳族酯化合物。
考慮到形成均勻的膜，根據(jù)本發(fā)明的第二方面的包含除芳族醚化合物
以外的芳族化合物的組合物具有優(yōu)選等于或低于250。C，并且更優(yōu)選等于 或低于220。C的沸點。所述芳族化合物優(yōu)選具有比在組合物中含有的沸點 等于或高于200。C的脂族化合物或脂環(huán)族化合物更低的沸點。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物的特征在于包含兩種或更多種的沸 點等于或高于100。C的有機化合物?？紤]到粘度，有機化合物具有優(yōu)選等
于或高于120。C，更優(yōu)選等于或高于150。C并且還更優(yōu)選等于或高于170。C 的沸點。
除沸點等于或高于100。C的有機化合物以外，根據(jù)本發(fā)明的第二方面 的組合物還可以任選包含除以芳族醚化合物外的化合物。這種化合物的實 例可以包括沸點低于100。C的化合物?；诒景l(fā)明的組合物的重量，所述 組合物優(yōu)選以等于或小于20重量％、更優(yōu)選以等于或小于10重量％并且還 更優(yōu)選以等于或小于1重量％的量含有該化合物。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物可以是液體或固體。考慮到成膜性， 優(yōu)選該組合物在50。C處于液態(tài)，更優(yōu)選在40。C處于液態(tài)，并且還更優(yōu)選在 25。C處于液態(tài)?？紤]到儲存穩(wěn)定性，優(yōu)選固體物質(zhì)在20。C不沉淀，更優(yōu)選 固體物質(zhì)在10。C不沉淀，并且還更優(yōu)選固體物質(zhì)在0。C不沉淀。
考慮到儲存穩(wěn)定性，在根據(jù)本發(fā)明的第二方面的組合物中含有的沸點 等于或高于200。C的脂族化合物和脂環(huán)族化合物優(yōu)選具有等于或低于 25°C、更優(yōu)選等于或低于20。C并且還更優(yōu)選等于或低于10。C的熔點。
考慮到組合物的性能，如溶解度、粘度和成膜性，在根據(jù)本發(fā)明的組 合物中含有的聚合物優(yōu)選具有1.0xl(^至1.0x107，更優(yōu)選5.0xl()S至1.0x106 并且還更優(yōu)選1，104至2,105的數(shù)均分子量。
考慮到組合物的性能，如溶解度、粘度和成膜性，在根據(jù)本發(fā)明的組 合物中含有的聚合物優(yōu)選具有1.0xl(^至1.0x107，更優(yōu)選1.0xl(^至2.0xl06 并且還更優(yōu)選5.0xl(^至1.0xl0S的重均分子量。
考慮到組合物的性能，如溶解度、粘度和用于形成膜的成本，基于組 合物的重量，根據(jù)本發(fā)明的組合物包含優(yōu)選0.1至5重量％，更優(yōu)選0.5至2 重量％的該聚合物。
考慮到組合物的性能，如成膜性，根據(jù)本發(fā)明的組合物在25。C具有優(yōu) 選l至20mPa's并且更優(yōu)選3至15mPa's的粘度。
對在根據(jù)本發(fā)明的組合物中含有的聚合物沒有特別限制，只要聚合物 在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光即可。電荷傳輸聚合物是傳輸負電荷(電子)或正 電荷(空穴)的聚合物，并且該聚合物可以既傳輸電子又傳輸空穴?？梢酝ㄟ^使用循環(huán)伏安法測定電荷傳輸?shù)募夹g(shù)、制備器件并且測試其電荷傳輸?shù)?技術(shù)或本領(lǐng)域中已知的各種技術(shù)，測試電荷傳輸。電子和空穴可以在傳輸 電荷以發(fā)射電致發(fā)光的聚合物中復合。在固態(tài)下發(fā)光的聚合物的實例可以 包括在固態(tài)下發(fā)熒光的聚合物和在固態(tài)下發(fā)磷光的聚合物。在固態(tài)下發(fā)光 的聚合物可以傳輸電荷或發(fā)射電致發(fā)光。
使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成的薄膜可應(yīng)用于各種用途，如高分子電 致發(fā)光、有機晶體管、高分子電容器、二次電池、太陽能電池、傳感器、 熱電變換器、電容器、致動器、抗靜電劑、氣體分離膜、電磁屏蔽、激光 器、電子照相光敏材料或有機超導體。根據(jù)組合物的用途適當?shù)剡x擇在組 合物中含有的聚合物。
對于用于高分子LED的用途，可以使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成發(fā)光
層、電子傳輸層和空穴傳輸層。
當使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成發(fā)光層時，在組合物中含有的聚合物 優(yōu)選包含在亞芳基、二價雜環(huán)基、具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價基團和二價 芳族胺之中的至少一種重復單元。
在不損害發(fā)光性能的情況下，具有一個或多個重復單元的聚合物還可
以包含由-CRa產(chǎn)CRa2-、 -CEC-、 N(Ra3)-、或-(SiRa4Ra5)b-表示的結(jié)構(gòu)。Ra)和 Ra2獨立地表示氫原子、烷基、芳基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的羧基或氰
基。Ra3、 Ra4和Ra5獨立地表示包括氫原子、烷基、芳基、 一價雜環(huán)基、
芳烷基或取代的氨基的基團。b表示l至12的整數(shù)。當R^、 R"、 Rd、 Ra4 和Ra5中的任何一個有兩個以上時，這些R可以相同或不同。
在此所用的亞芳基指通過從芳族烴上除去兩個氫原子獲得的原子團， 并且包括具有稠環(huán)的亞芳基以及具有直接或通過基團如亞乙烯基連接到 上面的兩個或更多個獨立的苯環(huán)或稠環(huán)的芳基。亞芳基可以具有取代基。 對取代基的類型沒有特別限制?？紤]到溶解度、熒光性能、易于合成和得
到的器件的特性，取代基的優(yōu)選實例包括垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、
芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基垸氧基、芳基烷硫基、芳基鏈烯基、芳基 炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅垸基、鹵原子、?；?、 酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的羧基 和氰基。亞芳基除取代基以外的碳原子數(shù)通常約為6至60，并且優(yōu)選為6至20。 亞芳基包括取代基碳原子數(shù)在內(nèi)的總碳原子數(shù)通常約為6至100。
亞芳基的實例包括亞苯基(例如，下式1至3)、萘-二基(下式4至13)、蒽 -二基(下式14至19)、聯(lián)苯-二基(下式20至25)、芴-二基(下式36至38)、三聯(lián) 苯-二基(下式26至28)、稠環(huán)化合物基團(下式29至35)、芪-二基(下式A至D)、 二芪-二基(下式E和F)以及茚并萘-二基(下式G至N)。
R R 4 <formula>formula see original document page 17</formula><formula>formula see original document page 18</formula><formula>formula see original document page 19</formula>
<formula>formula see original document page 20</formula>[式6-2]
二價雜環(huán)基指通過從雜環(huán)化合物除去兩個氫原子獲得的殘留的原子 團，并且可以具有取代基。
雜環(huán)化合物指具有環(huán)結(jié)構(gòu)的有機化合物，所述的環(huán)結(jié)構(gòu)可以不必單獨 由碳原子組成，并且可以包含雜原子，如氧、硫、氮、磷、硼或砷。在二 價雜環(huán)基之中，優(yōu)選芳族雜環(huán)基團。對取代基的類型沒有特別限制；然而， 考慮到溶解度、熒光性能、易于合成和得到的器件的特性，取代基的優(yōu)選 實例包括烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基 烷氧基、芳基烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅 垸基、取代的甲硅烷基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的羧基和氰基。
二價雜環(huán)基除取代基碳原子數(shù)以外的碳原子數(shù)通常約為3至60。 二價
雜環(huán)基包括取代基碳原子數(shù)在內(nèi)的總碳原子數(shù)通常約為3至100。
二價雜環(huán)基的實例包括
二價吡啶-二基(下式39至44)、
二氮雜亞苯基(下式45至48)、
喹啉二基(下式49至63)、
喹喔啉二基(下式64至68)、
吖啶二基(下式69至72)、
聯(lián)吡啶二基(下式73至75)和含有作為雜原子的氮的菲咯啉二基(下式 76至78);
具有芴結(jié)構(gòu)并且含有作為雜原子的氧、硅、氮、硒或硫等的基團(下 式79至93);
含有作為雜原子的氧、硅、氮、硫、硒、硼或磷等的5元雜環(huán)基(下式 94至98、 O至Z以及AA至AC);
含有作為雜原子的氧、硅、氮、硫、硒、硼或硫等的5元稠合雜環(huán)基(下
式99至110);
由含有作為雜原子的氧、硅、氮、硫、硒、硼或硫等的5元雜環(huán)基形 成并且在雜原子的a-位置連接的二聚物或低聚物(下式lll和112);
含有作為雜原子的氧、硅、氮、硫或硒等并且在雜原子的a-位置連接 到苯基上的5元雜環(huán)基(下式113至119);
含有作為雜原子的氧、氮或硫等并且取代有苯基、呋喃基、噻吩基的 5元稠合雜環(huán)基(下式120至125);和
含有作為雜原子的氧和氮的6元雜環(huán)基(下式AD至AG)。[式7]
<formula>formula see original document page 23</formula><formula>formula see original document page 24</formula>[式11〗
<formula>formula see original document page 25</formula><formula>formula see original document page 26</formula><formula>formula see original document page 27</formula><formula>formula see original document page 28</formula> <formula>formula see original document page 29</formula><formula>formula see original document page 30</formula>
具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價基團指通過從具有有機配體的金屬配合 物的有機配體上除去兩個氫原子獲得的二價基團。
有機配體的碳原子數(shù)通常約為4至60。其實例包括8-喹啉醇及其衍生 物、苯并喹啉醇及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并噻唑及 其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物以及卟啉及其衍生物。
配合物的核金屬的實例包括鋁、鋅、鈹、銥、鉑、金、銪和鋱。
具有有機配體的金屬配合物的實例包括作為低分子量熒光材料和磷 光材料己知的金屬配合物以及三重態(tài)發(fā)光配合物。
具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價基團的具體實例包括由下式126至132表 示的那些。[式20-1]
<formula>formula see original document page 32</formula>[式20-2]
<formula>formula see original document page 33</formula>
在式1至132、 A至Z和AA至AZ中，R各自獨立地表示氫原子、垸基、 烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧基、芳基烷 硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲 硅垸基、鹵原子、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、 一價雜 環(huán)基、羧基、取代的羧基、硝基或氰基。
可以用氮原子、氧原子或硫原子取代在式1至132的基團中包含的碳原 子?？梢杂梅尤〈谑?至132的基團中包含的氫原子。在式1至132中 的相鄰R可以連接以形成環(huán)。
所述垸基可以是直鏈、支鏈或者環(huán)狀的，并且碳原子數(shù)通常約為l至 20，優(yōu)選為3至20。其具體實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、 異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2-乙基己 基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟 丁基、全氟己基和全氟辛基。優(yōu)選的烷基是戊基、異戊基、己基、辛基、 2-乙基己基、癸基和3,7-二甲基辛基，從而平衡觀點如有機溶劑中的溶解 度、器件特性和易于合成以及耐熱性。
所述烷氧基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的，并且碳原子數(shù)通常約為l至 20，優(yōu)選為3至20。其具體實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、 丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛 氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基、 三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲 基氧基和2-甲氧基乙基氧基。優(yōu)選的烷氧基是戊氧基、己氧基、辛氧基、 2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基，從而平衡觀點如有機溶劑中 的溶解度、器件特性和易于合成以及耐熱性。
所述烷硫基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的，并且碳原子數(shù)通常約為l至 20，優(yōu)選為3至20。其具體實例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、 丁硫基、異丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、辛 硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、月桂硫基和 三氟甲硫基。優(yōu)選的垸硫基是戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、 癸硫基和3,7-二甲基辛硫基，從而平衡觀點如有機溶劑中的溶解度、器件 特性和易于合成以及耐熱性。
所述芳基是通過從芳族烴上除去單個氫原子獲得的殘留的原子團，并 且包括具有稠環(huán)的芳基以及具有直接或通過基團如亞乙烯基連接到上面 的兩個或更多個獨立的苯環(huán)或稠環(huán)的芳基。所述芳基通常具有約6至60個 碳原子，并且優(yōu)選7至48個碳原子。其具體實例包括苯基、d-d2烷氧基苯 基(C,-C,2表示碳原子數(shù)為1至12并且以下也采用該相同的定義)、C,-C，2烷 基苯基、l-萘基、2-萘基、l-蒽基、2-蒽基、9-蒽基和五氟苯基并且考慮到 在有機溶劑中的溶解度、器件特性和易于合成等，優(yōu)選CVC,2烷氧基苯基 和C,-d2烷基苯基。d-d2垸氧基的具體實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、 異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、
庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基和 月桂氧基。
CrCu烷基苯基的具體實例包括甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、 丙基苯基、2，4,6-三甲苯基、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、異丁 基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛 基苯基、壬基苯基、癸基苯基和十二烷基苯基。
所述芳氧基通常具有約6至60并且優(yōu)選7至48個碳原子。其具體實例包 括苯氧基、(VC,2烷氧基苯氧基、C,-C,2烷基苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧 基和五氟苯氧基，并且考慮到在有機溶劑中的溶解度、器件特性和易于合 成等，優(yōu)選Crd2烷氧基苯氧基和Crd2烷基苯氧基。
C,-C,2烷氧基的具體實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、 丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛 氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基和月桂氧基。
C,-d2垸基苯氧基的具體實例包括甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基 苯氧基、丙基苯氧基、1,3，5三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧 基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯 氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基 和十二垸基苯氧基。
所述芳硫基通常具有約3至60個碳原子。其具體實例包括苯硫基、 C,-C,2烷氧基苯硫基、CrC2烷基苯硫基、l-萘硫基、2-萘硫基和五氟苯硫 基?？紤]到在有機溶劑中的溶解度、器件特性和易于合成等，優(yōu)選的芳硫 基是CrQ2烷氧基苯硫基和Crd2垸基苯硫基。
所述芳垸基通常具有約7至60個并且優(yōu)選7至48個碳原子。其具體實例 包括苯基-d-Cu垸基、d-C,2烷氧基苯基-d-d2烷基、d-C,2烷基苯基 -^^12垸基、l-萘基-CVC,2烷基和2-萘基-CrC,2烷基。考慮到在有機溶劑 中的溶解度、器件特性和易于合成等，優(yōu)選的芳烷基是Crd2垸氧基苯基
-Ci-Ci2'綜基禾QCi-Ci2院基苯基-Ci-Ci2'院基。
所述芳基垸氧基通常具有約7至60個并且優(yōu)選7至48個碳原子。其具體 實例包括苯基-CVd2垸氧基，如苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、
苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基或苯基辛氧基；C,-C,2烷氧基苯基 一d-C,2烷氧基；d-d2烷基苯基-d-d2烷氧基；l-萘基-C,-d2垸氧基；和
2-萘基-d-d2垸氧基。考慮到在有機溶劑中的溶解度、器件特性和易于合 成等，優(yōu)選的芳基烷氧基是Crd2烷氧基苯基-Q-d2烷氧基和d-d2烷基苯
基-C廠Ci2院氧基。
所述芳基烷硫基通常具有約7至60個并且優(yōu)選7至48個碳原子。其具體 實例包括苯基-CVd2烷硫基；Crd2烷氧基苯基-d-Q2垸硫基；d-Cu烷基 苯基-CrC,2垸硫基；l-萘基-C,-C,2烷硫基；和2-萘基-d-C，2烷硫基?？紤] 到在有機溶劑中的溶解度、器件特性和易于合成等，優(yōu)選的芳基烷硫基是 C,-C,2烷氧基苯基-C,-d2垸硫基和d-d2垸基苯基-d-d2垸硫基。
所述芳基鏈烯基通常具有約8至60個碳原子。其具體實例包括苯基
-C2-d2鏈烯基、d-d2垸氧基苯基-C2-d2鏈烯基、Crd2烷基苯基-Q-d2 鏈烯基、l-萘基-C2-d2鏈烯基和2-萘基-C2-d2鏈烯基；并且考慮到在有機 溶劑中的溶解度、器件特性和易于合成等，優(yōu)選C,-d2垸氧基苯基-C2-C。
鏈烯基和CVd2烷基苯基-Crd2鏈烯基。
所述芳基炔基通常具有約8至60個碳原子。其具體實例包括苯基
-02-(:12炔基、Q-C,2垸氧基苯基-C2-d2炔基、CrC,2烷基苯基-C2-d2炔基、
1- 萘基-C2-d2炔基和2-萘基-C2-d2炔基；并且考慮到在有機溶劑中的溶解 度、器件特性和易于合成等，優(yōu)選C,-d2垸氧基苯基-C2-d2炔基和CrC,2
烷基苯基-Crd2炔基。
所述取代的氨基可以包括用選自烷基、芳基、芳垸基和一價雜環(huán)基中 的一個基團或兩個基團取代的氨基。所述垸基、芳基、芳烷基或一價雜環(huán) 基可以具有取代基。取代的氨基除取代基的碳原子數(shù)以外的碳原子數(shù)通常
約為1至60，并且優(yōu)選為2至48。
具體實例包括甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基 氨基、二丙基氨基、異丙基氨基、二異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、 叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、環(huán)己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、
2- 乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3,7-二甲基辛基氨基、月桂基氨 基、環(huán)戊基氨基、二環(huán)戊基氨基、環(huán)己基氨基、二環(huán)己基氨基、吡咯烷基、
哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、d-C,2烷氧基苯基氨
基、二(CrC,2垸氧基苯基)氨基、二(Q-d2烷基苯基)氨基、l-萘基氨基、
2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡
嗪基氨基、三嗪基氨基(triazylamino group)、苯基-C廣C,2烷基氨基、C,-C12 垸氧基苯基-d-C,2烷基氨基、d-d2烷基苯基-d-d2烷基氨基、二(C,-Q2 烷氧基苯基-C,-C,2烷基)氨基、二(Q-d2烷基苯基-d-C,2垸基)氨基、1-萘 基-d-d2烷基氨基和2-萘基-C,-d2垸基氨基。
所述取代的甲硅烷基可以包括用選自垸基、芳基、芳烷基和一價雜環(huán) 基中的l、 2或3個基團取代的甲硅烷基。所述取代的甲硅烷基通常具有約l 至60個碳原子，并且優(yōu)選3至48個碳原子。注意烷基、芳基、芳烷基和一 價雜環(huán)基可以具有取代基。
其具體實例包括三甲代甲硅垸基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、 三異丙基甲硅垸基、二甲基-異丙基甲硅垸基、二乙基-異丙基甲硅烷基、 叔丁基甲硅垸基二甲基甲硅垸基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅 烷基、庚基二甲基甲硅垸基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲 硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3,7-二甲基辛基-二 甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-CrQ2烷基甲硅垸基、CrCl2
烷氧基苯基-d-C,2垸基甲硅烷基、Q-d2烷基苯基-C廣C,2院基甲硅垸基、
l-萘基-Crd2烷基甲硅烷基、2-萘基-d-d2烷基甲硅垸基、苯基-C廣C,2烷 基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅垸基、三-對二甲苯基甲硅烷基、三芐基甲 硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基和二甲基苯基甲硅
院基o
鹵原子的實例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
?；ǔ＞哂屑s2至60個碳原子，并且優(yōu)選2至18個碳原子。其具體實 例包括乙?；?、丙?；⒍□；惗□；?、戊酰基、苯甲?；?、三氟乙 酰基和五氟苯甲?；?。
酰氧基通常具有約2至20個碳原子，并且優(yōu)選2至18個碳原子。其具體 實例包括乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、戊酰氧基、苯甲 酰氧基、三氟乙酰氧基和五氟苯甲酰氧基。
所述亞胺殘基指通過從亞胺化合物上除去一個氫原子獲得的殘基。所 述亞胺化合物是在分子內(nèi)包含^=。-的有機化合物。亞胺化合物的實例可 以包括醛亞胺、酮亞胺和其中用垸基等取代醛亞胺或酮亞胺的N原子上的
氫原子的化合物。亞胺殘基通常具有約2至20個碳原子，并且優(yōu)選2至18個
碳原子。其具體實例包括由下列結(jié)構(gòu)式表示的基團。
所述酰胺基具有約2至20個碳原子，并且優(yōu)選2至18個碳原子。其具體 實例包括甲酰胺基、甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰 胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙 酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙酰胺基)、二(五氟苯甲酰 胺基)。
所述酰亞胺基可以是通過除去結(jié)合到酰亞胺的氮原子上的氫原子獲 得的殘基，并且具有約4至20個碳原子。其具體實例包括下面表示的基團。
一價雜環(huán)基指通過從雜環(huán)化合物上除去一個氫原子獲得的原子團，并 且通常具有約4至60個碳原子，并且優(yōu)選4至20個碳原子。注意雜環(huán)基的碳
原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)。在此雜環(huán)化合物指具有環(huán)結(jié)構(gòu)的有機化 合物，所述環(huán)結(jié)構(gòu)可以不必單獨由碳原子組成，并且可以包含雜原子，如 氧、硫、氮、磷、硼或硅。 一價雜環(huán)基的具體實例包括噻吩基、C,-C,2烷 基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、d-C,2垸基吡啶基、哌啶基、喹啉 基和異喹啉基；并且優(yōu)選噻吩基、d-C,2烷基噻吩基、吡啶基和C,-d2烷基 吡啶基。
所述取代的羧基可以包括用垸基、芳基、芳烷基或一價雜環(huán)基取代的 羧基，并且通常具有約2至60個碳原子，并且優(yōu)選2至48個碳原子。其具體 實例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基 羰基、異丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環(huán)己氧 基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸
氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、 五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、 苯氧基羰基、萘氧基羰基和吡啶氧基羰基。注意所述烷基、芳基、芳垸基 或一價雜環(huán)基可以具有取代基。注意取代的羧基的碳原子數(shù)不包括取代基 的碳原子數(shù)。
二價芳族胺基指通過從芳族胺化合物上除去兩個氫原子獲得的原子 團。所述基團可以具有取代基。二價芳族胺基的具體結(jié)構(gòu)由下式(l)的結(jié)構(gòu)表不。<formula>formula see original document page 41</formula>
在式中，Ar" Ar2、 Ar3和Ai"4各自獨立地表示亞芳基或二甲雜環(huán)基； Ar5、 Ar6、 Ar7和Arg各自獨立地表示芳基或一價雜環(huán)基；An、 Ar2、 Ar3、 Ar4、 Ar5、 Ar6和Ar7可以具有取代基；并且x和y各地獨立地表示O或正整數(shù)。 對取代基的種類沒有特別限制。考慮到溶解度、熒光性能、易于合成和得 到的器件的特性，取代基的優(yōu)選實例包括烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基鏈烯基、芳基 炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、鹵原子、酰基、 酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的羧基、 硝基和氰基。
二價芳族胺基的實例包括由下式133至140表示的基團。[式24]<formula>formula see original document page 42</formula><formula>formula see original document page 42</formula>[式26]
<formula>formula see original document page 43</formula>上式的R與在式1至132中所定義的相同。
為了增加聚合物化合物在有機溶劑中的溶解度，聚合物化合物優(yōu)選包 含與氫原子不同的一個或多個原子，并且包含取代基的重復單元的形態(tài)的 對稱性優(yōu)選是低的。
在上述式中，當R是包含烷基的取代基時，為了增加聚合物化合物在 有機溶劑中的溶解度，優(yōu)選含有一個或多個環(huán)狀或支鏈垸基。此外，在上 述式中，當R部分含有芳基或雜環(huán)基時，這些基團可以具有一個或多個取 代基?？紤]到調(diào)節(jié)發(fā)光波長，在由式133至140表示的結(jié)構(gòu)之中，優(yōu)選由式 134和137表示的結(jié)構(gòu)。
考慮到調(diào)節(jié)發(fā)光波長、器件性能等，由上式(l)表示的重復單元優(yōu)選包 含各自獨立地表示亞芳基的Ar,、 Ar2、 Ar3和Ai"4以及各自獨立地表示芳基 的Ar" Ar6和Aiv。
優(yōu)選Aq、Ar2和Ar3各自獨立地表示未取代的亞苯基、未取代的聯(lián)苯基、 未取代的亞萘基或未取代的蒽-二基。
考慮到在有機溶劑中的溶解度、器件性能等，優(yōu)選Ars、 Ar6和Ar7各自 獨立地表示包含三個以上取代基的芳基。更優(yōu)選地，Ar5、 Ar6和Ar7表示包 含三個以上取代基的苯基；包含三個以上取代基的萘基；或包含三個以上 取代基的蒽基。還更優(yōu)選地，Ar5、 Ar6和A"表示包含三個以上取代基的苯 在它們之中，優(yōu)選Ars、 Ar6和Af7各自獨立地表示下式(9)，并且滿足關(guān) 系x+yS3，更優(yōu)選乂+丫= l并且還更優(yōu)選x-l和y-O。
<formula>formula see original document page 44</formula>
在式中，Re、 Rf^PRg各自獨立地表示烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基垸硫基、芳基鏈烯基、芳基 炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅垸基、甲硅垸氧基、取 代的甲硅烷氧基、 一價雜環(huán)基或鹵原子?？梢杂梅尤芜x取代在Re、 Rf 和Rg中包含的氫原子。
更優(yōu)選地，在式(9)中，Re和Rf各自獨立地表示含3個以下碳原子的烷 基、含3個以下碳原子的烷氧基或含3個以下碳原子的烷硫基；并且Rg是含 3至20個碳原子的烷基、含3至20個碳原子的垸氧基或含3至20個碳原子的 烷硫基。
在由式(9)表示的重復單元中，Ai"2優(yōu)選表示由下式(9-l)或(9-2)表示的基團。
<formula>formula see original document page 44</formula>
<formula>formula see original document page 44</formula>
在式中，在由(9-l)或(9-2)表示的結(jié)構(gòu)中包含的一個或多個苯環(huán)各自獨 立地包含一個以上且四個以下的取代基；該取代基可以相同或不同；多個
取代基可以連接以形成環(huán)；并且所述一個或多個苯環(huán)可以連接到另一個芳 族烴環(huán)或雜環(huán)上。
在由式(1)表示的重復單元之中，特別優(yōu)選的具體實例由下式141和142
表不。 [式29]
<formula>formula see original document page 45</formula>
<formula>formula see original document page 45</formula>
考慮到器件性能、易于合成、熒光強度等，用于形成高分子LED的發(fā) 光層的優(yōu)選聚合物包含由式(1)和下式(2)至(8)中的表示的任何一個重復單 元。
<formula>formula see original document page 45</formula>[式30]
在式中，環(huán)A和環(huán)B各自獨立地表示可以具有取代基的芳族烴環(huán)；兩 個鍵分別存在于環(huán)A和/或環(huán)B上；并且Ri和R2各自獨立地表示取代基。
<formula>formula see original document page 46</formula>(3)
在式中，環(huán)A和環(huán)B表示與上述那些相同的環(huán)；兩個鍵分別存在于環(huán)A 和/或環(huán)B上；Z表示-O-、 -S-、 -S(=0)-、 -S(K))(=0)-、 -N(R3)-、 -Si(R3)(R4)-、 -P(K))(R3)-、 -P(R3)-、 -B(R3)-、 -C(R3)(R4)-0-、 -C(R3^N-或-Se-;并且&
和R4各自獨立地表示取代基。<formula>formula see original document page 46</formula>(4)
在式中，Rs表示取代基；n表示0至4的整數(shù)；并且當存在多個R5時， 它們可以相同或不同。
在式中，R8、 R9、 Rk)和Ru表示取代基；q和r各自獨立地表示0至4的 整數(shù)；并且當存在多個Rs和R9時，它們可以相同或不同。<formula>formula see original document page 48</formula>
在式中，R,2表示取代基；u表示0至2的整數(shù)；Ars和Ar9各自獨立地表 示亞芳基，二價雜環(huán)基或包含金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價基團；s和t各自獨立 地表示0或1; X!表示-O-、 -S-、 -S(=0)-、 -S02-、 -Se-或-Te-;并且當存在 多個R,2時，它們可以相同或不同。 [式36]
<formula>formula see original document page 48</formula>
在式中，Aru)和A"各自獨立地表示亞芳基，二價雜環(huán)基或包含金屬 配合物結(jié)構(gòu)的二價基團；v和w各自獨立地表示O或l; X2表示-0-、 -S-、 -S(=0)-、 -S02-、 -Se-、 -Te-、-服14-或-8111151116-。
式(2)的具體結(jié)構(gòu)可以包括由下式2-l至2-17表示的結(jié)構(gòu)。
<formula>formula see original document page 49</formula><formula>formula see original document page 50</formula>
在式中，R,和R2表示取代基，并且考慮到溶解度和易于合成，優(yōu)選氫 原子、垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷 氧基、芳基垸硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷 基、取代的甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞 胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的羧基、硝基或氰基。這些基團的實例與 上述那些相同。在這些取代基之中，優(yōu)選的是烷基、烷氧基、芳基和芳氧 基。Ri和R2可以相互連接以形成環(huán)。
式(3)的實例可以包括由下式3-l至3-12表示的結(jié)構(gòu)。
3-幼 3"11
在式中的R的實例與上述R相同，并且優(yōu)選的R是垸基、垸氧基、芳基 和芳氧基?？梢杂萌〈鵕取代在式中的多個氫原子。R3和R4表示取代基， 并且考慮到溶解度、易于合成等，優(yōu)選表示氫原子、烷基、垸氧基、烷硫 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧基、芳基垸硫基、芳基鏈 烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅垸基、鹵原 子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、 取代的羧基、硝基或氰基。這些基團的實例與上述那些相同。在這些取代 基之中，優(yōu)選的是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。考慮到溶解度，該結(jié)構(gòu) 優(yōu)選包含一至三個烷基、垸氧基、芳基或芳氧基。
在式(4)至(8)中的Rs、 Re、 R7、 R8、 R9、 R12、 R13、 R14、 1115和1116的實 例包括氫原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、 芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、 甲硅烷基、取代的甲硅烷基、鹵原子、?；?、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、 酰亞胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的羧基、硝基和氰基。這些基團的實 例與上述那些相同。在這些取代基之中，優(yōu)選的是垸基、烷氧基、芳基和 芳氧基。在式(6)中的R,o和Ru的實例包括氫原子、烷基、垸氧基、垸硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基鏈烯基、 芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅垸基、鹵原子、酰 基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、 一價雜環(huán)基、羧基、取代的 羧基、硝基和氰基。這些基團的實例與上述那些相同。在這些取代基之中， 優(yōu)選的是氫原子、烷基和芳基。
式(7)的實例可以包括下列結(jié)構(gòu)。<formula>formula see original document page 53</formula>
在式中的R的實例與上述R相同，并且優(yōu)選的R是垸基、烷氧基、芳基 和芳氧基。
在式(8)中的優(yōu)選實例包括下列結(jié)構(gòu)。<formula>formula see original document page 54</formula>
在式中的R的實例與上述R相同，并且優(yōu)選的R是烷基、垸氧基、芳基 和芳氧基。
當通過使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成高分子LED的空穴傳輸層時，在 組合物中含有的優(yōu)選聚合物包括聚乙烯基咔唑或其衍生物；聚硅烷或其衍 生物；在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物；吡唑啉衍生物；芳 基胺衍生物；芪衍生物；三苯基二胺衍生物；聚苯胺或其衍生物；聚噻吩 或其衍生物；聚吡咯或其衍生物；聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物；聚 (2，5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物；和作為用于形成發(fā)光層的實例提及的 沐n切0
當通過使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成高分子LED的電子傳輸層時，在 組合物中含有的優(yōu)選聚合物包括聚喹啉、聚喹喔啉和作為用于形成發(fā)光層 的實例提及的其它聚合物。
根據(jù)本發(fā)明的組合物中含有的聚合物可以通過在由通式(10)和(11)以 及通式(12)和/或(13)表示的單體之間進行反應(yīng)而制備。 K'-Ar12-K2 (10)
式41]
K3-Ar13-K4 (11) Ks-L, (12) K6-L2 (13)
在式中，Ar，2和A 各自獨立地表示亞芳基、二價雜環(huán)基、包含金屬 配合物結(jié)構(gòu)的二價基團或二價芳族胺基；L,和L2獨立地表示端基；Id、 K2、 K3、 K4、 Ks和K6各自獨立地表示離去基團；并且注意L和L2彼此不同。
所述離去基團的實例可以包括鹵原子、烷基磺酰氧基、芳基磺酰氧基 和-B(ORn)2，其中Ru表示氫原子或烷基。
鹵原子的實例可以包括氯原子、溴原子和碘原子；優(yōu)選氯原子和溴原 子；并且最優(yōu)選溴原子。垸基磺酰氧基可以被氟原子任選取代，并且該基 團的實例可以包括三氟甲烷磺酰氧基。芳基磺酰氧基可以被垸基任選取 代，并且該基團的實例可以包括苯基磺酰氧基和甲苯磺酰氧基 (trisulfonyloxy)。
在由-B(OR,7)2表示的基團中，R,7表示氫原子或烷基。該垸基通常具
有約1至20個碳原子。該烷基的實例可以包括甲基、乙基、丙基、丁基、 己基、辛基和十二烷基。所述垸基可以相互連接以形成環(huán)。
在下面示出了由-B(ORn)2表示的基團的具體實例。 [式42]
<formula>formula see original document page 55</formula>
在它們之中，優(yōu)選的實例是在下面示出的。
乂狂Z， 、H * 、一《山，
通式(12)和(13)的單體的總加入量相對于通式(10和(11的單體的總加 入量通常為0.1至10摩爾％，優(yōu)選為02至5摩爾％,并且更優(yōu)選為0.5至3摩爾 %。
用于制備根據(jù)本發(fā)明的聚合物的方法的實例可以包括通過Suzuki反
應(yīng)使適合的上述單體聚合的方法(Chem.Rev.，第95巻，第2457頁(1995)); 通過格利雅反應(yīng)的聚合方法(Polymer Functional Material Series,第2巻， Synthesis and Reaction of Polymers (2)，第432-3頁，由Kyoritsu Shuppan Co., Ltd.出版)；通過Yamamoto聚合方法的聚合方法(Prog.polym. Sci.，第17巻， 第1153-1205頁，1992);使用氧化劑如FeCl3的聚合方法；以及電化學氧化 聚合方法(The Fourth Series of Experimental Chemistry,第28巻，第339-340 頁，由MamzenCo.,Ltd.出版)。
在此，描述利用Suzuki反應(yīng)的情況。在這種情況下，使用例如這些單 體，其中K,和K2各自獨立地表示-B(ORn)2，其中Ru表示氫原子或烷基； K3和K4各自獨立地表示鹵原子、院基磺酰氧基或芳基磺酰氧基；Ks表示 -B(ORI7)2，其中Rn表示氫原子或烷基；并且K6表示鹵原子、垸基磺酰氧 基或芳基磺酰氧基。在Pd(O)催化劑的存在下進行在這些單體之間的反應(yīng) 以，制備聚合物。
在上述情況下，在其中將在反應(yīng)使用的兩種或更多種包含兩個離去基 團的單體中的至少一種是包含兩個-B(ORn)2(其中R47表示氫原子或垸基) 的單體；并且所述的兩種或更多種單體中的至少一種是包含兩個鹵原子、 烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基的單體的反應(yīng)之中，通常通過在由式(10)和 (11)表示的單體之間進行反應(yīng)約1至100小時，將單體(12)加入到體系中，并 且進行反應(yīng)約0.5至50小時，然后將單體(13)加入到體系中，并且進行反應(yīng)
約0.5至50小時，來進行反應(yīng)步驟。
作為Pd(O)催化劑，使用例如鈀[四(三苯膦)]、乙酸鈀等。將1以上當量， 優(yōu)選1至10當量的無機堿如碳酸鉀、碳酸鈉或氫氧化鋇；有機堿如三乙胺； 以及無機鹽如氟化銫加入到單體中以進行反應(yīng)。可以通過在兩相體系中使 用無機鹽水溶液進行反應(yīng)。溶劑的實例可以包括N,N-二甲基甲酰胺、甲苯、 二甲氧基-乙烷或四氫呋喃。根據(jù)溶劑，反應(yīng)溫度優(yōu)選為約50至160。C?？?以將體系加熱至溶劑的沸點左右，然后回流。反應(yīng)時間為約1至200小時。
描述利用Yamamoto聚合方法的情況。在這種情況下，使用例如這些 單體，其中K,、 K2、 K3、 K4、 Ks和K6各自獨立地表示鹵原子、烷基磺酰氧 基或芳基磺酰氧基。在Ni(O)配合物的存在下進行在這些單體之間的反應(yīng)， 以制備聚合物。通常，通過將所有單體(10)至(13)混合，進行反應(yīng)。
作為使用Ni(O)配合物(零價鎳配合物)的方法，有使用零價鎳本身的方 法，和在還原劑的存在下進行鎳鹽的反應(yīng)以制備零價鎳并且在反應(yīng)中使用 零價鎳的方法。零價鎳配合物的實例可以包括雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)、(亞 乙基)雙(三苯膦)鎳(O)和四(三苯膦)鎳。考慮到適于多種用途并且廉價，在 這些之中，優(yōu)選雙(l，5-環(huán)辛二烯)鎳(0)。考慮到增加產(chǎn)率，優(yōu)選加入中性 配體。中性配體指沒有陰離子或陽離子的配體。中性配體的實例可以包括 含氮配體，如2,2，-聯(lián)吡啶、1,10-菲咯啉、亞甲基雙噁唑啉或N,N'-四甲基 乙二胺；以及叔膦配體，如三苯膦、三甲苯基膦、三丁基膦或三苯氧基膦。 考慮到適于多種用途并且廉價，優(yōu)選含氮配體，并且考慮到高反應(yīng)性和高 產(chǎn)率，特別優(yōu)選2，2'-聯(lián)吡啶。特別是，考慮到增加聚合物的產(chǎn)率，優(yōu)選含 有其中加入2,2，-聯(lián)吡啶的雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)的體系。在將零價鎳用于反 應(yīng)體系的方法中，鎳鹽的實例可以包括氯化鎳或者乙酸鎳。還原劑的實例 可以包括鋅、氫氧化鈉、肼及其衍生物和氫化鋁鋰。必要時，可以加入添 加劑，如碘化銨、碘化鋰或碘化鉀。對聚合溶劑沒有特別限制，只要溶劑 不抑制聚合即可，但是溶劑優(yōu)選含有一種或多種芳族烴溶劑和/或醚溶劑。 在此，芳族烴溶劑的實例可以包括苯、甲苯、二甲苯、三甲基苯、四甲 基苯、丁苯、萘和四氫化萘；并且優(yōu)選甲苯、二甲苯、四氫化萘和四甲基 苯。醚溶劑的實例可以包括二異丙基醚、四氫呋喃、1,4-二噁垸、二苯 醚、乙二醇二甲醚和叔丁基甲基醚；并且優(yōu)選四氫呋喃和l，4-二噁垸，即
聚合物的良溶劑。在溶劑之中，最優(yōu)選四氫呋喃。考慮到提高可聚合性和 溶解度，可以使用芳族烴溶劑和/或醚溶劑以及與芳族烴溶劑不同的溶劑和 醚溶劑的混合溶劑，只要混合溶劑不抑制聚合反應(yīng)即可。
反應(yīng)步驟等可以根據(jù)例如在JP-A-2000-44544中所示的方法進行。在 Yamamoto聚合方法中，例如，通常在惰性氣體氣氛如氬氣或氮氣下、在 四氫呋喃溶劑中、在60。C的溫度下、在零價鎳配合物和中性配體的存在下 進行聚合反應(yīng)。聚合時間通常為約0.5至100小時，但是考慮到生產(chǎn)成本， 優(yōu)選10小時以下。聚合溫度通常為約0至200。C，但是考慮到高產(chǎn)率和低的 加熱成本，優(yōu)選20至100。C。
在使用中性配體的情況下，考慮到反應(yīng)產(chǎn)率和成本，所用的中性配體 的量相對于每1摩爾零價鎳配合物優(yōu)選為約0.5至10摩爾，更優(yōu)選為約0.8至 1.5摩爾，并且更優(yōu)選0.9至U摩爾。
對所用的零價鎳配合物的量沒有特別限制，只要配合物不抑制聚合反 應(yīng)即可。然而，當配合物的量太小時，得到的聚合物趨向于具有低分子量。 當配合物的量太大時，后處理趨向于繁重。相對于l摩爾單體，配合物的 量優(yōu)選為0.1至10摩爾，更優(yōu)選為1至5摩爾，并且還更優(yōu)選為2至3.5摩爾。
當使用聚合物作為高分子LED的發(fā)光材料時，優(yōu)選通過諸如蒸餾、升 華純化或者重結(jié)晶的方法純化在聚合之前的單體，然后使單體聚合。在合 成聚合物之后，可以進行純化處理，例如分餾，如再沉淀純化或者色譜。
在根據(jù)本發(fā)明的組合物中含有的聚合物可以是一種，或者兩種或更多 種。當組合物含有兩種或更多種聚合物時，組合物可以含有不傳輸電荷的 聚合物或不發(fā)光的聚合物。
對于根據(jù)本發(fā)明的組合物的穩(wěn)定性，優(yōu)選從自制備出組合物開始經(jīng)過 30天之后的粘度變化在制備時的粘度的±5%之內(nèi)，并且從制備出組合物開 始經(jīng)過90天之后的粘度變化在制備時的粘度的±5%之內(nèi)。
使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成薄膜的方法的實例包括諸如旋涂法、流 延法、微型凹板涂布法、凹板涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂法、浸 涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法和噴墨法之類的成 膜法。在所述方法之中，根據(jù)本發(fā)明的組合物特別適于用噴墨法形成膜。
噴墨法通過將聚合物溶于溶劑中并且用噴墨設(shè)備等分配聚合物進行。
在制備溶液時，溶液可以含有添加劑或摻雜劑。噴墨法的優(yōu)點在于可以分 別涂上不同的顏色，并且可以在小的材料損耗的情況下有效地利用材料。
薄膜厚度的最佳值根據(jù)所用的材料和用途不同。膜厚度為例如lnm至 lpm，優(yōu)選為2nm至500nm，并且還優(yōu)選為5nm至200nm。
根據(jù)本發(fā)明的組合物的特征在于，使用該組合物形成具有均勻的厚度 的薄膜。當使用膜作為高分子LED的發(fā)光層時，具有均勻的厚度的薄膜導 致更小的發(fā)光不均勻性，并且具有這種高分子LED的器件具有更長的亮度 半衰期。在此，均勻的膜優(yōu)選指的是特別在膜的中央部分具有平面剖面 (profiles)的膜。因為發(fā)光不均勻性小，具有略凸或凹的剖面的膜不導致問 題。然而，具有很凹的剖面的薄膜導致顯著的發(fā)光不均勻性，并且具有這 種膜的器件具有更短的亮度半衰期。有各種用于測量薄膜的剖面的方法。 例如，有一種這樣的方法將液化的組合物注入注射器中，用連接高精度 針的注射器將組合物分配到玻璃基板上，將組合物干燥，然后用干涉顯微 鏡測量干燥的薄膜的剖面。可以將薄膜在室溫或高溫下、在常壓或減壓下 干燥。
薄膜的剖面可以通過觀察剖面在視覺上評價，但是還可以基于膜的中 央部分的膜厚度和膜的最厚部分的膜厚度評價。即，考慮到降低發(fā)光不均 勻性，通過將最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度獲得的值優(yōu)選 等于或小于1.50，更優(yōu)選等于或小于1.35，還更優(yōu)選等于或小于1.20，甚至 更優(yōu)選等于或小于I.IO，并且還甚至更優(yōu)選等于或小于1.05。
根據(jù)本發(fā)明的高分子LED包含在由陽極和陰極組成的電極之間的發(fā) 光層，并且其特征在于使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明 的高分子LED包括至少包含在電極和發(fā)光層之間與一個電極相鄰的含導 電聚合物層的高分子發(fā)光器件；和至少包含在電極和發(fā)光層之間與一個電 極相鄰的平均膜厚度等于或小于2nm的絕緣層的高分子發(fā)光器件。
而且，根據(jù)本發(fā)明的高分子LED的實例包括
通過將電子傳輸層安置在陰極和發(fā)光層之間形成的高分子LED;
通過將空穴傳輸層安置在陽極和發(fā)光層之間形成的高分子LED;以及
通過將電子傳輸層安置在陰極和發(fā)光層之間并且將空穴傳輸層安置 在陽極和發(fā)光層之間形成的高分子LED 。根據(jù)本發(fā)明的高分子LED的結(jié)構(gòu)的具體實例包括下列結(jié)構(gòu)a)至d)。
a) 陽極/發(fā)光層/陰極
b) 陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極
c) 陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極
d) 陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極 (其中標記7"表示各個層以彼此相鄰的方式層疊。)
在此，發(fā)光層是具有發(fā)光的功能的層；空穴傳輸層是具有傳輸空穴的 功能的層；并且電子傳輸層是具有傳輸電子的功能的層。注意電子傳輸層 和空穴傳輸層統(tǒng)稱為電荷傳輸層?？梢詫l(fā)光層、空穴傳輸層和電子傳輸 層獨立地以兩層或更多層的形式使用。
在一些情況下，在與電極相鄰安置的電荷傳輸層之中，通常將具有提 高來自電極的電荷注入效率的功能和降低器件的驅(qū)動電壓的作用的電荷 傳輸層特別稱為電荷注入層(空穴注入層、電子注入層)。
為了提高與電極的粘附性并且改善來自電極的電荷注入，可以以與電 極相鄰的形式安置電荷注入層或厚度等于或小于2nm的絕緣層。備選地， 為了提高與界面的粘附性或者防止污染，可以將薄的絕緣層插入到電荷傳 輸層和發(fā)光層之間的界面?？紤]到器件的發(fā)光效率和壽命，可以適當?shù)卦O(shè) 置層疊的層的順序、數(shù)量和厚度。
在本發(fā)明中，作為具有在其中安置的電荷注入層(電子注入層、空穴 注入層)的高分子LED，可以提及的有具有與陰極相鄰的電荷注入層的高 分子LED，和具有與陽極相鄰的電荷注入層的高分子LED。例如，可以具 體提及下列結(jié)構(gòu)e)至p)。
e) 陽極/電荷注入層/發(fā)光層/陰極
f) 陽極/發(fā)光層/電荷注入層/陰極
g) 陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極
h) 陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極
i) 陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極 j)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極 k)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極 1)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層順極 n)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極 0)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層順極 p)陽極/電荷注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電荷注入層/阱極。
電荷注入層的具體實例包括 含有導電聚合物的層；
在陽極和空穴傳輸層之間形成并且電離勢值在陽極材料的電離勢值 和在空穴傳輸層含有的空穴傳輸材料的電離勢值之間的層；以及
安置在陰極和電子傳輸層之間并且電子親合勢值在陽極材料的電子 親合勢值與電子傳輸層中含有電子傳輸性材料的電子親合勢值之間的層。
當電荷注入層是含有導電聚合物的層時，導電聚合物的電導率優(yōu)選為 10—SS/cm至10、兩者均包含在內(nèi))、更優(yōu)選為10—SS/cm至lC^(兩者均包含在內(nèi)) 并且還優(yōu)選為10—SS/cm至10乂兩者均包含在內(nèi))以降低發(fā)光像素之間的泄漏 電流。
當電荷注入層是含有導電聚合物的層時，導電聚合物的電導率優(yōu)選為 10—SS/cm至10、/cm(兩者均包含在內(nèi))、更優(yōu)選為1(^S/cm至l(^S/cm(兩者均 包含在內(nèi))并且還優(yōu)選為10—SS/cm至l(^S/cm(兩者均包含在內(nèi))以降低發(fā)光 像素之間的泄漏電流。為了將導電聚合物的電導率設(shè)定為10—SS/cm至 10、/cm(兩者均包含在內(nèi))，通常將適當量的離子摻雜到導電聚合物中。
如果將離子摻雜到空穴注入層中，則離子的種類為陰離子，并且如果 將它們摻雜到電子注入層中，則離子的種類為陽離子。陰離子的實例包括 聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子和樟腦磺酸離子。陽離子的實例包括 鋰離子、鈉離子、鉀離子和四丁基銨離子。電荷注入層的膜厚度為lnm至 100nm，并且優(yōu)選為2nm至50nm。
對于用于與電極相鄰的層的材料，可以適當?shù)剡x擇用于電荷注入層的 材料。其實例包括
聚苯胺或其衍生物； 聚噻吩或其衍生物； 聚吡咯或其衍生物；聚亞苯基亞乙烯基或其衍生物； 聚亞噻吩基亞乙烯基或其衍生物； 聚喹啉或其衍生物； 聚喹喔啉或其衍生物；
導電聚合物，如在主鏈或側(cè)鏈中含有芳族胺結(jié)構(gòu)的聚合物；
金屬酞菁(如銅酞菁)；和碳。
膜厚度等于或小于2nm的絕緣層具有促進電荷注入的功能。絕緣層的
材料的實例包括金屬氟化物、金屬氧化物和有機絕緣材料。具有膜厚度等
于或小于2nm的絕緣層的高分子LED的實例包括
具有與陰極相鄰的膜厚度等于或小于2nm的絕緣層的高分子LED;和
具有與陽極相鄰的膜厚度等于或小于2nm的絕緣層的高分子LED。
例如，可以具體提及下列結(jié)構(gòu)q)至ab)。
q)陽極/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/發(fā)光層/陰極
r)陽極/發(fā)光層/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/陰極
s)陽極/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/發(fā)光層/膜厚度等于或小于
2nm的絕緣層/陰極
t)陽極順厚度等于或小于2nm的絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極
u)陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/陰極
v)陽極/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/膜厚度等
于或小于2nm的絕緣層/陰極
w)陽極順厚度等于或小于2nm的絕緣層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極 x)陽極/發(fā)光層/電子傳輸層/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/陰極 y)陽極/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/發(fā)光層/電子傳輸層/膜厚度等
于或小于2nm的絕緣層/陰極
z)陽極/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸
層/陰極
aa) 陽極/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/膜厚度等于或小于2nm的絕 緣層/陰極
ab) 陽極/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳
輸層/膜厚度等于或小于2nm的絕緣層/陰極
發(fā)光層的膜厚度的最佳值根據(jù)所用的材料不同?？梢赃x擇膜厚度使得 驅(qū)動電壓和發(fā)光效率適當?shù)厝≈?。膜厚度是例如lnm至lpm、優(yōu)選為2nm 至500nm，并且還優(yōu)選為5nm至200nm。
還可以使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成發(fā)光層。
當根據(jù)本發(fā)明的高分子LED具有空穴傳輸層時，所用的空穴傳輸材料 的實例包括聚乙烯基咔唑或其衍生物；聚硅烷或其衍生物；在側(cè)鏈或主鏈 中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物；吡唑啉衍生物；芳基胺衍生物；芪衍生 物；三苯基-二胺衍生物；聚苯胺或其衍生物；聚噻吩或其衍生物；聚吡咯 或其衍生物；聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物；和聚(2,5-亞噻吩基亞乙
烯基)或其衍生物。
空穴傳輸性材料的具體實例包括在JP-A-63-70257、 JP-A-63-175860、 JP-A-2-135359 、 JP-A-2-135361 、 JP-A-2-209988 、 JP-A-3-37992禾口 JP-A-3-152184中描述的那些。
在它們之中，作為用于空穴傳輸層的空穴傳輸性材料，可以優(yōu)選提及 的有聚合物空穴傳輸性材料，如聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其 衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺化合物基團的聚硅氧烷衍生物、聚苯 胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物以 及聚(2,5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物；并且更優(yōu)選提及的有聚乙烯基 咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺的聚硅 氧烷衍生物。低分子化合物的空穴傳輸性材料優(yōu)選通過將其分散于聚合物 粘合劑中使用。
聚(N-乙烯基咔唑)或其衍生物可以由乙烯基單體通過陽離子聚合或自
由基聚合得到。
聚硅垸或其衍生物的實例包括在Chem.Rev.，第89巻，第1359頁(1989) 和出版的英國專利說明書GB2300196中描述的化合物。作為其合成方法， 可以使用在這些文件中描述的方法。特別是，可以適當?shù)厥褂肒ipping方法。
在聚硅氧烷或其衍生物中，因為聚硅氧烷骨架結(jié)構(gòu)沒有空穴傳輸性， 所以適當?shù)厥褂迷趥?cè)鏈或主鏈中具有上述低分子量空穴傳輸性材料的結(jié) 構(gòu)的衍生物。特別是，可以提及在側(cè)鏈或主鏈中具有空穴傳輸性芳族胺的
衍生物。
對形成空穴傳輸層膜的方法沒有特別限制。在低分子量的空穴傳輸性 材料的情況下，可以提及由具有聚合物粘合劑的混合溶液形成膜的方法。 在高分子量的空穴傳輸性材料的情況下，可以提及由溶液形成膜的方法。
對用于由溶液形成膜的溶劑沒有特別限制，只要溶劑溶解空穴傳輸性 材料即可。溶劑的實例可以包括用于根據(jù)本發(fā)明的溶液組合物的溶劑。
由溶液形成膜的方法的實例包括旋涂法、流延法、微型凹板涂布法、 凹板涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷 法、苯胺印刷法、膠版印刷法和噴墨法。
作為混合的聚合物粘合劑，優(yōu)選使用不特別抑制電荷傳遞的聚合物粘 合劑。而且，適宜的是使用對可見光沒有強烈吸收的聚合物粘合劑。聚合 物粘合劑的實例包括聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯 酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯和聚硅氧烷。
作為空穴傳輸層的膜厚度，它的最佳值根據(jù)所用的材料變化。可以選 擇膜厚度使得驅(qū)動電壓和發(fā)光效率適當?shù)厝≈?。然而，至少要求具有足?的膜厚度以不產(chǎn)生針孔。因為器件的驅(qū)動電壓增加，不優(yōu)選極厚的膜。因
此，空穴傳輸層的膜厚度為例如lnm至lpm、優(yōu)選為2nm至500nm，并且還 優(yōu)選為5nm至200nm。
也可以使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成空穴傳輸層。
當根據(jù)本發(fā)明的高分子LED具有電子傳輸層時，作為使用的電子傳輸 性材料，可以使用已知的材料。其實例包括
噁二唑金屬配合物、其衍生物；
蒽醌二甲烷(Anthraquinodimethane)、其衍生物；
苯醌或其衍生物；
萘醌或其衍生物；
蒽醌或其衍生物；
四氰基蒽醌-二甲垸或其衍生物；
芴酮衍生物；
二苯基-二氰基乙烯或其衍生物； 二苯酚合苯醌衍生物，或
8-羥基喹啉或其衍生物； 聚喹啉或其衍生物；
聚喹喔啉或其衍生物；以及 聚莉或其衍生物。
具體實例包括在jP-A-63-70257、 JP-A-63-l75860、 JP-A-2-135359、 JP-A-2-135361、 JP-A-2-209988、 JP-A-3-37992和JP-A-3-152184中描述的那些。
在它們之中，優(yōu)選提及的有 噁二唑金屬配合物、其衍生物、
苯醌或其衍生物、 蒽醌或其衍生物，或 8-羥基喹啉或其衍生物； 聚喹啉或其衍生物；
聚喹喔啉或其衍生物；和聚芴或其衍生物，并且 還優(yōu)選提及的有
2-(4-聯(lián)苯基(viphenyl))-5-(4-叔丁基苯基)-l，3,4-噁二唑、苯醌、蒽醌、 三(8-喹啉基)鋁和聚喹啉。
對用于電子傳輸層的成膜方法沒有特別限制。使用低分子量的電子傳 輸性材料的成膜方法的實例包括用于由粉末形成膜的真空沉積法和用于 由溶液或熔融態(tài)形成膜的方法。使用高分子量的電子傳輸性材料的成膜法 的實例包括由溶液或熔融態(tài)形成膜的方法。在由溶液或熔融態(tài)形成膜的方 法中，可以將聚合物粘合劑一起使用。
對用于由溶液形成膜的溶劑沒有特別限制，只要溶劑溶解電子傳輸性 材料和/或聚合物粘合劑即可。溶劑的實例包括
氯基溶劑，如氯仿、二氯甲烷和二氯乙垸；
醚基溶劑，如四氫呋喃；
芳族烴基溶劑，如甲苯和二甲苯；
酮基溶劑，如丙酮和甲基乙基酮；和
酯溶劑，如乙酸乙酯、乙酸丁酯和乙基-乙酸溶纖劑。
作為由溶液或熔融態(tài)形成膜的方法，可以使用涂布方法，如旋涂法、
流延法、微型凹板涂布法、凹板涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂法、 浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、膠版印刷法和噴墨法。
作為混合的聚合物粘合劑，優(yōu)選使用不特別抑制電荷傳遞的聚合物粘 合劑。而且，適合的是使用對可見光沒有強烈吸收的聚合物粘合劑。聚合 物粘合劑的實例包括聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或 其衍生物、聚(對亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基) 或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、 聚苯乙烯、聚氯乙烯和聚硅氧垸。
作為電子傳輸層的膜厚度，它的最佳值根據(jù)所用的材料變化?？梢赃x 擇膜厚度使得驅(qū)動電壓和發(fā)光效率適當?shù)厝≈?。然而，至少要求具有足?的膜厚度以不產(chǎn)生針孔。因為器件的驅(qū)動電壓增加，不優(yōu)選極厚的膜。因 此，電子傳輸層的膜厚度是例如lnm至liim、優(yōu)選為2nm至500nm，并且還 優(yōu)選為5nm至200nm 。
也可以使用根據(jù)本發(fā)明的組合物形成電子傳輸層。
作為在其上形成根據(jù)本發(fā)明的高分子LED的基板，可以使用任何基 板，只要它在形成電極，然后形成有機材料層時不受影響即可。基板的實 例包括由玻璃、塑料、聚合物膜和硅形成的基板。當使用不透明的基板時， 相對的電極優(yōu)選是透明或半透明的。
通常，由陽極和陰極組成的電極中的至少一個是透明或半透明的。陽 極優(yōu)選是透明或半透明的。作為用于陽極的材料，可以使用的有例如導 電金屬氧化物膜和半透明的金屬薄膜。其具體實例包括由下列材料制成的 導電玻璃形成的膜(NESA):例如氧化銦、氧化鋅、氧化錫；和這些的復合 材料，如氧化錫銦(ITO)、銦/鋅/氧化物、金、鉑、銀和銅；并且優(yōu)選ITO、 銦/鋅/氧化物和氧化錫。形成方法的實例包括真空沉積法、濺射法、離子 電鍍法和電鍍法。而且，作為陽極，可以使用的有有機導電膜如聚苯胺 或其衍生物，或聚噻吩或其衍生物。考慮到透光性和電導率，陽極的膜厚 度可以被適當?shù)卦O(shè)定，并且為例如10nm至10iim，優(yōu)選為20nm至l(im，并 且還優(yōu)選50nm至500nm。為了促進電荷的注入，可以將平均厚度為2nm并 且由酞菁衍生物、導電聚合物或碳形成或由金屬氧化物、金屬氟化物或有 機絕緣材料形成的層安置在陽極上。
作為用于根據(jù)本發(fā)明的高分子LED的陰極用材料，優(yōu)選具有小的功函
的材料。所用的材料的實例包括.-
金屬，如鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、
鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱和鐿； 由它們中的至少兩種形成的合金；
由它們中的至少一種與選自金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢和 錫中的一種形成的合金；
石墨；以及石墨嵌入化合物。 合金的實例包括
鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合 金、鋰-銦合金和鈣-鋁合金。陰極可以具有由兩層或更多層組成的層壓結(jié) 構(gòu)?？紤]到電導率和耐久性，陰極的膜厚度可以被適當?shù)卦O(shè)置，并且是例 如10nm至10jim，優(yōu)選為20nm至l)am，并且還優(yōu)選為50nm至500nm。
形成陰極的方法的實例包括真空沉積法、濺射法和其中通過熱壓粘合 形成金屬薄膜的層壓法。而且，還可以將由導電聚合物形成的層、或由例 如金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料形成并且平均膜厚度等于或小 于2nm的層安置在陰極和有機層之間。備選地，在形成陰極后，可以涂覆 用于保護高分子LED的保護層。為了長時間穩(wěn)定地使用高分子LED，可以 優(yōu)選使用保護層和/或保護蓋在外面保護器件。
作為保護層，可以使用的有例如聚合物化合物、金屬氧化物、金屬 氟化物和金屬硼酸鹽。而且，作為保護蓋，可以使用的有例如在其表面 上使用降低滲水性的處理的玻璃片和塑料片。優(yōu)選使用熱塑性樹脂或熱固 性樹脂將蓋與器件的基板緊密粘附，從而將它們密封的方法。通過使用隔 體保持間隔，容易防止器件受損。如果將惰性氣體如氮氣或氬氣引入所述 空間中時，可以防止陰極的氧化。而且，如果在所述空間中放置干燥劑如 氧化鋇，則可以抑制在制造步驟中吸附的含濕量(moisture content)損害器 件。優(yōu)選使用所述方法中的至少一種。
根據(jù)本發(fā)明的高分子發(fā)光器件可以用作段式(segmenttype)顯示器、點 矩陣顯示器和液晶顯示器等的平面光源或背光。
為了通過使用根據(jù)本發(fā)明的高分子LED得到平面發(fā)光，將平面陽極和
平面陰極放置成相互重疊。為了得到圖案化發(fā)光，有
將具有形成圖案的窗口的掩模安置在平面發(fā)光器件的表面上的方法； 將用于不發(fā)光部分的有機材料形成得極厚以基本上不從該部分發(fā)光
的方法；以及
形成陽極或陰極中的任一個或兩個使其具有圖案的方法。根據(jù)所述方 法中的任何一種形成圖案，并且將幾個電極排列成獨立開啟/關(guān)閉。以這種 方式，可以得到能夠顯示數(shù)值、字符和簡單符號的段式顯示器。而且，為 了獲得點矩陣顯示器，可以將陽極和陰極以條狀形式形成，并且排列成相 互垂直交叉。通過分別使用多種發(fā)射顏色不同的聚合物熒光體的方法，或
通過使用濾色鏡或熒光轉(zhuǎn)換濾光器的方法，可以得到分色顯示器(Sector colordisplay)和多色顯示器?？梢詿o源驅(qū)動，并且可以通過與以與例如TFT 組合的形式有源驅(qū)動點矩陣器件。這些顯示器可以用作電腦、電視、便攜 式手提裝置、移動電話、汽車導航、攝像機的取景器等的顯示器。
而且，平面發(fā)光器件是薄膜自發(fā)光器件并且適合用作液晶顯示器的背 光的平面光源或平面照明光源。而且，如果使用柔性基板，則平面發(fā)光器 件還可以用作曲面光源或顯示器。
而且，本發(fā)明的溶液組合物可以用于制備激光染料層、用于有機太陽 能電池的材料、用于有機晶體管的有機半導體，和用于導電薄膜的材料。
實施例
現(xiàn)在，將參考下列實施例更具體說明本發(fā)明，所述實施例將不被解釋 成限制本發(fā)明。
在此，對于數(shù)均分子量和重均分子量，使用凝膠滲透色譜法(GPC)(商 品名由SHIMADZU CORPORATION生產(chǎn)的LC-10Avp)測定相對于聚苯乙 烯的Z平均分子量、數(shù)均分子量和重均分子量。將待測量的聚合物溶于四 氫呋喃中使其濃度為約0.5重量％，并且將50pL這種溶液注入到GPC中。四 氫呋喃用于GPC的流動相，并且以0.6mL/分鐘的速率流動。對于柱子，將 兩根TSKgel SuperHM-H(商品名，由Tosoh Corporation生產(chǎn))和一根TSKgel SuperH2000(商品名，由Tosoh Corporation生產(chǎn))串聯(lián)組合。對于檢測器，使 用差示折光檢測器(商品名由SHIMADZU CORPORATION生產(chǎn)的
RID-10A)。
通過如下方法測量薄膜的剖面將3mL組合物注入注射器中，用連接 高精度針FN-002N(商品名，20jim孔徑，由Musashi Engineering, Inc.生產(chǎn)) 的注射器將組合物分配到玻璃基板上，將組合物在真空減壓下、在常溫下 干燥10分鐘，然后用干涉顯微鏡Micromap557N (商品名，由Micromap Corpomtion生產(chǎn))測量干燥的薄膜的剖面。
(合成實施例l) <聚合物1的合成〉
在氮氣氣氛下，將195.37g下列化合物A、 239.44g下列化合物B和 232.89g 2，2，-聯(lián)吡啶溶解于46.26kg無水四氫呋喃中。之后，將這種溶液加 熱至60。C，將410.15g雙(l，5-環(huán)辛二烯)鎳(0MNi(COD)2)加入其中，從而進 行5小時反應(yīng)。在完成反應(yīng)后，將這種反應(yīng)溶液冷卻至室溫，滴加到8.52kg 25%氨水/16.88 kg甲醇/31.98kg離子交換水的混合溶液中，并且攪拌2小時。 之后，將沉淀的物質(zhì)過濾并且在減壓下干燥。在干燥之后，將該物質(zhì)溶于 16.22 kg甲苯中。在溶解之后，將830gRadiolight加入其中并且將不溶物質(zhì) 過濾。通過氧化鋁柱子純化如此獲得的濾液。隨后，將純化的溶液加入到 13.52kg離子交換水/2.04kg25。/。氨水的混合物中，攪拌0.5小時，并且除去 水層。而且，將13.52kg離子交換水加入到有機層中，攪拌0.5小時，并且 除去水層。將得到的有機層的一部分在減壓下濃縮，并且加入到34.18 kg 甲醇中，并且攪拌l小時。將得到的沉淀物質(zhì)過濾并且在減壓下干燥。得 到的聚合物(以下稱為聚合物1)的產(chǎn)量為234.54 g。聚合物l相對于聚苯乙煉 的數(shù)均分子量為Mn = 1.2xl04。聚合物l相對于聚苯乙烯的重均分子量為 Mw = 7.7 x104。
化合物B
<組合物1的制備>
將0.10g聚合物l溶于3.0 g苯乙醚和7.0 g苯乙酮(沸點202。C)的混合溶
液中以制備組合物l。
制備實施例l <組合物2的制備〉
將0.10g聚合物l溶于3.0g苯甲醚和7.0g二甲苯(沸點137至140。C)的混
合溶液中以制備組合物2。
測量實施例l <組合物2的粘度測量>
測量組合物2的粘度為l.lmPa-s。
實施例2 <薄膜的形成>
使用組合物l，通過上述方法形成薄膜。薄膜的剖面接近如圖l中所示 的平面。通過將最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度獲得的值為 1.15。
比較例l <薄膜的形成>
使用組合物2，通過上述方法形成薄膜。如圖2中所示，薄膜的剖面是 內(nèi)凹的。通過將最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度獲得的值為 2.38。
實施例3 <組合物3的制備>
將0.10g聚合物l溶于3.0g苯乙醚和7.0g雙環(huán)己基(沸點226至228。C) 的混合溶液中以制備組合物3。
實施例4
<組合物3的粘度測量>
測量組合物3的粘度為3.0mPa-s。
實施例5
<組合物3的熒光特性的評價>
將組合物3旋涂在四分之一片上以形成聚合物薄膜。使用激發(fā)波長為 350nm的熒光分光光度計(商品名由JOBINYVON-SPEX生產(chǎn)的Fluorobog)
測量薄膜的熒光光譜。
組合物3的熒光峰波長為457nm。
<組合物4的制備>
將0.10g聚合物l溶于3.0 g苯乙醚和7.0g正十二烷(沸點216。C)的混合 溶液中以制備組合物4。
實施例7 <組合物5的制備〉
將0.10g聚合物l溶于5.0g苯氧基苯酚和5.0g四氫化萘(沸點207。C)的 混合溶液中以制備組合物5。
實施例8
<組合物5的粘度測量>
測量組合物5的粘度為4.1mPa-s。
實施例9 <組合物6的制備>
將0.10g聚合物l溶于7.0g四氫化萘(沸點207。C)和3.0g雙環(huán)己基(沸 點226至228。C)的混合溶液中以制備組合物6。
實施例IO
使用組合物6，通過上述方法形成薄膜。薄膜的剖面接近如圖3中所示 的平面。通過將最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度獲得的值為 1.14。
實施例ll
<組合物6的粘度測量>
測量組合物6的粘度為4.0mPa-s。
實施例12
<組合物7的制備>
將0.10g聚合物l溶于3.0g四氫化萘(沸點207。C)和7.0g2-(l-環(huán)己烯基) 環(huán)己酮(沸點265。C)的混合溶液中以制備組合物7。
實施例13
<組合物7的粘度測量>
測量組合物7的粘度為8.8mPa-s。
實施例14 <組合物8的制備>
將0.10g聚合物l溶于3.0g苯甲酸甲酯(沸點199。C)和7.0g雙環(huán)己基(沸 點226至228。C)的混合溶液中以制備組合物8。
實施例15
<組合物8的粘度測量>
測量組合物8的粘度為3.6mPa-s。
實施例16
<組合物8的熒光特性的評價>
將組合物8旋涂在四分之一片上以形成聚合物薄膜。使用激發(fā)波長為 350nm的熒光分光光度計(商品名由JOBINYVON-SPEX生產(chǎn)的Fluorobog)
測量薄膜的熒光光譜。
組合物8的熒光峰波長為464nm。
權(quán)利要求
1.一種組合物，其包含一種或多種芳族醚化合物、一種或多種沸點等于或高于200℃的化合物以及一種或多種在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光的聚合物，其特征在于，所述沸點等于或高于200℃的化合物選自可以任選包含雜原子的脂族化合物、可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物、包含兩個以下取代基的芳族化合物和包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述沸點等于或高于200。C的化 合物具有等于或低于25。C的熔點。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的組合物，其包含基于所述組合物 的總重量為10至60重量％的芳族醚化合物。
4. 一種組合物，其包含兩種以上除芳族醚化合物以外的沸點等于或高 于100。C的有機化合物以及一種或多種在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光的聚合 物，其特征在于，所述有機化合物的至少一種選自可以任選包含雜原子的 脂族化合物和可以任選包含雜原子的脂環(huán)族化合物，所述脂族化合物和脂 環(huán)族化合物具有等于或高于200。C的沸點。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合物，其中選自沸點等于或高于200。C的 所述脂族化合物和所述脂環(huán)族化合物中的所述有機化合物具有等于或低
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或權(quán)利要求5所述的組合物，其中所述脂環(huán)族化合物 包含碳6元環(huán)結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4至6中任何一項所述的組合物，其以基于所述組合物 的總重量等于或大于30重量％的量包含沸點等于或高于200°(:的所述脂族 化合物或所述脂環(huán)族化合物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任何一項所述的組合物，其中所述聚合物具有 相對于聚苯乙烯為1.0><103至1.0"07的重均分子量。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任何一項所述的組合物，其包含基于所述組合 物的總重量為0.1至5.0重量％的所述聚合物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任何一項所述的組合物，其具有l(wèi)至20mPa-s 的粘度。
11. 一種薄膜，其特征在于，是使用根據(jù)權(quán)利要求1至10中任何一項所 述的組合物形成的。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的薄膜，其中通過將最厚部分的膜厚度除以所述膜的中央部分的膜厚度獲得的值等于或小于1.50。
13. —種高分子發(fā)光器件，所述高分子發(fā)光器件至少包含在由陽極和 陰極組成的電極之間的發(fā)光層，其特征在于，使用根據(jù)權(quán)利要求1至10中 任何一項所述的組合物形成所述發(fā)光層，所述組合物包含一種或多種在固 態(tài)下發(fā)光的聚合物。
14. 一種高分子發(fā)光器件，所述高分子發(fā)光器件至少包含在由陽極和 陰極組成的電極之間的發(fā)光層和空穴傳輸層，其特征在于，使用根據(jù)權(quán)利 要求1至10中任何一項所述的組合物形成所述空穴傳輸層，所述組合物包 含一種或多種傳輸電荷的聚合物。
15. —種高分子發(fā)光器件，所述高分子發(fā)光器件至少包含在由陽極和 陰極組成的電極之間的發(fā)光層和電子傳輸層，其特征在于，使用根據(jù)權(quán)利 要求1至10中任何一項所述的組合物形成所述電子傳輸層，所述組合物包 含一種或多種傳輸電荷的聚合物。
16. —種用于形成根據(jù)權(quán)利要求13至15中任何一項所述的高分子發(fā)光器件的方法，其特征在于，使用印刷方法。
17. —種用于形成根據(jù)權(quán)利要求13至15中任何一項所述的高分子發(fā)光 器件的方法，其特征在于，使用噴墨法。
18. —種平面光源，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求13至15中任何一 項所述的高分子發(fā)光器件。
19. 一種段式顯示器，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求13至15中任何 一項所述的高分子發(fā)光器件。
20. —種點矩陣顯示器，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求13至15中任何一項所述的高分子發(fā)光器件。
21. —種液晶顯示器，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求13至15中任何 一項所述的高分子發(fā)光器件作為背光。
全文摘要
本發(fā)明公開的是一種組合物，所述組合物包含一種或多種芳族醚化合物、一種或多種沸點等于或高于200℃的化合物以及一種或多種在固態(tài)下傳輸電荷或發(fā)光的聚合物。這種組合物的特征在于所述沸點等于或高于200℃的化合物選自可以具有雜原子的脂族化合物、可以具有雜原子的脂環(huán)族化合物、包含兩個以下取代基的芳族化合物和包含兩個以下取代基的雜環(huán)化合物。
文檔編號C08L101/12GK101180370SQ20068001737
公開日2008年5月14日 申請日期2006年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者鈴木智之, 飯村清壽 申請人:住友化學株式會社