專利名稱：：高分子材料和高分子發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及高分子化合物和使用該高分子化合物的高分子發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：高聚合物重量的發(fā)光材料和電荷輸送材料可溶于溶劑中并且能夠通過涂布方法在發(fā)光器件中形成有機(jī)層。因此，已經(jīng)研究了各種類型的材料。例如，已知具有下列結(jié)構(gòu)的高分子化合物，其中兩個(gè)苯環(huán)(參見，例如，非專利文件l和專利文件l)與環(huán)戊二烯環(huán)稠合。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage6</formula>作為另一個(gè)實(shí)例，己知高分子化合物，其在共軛的主鏈和側(cè)鏈中具有功能取代基如空穴注入/輸送基團(tuán)，電子注入/輸送基團(tuán)或發(fā)光基團(tuán)(參見，例如，專利文件2和3和非專利文件2和3)。專利文件l:國際公布W099/54385小冊(cè)子，專利文件2:JP-A-2004-277568專利文件3:WO2001-62822非專利文件l:AdvancedMaterials,Vol.9,No.10(1997),p.798非專利文件2:AdvancedMaterials,2002,14(11),809-811非專利文件3:J.PolymerScience,PartA;2005,43(3),859-869
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題在將高分子化合物用作發(fā)光器件用發(fā)光材料時(shí)，為了獲得高的發(fā)光性質(zhì)，高分子化合物必須具有良好的正電荷(空穴)和負(fù)電荷(電子)注入性和輸送性，并且具有高的發(fā)光效率。但是，不能認(rèn)為上面提及的常規(guī)高分子化合物具有足夠的性質(zhì)。在這些情形下，需要開發(fā)具有高電荷注入性/輸送性并且具有高發(fā)光效率的高分子化合物。解決問題的手段因此，本發(fā)明提供一種發(fā)光或電荷輸送高分子化合物，所述的高分子化合物具有在主鏈中作為重復(fù)單元的二價(jià)雜環(huán)基，不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基，由下式(l)表示的基團(tuán)或二價(jià)芳族胺基，并且具有功能側(cè)鏈，所述的側(cè)鏈含有至少一個(gè)官能團(tuán)，所述的官能團(tuán)選自空穴注入/輸送基團(tuán)，電子注入/輸送基團(tuán)和發(fā)光基團(tuán)，其特征在于，所述的官能團(tuán)直接結(jié)合到重復(fù)單元的飽和碳上，或通過-RrX-(其中Rj為可以被取代的亞烷基；X表示直接鍵，氧原子，硫原子，C=0，C(=0)-0，S=0，SiR8R9，NR1()，BR11，PR12,或P(二0)R")在X處結(jié)合到重復(fù)單元上。[式2]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(1)其中環(huán)A和環(huán)B各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳族烴環(huán)；環(huán)A的芳族烴基和環(huán)B的芳族烴基彼此的環(huán)結(jié)構(gòu)不同；環(huán)A和/或B環(huán)上分別存在兩個(gè)懸空鍵；Rw和Rx各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基；并且Rw和Rx可以彼此結(jié)合形成環(huán)。本發(fā)明的高分子化合物具有如高電荷注入性和輸送性和高發(fā)光效率的效果。在側(cè)鏈具有空穴注入/輸送基團(tuán)時(shí)，高被占用分子軌道(HOMO)的能量增加，結(jié)果空穴注入性和空穴輸送性改善，從而提高了發(fā)光效率。在側(cè)鏈具有電子注入/輸送基團(tuán)時(shí)，最低空余軌道(LUMO)的能量降低，結(jié)果電子注入性和電子輸送性改善，從而提高了發(fā)光效率。在側(cè)鏈具有發(fā)光基團(tuán)時(shí)，預(yù)期發(fā)光效率提高，或者發(fā)射具有與主鏈的波長不同的波長的光。在其主鏈具有電子輸送性并且側(cè)鏈具有空穴注入/輸送基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以在不抑制主鏈的電子輸送性的情況下增加新的功能，并且可以控制電子和空穴的輸送性，結(jié)果可以預(yù)期功能改善。在其主鏈具有電子輸送性并且側(cè)鏈具有發(fā)光基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以發(fā)射具有與主鏈的波長不同的波長的光。此外，在使用具有高效率的發(fā)光基團(tuán)時(shí)，還可以改善發(fā)光效率。在其主鏈具有電子輸送性并且側(cè)鏈具有電子注入/輸送基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以改善主鏈的電子輸送性。在其主鏈具有空穴輸送性并且側(cè)鏈具有電子注入/輸送基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以在不抑制主鏈的空穴輸送性的情況下增加新的功能，并且可以控制電子和空穴的輸送性，結(jié)果可以預(yù)期功能改善。在其主鏈具有空穴輸送性并且側(cè)鏈具有發(fā)光基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以發(fā)射具有與主鏈的波長不同的波長的光。此外，在使用具有高效率的發(fā)光基團(tuán)時(shí)，還可以改善發(fā)光效率。在其主鏈具有空穴輸送性并且側(cè)鏈具有空穴注入/輸送基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以改善主鏈的空穴輸送性。此外，在其主鏈能夠發(fā)射光并且側(cè)鏈具有空穴注入/輸送基團(tuán)或電子注入/輸送材料的高分子化合物的情況下，可以控制電子和空穴的輸送性，結(jié)果可以預(yù)期發(fā)光效率的改善。此外，在其主鏈能夠發(fā)光并且側(cè)鏈具有發(fā)光基團(tuán)的高分子化合物的情況下，可以通過控制主鏈和側(cè)鏈的光發(fā)射顏色，來控制高分子化合物的整個(gè)顏色。類似地，通過將主鏈的功能與側(cè)鏈的功能分開，可以在不抑制主鏈的功能的情況下增加功能，結(jié)構(gòu)可以預(yù)期功能改善。因此，可以將含有根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的高分子LED用作液晶顯示器的背光或照明用的曲面和平面光源，并且用于器件如節(jié)段型顯示器和點(diǎn)矩陣平板顯示器。實(shí)施本發(fā)明的最佳方式本發(fā)明的高分子化合物具有在主鏈中的二價(jià)雜環(huán)基，不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基，或由下式(l)表示的基團(tuán)或二價(jià)芳族胺基。二價(jià)雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中除去兩個(gè)氫原子而得到的殘余原子團(tuán)，并且二價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。雜環(huán)化合物是指具有環(huán)結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物，所述的環(huán)結(jié)構(gòu)可以不必由碳原子單獨(dú)組成，并且可以包括雜原子如氧，硫，氮，磷，硼或砷。在二價(jià)雜環(huán)基中，優(yōu)選芳族雜環(huán)基。取代基的實(shí)例可以包括垸基，垸氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，酰基，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。二價(jià)雜環(huán)基不包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的數(shù)量通常為約3至60。二價(jià)雜環(huán)基包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的總數(shù)量通常為約3至100。烷基可以是線性、支化或環(huán)狀的，并且可以具有取代基。碳原子的數(shù)量通常為約1至20。其具體實(shí)例包括甲基，乙基，丙基，異丙基，丁基，異丁基，叔丁基，戊基，己基，環(huán)己基，庚基，辛基，2-乙基己基，壬基，癸基，3,7-二甲基辛基，月桂基，三氟甲基，五氟乙基，全氟丁基，全氟己基和全氟辛基。垸氧基可以是線性、支化或環(huán)狀的，并且可以具有取代基。碳原子的數(shù)量通常為約1至20。其具體實(shí)例包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，異丙氧基，丁氧基，異丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，己氧基，環(huán)己氧基，庚氧基，辛氧基，2-乙基己氧基，壬氧基，癸氧基，3,7-二甲基辛氧基，月桂氧基，三氟甲氧基，五氟乙氧基，全氟丁氧基，全氟己基，全氟辛基，甲氧基甲氧基和2-甲氧基乙氧基。烷硫基可以是線性、支化或環(huán)狀的，并且可以具有取代基。碳原子的數(shù)量通常為約1至20。其具體實(shí)例包括甲硫基，乙硫基，丙硫基，異丙硫基，丁硫基，異丁硫基，叔丁硫基，戊硫基，己硫基，環(huán)己硫基，庚硫基,辛硫基，2-乙基己硫基，壬硫基，癸硫基，3,7-二甲基辛硫基，月桂硫基和三氟甲硫基。芳基是通過從芳族烴中除去一個(gè)氫原子而得到的殘余原子團(tuán)，并且包括具有稠環(huán)的芳基，和具有兩個(gè)或更多個(gè)直接結(jié)合其上或者通過基團(tuán)如亞乙烯基結(jié)合其上的獨(dú)立苯環(huán)或稠環(huán)的芳基。芳基通常具有約6至60個(gè)碳原子，并且優(yōu)選7至48個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯基，d-C,2烷氧基苯基(C,-Cu表示碳原子的數(shù)量為l至12，并且以下，也將采用相同的定義)，C,-C,2烷基苯基，l-萘基，2-萘基，l-蒽基，2-蒽基，9-蒽基和五氟苯基，并且優(yōu)選C，-d2垸氧基苯基和d-C,2烷基苯基。d-C,2烷氧基的具體實(shí)例包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，異丙氧基，丁氧基，異丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，己氧基，環(huán)己氧基，庚氧基，辛氧基，2-乙基己氧基，壬氧基，癸氧基，3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。d-C,2垸基苯基的具體實(shí)例包括甲基苯基，乙基苯基，二甲基苯基，丙基苯基，2,4，6-三甲苯基，甲基乙基苯基，異丙基苯基，丁基苯基，異丁基苯基，叔丁基苯基，戊基苯基，異戊基苯基，己基苯基，庚基苯基，辛基苯基，壬基苯基，癸基苯基和十二烷基苯基。芳氧基通常具有約6至60個(gè)碳原子，并且優(yōu)選7至48。其具體實(shí)例包括苯氧基，C,-d2垸氧基苯氧基d-C,2烷基苯氧基，l-萘氧基，2-萘氧基和五氟苯氧基，并且優(yōu)選Crd2烷氧基苯氧基和d-d2烷基苯氧基。C,-C,2烷氧基的具體實(shí)例包括甲氧基，乙氧基，丙氧基，異丙氧基，丁氧基，異丁氧基，叔丁氧基，戊氧基，己氧基，環(huán)己氧基，庚氧基，辛氧基，2-乙基己氧基，壬氧基，癸氧基，3,7-二甲基辛氧基和月桂氧基。C廣d2烷基苯氧基的具體實(shí)例包括甲基苯氧基，乙基苯氧基，二甲基苯氧基，丙基苯氧基，1,3,5-三甲基苯氧基，甲基乙基苯氧基，異丙基苯氧基，丁基苯氧基，異丁基苯氧基，叔丁基苯氧基，戊基苯氧基，異戊基苯氧基，己基苯氧基，庚基苯氧基，辛基苯氧基，壬基苯氧基，癸基苯氧基和十二垸基苯氧基。芳硫基在芳族環(huán)上可以具有取代基，并且通常具有約3至60個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯硫基，C,-d2烷氧基苯硫基，C,-d2烷基苯硫基，1-萘基硫基，2-萘基硫基，五氟苯硫基，吡啶基硫基，噠嗪基硫基，嘧啶基硫基，pyrazyl硫基禾卩triazyl硫基。芳烷基可以具有取代基并且通常具有約7至60個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯基-CrCu烷基，C,-d2烷氧基苯基-d-d2烷基，d-C,2烷基苯基-C,-C,2烷基，l-萘基-d-d2垸基和2-萘基-CrC,2垸基。芳烷氧基可以具有取代基并且通常具有約7至60個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯基-d-d2垸氧基，C,-d2烷氧基苯基-CrC,2垸氧基，d-C,2垸基苯基-C,-C,2烷氧基，l-萘基-C,-d2垸氧基和2-萘基-C,-d2烷氧基。芳烷硫基可以具有取代基并且通常具有約7至60個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯基-C,-d2烷硫基，CrC2垸氧基苯基-d-d2垸硫基，d-d2烷基苯基-d-d2烷硫基，l-萘基-Crd2烷硫基和2-萘基-d-d2烷硫基。芳烯基通常具有約8至60個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯基-C2-C,2烯基，C廣C,2烷氧基苯基-C2-d2烯基，d-C,2垸基苯基-C2-d2烯基，l-萘基-C2-d2烯基和2-萘基-C2-C,2烯基；并且優(yōu)選Crd2烷氧基苯基-C2-d2烯基和C2-C,2焼基苯基-C廣C'2烯基°芳炔基通常具有約8至60個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括苯基-C2-d2炔基，C,-C,2烷氧基苯基-C2-d2炔基，d-d2垸基苯基-C2-C,2炔基，l-萘基-C2-C,2炔基和2-萘基-C2-C2炔基；并且優(yōu)選Crd2垸氧基苯基-C2-Ci2炔基和d-C,2烷基苯基陽C2-C12炔基。取代的氨基可以包括被一個(gè)或兩個(gè)基團(tuán)取代的氨基，所述的基團(tuán)選自烷基，芳基，芳烷基和一價(jià)雜環(huán)基。所述的垸基，芳基，芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。取代的氨基不包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的數(shù)量通常為約1至60，并且優(yōu)選2至48。具體實(shí)例包括甲基氨基，二甲基氨基，乙基氨基，二乙基氨基，丙基氨基，二丙基氨基，異丙基氨基，二異丙基氨基，丁基氨基，異丁基氨基，叔丁基氨基，戊基氨基，己基氨基，環(huán)己基氨基，庚基氨基，辛基氨基，2-乙基己基氨基，壬基氨基，癸基氨基，3,7-二甲基辛基氨基，月桂基氨基，環(huán)戊基氨基，二環(huán)戊基氨基，環(huán)己基氨基，二環(huán)己基氨基，吡咯烷基，哌啶基，二(三氟甲基)氨基，苯基氨基，二苯基氨基，C廣Cu垸氧基苯基氨基，二(d-d2烷氧基苯基)氨基，二(C,-Cu烷基苯基)氨基，1-萘基氨基，2-萘基氨基，五氟苯基氨基，吡啶基氨基，噠嗪基氨基，嘧啶基氨基，pyrazyl氨基，triazyl氨基.苯基-C廣C!2院基氣基，C廠C!2烷氧基苯基-^-(312烷基氨基，C,-Ci2垸基苯基-d-C,2垸基氨基，二(C,-d2烷氧基苯基-C,-d2烷基)氨基，二(Crd.2烷基苯基-d-d2烷基)氨基，l-萘基-C,-C,2垸基氨基和2-萘基-d-Q2烷基氨基。取代的甲硅烷基可以包括被l、2或3個(gè)基團(tuán)取代的甲硅烷基，所述的基團(tuán)選自烷基，芳基，芳垸基和一價(jià)雜環(huán)基。取代的甲硅烷基通常具有約1至60個(gè)碳原子，并且優(yōu)選3至48個(gè)碳原子。所述的烷基，芳基，芳氧基或一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。注意所述的烷基，芳基，芳烷基和一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。其具體實(shí)例包括三甲代甲硅烷基，三乙基甲硅烷基，三丙基甲硅烷基，三-異丙基甲硅烷基，二甲基-異丙基甲硅烷基，二乙基-異丙基甲硅垸基，叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅垸基，戊基二甲基甲硅烷基，己基二甲基甲硅烷基，庚基二甲基甲硅烷基，辛基二甲基甲硅烷基，2-乙基己基-二甲基甲硅烷基，壬基二甲基甲硅烷基，癸基二甲基甲硅烷基，3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基，月桂基二甲基甲硅烷基，苯基-Crd2烷基甲硅烷基，Q-C12烷氧基苯基-CrC,2烷基甲硅烷基，CrCu烷基苯基-C,-d2烷基甲硅烷基，l-萘基-Crd2垸基甲硅烷基，2-萘基-d-d2烷基甲硅烷基，苯基-d-d2烷基二甲基甲硅垸基，三苯基甲硅烷基，三-對(duì)-二甲苯基甲硅垸基，三節(jié)基甲硅烷基，二苯基甲基甲硅垸基，叔丁基二苯基甲硅垸基和二甲基苯基甲硅烷基。鹵素原子的實(shí)例包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子。?；ǔ＞哂屑s2至20個(gè)碳原子，并且優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括乙?；?，丙酰基，丁?；惗□；?，戊酰基，苯甲?；?，三氟乙酰基和五氟苯甲?；?。酰氧基通常具有約2至20個(gè)碳原子，并且優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括乙酰氧基，丙酰氧基，丁酰氧基，異丁酰氧基，戊酰氧基，苯甲酰氧基，三氟乙酰氧基和五氟苯甲酰氧基。亞胺殘基具有約2至20個(gè)碳原子，并且優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括由下式表示的基團(tuán)。[式3]酰胺基具有約2至20個(gè)碳原子，并且優(yōu)選2至18個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括甲酰胺基，乙酰胺基，丙酰胺基，丁酰胺基，苯甲酰胺基，三氟乙酰胺基，五氟苯甲酰胺基，二甲酰胺基，二乙酰胺基，二丙酰胺基，二丁酰胺基，二苯甲酰胺基，二(三氟乙酰胺基)和二(五氟苯甲酰胺基)。酸亞氨基可以是通過除去結(jié)合到酸亞氨基的氮原子上的氫原子而得到的殘基，并且具有約4至20個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括由下列表示的基團(tuán)。[式4]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage14</formula>一價(jià)雜環(huán)基是指從雜環(huán)化合物中除去一個(gè)氫原子而得到的原子團(tuán)，并且通常具有約4至60個(gè)碳原子，并且優(yōu)選4至20個(gè)碳原子。注意所述雜環(huán)的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)。此處的雜環(huán)化合物是指具有環(huán)結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物，所述的環(huán)結(jié)構(gòu)可以不必由碳原子單獨(dú)組成，并且可以包括雜原子如氧，硫，氮，磷或硼。其具體實(shí)例包括噻吩基，C,-Cu烷基噻吩基，吡咯基，呋喃基，吡啶基，CVd2烷基吡啶基，哌啶基，喹啉基和異喹啉基；并且優(yōu)選噻吩基，d-d2烷基噻吩基，吡啶基和d-Cu烷基吡啶基。取代的羧基是被烷基，芳基，芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基取代的羧基，并且通常具有約2至60個(gè)碳原子，并且優(yōu)選2至48個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括甲氧羰基，乙氧羰基，丙氧羰基，異丙氧羰基，丁氧羰基，異丁氧羰基，叔丁氧羰基，戊氧羰基，己氧羰基，環(huán)己氧羰基，庚氧羰基，辛氧羰基，2-乙基己氧羰基，壬氧羰基，癸氧羰基，3，7-二甲基辛氧羰基，十二烷氧羰基，三氟甲氧羰基，五氟乙氧羰基，全氟丁氧羰基，全氟己氧羰基，全氟辛氧羰基，苯氧羰基，萘氧羰基和吡啶氧羰基。注意所述的烷基，芳基，芳烷基或一價(jià)雜環(huán)基可以具有取代基。注意所述取代的羧基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)。二價(jià)雜環(huán)基的實(shí)例包括二價(jià)6元單環(huán)的雜環(huán)基(下式(1-1)至(1-6))，二價(jià)5元單環(huán)的雜環(huán)基(下式(1-7)至(1-11))，各自通過稠合一個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基(下式(1-12)至(1-26))，各自通過稠合兩個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基(下式(1-27)至(1-33))，各自通過稠合兩個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基(下式(l-34)至(1-38)，和各自通過稠合三個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基(下式(1-39)至(1-51))。式5<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage15</formula>式6<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage18</formula>在式(1-1)至(1-51)中，X,至Xs6各自獨(dú)立地表示氮原子，硼原子，-Si(R1)、-P=，-P(R2)(R3),-P(=0)=。在式(1-1)至(1-51)中，Y,至Y29各自獨(dú)立地表示氧原子，硫原子，硒原子，碲原子，-N(r4)-，-b(r5)-，-Si(r6)(r7)-，-P(RS)-和-P(K))(r9)國。R1至R9可以是氫原子，烷基，芳基，芳垸基，芳垸氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基。烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例列出的那些相同。考慮到發(fā)光效率，二價(jià)雜環(huán)基的優(yōu)選實(shí)例包括二價(jià)6元單環(huán)的雜環(huán)基，通過稠合一個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基，通過稠合兩個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基，通過稠合兩個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基，和通過稠合三個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基；其更優(yōu)選的實(shí)例包括通過稠合一個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基，通過稠合兩個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基，通過稠合兩個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基，和通過稠合三個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基；并且其進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)例包括通過稠合兩個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基，通過稠合兩個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而形成的雜環(huán)基，和通過稠合三個(gè)6元環(huán)而形成的雜環(huán)基。考慮到發(fā)光效率，在二價(jià)6元單環(huán)的雜環(huán)基中，優(yōu)選由式(l-l)至(l-5)表示的雜環(huán)基，更優(yōu)選由式(l-l)至(l-3)和(l-5)表示的雜環(huán)基，并且進(jìn)一步優(yōu)選由式(l-l)至(l-3)表示的雜環(huán)基?？紤]到發(fā)光效率，在二價(jià)5元單環(huán)的雜環(huán)基中，優(yōu)選由式(1-7)至(1-10)表示的雜環(huán)基，更優(yōu)選由式(l-7)和(l-8)表示的雜環(huán)基?？紤]到發(fā)光效率，在通過稠合一個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而得到的雜環(huán)基中，優(yōu)選由式(1-12)至(1-16)，(1-20)，(1-21)，(l-24)和(l-25)表示的雜環(huán)基，更優(yōu)選由式(1-12)，(1-16)，(1-20)，(1-21)，(l-24)和(l-25)表示的雜環(huán)基，并且進(jìn)一步優(yōu)選由式(1-12)，(1-16)，(1誦20)和(1-24)表示的雜環(huán)基。考慮到發(fā)光效率，在通過稠合兩個(gè)6元環(huán)而得到的雜環(huán)基中，優(yōu)選由式(l-27)至(l-32)表示的雜環(huán)基，更優(yōu)選由式(1-27)，(1-28)，(1-30)和(1-31)表示的雜環(huán)基，并且進(jìn)一步優(yōu)選由式(l-28)和(l-30)表示的雜環(huán)基?？紤]到發(fā)光效率，在通過稠合兩個(gè)6元環(huán)和一個(gè)5元環(huán)而得到的雜環(huán)基中，優(yōu)選由式(l-34)至(l-36)表示的雜環(huán)基，更優(yōu)選由式(1-34)和(1-35)表示的雜環(huán)基，并且進(jìn)一步優(yōu)選由式(l-34)表示的雜環(huán)基?？紤]到發(fā)光效率，在通過稠合三個(gè)6元環(huán)而得到的雜環(huán)基中，優(yōu)選由式(1-39)至(1-41)，(1-44)，(l-45)和(l-48)至(l-50)表示的雜環(huán)基，更優(yōu)選由式(1-39)至(1-41)，(1-44)，(1-45),(l-48)和(l-49)表示的雜環(huán)基，并且進(jìn)一步優(yōu)選由式(l-39)，(1-41)，(1-44)，(1-45)和(1-48)表示的雜環(huán)基。考慮到合成容易性，X,至X86優(yōu)選為氮原子，硼原子和-Si(R1)3更優(yōu)選為氮原子和-Si(R1)5并且進(jìn)一步優(yōu)選為氮原子?？紤]到合成容易性，Y,至Y29優(yōu)選為氧原子，硫原子，-N(R4)-，-B(R5)-，-Si(R6)(R7)-和-P(R8)-;更優(yōu)選為氧原子，硫原子，-N(R4)-，-B(R5)-和-Si(R6)(R7);并且進(jìn)一步優(yōu)選為氧原子，硫原子，-N(R4)4B-Si(R6)(R7)-。不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基是指通過從稠合多環(huán)烴中除去兩個(gè)氫原子而得到的殘余原子團(tuán)，并且可以具有取代基。取代基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例列出的相同。不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基不包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的數(shù)量通常為約10至50。不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的總數(shù)通常為約10至150。不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基的實(shí)例包括由在鄰位線性稠合的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)(下式(2-1)至(2-4))，由包括在鄰位稠合的6元環(huán)但不包括鄰位線性稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成二價(jià)基團(tuán)(下式(2-5)至(2-11))，由包括在鄰位和迫位稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成二價(jià)基團(tuán)(下式(2-12)至(2畫17))，并且包括4元、7元和8元環(huán)的二價(jià)基團(tuán)(下式(2-18)至(2-21))。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage21</formula>式15]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage22</formula>考慮到發(fā)光效率，優(yōu)選由在鄰位線性稠合的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)，由包括在鄰位稠合的6元環(huán)但不包括鄰位線性稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)，和由包括在鄰位和迫位稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)；并且更優(yōu)選由在鄰位線性稠合的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)，和由包括在鄰位和迫位稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)。考慮到發(fā)光效率，在由在鄰位線性稠合的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)中，優(yōu)選由上述式(2-l)至(2-3)表示的基團(tuán)；更優(yōu)選由上述式(2-l)和(2-2)表示的基團(tuán)；并且進(jìn)一步優(yōu)選由上述式(2-l)表示的基團(tuán)?？紤]到發(fā)光效率，在由包括在鄰位稠合的6元環(huán)但不包括鄰位線性稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)中，優(yōu)選由上述式(2-5)至(2-8)表示的基團(tuán)；更優(yōu)選由上述式(2-5)和(2-6)表示的基團(tuán)；并且進(jìn)一步優(yōu)選由上述式(2-5)表示的基團(tuán)?？紤]到發(fā)光效率，在由包括在鄰位和迫位稠合的6元環(huán)的6元環(huán)單獨(dú)組成的二價(jià)基團(tuán)中，優(yōu)選由上述式(2-13)至(2-15)表示的基團(tuán)；并且更優(yōu)選由上述式(2-13)和(2-14)表示的基團(tuán)?？紤]到發(fā)光效率，在包括4元、7元和8元環(huán)的二價(jià)基團(tuán)中，優(yōu)選由上述式(2-18)至(2-20)表示的基團(tuán)；并且更優(yōu)選由上述式(2-18)和(2-20)表示的基團(tuán)。在式(1)中，環(huán)A和環(huán)B各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳族烴環(huán)；但是，環(huán)A和環(huán)B的芳族烴環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)彼此不同。作為芳族烴環(huán)，優(yōu)選單個(gè)苯環(huán)或多個(gè)苯環(huán)的稠環(huán)。其實(shí)例包括芳族烴環(huán)如苯環(huán)，萘環(huán)，蒽環(huán)，并四苯環(huán)，并五苯環(huán)，芘環(huán)和菲環(huán)。優(yōu)選實(shí)例包括苯環(huán)，萘環(huán)，蒽環(huán)和菲環(huán)。環(huán)A和環(huán)B的組合實(shí)例包括優(yōu)選苯環(huán)/萘環(huán)，苯環(huán)/蒽環(huán)，苯環(huán)/菲環(huán)，萘環(huán)/蒽環(huán)，萘環(huán)/菲環(huán)和蒽環(huán)/菲環(huán)的組合；并且更優(yōu)選苯環(huán)/萘環(huán)的組合。注意所述的"環(huán)A和環(huán)B的芳族烴環(huán)的環(huán)結(jié)構(gòu)彼此不同"意義如下式(l)中所示的結(jié)構(gòu)的下列部分的平面圖中，相對(duì)于在位于式中心的5元環(huán)的項(xiàng)點(diǎn)和與項(xiàng)點(diǎn)相對(duì)的邊的中點(diǎn)之間連接的對(duì)稱軸(由上式中的虛線表示)，芳族烴環(huán)和環(huán)A和環(huán)B是不對(duì)稱的例如在環(huán)A和環(huán)B是萘環(huán)的情況下，[式17]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage23</formula>環(huán)A和環(huán)B的結(jié)構(gòu)在環(huán)結(jié)構(gòu)方面不同。環(huán)A和環(huán)B也是萘環(huán)的另一種情況下，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage24</formula>環(huán)A和環(huán)B的結(jié)構(gòu)在環(huán)結(jié)構(gòu)方面相同。在芳族烴環(huán)具有取代基時(shí)，優(yōu)選取代基選自烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅浣基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基和取代的羧基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例所列的相同。在式(1)中，Rw和Rx各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基，并且優(yōu)選表示氫原子，垸基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳垸氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基或氰基。Rw和Rx可以彼此結(jié)合形成環(huán)。烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；Ｑ趸?，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基和取代的羧基的定義和具體實(shí)例與上述取代基的那些相同。在Rw和Rx彼此結(jié)合形成環(huán)時(shí)，環(huán)的實(shí)例包括C4-C10環(huán)烷基環(huán)，C4-C10環(huán)烯基環(huán)，以及C6-C10芳族烴環(huán)和C4-C10雜環(huán)。環(huán)烷基環(huán)的實(shí)例包括環(huán)丁烷，環(huán)戊烷，環(huán)己烷，環(huán)庚烷，環(huán)辛烷，環(huán)壬烷和環(huán)癸垸。環(huán)烯基環(huán)的實(shí)例包括具有不低于兩個(gè)雙鍵的環(huán)。其具體實(shí)例包括環(huán)己烯環(huán)，環(huán)己二烯環(huán)和環(huán)辛三環(huán)。雜環(huán)的實(shí)例包括四氫呋喃環(huán)，四氫噻吩環(huán)，四氫n引哚環(huán)，四氫喹啉環(huán)，六氫吡啶環(huán)和四氫異喹啉環(huán)。式(l)的重復(fù)單元的具體實(shí)例包括在下式lA-l至lA-64、1B-l至lB-64和lC-l至lC-64中所示的結(jié)構(gòu)，并且下列結(jié)構(gòu)具有取代基如烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅烷基，卣素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和/或硝基。注意，在下列式中，芳族烴環(huán)的懸空鍵可以任意設(shè)置，并且Rw和Rx表示如上相同的含義。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage29</formula>[式23]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage31</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage32</formula>[式26]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage33</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage34</formula>[式28]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage35</formula>[式30]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage36</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage38</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage39</formula>[式34]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage40</formula>[式35]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage41</formula>[式36]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage42</formula>[式38]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage43</formula>考慮到發(fā)光效率，在式(1)中所示的重復(fù)單元優(yōu)選具有在上述式(1A-1)至(1A-13)中所示的結(jié)構(gòu)；更優(yōu)選在(lA-l)至(lA-6)中所示的結(jié)構(gòu)；并且進(jìn)一步優(yōu)選在(lA-l)至(lA-3)中所示的結(jié)構(gòu)。二價(jià)芳族胺基是指從芳族胺中除去兩個(gè)氫原子而得到的殘余原子團(tuán)。其碳原子數(shù)通常為約5至100，并且優(yōu)選15至60。芳族胺的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)。二價(jià)芳族胺基的實(shí)例包括由下式(4)表示的基團(tuán)。其中Ar,，Ar2，Ai"3和Ar4各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基；Ar5，Ar6和Ar7各自獨(dú)立地表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基；ArPAr2，Ar3，Ar4和Ars可以具有取代基；并且k和l各自獨(dú)立地表示O或更大的整數(shù)。此處所用的亞芳基是指通過從芳族烴中除去兩個(gè)氫原子而得到的原子團(tuán)，并且包括具有稠環(huán)的亞芳基，和具有兩個(gè)或更多個(gè)直接結(jié)合其上或者通過基團(tuán)如亞乙烯基結(jié)合其上的獨(dú)立苯環(huán)或稠環(huán)的亞芳基。亞芳基可以具有取代基。對(duì)取代基的類型沒有特別限制。考慮到溶解性，熒光性，合成容易性和所得器件的特性，取代基的優(yōu)選實(shí)例包括烷基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳垸氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅垸基，卣素原子，?；Ｑ趸?，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。亞芳基除取代基之外的碳原子數(shù)通常為約6至60，并且優(yōu)選6至20。亞芳基包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的總數(shù)通常為約6至100。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage44</formula>亞芳基的實(shí)例包括亞苯基(例如，下式1至3)，萘-二基(下式4至13)，蒽-二基(下式14至19)，聯(lián)苯-二基(下式20至25)，芴-二基(下式36至38)，三聯(lián)苯-二基(下式26至28)，稠環(huán)化合物基團(tuán)(下式29至35)和茚并萘-二基(下式G至N)。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage45</formula>[式41]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage46</formula>[式43]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage47</formula>[式44]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage48</formula>[式45]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage49</formula>二價(jià)雜環(huán)基是指通過從雜環(huán)化合物中除去兩個(gè)氫原子而得到的殘余原子團(tuán)，并且可以具有取代基。雜環(huán)化合物是指具有環(huán)結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物，所述的環(huán)結(jié)構(gòu)可以不必由碳原子單獨(dú)組成，并且可以包括雜原子如氧，硫，氮，磷，硼或砷。在二價(jià)雜環(huán)基中，優(yōu)選芳族雜環(huán)基。對(duì)取代基的類型沒有特別限制；但是，考慮到溶解性，熒光性，合成容易性和所得器件的特性，取代基的優(yōu)選實(shí)例包括垸基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳垸氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。二價(jià)雜環(huán)基不包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的數(shù)量通常為約3至60。二價(jià)雜環(huán)基包括取代基的碳原子在內(nèi)的碳原子的總數(shù)通常為約3至100。二價(jià)雜環(huán)基的實(shí)例包括二價(jià)吡啶-二基(下式39至44)，二氮雜亞苯基(下式45至48)，喹啉二基(下式49至63)，喹喔啉二基(下式64至68)，吖啶二基(下式69至72)，聯(lián)吡啶二基(下式73至7"和菲咯啉二基(下式76至78)，其含有作為雜原子的氮；具有芴結(jié)構(gòu)并且含有氧，硅，氮或硒等作為雜原子的基團(tuán)(下式79至93);含有氧，硅，氮，硫，硒，硼或磷等作為雜原子的5元雜環(huán)基(下式94至98，O至Z和AA至AC);含有氧，硅，氮，硫或硒等作為雜原子的5元稠合雜環(huán)基(下式99至110);由含有氧，硅，氮，硫或硒等作為雜原子的5元雜環(huán)基形成并且在雜原子的OC-位結(jié)合的二聚體或低聚體(下式11l和112);5元雜環(huán)基，其含有氧，硅，氮，硫或硒等作為雜原子并且在雜原子的a-位結(jié)合到苯基上(下式113至119);5元稠合雜環(huán)基，其含有氧，硅，氮，硫或硒等作為雜原子，并且被苯基，呋喃基，噻吩基取代(下式120至125);和含有氧和氮作為雜原子的6元雜環(huán)基(下式AD至AG)。[式46]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage54</formula>式56]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage54</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage56</formula>式39至98，O至Z和AA至AG中的R與如上所定義的相同。芳基和一價(jià)雜環(huán)基與如上所定義的相同。在Ar,，Ar2，Ar3，Ar"4和Ar5具有取代基時(shí)，取代基的實(shí)例包括烷基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳烷氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，酰基，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。烷基，院氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅烷基，卣素原子，酰基，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基和取代的羧基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例列出的那些相同?？紤]到合成容易性，式(4)的Ar，Ar2，Ar3和Ar4優(yōu)選各自獨(dú)立地為亞芳基；更優(yōu)選為上述1至12的二價(jià)基團(tuán)；進(jìn)一步優(yōu)選為上述l，2，4，7和12的基團(tuán)，并且最優(yōu)選上述l的基團(tuán)?？紤]到合成容易性，式(4)的Ars，Ar6和Ar7優(yōu)選各自獨(dú)立地為芳基；更優(yōu)選為可以具有取代基的苯基，并且進(jìn)一步優(yōu)選為具有烷基作為取代基的苯基。此處的取代基的實(shí)例包括烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳垸氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，酰基，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基和取代的羧基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例列出的那些相同?？紤]到發(fā)光效率，式(4)的k和l優(yōu)選各自獨(dú)立地為0至2的整數(shù)(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)；更優(yōu)選為0至1的整數(shù)(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)；并且進(jìn)一步優(yōu)選0至l的整數(shù)(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)且(Kk+Kl。根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物具有官能側(cè)鏈，所述的官能側(cè)鏈含有選自空穴注入/輸送基團(tuán)，電子注入/輸送基團(tuán)和發(fā)光基團(tuán)中的至少一個(gè)官能團(tuán)。作為空穴注入/輸送基團(tuán)，可以提及的有空穴注入性比主鏈的空穴注入性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)，或空穴輸送性比主鏈的空穴輸送性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)?？昭ㄗ⑷胄酝ǔＨQ于高分子化合物的最高被占用分子軌道(HOMO)的能量值。HOMO能量值的絕對(duì)值越小，空穴注入性越好。作為空穴注入性比主鏈的空穴注入性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)，可以提及的有HOMO能量的絕對(duì)值比主鏈的HOMO能量的絕對(duì)值小的一價(jià)基團(tuán)。HOMO能量是通過采用循環(huán)伏安法(CV;)測(cè)量高分子化合物的氧化電位并且基于氧化電位值計(jì)算能量而得到的。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的情況下，氧化電位取負(fù)值。氧化電位越小(氧化電位的絕對(duì)值越大)，HOMO能量的絕對(duì)值越小。因此，空穴注入性得到改善?？昭ǖ妮斔托酝ǔＨQ于高分子化合物的空穴遷移率?？昭ㄟw移率越高，空穴注入性越好。作為空穴輸送性比主鏈的空穴輸送性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)，可以提及的有空穴遷移率比主鏈的空穴遷移率高的一價(jià)基團(tuán)。對(duì)空穴遷移率的測(cè)量方法沒有特別限制；但是，高分子化合物的空穴遷移率可以由飛行時(shí)間(TOF)法測(cè)量。作為電子注入/輸送基團(tuán)，可以提及的有電子注入性比主鏈的電子注入性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)，或電子輸送性比主鏈的電子輸送性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)。電子注入性通常取決于高分子化合物的最低空余分子軌道(LUMO)的能量值。LUMO能量值的絕對(duì)值越大，電子注入性越好。作為電子注入性比主鏈的電子注入性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)，可以提及的有LUMO能量絕對(duì)值比主鏈的LUMO能量絕對(duì)值大的一價(jià)基團(tuán)。LUMO能量是通過采用循環(huán)伏安法(CV)測(cè)量高分子化合物的還原電位并且基于還原電位值計(jì)算能量而得到的。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的情況下，還原電位取負(fù)值。還原電位越大(還原電位的絕對(duì)值越小)，LUMO能量的絕對(duì)值越大。因此，電子注入性得到改善。電子輸送性通常取決于高分子化合物的電子遷移率。電子遷移率越高，電子注入性越好。作為電子輸送性比主鏈的電子輸送性優(yōu)良的一價(jià)基團(tuán)，可以提及的有電子遷移率比主鏈的電子遷移率高的一價(jià)基團(tuán)。對(duì)電子遷移率的測(cè)量方法沒有特別限制；但是，高分子化合物的電子遷移率可以由飛行時(shí)間(TOF)法測(cè)量。發(fā)光基團(tuán)是發(fā)射與主鏈的波長不同的波長的顏色的一價(jià)基團(tuán)。例如，通?？梢蕴峒暗挠蠬OMO能量比主鏈的HOMO能量大(HOMO能量的絕對(duì)值更小)并且LUMO能量比主鏈的LUMO能量小(LUMO能量的絕對(duì)值更大)的一價(jià)基團(tuán)。HOMO和LUMO能量的測(cè)量方法與上述相同?？昭ㄗ⑷?輸送基團(tuán)的實(shí)例可以包括含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)芳族胺，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)咔唑衍生物，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)金屬配合物，含有至少一個(gè)氮原子和至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)基團(tuán)，含有除氮原子以外的雜原子的一價(jià)基團(tuán)，和含有一個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)。含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)芳族胺的實(shí)例包括由下式(H-1)至(H-14)表示的那些；含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)咔唑衍生物的實(shí)例包括由下式(H-15)至(H-19)表示的那些；含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)金屬配合物的實(shí)例包括由下式(H-20)至(H-22)表示的那些；含有至少一個(gè)氮原子和至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(H-23)至(H-25)表示的那些；含有除氮原子以外的雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(H-26)至(H-29)表示的那些；禾口含有一個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括通過從由下式(H-30)至(H-31)表示的那些中除去一個(gè)R或除去R上的氫原子而得到的殘基。59<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage60</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage61</formula>[式60]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage63</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage64</formula>在式(H-1)至(H-31)中，R優(yōu)選選自氫原子，烷基，垸氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，氰基和硝基。垸基，垸氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，取代的氨基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；Ｑ趸?，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基和取代的羧基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例列出的那些相同。在式(H-26)和(H-30)中，R'優(yōu)選選自氫原子，烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基。垸基，芳基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基的實(shí)例與上面作為取代基的實(shí)例列出的那些相同。作為空穴注入/輸送基團(tuán)，可以使用低聚體和聚合物。其具體實(shí)例可以包括從化合物中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基，在所述的化合物中，類型可以相同或不同的不少于兩種化合物通過結(jié)合到R上的碳-至-碳鍵結(jié)合，如上述式(H-1)至(H-31)中所示。電子注入/輸送基團(tuán)的實(shí)例包括含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)Al或Zn配合物；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和選自周期表第n至第iv周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一價(jià)金屬配合物；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和至少一個(gè)氮原子的一價(jià)基團(tuán)；含有至少一個(gè)硫原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)；含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)；和含有一個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)。含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)Al或Zn配合物的實(shí)例包括由下式(E-1)至(E-10)表示的那些；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和選自周期表第II至第IV周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一價(jià)金屬配合物的實(shí)例包括由下式(E-11)至(E-16)表示的那些；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和至少一個(gè)氮原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(E-17)至(E-27)表示的那些；含有至少一個(gè)硫原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(E-28)至(E-31)表示的那些；含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(E-32)至(E-40)表示的那些；和含有一個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括通過從下式(E-41)至(E-44)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基。式65<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage67</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage68</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage69</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage70</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage71</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage72</formula>在式(E-l)至(E-44)中，R可以如相對(duì)于式(H-l)至(H-29)所述相同地定義。作為電子注入/輸送基團(tuán)，可以使用低聚物和聚合物。其具體實(shí)例可以包括從化合物中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基，在所述的化合物中，類型可以相同或不同的不少于兩種化合物通過結(jié)合到R上的碳-至-碳鍵結(jié)合，如上述式(E-l)至(E-44)中所示。含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)Al或Zn配合物的實(shí)例包括由下式(E-1)至(E-10)表示的那些；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和選自周期表第II至第IV周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一價(jià)金屬配合物的實(shí)例包括由下式(E-11)至(E-16)表示的那些；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和至少一個(gè)氮原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(E-17)至(E-27)表示的那些；含有至少一個(gè)硫原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(E-28)至(E-31)表示的那些；和含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(E-32)至(E-40)表示的那些。發(fā)光基團(tuán)的實(shí)例包括一價(jià)稠合多環(huán)芳族烴基，含有兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)合在其中的稠和多環(huán)芳族烴基的一價(jià)基團(tuán)，含有至少一個(gè)氮原子和/或氧原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)雜環(huán)基，和含有至少一個(gè)硫原子作為雜原子的一價(jià)雜環(huán)基。一價(jià)稠合多環(huán)芳族烴基的實(shí)例包括由下式(L-1)至(L-5)表示的那些；含有兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)合在其中的稠和多環(huán)芳族烴基的一價(jià)基團(tuán)的實(shí)例包括由下式(L-6)至(L」8)和(L-23)至(L-26)表示的那些；含有至少一個(gè)氮原子和/或氧原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)雜環(huán)基的實(shí)例包括由下式(L-9)至(L-15)表示的那些；和含有至少一個(gè)硫原子作為雜原子的一價(jià)雜環(huán)基的實(shí)例包括由下式(L-16)至(L-22)表示的那些。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage74</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage75</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage76</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage77</formula>在式(L-l)至(L-26)中，R可以如相對(duì)于式(H-1)至(H-31)所述相同地定義在式(L-9)，(L-IO)，(L-19)和(L-20)中，R'可以如相對(duì)于式(H-26)至(H-30)所述相同地定義。作為發(fā)光基團(tuán)，可以使用低聚物和聚合物。其具體實(shí)例可以包括從化合物中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基，在所述的化合物中，類型可以相同或不同的不少于兩種化合物通過結(jié)合到R上的碳-至-碳鍵結(jié)合，如上述式(L-1)至(E-26)中所示。官能側(cè)鏈可以單獨(dú)存在，或可以存在兩種或更多種官能側(cè)鏈?？紤]到改善空穴輸送性，官能側(cè)鏈優(yōu)選為空穴注入/輸送基團(tuán)；更優(yōu)選為含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)芳族胺，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)咔唑衍生物，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)金屬配合物，或含有至少一個(gè)氮原子和至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)基團(tuán)；進(jìn)一步優(yōu)選為，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)芳族胺，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)咔唑衍生物，或含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)金屬配合物；并且最優(yōu)選為，含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)芳族胺，或含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子的一價(jià)咔唑衍生物?？紤]到改善空穴注入性/輸送性，官能側(cè)鏈優(yōu)選為由下式(H-A)表示的一價(jià)基團(tuán)。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage78</formula>在式(H-A)中，An。,和Ano2各自獨(dú)立地表示亞芳基和二價(jià)雜環(huán)基或具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)；Ar1()3，An。4和An。s各自獨(dú)立地表示芳基和一價(jià)雜環(huán)基；Ar啦和Ar朋，以及入1"1()4和入1"1()6可以彼此結(jié)合形成環(huán)。亞芳基，二價(jià)雜環(huán)基，芳基和一價(jià)雜環(huán)基與如上所定義的相同。具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)是指通過從具有有機(jī)配體的金屬配合物的有機(jī)配體中除去兩個(gè)氫原子而得到的二價(jià)基團(tuán)。有機(jī)配體的碳原子數(shù)通常為約4至60。其實(shí)例包括8-羥基喹啉及其衍生物，苯并喹啉醇及其衍生物，2-苯基-妣啶及其衍生物，2-苯基-苯并噻唑及其衍生物，2-苯基-苯并噁唑及其衍生物，和卟啉及其衍生物。配合物的中心金屬的實(shí)例包括鋁，鋅，鈹，銥，鉬，金，銪和鋱。具有有機(jī)配體的金屬配合物的實(shí)例包括作為低分子量熒光材料和磷光材料已知的金屬配合物和三重態(tài)發(fā)光配合物。具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)的具體實(shí)例包括由下式126至132表示的那些。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage80</formula>在上述式126至132中，R與如上定義的相同?？紤]到合成，Ar,o2優(yōu)選亞芳基，并且進(jìn)一步優(yōu)選為由式1至19中的任一個(gè)表示的基團(tuán)?？紤]到合成，Ar朋，Ai"o4和Ar，。5優(yōu)選各自獨(dú)立地為芳基，并且進(jìn)一步優(yōu)選為苯基，l-萘基，2-萘基，1-蒽基，2-蒽基或9-蒽基?？紤]到合成，AruM優(yōu)選為亞芳基。在Ar啦和Ar,。3，以及Ar,o4和Ar,o5各自形成環(huán)時(shí)，該環(huán)優(yōu)選通過-JJ-(-JJ-表示直接鍵合，-O-，-S-和-CH2-)形成?？紤]到改善電子輸送性，官能側(cè)鏈優(yōu)選為電子注入/輸送基團(tuán)；更優(yōu)選為含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)Al或Zn配合物；含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子和選自周期表第n至第iv周期的元素中的元素的除Al和Zn配合物外的一價(jià)配合物-,含有至少一個(gè)硫原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)；或含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)；并且進(jìn)一步優(yōu)選含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子的一價(jià)Al或Zn配合物；含有至少一個(gè)硫原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)；或含有兩個(gè)或更多個(gè)氮原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)基團(tuán)。此外，考慮到改善電子輸送性，官能側(cè)鏈優(yōu)選為由下式(E-A)至(E-C)中的任何一個(gè)表示的一價(jià)基團(tuán)。[式78]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage81</formula>(在式(E-A)至(E-C)中，Aru)7至Arn,各自獨(dú)立地為亞芳基，二價(jià)雜環(huán)基或具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)；Ai"服，Ar,。8，Ar,和Aru。各自獨(dú)立地為芳基和一價(jià)雜環(huán)基；Q,為氧原子，硫原子或-N(R^)-;Q2，Q3，Q4，Q5，和Q6表示氮原子或-C(R^)-;并且RKH和RK)2是與上面在R的情況下所定義的那些相同的基團(tuán)。亞芳基，二價(jià)雜環(huán)基，具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)，芳基和一價(jià)雜環(huán)基與如上所定義的相同?？紤]到改善電子注入性/輸送性，上述式(E-A)的Ar賜優(yōu)選為一價(jià)雜環(huán)基?？紤]到合成，上述式(E-B)的Ar脂優(yōu)選為二價(jià)雜環(huán)基和由式39至72和111至125表示的基團(tuán)中的任何一個(gè)。此外，考慮到合成，上述式(E-B)的An。8優(yōu)選為一價(jià)雜環(huán)基。此外，考慮到合成，上述式(E-C)的Ar,。9和An,。優(yōu)選各自獨(dú)立地為芳基，并且進(jìn)一步優(yōu)選為苯基，l-萘基，2-萘基，l-蒽基，2-蒽基，或9-蒽基。此外，考慮到合成，A川優(yōu)選為亞芳基，并且進(jìn)一步優(yōu)選為由式1至19表示的基團(tuán)中的任何一個(gè)?？紤]到改善電子注入性/輸送性，在式(E-A)至(E-C)中，優(yōu)選式(E-A)和(E-B)，并且進(jìn)一步優(yōu)選式(E-B)。考慮到改善發(fā)光效率，官能側(cè)鏈優(yōu)選為發(fā)光基團(tuán)；更優(yōu)選為，一價(jià)稠合多環(huán)芳族烴基，含有兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)合其中的稠合多環(huán)芳族烴基的一價(jià)基團(tuán)，或含有至少一個(gè)氮原子和/或氧原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)雜環(huán)基并且進(jìn)一步優(yōu)選，含有兩個(gè)或更多個(gè)結(jié)合其中的稠合多環(huán)芳族烴基的一價(jià)基團(tuán)，或含有至少一個(gè)氮原子和/或氧原子單獨(dú)作為雜原子的一價(jià)雜環(huán)基?？紤]到改善發(fā)光效率，官能側(cè)鏈優(yōu)選為含有由(L-A)或(L-B)表示的部分結(jié)構(gòu)的一價(jià)基團(tuán)。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage83</formula>在式(L-A)或(L-B)中，Q7和Q8表示氧原子，硫原子，-C(R1()3R104)-，-Si(RQ5R1()6)-，-N(R1Q7)-，-C(=0)-，或-S(O)-;Q9，Q1()，Qn和Qu表示氮原子或-C(R則)-;并且R朋至R,。8表示與上面在R的情況下所定義的那些相同的基團(tuán)。考慮到改善發(fā)光效率，Q7和Q8表示氧原子，-C(R1C)3R1()4)-，-N(R107)-和-C(=0)-;并且進(jìn)一步優(yōu)選為氧原子，-N(R1G7),-C(=0)-?？紤]到改善發(fā)光效率，Q9，Q10，Qn和Qu優(yōu)選為-C(R剛)-。根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的特征在于，在官能側(cè)鏈中含有的官能團(tuán)直接結(jié)合到重復(fù)單元的飽和碳上，或通過-Rj-X-結(jié)合到重復(fù)單元上。"官能團(tuán)直接結(jié)合到重復(fù)單元的飽和碳上"是指官能側(cè)鏈的官能團(tuán)直接結(jié)合到重復(fù)單元中含有的飽和碳上。官能團(tuán)直接結(jié)合到其上的重復(fù)單元飽和碳的實(shí)例包括在下式中位于用*標(biāo)記的位置處的那些。[式80]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage84</formula>-(Rj-X)-的Rj表示可以被取代的亞垸基。X表示直接鍵，氧原子，硫原子，OO，C(O)-O，SO，SiR8R9，NRIQ，BR'1，PR'2或P(二0)R'3;更優(yōu)選為直接鍵，氧原子，硫原子，OO，C(K))-O，SiR8R9，NR1Q，或BR";進(jìn)一步優(yōu)選為直接鍵，氧原子，硫原子，SiRS^或NR1并且最優(yōu)選為直接鍵，氧原子，和硫原子。可以被取代的亞垸基通常具有約1至12個(gè)碳原子。取代基的實(shí)例包括烷基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基和氰基。亞烷基的優(yōu)選實(shí)例包括:-C3H6-，-C4H8-，-C5H10-，-C6H12-，-C8H16-，和-C,oH2o-。此處的RS至F^與在R、至W的情況下所定義的那些相同。在重復(fù)單元為二價(jià)雜環(huán)基時(shí)，考慮到合成，X優(yōu)選為氧原子或硫原子，并且進(jìn)一步優(yōu)選為氧原子。在重復(fù)單元是其重復(fù)單元不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基或由上述式(l)表示的二價(jià)基團(tuán)時(shí)，考慮到合成，X優(yōu)選為直接鍵。在重復(fù)單元為二價(jià)芳族胺時(shí)，考慮到合成，X優(yōu)選為氧原子或硫原子，并且進(jìn)一步優(yōu)選為氧原子。考慮到合成，優(yōu)選具有兩條官能側(cè)鏈。高分子LED用高分子化合物的適宜特性之一是空穴注入性?？昭ㄗ⑷胄酝ǔＨQ于高分子化合物最高被占用分子軌道(HOMO)的能量值。HOMO能量的絕對(duì)值越小，空穴注入性越好。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物中，考慮到空穴注入性，HOMO能量的絕對(duì)值優(yōu)選為5.6eV或更??；進(jìn)一步優(yōu)選為5.5eV或更?。徊⑶易顑?yōu)選為5.4eV或更小。HOMO能量是通過采用循環(huán)伏安法(CV)測(cè)量高分子化合物的氧化電位并且基于氧化電位值計(jì)算能量而得到的。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的情況下，氧化電位取負(fù)值。氧化電位越小(氧化電位的絕對(duì)值越大)，HOMO能量的絕對(duì)值越小。因此，空穴注入性得到改善。在基于氧化電位的值計(jì)算HOMO能量時(shí)，由于計(jì)算方法根據(jù)在CV中使用的電極類型和溶劑而變化，所以參考電化學(xué)手冊(cè)，第5版(2000，由MaruzenCo.，Ltd.出版)，通過校正電極和溶劑之間的誤差而進(jìn)行計(jì)算。高分子LED用高分子化合物的適宜特性之一是電子注入性。電子注入性通常取決于高分子化合物最低空余分子軌道(LUMO)的能量值。LUMO能量值的絕對(duì)值越大，電子注入性越好。根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物中，考慮到電子注入性，LUMO能量的絕對(duì)值優(yōu)選為2.2eV或更大；進(jìn)一步優(yōu)選為2.4eV或更大；并且最優(yōu)選為2.5eV或更大。與HOMO能量計(jì)算的情況類似，LUMO能量是通過采用循環(huán)伏安法(CV)測(cè)量高分子化合物的還原電位并且基于還原電位值計(jì)算能量而得到的。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的情況下，還原電位取負(fù)值。還原電位越大(還原電位的絕對(duì)值越小)，LUMO能量的絕對(duì)值越大。因此，電子注入性得到改善。在基于還原電位的值計(jì)算LUMO能量時(shí)，由于計(jì)算方法根據(jù)在CV中使用的電極類型和溶劑而變化，所以參考電化學(xué)手冊(cè)，第5版(2000，由MaruzenCo.，Ltd.出版)，通過校正電極和溶劑之間的誤差而進(jìn)行計(jì)算。根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物，考慮到器件的壽命性質(zhì)，按聚苯乙烯計(jì)的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為103至108;更優(yōu)選為103至107;并且最優(yōu)選為104至10\此處所用的數(shù)均分子量和重均分子量是根據(jù)尺寸排阻色譜(SEC)(由ShimadzuCorporation制造的LC-10Avp)按聚苯乙烯計(jì)得到的。將待測(cè)量的聚合物溶解于四氫呋喃中，以得到約0.5重量％的濃度。將50)al所得溶液倒入到GPC中。將四氫呋喃用作GPC的移動(dòng)相并且以0.6mL/min的流量供給。柱子是通過將兩根TSKgelSuperHM-H柱子(由TosohCorporation制造)直接串聯(lián)連接到一根TSKgelSuperH2000柱子(由TosohCorporation制造)而制備的。作為檢測(cè)器，使用差示折光率檢測(cè)器(RID-10A，由ShimadzuCorporation制造)。此處將描述本發(fā)明中使用的高分子化合物的優(yōu)選實(shí)例。考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在主鏈的重復(fù)單元為二價(jià)雜環(huán)基時(shí)，優(yōu)選下式(5-l)至(5-17);在主鏈的重復(fù)單元為不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基時(shí)，優(yōu)選下式(5-18)至(5-35);在主鏈的重復(fù)單元為由上述式(3)表示的基團(tuán)時(shí)，優(yōu)選下式(5-36)至(5-55);并且在主鏈的重復(fù)單元為二價(jià)芳族胺基時(shí)，優(yōu)選下式(5-56)至(5-60)。由式(5-l)至(5-60)表示的聚合物可以具有取代基。取代基的實(shí)例可以與上述的相同。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage87</formula>[式81－2]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage88</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage89</formula>[式82-2]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage90</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage91</formula>[式83-2]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage92</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage93</formula>式中，X87至XKH與在X,至Xs6的情況下定義的那些相同；￥3。至￥36與在Y,至Y29的情況下定義的那些相同；-J-表示-R;-X-;Fim表示空穴注入/輸送基團(tuán)和/或電子注入/輸送基團(tuán)和/或發(fā)光基團(tuán)；并且Rw,至Rw4和Rx,至RX4與在Rw至Rx的情況下定義的那些相同。Rj和X與上面定義的那些相同?？昭ㄗ⑷?輸送基團(tuán)和/或電子注入/輸送基團(tuán)和/或發(fā)光基團(tuán)與上面定義的那些相同?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在式(5-l)至(5-60)中，X87至X,(H優(yōu)選為氮原子，硼原子和-Si(R'";更優(yōu)選為氮原子和-Si(R1)5并且進(jìn)一步優(yōu)選為氮原子?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在式(5-l)至(5-60)中，Y3o至Y36優(yōu)選為氧原子，硫原子，-N(R4)-，-B(R5)-，-Si(R6)(R-P(R8)-;更優(yōu)選為氧原子，硫原子禾n-N(R4)-，-B(R5)4n-Si(R6)(R7)-;并且進(jìn)一步優(yōu)選為氧原子，硫原子禾口-N(RV和-Si(R"(R7)-。考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在J位可以被取代的亞垸基具有取代基時(shí)，優(yōu)選烷基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳烷氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基；更優(yōu)選為烷基，垸氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳院基，芳垸氧基和一價(jià)雜環(huán)基；進(jìn)一步優(yōu)選烷基，烷氧基，芳基和一價(jià)雜環(huán)基；并且最優(yōu)選烷基，垸氧基和芳基?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在可以被取代并且結(jié)合到主鏈上的亞烷基的碳原子被取代時(shí)，優(yōu)選-O-，-S-，-CO-，-，-SiR8R9-，-NR'。-和-BR1、優(yōu)選-O-，-S-，-SiR8R9,-NR10-;優(yōu)選-O-，-S-和-NR10-;并且最優(yōu)選-0-和-NR1、考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在Fun為空穴注入/輸送基團(tuán)時(shí)，優(yōu)選通過從式(H-1)至(H-31)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；更優(yōu)選通過從式(H-l)至(H-3)，(H-5)和(H-15)至(H-17)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；并且進(jìn)一步優(yōu)選通過從式(H-1)，(H-2)，(H-15)和(H-16)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基。考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在Fun為電子注入/輸送基團(tuán)時(shí)，優(yōu)選通過從式(E-1)至(E-44)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；更優(yōu)選通過從式(E-l)至(E-lO),(E-28)至(E-31)，和(E-41)至(E-44)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；進(jìn)一步優(yōu)選通過從式(E-1)，(E-2)，(E-4)至(E-6)和(E-28)，(E-31)，(E-41)和(E-42)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；并且最優(yōu)選通過從式(E-1)，(E-2)，(E-28),(E-31)，(E-41)和(E-42)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基。考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(5-1)至(5-60)中，在Fim為發(fā)光基團(tuán)時(shí)，優(yōu)選通過從式(L-1)至(L-26)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；更優(yōu)選通過從式(L-6)至(L-8)和(L-9)至(L-16)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；進(jìn)一步優(yōu)選通過從式(L-6)，(L-7)，和(L-9)至(L-14)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基；并且最優(yōu)選通過從式(L-6)，(L-7)和(L-9)至(L-14)中除去一個(gè)R或R上的氫原子而得到的殘基?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在上述式(H-1)至(H-31)，(E-l)至(E-44)和(L-l)至(L-26)中，R優(yōu)選為氫原子，烷基，垸氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基；更優(yōu)選為氫原子，垸基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基和一價(jià)雜環(huán)基；進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子，垸基，烷氧基，芳基和一價(jià)雜環(huán)基；并且最優(yōu)選為氫原子，烷基，烷氧基和芳基?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在其中主鏈的重復(fù)單元為二價(jià)雜環(huán)基的上述式(5-l)至(5-17)中，優(yōu)選式(5-l)至(5-4)，(5-7)至(5-9)和(5-10)至(5-13);更優(yōu)選式(5-l)，(5-2)，(5-7)至(5-9)和(5陽10)至(5-13);并且進(jìn)一步優(yōu)選式(5-7)，(5-8)，(5-11)和(5-13)。考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在作為不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基的上述式(5-18)至(5-35)中，優(yōu)選式(5-18)至(5-21)，(5-24)至(5-31)，(5-32)和(5-33);更優(yōu)選式(5-18)，(5-19)，(5-24)至(5-31)，(5陽32)和(5-33);并且進(jìn)一步優(yōu)選式(5-25)，(5-26)，(5-29)和(5-30)?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在作為由上述式(3)表示的基團(tuán)的式(5-36)至(5-55)中，優(yōu)選式(5-36),(5-3鵬5-40)，(5-42)至(5-44)，(5-46)至(5-48)，(5-50)至(5-52)，和(5-54);并且進(jìn)一步優(yōu)選式(5-36)，(5-40)，(5-44)至(5-48)和(5-52)?？紤]到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在作為二價(jià)芳族胺基的式(5-56)至(5-60)中，最優(yōu)選式(5-56)至(5-58)。考慮到發(fā)光效率，器件的耐久性和合成容易性，在由式(5-1)至(5-60)表示的基團(tuán)具有取代基時(shí)，優(yōu)選垸基，垸氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基和一價(jià)雜環(huán)基；更優(yōu)選垸基，垸氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳垸基，芳垸氧基和一價(jià)雜環(huán)基；并且進(jìn)一步優(yōu)選垸基，烷氧基，芳基和一價(jià)雜環(huán)基；并且最優(yōu)選烷基，烷氧基和芳基?？紤]到改變發(fā)光波長、改善發(fā)光效率和改善耐熱性，根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物優(yōu)選為含有上述重復(fù)單元和一種或多種其它類型的重復(fù)單元的共聚物。"其它類型的重復(fù)單元"的實(shí)例優(yōu)選包括由下式(8)表示的那些。-Ar8-(8)其中Ar8各自獨(dú)立地表示亞芳基，二價(jià)雜環(huán)基或具有金屬配合物結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。亞芳基，二價(jià)雜環(huán)基或具有金屬配合物的二價(jià)基團(tuán)表示如上所述相同的基團(tuán)。在由上述式(8)表示的重復(fù)單元中，優(yōu)選由下式(9)，(10)，(U)或(12)表示的那些。[式85]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage97</formula>(9)其中Ra表示烷基，烷氧基，垸硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳垸氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基或氰基；a表示0至4的整數(shù)；并且在存在多個(gè)RJ3寸，它們可以相同或不同。[式86]<table>complextableseeoriginaldocumentpage97</column></row><table>Rb和Rc各自獨(dú)立地為烷基，垸氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅垸基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基或氰基；b和C各自獨(dú)立地表示0至3的整數(shù)；并且在存在多個(gè)Rb和Re時(shí)，它們可以相同或不同。[式87]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage98</formula>Rd表示垸基，垸氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳院基，芳垸氧基，芳烷硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，酰基，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基，或氰基；d表示0至2的整數(shù)；Ar9和Ar,o各自獨(dú)立地表示亞芳基，二價(jià)雜環(huán)基或具有金屬配合物的二價(jià)基團(tuán)；m和n各自獨(dú)立地表示0或1;Z,為O，S，SO，S02，Se或Te;并且在存在多個(gè)Rd時(shí)，它們可以相同或不同。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage98</formula>其中，Re和R洛自獨(dú)立地表示垸基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳烷氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅垸基，取代的甲硅烷基，鹵素原子，?；?，酰氧基，亞胺殘基，酰胺基，酸亞氨基，一價(jià)雜環(huán)基，羧基，取代的羧基或氰基；e和f各自獨(dú)立地表示0至4的整數(shù)；Z2為0，S，SO，S02，Se，TeN-R"或SiR"R";Z3和Z4各自獨(dú)立地表示N或C-R";R14，R15，R"和R^各自獨(dú)立地表示氫原子，烷基，芳基，芳垸基或一價(jià)雜環(huán)基；并且在存在多個(gè)Rc，Rf和R"時(shí)，它們可以相同或不同。在由式(12)表示的重復(fù)單元的中心處的5元環(huán)的實(shí)例包括噻二唑，噁二唑，三唑，噻吩，呋喃和矽咯(silole)。在由上述式(8)表示的重復(fù)單元中，考慮到改變發(fā)光波長，改善發(fā)光效率和改善耐熱性，還優(yōu)選由上述式(13)表示的重復(fù)單元。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage99</formula>其中Aru，Ar12，A和Ar，4各自獨(dú)立地表示亞芳基或二價(jià)雜環(huán)基；Ar15，Ar,6和Arn各自獨(dú)立地表示芳基或一價(jià)雜環(huán)基；Ar，Ar12，Ar13，Ar,4禾口A"可以具有取代基；并且o和p各自獨(dú)立地表示O或l的整數(shù)，且0So+pSl。由上述式(13)表示的重復(fù)單元的具體實(shí)例包括由下式133至140表示的那些。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage100</formula><formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage101</formula>在上述式中，R與在上述式l至132中的情況下的相同。為了增加高分子化合物在溶劑中的溶解性，高分子化合物優(yōu)選具有不同于氫原子的至少一個(gè)原子，并且優(yōu)選包括取代基的重復(fù)單元的對(duì)稱性低。在上述式中，在R為包括垸基的取代基時(shí)，為了增加高分子化合物在溶劑中的溶解性，優(yōu)選含有至少一個(gè)環(huán)狀或支鏈烷基。此外，在上述式中，在R部分含有芳基和雜環(huán)基時(shí)，這些基團(tuán)可以具有一個(gè)或多個(gè)取代基。在由上述式(13)表示的重復(fù)單元中，優(yōu)選Arn，Ar12，Ar,3和Ar,4各自獨(dú)立地表示亞芳基；Ar15，Ai^和Arn各自獨(dú)立地表示芳基。它們中，Ar15，Ai^和Arn優(yōu)選各自獨(dú)立地表示具有3個(gè)或更多個(gè)取代基的芳基；更優(yōu)選具有3個(gè)或更多個(gè)取代基的苯基，具有3個(gè)或更多個(gè)取代基的萘基，或具有3個(gè)或更多個(gè)取代基的蒽基；并且進(jìn)一步優(yōu)選為具有3個(gè)或更多個(gè)取代基的苯基。它們中，優(yōu)選A"，Ar^和Arn各自獨(dú)立地表示下式(13-l)并且滿足關(guān)系0+p=1。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage102</formula>其中R14，R"和R"各自獨(dú)立地表示烷基，烷氧基，烷硫基，芳基，芳氧基，芳硫基，芳烷基，芳垸氧基，芳垸硫基，芳烯基，芳炔基，氨基，取代的氨基，甲硅烷基，取代的甲硅烷基，甲硅烷氧基，取代的甲硅垸氧基，一價(jià)雜環(huán)基，或鹵素原子。更優(yōu)選地，在式(13-1)中，R"和R"各自獨(dú)立地表示具有3個(gè)或更少碳原子的垸基，具有3個(gè)或更少碳原子的垸氧基或具有3個(gè)或更少碳原子的垸硫基；并且Ru為具有3至20個(gè)碳原子的烷基，具有3至20個(gè)碳原子的烷氧基或具有3至20個(gè)碳原子的烷硫基?？紤]到發(fā)光效率，由上述式(8)表示的重復(fù)單元優(yōu)選為稠環(huán)，并且更優(yōu)選為由上述式30至38，G至N，49至93，O至Z和AA至AC中任何一個(gè)表示的二價(jià)基團(tuán)。它們中，考慮到合成，優(yōu)選由上述式30至32，36，G，J，K，M，49至68，79至93表示的二價(jià)基團(tuán)；并且更優(yōu)選由上述式30，31，36，G，K，M，54，65，67，79，82，83，87，和93表示的二價(jià)基團(tuán)；并且進(jìn)一步優(yōu)選由上述式36，G，K,79，82，83,87和93表示的二價(jià)基團(tuán)。根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物可以是無規(guī)、嵌段或接枝共聚物，或具有它們之間的中間結(jié)構(gòu)的聚合物，例如類似于嵌段共聚物的無規(guī)共聚物?？紤]到得到具有高熒光和磷光量子產(chǎn)額的發(fā)光聚合物，與完全的無規(guī)共聚物相比，更優(yōu)選類似于嵌段共聚物的無規(guī)共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。不僅包括具有支化主鏈和三個(gè)或更多個(gè)端基的共聚物，而且包括樹枝狀聚合物(dendrimer)。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物中，如果可聚合基團(tuán)作為其端基保留，則可能降低使用該聚合物的所得器件的發(fā)光性和壽命。因此，可以由穩(wěn)定基團(tuán)保護(hù)端基。優(yōu)選具有延續(xù)到主鏈的共軛結(jié)構(gòu)的共軛鍵的穩(wěn)定基團(tuán)，例如，可以提及通過碳-至-碳鍵結(jié)合到芳基或雜環(huán)基上的結(jié)構(gòu)。其具體實(shí)例包括在JP-A-09-45478的式10中所示的取代基。用于根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的良溶劑的實(shí)例包括氯仿，二氯甲烷，二氯乙烷，四氫呋喃，甲苯，二甲苯，1，3,5-三甲基苯，1，2，3,4-四氫化萘，十氫化萘和正丁基苯。高分子化合物的濃度根據(jù)高分子化合物的結(jié)構(gòu)和分子量而變化；但是，高分子化合物可以以0.1重量％或更大的濃度溶解于這些溶劑中。接著，將解釋制備根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的方法。根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物可以通過使用由V,-Q-V2表示的化合物作為原料之一并且將原料進(jìn)行縮聚來制備。Q具有官能側(cè)鏈，所述的官能側(cè)鏈具有包括空穴注入/輸送基團(tuán)和/或電子注入/輸送基團(tuán)和/或發(fā)光基團(tuán)的官能團(tuán)。直接結(jié)合到重復(fù)單元的飽和碳原子上或通過-RrX-(Rj和X與如上定義的相同)結(jié)合到重復(fù)單元上的官能團(tuán)表示二價(jià)雜環(huán)基，不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基，由上述式(3)表示的基團(tuán)或二價(jià)芳族胺基。V,和V2各自獨(dú)立地表示參加縮聚的取代基。此外，在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物具有除-Q-外的重復(fù)單元時(shí)，縮聚可以在化合物存在下進(jìn)行，所述的化合物用作除-Q-外的重復(fù)單元，并且具有參加縮聚的取代基。作為具有兩個(gè)參加縮聚的取代基并且用作除由-Q-表示的重復(fù)單元外的重復(fù)單元的化合物，例如，可以提及的有由V3-Ars-V4表示的化合物(其中Ars與如上定義的相同，V3和V4各自獨(dú)立地表示參加縮聚的取代基。通過將除由VrQ-V2表示的化合物之外的由V3-Ars-V4表示的化合物進(jìn)行縮聚，可以制備根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物。作為用作除由上述式(8)表示的重復(fù)單元外的重復(fù)單元并且具有兩個(gè)對(duì)應(yīng)于上述式(13)且參加縮聚的取代基的化合物，可以提及由下式(14)表示的化合物。[式94]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage104</formula>(14)其中Ar，,，Ar12，Ar13,Ar14，Ar15，Ar6，ArI7，o和p的定義和優(yōu)選實(shí)例與如上定義的相同；并且Vs和V6各自獨(dú)立地表示參加縮聚的取代基。在根據(jù)本發(fā)明的制備方法中，參加縮聚的取代基的實(shí)例包括鹵素原子，垸基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，芳基烷基磺酸酯基，硼酸酯基，锍-甲基，鱗-甲基，膦酸酯-甲基，單鹵化甲基，-B(OH)，甲酰基，氰基和乙烯基。此處的鹵素原子的實(shí)例包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子。烷基磺酸酯基的實(shí)例包括甲磺酸酯基，乙磺酸酯基和三氟甲磺酸酯基。芳基磺酸酯基的實(shí)例包括苯磺酸酯基和對(duì)甲苯磺酸酯基。芳基磺酸酯基的實(shí)例包括芐基磺酸酯基。硼酸酯基的實(shí)例包括由下式表示的基團(tuán)。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage104</formula>其中Me表示甲基，并且Et表示乙基。锍-甲基的實(shí)例包括由下式表示的基團(tuán)'-CH2S+Me2X-，-CH2S+Ph2X-其中X表示鹵素原子，并且Ph表示苯基。鱗-甲基的實(shí)例包括由下式表示的基團(tuán)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage104</formula>其中X表示鹵素原子。膦酸酯-甲基的實(shí)例包括由下式表示的基團(tuán)。-CH2PO(OR')2，其中X表示鹵素原子，R'表示烷基，芳基或芳垸基。單鹵化-甲基的實(shí)例包括氟化甲基，氯化甲基，溴化甲基和碘化甲基。作為參加縮聚的取代基的優(yōu)選取代基根據(jù)聚合反應(yīng)的類型而變化。例如，在反應(yīng)如使用鎳(O)配合物的Yamamoto偶合反應(yīng)中，可以提及鹵素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基或芳基烷基磺酸酯基。在反應(yīng)如使用鎳催化劑或鈀催化劑的Suzuki偶合反應(yīng)中，可以提及烷基磺酸酯基，鹵素原子，硼酸酯基或-B(OH)2。更具體而言，根據(jù)本發(fā)明的制備方法可以如下進(jìn)行在堿或適宜的催化劑存在下，在從有機(jī)溶劑的熔點(diǎn)至沸點(diǎn)(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)的溫度，例如，根據(jù)在如以下出版物的出版物中描述的已知方法使用化合物，該化合物具有多個(gè)參加縮聚的取代基并且用作單體，需要時(shí)，將其溶解于有機(jī)溶劑中，"OrganicReactions",Vol.No.14,p.270-490,JohnWiley&Sons,Inc.，(1965);OrganicSyntheses",CollectiveVolumeVI，p.407-411,JohnWiley&Sons,Inc,(1988);Chem,Rev.,Vol.No.95，p.2457(1995);J.Organomet.Chem"Vol.No.576,p.147(1999);禾口Makromol.Chem.,Macromol.Symp.,Vol.No.12,p.229(1987)。根據(jù)參加縮聚的取代基，通過采用已知的縮合反應(yīng)，可以制備根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物。例如，可以提及的有由Suzuki偶合反應(yīng)聚合相應(yīng)單體的方法，通過格利雅反應(yīng)的聚合方法，使用Ni(0)配合物的聚合方法，使用氧化劑如FeCl3的聚合方法，電化學(xué)氧化聚合方法，和通過分解具有適宜離去基團(tuán)的中間聚合物的方法聚合。它們中，優(yōu)選通過Suzuki偶合反應(yīng)的聚合方法，通過格利雅反應(yīng)的聚合方法和使用Ni(O)配合物的聚合方法，原因在于可以容易地進(jìn)行結(jié)構(gòu)控制。在本發(fā)明的制備方法中，可以優(yōu)選提及的有這樣的方法，其中參加縮聚的取代基(Y,，Y2，Y3，Y4，Y5和Y6)各自獨(dú)立地選自鹵素原子，垸基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，和芳基烷基磺酸酯基，并且在Ni(O)配合物存在下進(jìn)行縮合和聚合。原料化合物的實(shí)例包括.-二鹵化化合物，雙(烷基磺酸酯)化合物，雙(芳基磺酸酯)化合物，雙(芳基垸基磺酸酯)化合物，或鹵素-烷基磺酸酯化合物，鹵素-芳基磺酸酯化合物，鹵素-芳基垸基磺酸酯化合物，烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物，烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物，和垸基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。在此情況下，可以提及的有通過使用以下化合物作為原料制備順序(insequence)控制的高分子化合物的方法鹵素-垸基磺酸酯化合物，鹵素-芳基磺酸酯化合物，鹵素-芳基烷基磺酸酯化合物，芳基烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物，垸基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物，或芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。在本發(fā)明的制備方法，可以優(yōu)選提及的有這樣的方法，其中參加縮聚的取代基(Yj，Y2，Y3，Y4，Ys和Y6)各自獨(dú)立地選自鹵素原子，垸基磺酸酯基，芳基磺酸酯基，芳基垸基磺酸酯基，硼酸基和硼酸酯基，并且在M催化劑或鈀催化劑存在下進(jìn)行縮合和聚合，使得相對(duì)于硼酸(-B(0H)2)基和硼酸酯基的總摩爾數(shù)(K)，在全部原料化合物中含有的鹵素原子，烷基磺酸酯基，芳基磺酸酯基和芳基烷基磺酸酯基的總摩爾數(shù)(J)的比例基本上變?yōu)榛旧蟣(K/J通常落入0.7至1.2范圍內(nèi))。原料的具體組合的實(shí)例包括二卣化化合物，雙(烷基磺酸酯)化合物，雙(芳基磺酸酯)化合物或雙(芳基烷基磺酸酯)化合物，和二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的組合。此外，可以提及的有鹵素-硼酸化合物，鹵素-硼酸酯化合物，烷基磺酸酯-硼酸化合物，垸基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基磺酸酯-硼酸化合物，芳基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基垸基磺酸酯-硼酸化合物，芳基垸基磺酸酯-硼酸化合物，和芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。在此情況下，可以提及的有通過使用以下化合物作為原料制備順序控制的高分子化合物的方法鹵素-硼酸化合物，鹵素-硼酸酯化合物，烷基磺酸酯-硼酸化合物，烷基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基磺酸酯-硼酸化合物，芳基磺酸酯-硼酸酯化合物，芳基垸基磺酸酯-硼酸化合物，芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物或芳基垸基磺酸酯-硼酸酯化合物。此處的有機(jī)溶劑根據(jù)使用的化合物和反應(yīng)而變化。通常，為了抑制副反應(yīng)，對(duì)所使用的溶劑充分地進(jìn)行脫氧處理，并且優(yōu)選在惰性氣氛下進(jìn)行反應(yīng)。此外，類似地，優(yōu)選進(jìn)行脫水處理。但是，此不用于在例如Suzuki偶合反應(yīng)中在水和溶劑的兩相中進(jìn)行反應(yīng)的情況。溶劑的實(shí)例包括飽和烴如戊烷，己垸，庚烷，辛垸和環(huán)己垸；不飽和烴如苯，甲苯，乙基苯和二甲苯；鹵化飽和烴如四氯化碳，氯仿，二氯甲垸，氯丁烷，溴丁烷，氯戊垸，溴戊垸，氯己垸，溴己垸，氯環(huán)己烷和溴環(huán)己烷；卣化不飽和烴如氯苯，二氯苯和三氯苯；醇如甲醇，乙醇，丙醇，異丙醇，丁醇和叔丁醇；羧酸如甲酸，乙酸和丙酸；醚如二甲基醚，二乙基醚，甲基-叔丁基醚，四氫呋喃，四氫吡喃和二噁烷；胺如三甲胺，三乙胺，N,N,N',N'-四甲基乙二胺和吡啶；和酰胺如N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，N,N-二乙基乙酰胺，和N-甲基嗎啉氧化物。它們可以單獨(dú)或以混合物的形式使用。它們中，優(yōu)選醚，并且進(jìn)一步優(yōu)選四氫呋喃和二乙醚。為了進(jìn)行反應(yīng)，可以適宜地加入堿和適宜的催化劑?？梢愿鶕?jù)所采用的反應(yīng)而選擇它們。堿或催化劑優(yōu)選充分地溶解于所使用的溶劑中。作為混合堿或催化劑的方法，可以提及的有將堿或催化劑加入到反應(yīng)溶液中，同時(shí)在惰性氣氛如氬和氮中溫和地?cái)嚢璺磻?yīng)溶液的方法；和相反地，將反應(yīng)溶液溫和地加入到堿或催化劑的溶液中的方法。在將根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物用于例如高分子LED中時(shí)，由于高分子化合物的純度對(duì)器件的性能如發(fā)光性有影響，所以優(yōu)選在進(jìn)行聚合之前，由方法如蒸餾、升華純化或重結(jié)晶純化單體，然后進(jìn)行聚合。此外，在聚合之后，優(yōu)選進(jìn)行純化處理，如沉淀純化，或由色譜進(jìn)行的分級(jí)。接著，將解釋根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的應(yīng)用。本發(fā)明的高分子化合物通常在固態(tài)發(fā)射熒光或磷光，并且可以用作高分子發(fā)光材料(高分子量的發(fā)光材料)。高分子化合物具有優(yōu)異的電荷輸送性，并且適宜用作高分子LED材料和用作電荷輸送材料。使用所述高分子發(fā)光材料的高分子LED是高性能高分子LED，其能夠在低壓下高效率地被驅(qū)動(dòng)。因此，可以將高分子LED用作背光用的曲面和平面光源，或液晶顯示器的照明，并且用于器件如節(jié)段型顯示器和點(diǎn)矩陣平板顯示器。此外，可以將本發(fā)明的高分子化合物用作激光染料，有機(jī)太陽能電池用的材料，有機(jī)晶體管用的有機(jī)半導(dǎo)體和導(dǎo)電薄膜如導(dǎo)電薄膜或有機(jī)半導(dǎo)體薄膜用的材料。此外，可以將本發(fā)明的高分子化合物用作發(fā)射熒光或磷光的發(fā)光薄膜用的材料。接著，將解釋根據(jù)本發(fā)明的高分子LED。本發(fā)明的高分子LED的特征在于具有有機(jī)層，所述的有機(jī)層位于由陽極和陰極組成的電極之間，并且含有根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物。有機(jī)層可以是發(fā)光層，空穴輸送層，空穴注入層，電子輸送層，電子注入層和夾層中的任何一種；但是，有機(jī)層優(yōu)選為發(fā)光層。此處的發(fā)光層是指具有發(fā)光功能的層?？昭ㄝ斔蛯邮侵妇哂休斔涂昭üδ艿膶?。電子輸送層是指具有輸送電子功能的層。此外，夾層是指位于發(fā)光層和陰極之間、鄰近發(fā)光層和起著將發(fā)光層與陰極隔開或?qū)l(fā)光層與空穴注入層或空穴輸送層隔開的層。注意電子輸送層和空穴輸送層統(tǒng)稱為電荷輸送層。此外，電子注入層和空穴注入層統(tǒng)稱為電荷注入層?？梢允褂酶髯元?dú)立地由兩層或更多層組成的發(fā)光層，空穴輸送層，空穴注入層，電子輸送層，電子注入層。在有機(jī)層用作發(fā)光層時(shí)，由有機(jī)層組成的發(fā)光層可以進(jìn)一步含有空穴輸送性材料，電子輸送性材料或發(fā)光材料。此處的發(fā)光材料是指發(fā)射熒光和/或磷光的材料。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物與空穴輸送性材料混合時(shí)，空穴輸送性材料相對(duì)于總混合物的混合比率為1重量％至80重量％，并且優(yōu)選5重量％至60重量％。在根據(jù)本發(fā)明的高分子材料與電子輸送性材料混合時(shí)，電子輸送性材料相對(duì)于總混合物的混合比率為1重量％至80重量％，并且優(yōu)選5重量％至60重量％。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物與發(fā)光材料混合時(shí)，發(fā)光材料相對(duì)于總混合物的混合比率為1重量％至80重量％，并且優(yōu)選5重量％至60重量％。在根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物與發(fā)光材料，空穴輸送性材料和/或電子輸送性材料混合時(shí)，發(fā)光材料相對(duì)于總混合物的混合比率為1重量％至50重量％，并且優(yōu)選5重量％至40重量％;并且空穴輸送性材料加上電子輸送性材料的比率為1重量％至50重量％，并且優(yōu)選5重量％至40重量％。因此，本發(fā)明的高分子化合物的含量為98重量％至1重量％，并且優(yōu)選90重量％至20重量％。作為空穴輸送性材料，電子輸送性材料和發(fā)光材料，可以使用已知的低分子量化合物，三重態(tài)發(fā)光配合物或高分子化合物；但是，優(yōu)選使用高分子化合物。作為高分子空穴輸送性材料，電子輸送性材料和發(fā)光材料，可以提及的有聚芴及其衍生物和共聚物；聚亞芳基及其衍生物和共聚物；聚亞芳基亞乙烯基及其衍生物和共聚物；和芳族胺的共聚物及其衍生物，它們公開例如于W099/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、W001/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00脇65、W099/54943、W099/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、W099/24526、WO00/22027、WO00/22026、W098/27136、US573636、W098/21262、US5741921、WO97/09394、W096/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、JP陽A-2001-181618、JP-A-2001-123156、JP-A-2001-3045、JP-A-2000-351967、JP-A-2000-303066、JP-A-2000-299189、JP-A-2000-252065、JP-A-2000-136379、JP-A-2000-104057、JP-A-2000-80167、JP-A-10-324870、JP-A-10-114891、JP-A-9-111233和JP-A-9-45478中。作為低分子量化合物的熒光材料，可以使用的有萘衍生物，蒽或其衍生物；茈或其衍生物；染料如聚甲炔基，咕噸基，香豆素基或花青基染料，8-羥基喹啉的金屬配合物或其衍生物；芳族胺；四苯基環(huán)戊二烯或其衍生物；或四苯基丁二烯或其衍生物。更具體而言，可以使用已知化合物，例如，在JP-A-57-51781禾口59-194393中描述的化合物。三重態(tài)發(fā)光配合物的實(shí)例包括含有銥作為中心金屬的Ir(ppy)3Btp2Ir(acac)，含有鉑作為中心金屬的PtOEP和含有銪作為中心金屬的Eu(TTA)3phen。[式96]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage110</formula>[式97]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage111</formula>[式99]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage111</formula>三重態(tài)發(fā)光配合物的具體實(shí)例描述例如于Nature,(1998),395,151;Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1),4;Proc.SPIE-lnt.Soc.Opt.Eng.(2001),4105(OranicLight-EmittingMaterialsandDevicesIV),119;J.Am.Chem.Soc.，(2001)，123，4304;ApplPhys.Lett.,(1997)，71(18)，2596;Syn,Met.,(1998),94(1)，103;Syn.Met"(1999)，99(2)，1361;Adv.Mater"(1999)，11(10),852;和Jpn.J.Appl,Phys"34，1883(1995)中。根據(jù)本發(fā)明的組合物含有至少一種選自空穴輸送性材料，電子輸送性材料和發(fā)光材料中的材料并且含有根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物，并且被用作發(fā)光材料或電荷輸送材料?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用，決定至少一種選自空穴輸送性材料，電子輸送性材料和發(fā)光材料中的材料相對(duì)于本發(fā)明的高分子化合物的含量比率；但是，在組合物作為發(fā)光材料時(shí)，含量比率優(yōu)選與發(fā)光層中的相同?？梢詫煞N或更多種根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的混合物作為組合物使用。為了提高高分子LED的性質(zhì)(性能)，組合物優(yōu)選含有兩種或更多種聚合物，所述的聚合物選自在側(cè)鏈含有空穴注入/輸送基團(tuán)的高分子化合物，在側(cè)鏈含有電子注入/輸送基團(tuán)的高分子化合物，和在側(cè)鏈含有發(fā)光基團(tuán)的高分子化合物。在本發(fā)明的高分子LED具有的發(fā)光層中，膜厚度的最佳值根據(jù)所使用的材料而不同，并且可以進(jìn)行選擇，以具有適宜的驅(qū)動(dòng)電壓值和發(fā)光效率值。膜厚度為例如lnm至l^m，優(yōu)選2nm至500nm，并且進(jìn)一步優(yōu)選5nm至200趣。形成發(fā)光層的方法的實(shí)例包括由溶液形成膜的方法。由溶液形成膜的方法的實(shí)例包括涂布方法如旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，輥涂布方法，繞線棒涂布方法，浸涂方法，噴涂方法，絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法，和噴墨印刷方法?？紤]到圖案形成和多色涂布的容易性，優(yōu)選印刷方法如絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法，和噴墨印刷方法。作為印刷方法中使用的油墨組合物，可以使用任何組合物，只要含有至少一種根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物即可。該組合物除了根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物外，還可以含有空穴輸送性材料，電子輸送性材料，發(fā)光材料，溶劑，并且可以含有添加劑如穩(wěn)定劑?；诮M合物不包括溶劑在內(nèi)的總重量，根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物在油墨組合物中的比率通常為20重量％至100重量％，并且優(yōu)選40重量％至100重量％。此外，在油墨組合物中含有溶劑時(shí)，基于組合物的總重量，溶劑的比率通常為1重量％至99.9重量％，優(yōu)選為60重量％至99.5重量％，并且更優(yōu)選為80重量％至99.0重量％。油墨組合物的粘度根據(jù)印刷方法而改變。在噴墨印刷方法的情況下，在油墨組合物通過噴射裝置時(shí)，25。C時(shí)的粘度優(yōu)選落在l至20mPa.s的范圍內(nèi)，以防止噴射時(shí)的堵塞和彎曲。本發(fā)明的溶液除了根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物外，還可以含有用于控制粘度和/或表面張力的添加劑。添加劑的實(shí)例包括高分子量的高分子化合物(增稠劑)和用于增加粘度的不良溶劑，并且可以適宜地組合使用用于降低粘度的低分子量的高分子化合物和用于降低表面張力的表面活性劑。作為高分子量的高分子化合物，可以使用任何聚合物，只要它可溶于與根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的溶劑相同的溶劑并且它不抑制發(fā)光和電荷輸送即可?？梢允褂酶叻肿恿康木郾揭蚁┗蚓奂谆┧峒柞セ蚓哂斜缺景l(fā)明高分子化合物更高分子量的高分子化合物。重均分子量?jī)?yōu)選為五十萬或更高，并且更優(yōu)選為一百萬或更高?？梢詫⒉涣既軇┯米髟龀韯?。更具體而言，可以通過加入少量用于溶液固體物質(zhì)的不良溶劑而增加粘度。在為此目的加入不良溶劑時(shí)，可以使用任何類型和加入量的溶劑，只要溶液的固體物質(zhì)不沉淀即可?？紤]到貯存期間的穩(wěn)定性，相對(duì)于溶劑的總量，不良溶劑的量?jī)?yōu)選為50重量％或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選30重量％或更小。根據(jù)本發(fā)明的溶液除了根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物外還可以含有抗氧化劑，用于改善貯存穩(wěn)定性。作為抗氧化劑，可以使用任何抗氧化劑，只要它可以溶于根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物用的相同溶劑，并且它不抑制發(fā)光或電荷輸送即可。例如，可以提及的有酚基抗氧化劑和磷基抗氧化劑。在根據(jù)本發(fā)明的溶液用作油墨組合物時(shí)，使用的溶劑沒有特別限制；但是，可以優(yōu)選提及的有能夠溶解或均勻地分散油墨組合物除溶劑之外的組分即可。溶劑的實(shí)例包括氯基溶劑如氯仿，二氯甲烷，1,2-二氯乙烷，1,1，2-三氯乙烷，氯苯和鄰-二氯苯；醚基溶劑如四氫呋喃，二噁垸和茴香醚；芳族烴基溶劑如甲苯和二甲苯；脂族烴基溶劑如環(huán)己烷；甲基環(huán)己垸，正戊垸，正己垸，正庚垸，正辛烷，正壬烷和正癸烷；酮基溶劑如丙酮，甲基乙基酮，環(huán)己酮，苯甲酮和苯乙酮；酯溶劑如乙酸乙酯，乙酸丁酯，乙基-溶纖劑乙酸酯，苯甲酸甲酯和乙酸苯酯；多元醇如l,2-亞乙基二醇，乙二醇單丁基醚，乙二醇單乙基醚，乙二醇單甲基醚，二甲氧基乙垸，丙二醇，二乙氧基甲垸，三甘醇單乙基醚，甘油，和l,2-己二醇，和這些的衍生物；醇基溶劑如甲醇，乙醇，丙醇，異丙醇和環(huán)己醇；亞砜基溶劑如二甲亞砜；和酰胺基溶劑如N-甲基-2-吡咯垸酮和N,N-二甲基甲酰胺。這些溶劑可以單獨(dú)使用，或者以這些的組合使用。它們中，考慮到溶解性，在成膜時(shí)的均勻性和高分子化合物的粘度性質(zhì)等，優(yōu)選使用的有芳族烴基溶劑，脂族烴基溶劑，酯基溶劑和酮基溶劑；并且更優(yōu)選甲苯，二甲苯，乙基苯，二乙基苯，三甲基苯，正丙基苯，異丙基苯，正丁基苯，異丁基苯，仲丁基苯，茴香醚，乙氧基苯，1-甲基萘，環(huán)己垸，環(huán)己酮，環(huán)己基苯，雙環(huán)己基，環(huán)己烯基-環(huán)己酮，正庚基-環(huán)己垸，正己基-環(huán)己垸，2-丙基-環(huán)己酮，2-庚酮，3-庚酮，4-庚酮，2-辛酮，2-壬酮，2-癸酮，二環(huán)己基酮，苯乙酮和苯甲酮。作為溶液溶劑種類的數(shù)量，考慮到成膜性，器件特性等，優(yōu)選兩種或更多種的溶劑，更優(yōu)選2至3種溶劑，并且進(jìn)一步優(yōu)選2種溶劑。作為溶液溶劑種類的數(shù)量，考慮到成膜性，器件特性等，優(yōu)選兩種或更多種的溶劑，更優(yōu)選2至3種溶劑，并且進(jìn)一步優(yōu)選2種溶劑。在溶液中含有2種溶劑時(shí)，它們中的一種在25。C可以以固態(tài)存在?？紤]到成膜性，溶劑中的一種的沸點(diǎn)優(yōu)選為180。C或更高，并且更優(yōu)選為200。C或更高?？紤]到粘度，優(yōu)選兩種溶劑在60。C溶解1重量W或更多的芳族聚合物，并且兩種溶劑中的一種在25。C可以溶解l重量。/?；蚋嗟姆甲寰酆衔?。在溶液中含有2種溶劑時(shí)，考慮到粘度和成膜性，基于溶液中溶劑的總重量，沸點(diǎn)最高的溶劑的含量為40至90重量％，更優(yōu)選為50至90重量％，并且進(jìn)一步優(yōu)選為65至85重量％。本發(fā)明的溶液可以在l至1000ppm范圍內(nèi)含有水和金屬及其鹽。金屬的實(shí)例包括鋰，鈉，鈣，鉀，鐵，銅，鎳，鋁，鋅，鉻，錳，鈷，鉑和銥。此外，可以在l至1000ppm范圍內(nèi)含有硅，磷，氟，氯，和溴。通過使用根據(jù)本發(fā)明的溶液，根據(jù)以下方法，可以制備薄膜旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，輥涂布方法，繞線棒涂布方法，浸涂方法，噴涂方法，絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法，噴墨印刷方法等。它們中，優(yōu)選在由絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法，或噴墨印刷方法，并且更優(yōu)選由噴墨印刷方法形成膜時(shí)，使用本發(fā)明的溶液。通過使用根據(jù)本發(fā)明的溶液制備的薄膜的實(shí)例包括發(fā)光薄膜，導(dǎo)電薄膜和有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。本發(fā)明導(dǎo)電薄膜的表面電阻優(yōu)選為lKQ/口或更小。通過摻雜路易斯酸、離子化合物等，可以提高薄膜的電導(dǎo)率。表面電阻更優(yōu)選為100KQ/口或更小，并且進(jìn)一步優(yōu)選為10KQ/口。在本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中，電子遷移率和空穴遷移率中較大的一個(gè)的值優(yōu)選不小于101112/秒，更優(yōu)選為不小于10—、n^/V/秒，并且進(jìn)一步優(yōu)選為不小于10—'cm"V/秒。在具有由例如Si02形成的絕緣膜和在其中形成的柵極電極的Si襯底上形成有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，并且形成Au等的源極和漏極，可以形成有機(jī)晶體管。此外，根據(jù)本發(fā)明的高分子LED的實(shí)例包括通過在陰極和發(fā)光層之間安置電子輸送層而形成的高分子LED;通過在陽極和發(fā)光層之間安置空穴輸送層而形成的高分子LED;和通過在陰極和發(fā)光層之間安置電子輸送層和在陽極和發(fā)光層之間安置空穴輸送層而形成的高分子LED。此外，根據(jù)本發(fā)明的高分子LED的實(shí)例包括通過在陰極和發(fā)光層之間安置電子輸送層而形成的高分子LED;通過在陽極和發(fā)光層之間安置空穴輸送層而形成的高分子LED;和通過在陰極和發(fā)光層之間安置電子輸送層和在陽極和發(fā)光層之間安置空穴輸送層而形成的高分子LED。例如，具體提及下列結(jié)構(gòu)a)至d):a)陽極/發(fā)光層/陰極b)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極c)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/陰極d)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極(其中標(biāo)記"/"是指單獨(dú)的層彼此相鄰地層疊)。此外，在每種結(jié)構(gòu)中，可以在發(fā)光層和與發(fā)光層相鄰的陽極之間安置夾層。更具體而言a')陽極/夾層/發(fā)光層/陰極b')陽極/空穴輸送層/夾層/發(fā)光層/陰極c')陽極/夾層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極d')陽極/空穴輸送層/夾層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極在根據(jù)本發(fā)明的高分子LED具有空穴輸送層時(shí)，采用的空穴輸送性材料的實(shí)例包括聚乙烯咔唑或其衍生物；聚硅烷或其衍生物；在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物；吡唑啉衍生物；芳基胺衍生物；1，2-二苯乙烯衍生物；三苯基-二胺衍生物；聚苯胺或其衍生物；聚噻吩或其衍生物；聚吡咯或其衍生物；聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)或其衍生物；和聚(2,5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物?？昭ㄝ斔托圆牧系木唧w實(shí)例包括在JP-A-63-70257，JP-A-63-175860，JP-A-2-135359，JP-A-2-135361，JP-A誦2-209988，JP陽A-3-37992，和JP-A-3-152184中描述的那些。它們中，作為用于空穴輸送層中的空穴輸送性材料，可以優(yōu)選提及的有高分子空穴輸送性材料如聚乙烯咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺化合物的聚硅氧烷衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)或其衍生物，和聚(2,5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物；和更優(yōu)選，聚乙烯咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺的聚硅氧垸衍生物。低分子化合物的空穴輸送性材料的實(shí)例包括吡唑啉衍生物，芳基胺衍生物，1,2-二苯乙烯衍生物和三苯基二胺衍生物。低分子化合物的空穴輸送性材料優(yōu)選通過將其分散在高分子粘合劑中使用。作為混合的高分子粘合劑，優(yōu)選使用不特別限制電荷傳遞的粘合劑。此外，適宜使用對(duì)可見光沒有強(qiáng)吸收的粘合劑。高分子粘合劑的實(shí)例包括聚(N-乙烯基咔唑)，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)或其衍生物，聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物，聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，聚氯乙烯和聚硅氧烷。由乙烯基單體，通過陽離子聚合或自由基聚合，可以得到聚(N-乙烯基咔唑)或其衍生物。聚硅烷或其衍生物的實(shí)例包括在Chem.Rev.Vol.No.89，p.1359(1989)和英國專利GB2300196的公開說明書中所述的化合物。作為其合成方法，可以使用在這些文件中所述的方法。特別是，可以適宜地使用Kipping方法。在聚硅氧烷或其衍生物中，由于聚硅氧烷骨架結(jié)構(gòu)沒有空穴輸送性，適宜地使用在側(cè)鏈或主鏈中具有上述低分子量空穴輸送性材料結(jié)構(gòu)的聚硅氧烷或其衍生物。具體地，可以提及在側(cè)鏈或主鏈中具有空穴輸送性芳族胺的聚硅氧垸或其衍生物。形成空穴傳遞層膜的方法沒有特別限制。在低分子量空穴輸送性材料的情況下，可以提及由具有高分子粘合劑的混合溶液形成膜的方法。在高分子量空穴輸送性材料的情況下，可以提及由溶液形成膜的方法。作為在由溶液形成膜中使用的溶劑，優(yōu)選可以溶解或均勻地分散空穴輸送性材料的溶劑。溶劑的實(shí)例包括氯基溶劑如氯仿，二氯甲烷，1，2-二氯乙烷，1，1,2-三氯乙烷，氯苯和鄰-二氯苯；醚基溶劑如四氫呋喃和二噁垸；芳族烴基溶劑如甲苯和二甲苯；脂族烴基溶劑如環(huán)己烷；甲基環(huán)己烷，正戊烷，正己烷，正庚烷，正辛烷，正壬垸和正癸垸；酮基溶劑如丙酮，甲基乙基酮和環(huán)己酮；酯溶劑如乙酸乙酯，乙酸丁酯和乙基溶纖劑乙酸酯；多元醇如乙二醇，乙二醇單丁基醚，乙二醇單乙基醚，乙二醇單甲基醚，二甲氧基乙烷，丙二醇，二乙氧基甲烷，三甘醇單乙基醚，甘油和1,2-己二醇，和這些的衍生物；醇基溶劑如甲醇，乙醇，丙醇，異丙醇和環(huán)己醇；亞砜基溶劑如二甲亞砜；和酰胺基溶劑如N-甲基-2-吡咯垸酮和N,N-二甲基甲酰胺.這些溶劑可以單獨(dú)或組合使用。由溶液形成膜的方法的實(shí)例包括旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，輥涂布方法，繞線棒涂布方法，浸涂方法，噴涂方法，絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法和噴墨印刷方法。至于空穴輸送層的膜厚度，其最佳值根據(jù)使用的材料而改變。可以選擇膜厚度，使得驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率適宜地取值。但是，至少要求具有足夠的膜厚度，以不產(chǎn)生針孔。不優(yōu)選極厚的膜，因?yàn)槠骷尿?qū)動(dòng)電壓增加。因此，空穴輸送層的膜厚度為例如lnm至lpm，優(yōu)選2nm至500nm，并且進(jìn)一步優(yōu)選5nm至200nm。在根據(jù)本發(fā)明的高分子LED具有電子輸送層時(shí)，作為使用的電子輸送性材料，可以使用已知的材料。其實(shí)例包括噁二唑的金屬配合物或其衍生物；蒽醌二甲垸或其衍生物，苯醌或其衍生物，萘醌或其衍生物，蒽醌或其衍生物，四氰基蒽醌-二甲垸或其衍生物，芴酮衍生物，二苯基-二氰基乙烯或其衍生物；二苯酚合苯醌衍生物，或8-羥基喹啉或其衍生物；聚喹啉或其衍生物；聚喹喔啉或其衍生物；和聚芴或其衍生物。具體實(shí)例包括在JP-A-63-70257，JP-A-63-175860，JP-A-2-135359，JP-A-2-135361,JP-A-2-209988，JP-A-3-37992和JP-A-3-152184中描述的那些。它們中，優(yōu)選提及的有噁二唑金屬配合物或其衍生物，苯醌或其衍生物，蒽醌或其衍生物，或8-羥基喹啉或其衍生物；聚喹啉或其衍生物；聚喹喔啉或其衍生物；和聚芴或其衍生物，并且進(jìn)一步優(yōu)選，2-(4-聯(lián)苯(viphenyl))-5-(4-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑，苯醌，蒽醌，三(8-喹啉基)鋁和聚喹啉。對(duì)電子輸送層的成膜方法沒有特別限制。使用低分子量電子輸送性材料形成膜的方法的實(shí)例包括由粉末形成膜的真空沉積方法和由溶液或熔融狀態(tài)形成膜的方法。使用高分子量電子輸送性材料的成膜方法的實(shí)例包括由溶液或熔融狀態(tài)形成膜的方法。在由溶液或熔融狀態(tài)形成膜的方法中，可以將如上所述的高分子粘合劑一起使用。至于由溶液形成膜中使用的溶劑，優(yōu)選能夠溶解或均勻地分散電子輸送性材料和/或高分子粘合劑的溶劑。溶劑的實(shí)例包括氯基溶劑如氯仿，二氯甲烷，1，2-二氯乙垸，1,1,2-三氯乙烷，氯苯和鄰-二氯苯；醚基溶劑如四氫呋喃和二噁烷；芳族烴基溶劑如甲苯和二甲苯；脂族烴基溶劑如環(huán)己垸；甲基環(huán)己烷，正戊烷，正己垸，正庚烷，正辛垸，正壬垸和正癸垸；酮基溶劑如丙酮，甲基乙基酮和環(huán)己酮；酯溶劑如乙酸乙酯，乙酸丁酯和乙基-溶纖劑乙酸酯；多元醇如乙二醇，乙二醇單丁基醚，乙二醇單乙基醚，乙二醇單甲基醚，二甲氧基乙烷，丙二醇，二乙氧基甲垸，三甘醇單乙基醚，甘油和1,2-己二醇，和這些的衍生物；醇基溶劑如甲醇，乙醇，丙醇，異丙醇和環(huán)己醇；亞砜基溶劑如二甲亞砜；和酰胺基溶劑如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺。這些溶劑可以單獨(dú)或組合使用。作為由溶液或熔融狀態(tài)形成膜的方法，可以使用的有涂布方法如旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，輥涂布方法，繞線棒涂布方法，浸涂方法，噴涂方法，絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法和噴墨印刷方法。至于電子輸送層的膜厚度，其最佳值根據(jù)使用的材料而改變?？梢赃x擇膜厚度，使得驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率適宜地取值。但是，至少要求具有足夠的膜厚度，以不產(chǎn)生針孔。不優(yōu)選極厚的膜，因?yàn)槠骷尿?qū)動(dòng)電壓增加。因此，電子輸送層的膜厚度為例如lnm至l^m，優(yōu)選2nm至500nm，并且進(jìn)一步優(yōu)選5nm至200nm。在相鄰電極安置的電荷輸送層中，通常，將具有改善來自電極的電荷的注入效率的功能和降低器件驅(qū)動(dòng)電壓的作用的電荷輸送層在某些情況下特別稱作電荷注入層(空穴注入層，電子注入層)。為了改善與電極的粘合性質(zhì)和改善來自電極的電荷的注入，可以相鄰電極安置電荷注入層或厚度為2nm或更小的絕緣層。備選地，為了改善與界面的粘合性質(zhì)或防止污染，可以將薄緩沖層插入到在電荷輸送層和發(fā)光層之間的界面中?？紤]到器件的發(fā)光效率和壽命，可以適宜地設(shè)置疊加的層的次序、數(shù)量和厚度。在本發(fā)明中，作為其中安置有電荷注入層(電子注入層，空穴注入層)的高分子LED，可以提及的有具有與陰極相鄰的電荷注入層的高分子LED和具有與陽極相鄰的電荷注入層的高分子LED。例如，可以具體地提及下列結(jié)構(gòu)e)至p)。e)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/陰極f)陽極/發(fā)光層/電荷注入層/陰極g)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極i)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極j)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極1)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極o)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p)陽極/電荷注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極.此外，在每一種結(jié)構(gòu)中，可以在發(fā)光層和與發(fā)光層相鄰的陽極之間安置夾層。在此情況下，夾層可以用作空穴注入層和/或空穴輸送層。電荷注入層的具體實(shí)例包括含有導(dǎo)電聚合物的層；在陽極和空穴輸送層之間形成的并且電離電位值在陽極材料的電離電位值和空穴輸送層中含有的空穴輸送性材料的電離電位值之間的層；和在陰極和電子輸送層之間安置的并且電子親合勢(shì)值在陽極材料的電子親合勢(shì)值和電子輸送層中含有的電子輸送性材料的電子親合勢(shì)值之間的層。在電荷注入層是含有導(dǎo)電聚合物的層時(shí)，導(dǎo)電高分子的電導(dǎo)率優(yōu)選為10—SS/cm至10"兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，更優(yōu)選10—ss/cm至10"兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，并且進(jìn)一步優(yōu)選為10—SS/cm至10'(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，以降低發(fā)光像素之間的泄漏電流。在電荷注入層是含有導(dǎo)電聚合物的層時(shí)，導(dǎo)電高分子的電導(dǎo)率優(yōu)選為10-5s/cm至l()3s/cm(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，更優(yōu)選l(T5S/cm至102S/cm(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，并且進(jìn)一步優(yōu)選為10—5S/cm至101S/cm(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，以降低發(fā)光像素之間的泄漏電流。為了將導(dǎo)電高分子的電導(dǎo)率設(shè)置在1(T5S/cm至103(兩個(gè)端點(diǎn)都包括)，通常將適量的離子摻雜在導(dǎo)電聚合物中。如果將離子摻雜入空穴注入層中，它們的類型是陰離子，并且如果將它們摻雜入電子注入層時(shí)，它們的類型是陽離子。陰離子的實(shí)例包括聚苯乙烯磺酸離子，垸基苯磺酸離子和樟腦磺酸離子。陽離子的實(shí)例包括鋰離子，鈉離子，鉀離子和四丁基銨離子。電荷注入層的膜厚度為lnm至100nm,并且優(yōu)選2nm至50nm。結(jié)合在與電極相鄰的層中使用的材料，可以適宜地選擇電荷注入層中使用的材料。其實(shí)例包括聚苯胺或其衍生物；聚噻吩或其衍生物；聚吡咯或其衍生物；聚亞苯基亞乙烯基或其衍生物；聚亞噻吩基亞乙烯基或其衍生物；聚喹啉或其衍生物；聚喹喔啉或其衍生物；導(dǎo)電聚合如在主鏈或側(cè)鏈中含有芳族胺結(jié)構(gòu)的聚合物；金屬酞菁(如銅酞菁)；和碳。膜厚度為2nm或更小的絕緣層具有促進(jìn)電荷注入的功能。絕緣層的材料的實(shí)例包括金屬氟化物，金屬氧化物和有機(jī)絕緣材料。具有膜厚度為2nm或更小的絕緣層的高分子LED的實(shí)例包括具有與陰極相鄰的膜厚度為2nm或更小的絕緣層的高分子LED，禾口具有與陽極相鄰的膜厚度為2腿或更小的絕緣層的高分子LED。例如，可以具體提及下列結(jié)構(gòu)q)至ab)。q)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/發(fā)光層/陰極r)陽極/發(fā)光層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極s)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/發(fā)光層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極t)陽極/膜厚度為2mn或更小的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極u)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極v)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極w)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極x)陽極/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極y)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極z)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極aa)陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極ab)陽極/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/膜厚度為2nm或更小的絕緣層/陰極此外，在每一種結(jié)構(gòu)中，可以在發(fā)光層和與發(fā)光層相鄰的陽極之間安123置夾層。在此情況下，夾層可以用作空穴注入層和/或空穴輸送層。在將夾層應(yīng)用到上述a)至ab)的結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選將夾層安置在陽極和發(fā)光層之間，并且由具有在陽極，空穴注入層，或空穴輸送層和構(gòu)成發(fā)光層的高分子化合物之間的中間電離電位的材料形成。用于夾層的材料的實(shí)例包括聚乙烯咔唑或其衍生物；和在側(cè)鏈或主鏈中具有芳族胺的聚合物，如聚亞芳基衍生物，芳基胺衍生物，或三苯基-二胺衍生物。不限制夾層的成膜方法；但是，在使用高分子材料時(shí)，a可以提及由溶液形成膜的方法。至于由溶液形成膜使用的溶劑，可以使用能夠溶解或均勻地分散空穴輸送性材料的溶劑。溶劑的實(shí)例包括氯基溶劑如氯仿，二氯甲烷，1,2-二氯乙烷，1,1,2-三氯乙烷，氯苯和鄰-二氯苯；醚基溶劑如四氫呋喃和二噁垸；芳族烴基溶劑如甲苯和二甲苯；脂族烴基溶劑如環(huán)己烷；甲基環(huán)己垸，正戊烷，正己烷，正庚烷，正辛烷，正壬烷和正癸烷；酮基溶劑如丙酮，甲基乙基酮和環(huán)己酮；酯溶劑如乙酸乙酯，乙酸丁酯，和乙基-溶纖劑乙酸酯；多元醇如乙二醇，乙二醇單丁基醚，乙二醇單乙基醚，乙二醇單甲基醚，二甲氧基乙垸，丙二醇，二乙氧基甲垸，三甘醇單乙基醚，甘油，和1,2-己二醇，和這些的衍生物；醇基溶劑如甲醇，乙醇，丙醇，異丙醇和環(huán)己醇；亞砜基溶劑如二甲亞砜；和酰胺基溶劑如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用，或以這些的組合使用。由溶液形成膜的方法的實(shí)例包括涂布方法如旋涂方法，流延方法，微型凹版印刷涂布方法，凹版印刷涂布方法，棒涂布方法，輥涂布方法，繞線棒涂布方法，浸涂方法，噴涂方法，絲網(wǎng)印刷方法，苯胺印刷方法，膠印方法，和噴墨印刷方法。夾層的膜厚度根據(jù)使用的材料而具有不同的最佳值并且可以選擇，以具有適宜的驅(qū)動(dòng)電壓值和發(fā)光效率值。膜厚度為例如lnm至l^m，優(yōu)選為2nm至500nm，并且進(jìn)一步優(yōu)選為5nm至200nm。在與發(fā)光層相鄰安置夾層時(shí)，具體地，在兩種層都由涂布方法形成時(shí)，用于兩種層的材料有時(shí)彼此混合，并且不利地影響器件的特性。在由涂布方法安置夾層，然后由涂布方法形成發(fā)光層時(shí)，作為降低用于兩種層的材料的污染的方法，可以提及的有這樣的方法，其中由涂布方法形成夾層，然后，將夾層加熱至賦予其不溶于用于形成發(fā)光層的有機(jī)溶劑的性質(zhì)，然后形成發(fā)光層。通常在約150。C至300。C的溫度和約1分鐘至l小時(shí)進(jìn)行加熱。在此情況下，可以在加熱之后和形成發(fā)光層之前，通過使用用于形成發(fā)光層的溶劑漂洗夾層，可以除去不能溶解于溶劑中的組分。在通過加熱充分地進(jìn)行不溶性處理時(shí)，不需要用溶劑的漂洗。為了通過加熱充分地進(jìn)行不溶性處理，優(yōu)選在夾層中使用含有至少一個(gè)可聚合基團(tuán)的高分子化合物。此外，相對(duì)于分子中重復(fù)單元的數(shù)量，可聚合基團(tuán)的數(shù)量?jī)?yōu)選為5%。作為根據(jù)本發(fā)明的高分子LED在其上形成的襯底，可以使用任何襯底，只要在形成電極然后形成有機(jī)材料層時(shí)它不受影響即可。襯底的實(shí)例包括由玻璃，塑料，高分子膜和硅形成的襯底。在使用不透明襯底時(shí)，優(yōu)選相對(duì)的電極是透明或半透明的。通常，在根據(jù)本發(fā)明的高分子LED中，陽極或陰極中的至少一個(gè)是透明或半透明的。優(yōu)選陽極是透明或半透明的。作為用于陽極的材料，可以使用的有例如，導(dǎo)電金屬氧化物膜和半透明金屬薄膜。其具體實(shí)例包括由導(dǎo)電玻璃形成的膜(NESA)，所述的導(dǎo)電玻璃由以下形成例如，氧化銦，氧化鋅，氧化錫；及這些的復(fù)合物，如銦錫氧化物(ITO)，銦/鋅/氧化物，金，鉬，銀和銅；并且優(yōu)選ITO，銦/鋅/氧化物和氧化錫。形成方法的實(shí)例包括真空沉積方法，濺射方法，離子鍍方法和電鈹方法。此外，作為陽極，可以使用的有有機(jī)導(dǎo)電膜如聚苯胺或其衍生物或聚噻吩或其衍生物?？紤]到光透明性和電導(dǎo)率，可以適宜地設(shè)置陽極的膜厚度，并且膜厚度為例如10nm至10pm，優(yōu)選為20nm至lpm，并且進(jìn)一步優(yōu)選為50nm至SOOnm。為了促進(jìn)電荷的注入，可以在陽極上安置平均厚度為2nm并且由酞菁衍生物，導(dǎo)電聚合物或碳形成的層或由金屬氧化物，金屬氟化物或有機(jī)絕緣材料形成的層。作為用于在根據(jù)本發(fā)明的高分子LED中使用的陰極的材料，優(yōu)選具有小功函的材料。使用的材料的實(shí)例包括金屬如鋰，鈉，鉀，銣，銫，鈹，鎂，鈣，鍶，鋇，鋁，鈧，釩，鋅，釔，銦，鈰，釤，銪，鋱，和鐿；它們中的至少兩種形成的合金；由它們的至少一種和選自下列金屬中的一種形成的合金金，銀，鉬，銅，錳，鈦，鈷，鎳，鎢和錫；石墨；和石墨嵌入化合物。合金的實(shí)例包括鎂-銀合金，鎂-銦合金，鎂-鋁合金，銦-銀合金，鋰-鋁合金，鋰-鎂合金，鋰-銦合金和鈣-鋁合金。陰極可以具有由兩層或更多層組成的層疊結(jié)考慮到電導(dǎo)率和耐久性，可以適宜地設(shè)置陰極的膜厚度，并且膜厚度為例如IOnm至10pm，優(yōu)選為20nm至l^m，并且進(jìn)一步優(yōu)選為50nm至500形成陰極的方法的實(shí)例包括真空沉積方法，濺射方法，層壓方法，在層壓方法中，通過熱壓粘合形成金屬薄膜。此外，可以在陰極和有機(jī)層之間安置由導(dǎo)電聚合物形成的層或由例如金屬氧化物，金屬氟化物或有機(jī)絕緣材料形成的并且平均膜厚度為2nm或更小的層。備選地，在形成陰極之后，可以采用保護(hù)層，用于保護(hù)高分子LED。為了長時(shí)間地穩(wěn)定使用高分子LED，可以優(yōu)選用保護(hù)層和/或保護(hù)蓋在外部保護(hù)器件。作為保護(hù)層，可以使用的有例如高分子化合物，金屬氧化物，金屬氟化物和金屬硼酸鹽。此外，作為保護(hù)蓋，可以使用的有例如玻璃板和其表面上進(jìn)行降低透水性處理的塑料板。優(yōu)選使用用熱塑性樹脂或熱固性樹脂將蓋與器件的襯底緊密地粘合，由此密封它們的方法。通過使用隔體保持空間，容易防止器件受到損害。如果將惰性氣體如氮?dú)饣驓鍤庖氲皆摽臻g中，可以防止陰極的氧化。此外，如果將干燥劑如氧化鋇放入該空間中，可以抑制在制造步驟中吸附的水含量損害器件。優(yōu)選采用這些方法中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的高分子LED可以用作節(jié)段型顯示器、點(diǎn)矩陣顯示器和液晶顯示器的平面光源或背光。為了通過使用根據(jù)本發(fā)明的高分子LED得到平面發(fā)光，放置平面陽極和平面陰極，以使它們彼此重疊。為了得到圖案化發(fā)光，有以下方法其中在平面發(fā)光器件的表面上安置具有圖案化視窗的掩模的方法；其中將在不發(fā)光部分中使用的有機(jī)材料層形成特別厚，以基本上從該部分不發(fā)光的方法；和其中形成陽極和陰極中的一個(gè)或兩個(gè)以具有圖案的方法。根據(jù)這些方法中的任何一種形成備案，并且排列幾個(gè)電極，以獨(dú)立地開/關(guān)。如此，可以得到能夠顯示數(shù)值、字母和簡(jiǎn)單符號(hào)的節(jié)段型顯示器。此外，為了得到點(diǎn)矩陣器件，將陽極和陰極都以條狀形成并且排列，使得它們彼此垂直相交。通過分開采用多種發(fā)光顏色不同的聚合物熒光體的方法，或通過使用濾色器或熒光轉(zhuǎn)換濾光器的方法，可以實(shí)現(xiàn)分色(sectorcolor)顯示和多色顯示。點(diǎn)矩陣器件可以被動(dòng)驅(qū)動(dòng)，或者可以與例如TFT組合而主動(dòng)地驅(qū)動(dòng)?？梢詫⑦@些顯示器用作計(jì)算機(jī)、電視、便攜手持裝置、移動(dòng)電話、汽車導(dǎo)航和攝像機(jī)的取景器等的顯示器。此外，平面發(fā)光器件是薄膜自發(fā)發(fā)光器件并且適宜用作液晶顯示器的背光用的平面光源，或用作平面照明光源。此外，如果使用撓性襯底，還可以將平面發(fā)光器件用作曲面光源或顯示器?，F(xiàn)在，將參考下面的實(shí)施例更具體地解釋本發(fā)明，但所述的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是用于限制本發(fā)明的。按聚苯乙烯計(jì)的數(shù)均分子量由SEC得到。柱子TOSOH，TSKgelSuperHM-H(2根柱子+TSKgelSuperH2000(4.6mml.d.x15cm)，檢測(cè)器RI(SHIMADZURID-10A)，將四氫呋喃(THF)用作移動(dòng)相。(合成實(shí)施例l)化合物M-1的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage128</formula>在300ml四頸燒瓶中，在氬氣氣氛下，混合N-苯基-l,4-苯二胺(5.53g，3Ommo1),4-溴-正丁基苯(25.57g，120mmol)，Pd2(dba)3(820mg，0,9mmol)，t-BuONa(8.65g，90mmol)和甲苯(120ml)。向反應(yīng)溶液中，加入(t-Bu)3P(360mg，1.8醒o1)，并且加熱至100。C3小時(shí)。在冷卻后，加入200ml的甲苯。將反應(yīng)溶液用NaCl水溶液(100mlx3)洗滌，接著用水(200ml)洗漆。在有機(jī)層用硫酸鈉干燥后，將它濃縮。得到的液體由硅膠柱色譜(甲苯己烷=1:3)純化，然后由硅膠柱色譜(己垸—甲苯己烷=1:3)進(jìn)一步純化，得到10.2g的化合物M-l。'H-NMR;50,97(9H，t)，1.37(6H，m)，1,58(6H，m)，2.55(6H，t)，6.85-7.07(18H，m)，7.17(2H，t)。(合成實(shí)施例2)化合物M-2的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage129</formula>在100ml四頸燒瓶中，在氬氣氣氛下混合化合物M-l(1.45g，2.5mmol)，NBS(0.49g，0.27mmol)和DMF(20ml)。將反應(yīng)溶液于0。C攪拌4小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，加入100ml的己垸。將反應(yīng)混合物用KC1水溶液(100mlx2)洗滌，接著用水(100mlx2)洗滌。在有機(jī)層用硫酸鈉干燥之后，將它濃縮。得到的液體由硅膠柱色譜(甲苯己垸=1:6)純化兩次，得到960mg的化合物M-2。LC-MS(APCI方法)；m/z660.2([M+H]+)(合成實(shí)施例3)化合物M-3的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage129</formula>在300ml三頸燒瓶中，在氬氣氣氛下，混合8-溴辛烯(1.91g，lOmmol)和THF(10ml)。于室溫，將9-BBN/0.5M-THF溶液(20ml,10mmo1)向其中滴加20分鐘，并且于室溫?cái)嚢?2小時(shí)。向反應(yīng)溶液中，加入化合物M-2(2.64g，4.0mmo1)，PdCl2(dppf)(160mg，0.20mmol)，THF(10ml)和3MNaOH水溶液(7ml)。將得到的反應(yīng)溶液回流4.5小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，冷卻反應(yīng)溶液。向反應(yīng)溶液中，加入己烷(20ml)。在用水冷卻反應(yīng)溶液的同時(shí)，將過氧化氫溶液(2ml)滴加10分鐘，并且于室溫?cái)嚢?小時(shí)。將得到的有機(jī)層用水(200mlx3)洗滌，用硫酸鈉干燥，濃縮，并且由硅膠柱色譜(甲苯己烷=1:10—甲苯己垸=1:3)純化兩次，得到1.81g的化合物M-3。LC-MS(APCI方法)；m/z772.3([M+H]+)(合成實(shí)施例4)化合物M-5的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage131</formula>在300ml三頸燒瓶中，在氬氣氣氛下混合8-溴辛烯(12.61g，66mmol)和THF(40ml)。于室溫，將9-BBN/0.5M-THF溶液(132ml，66mmol)向其中滴加50分鐘，并且于室溫?cái)嚢?6小時(shí)。向反應(yīng)溶液中，加入化合物9-溴蒽(7.71g，30mmol)，PdCl2(dppf)(1.22g，1.5mmol),THF(60ml)和3M-NaOH水溶液(40ml)，并且回流6.5小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，冷卻反應(yīng)溶液，并且將己垸(70ml)加入到反應(yīng)溶液中。在用水冷卻反應(yīng)溶液的同時(shí)，將過氧化氫溶液(10ml)滴加30分鐘，并且于室溫?cái)嚢?小時(shí)。將得到的有機(jī)層用水(200mlx3)洗滌，用硫酸鈉干燥，濃縮，并且硅膠柱色譜(己烷—甲苯=1:2)純化兩次，得到3.4g的化合物M-6。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage131</formula>(合成實(shí)施例6)化合物M-7的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage132</formula>在200mL三頸燒瓶中，在氬氣氣氛下混合化合物M-4(0.358g1.0mmol)，化合物M-6(0.757g，2.1mmol)，碳酸鉀(0,7g),18-冠-6醚(0.3g)，甲苯(40ml)和離子交換水(20ml)，并且回流24小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，除去水層。將得到的溶液用水(50mlx4)洗滌。將有機(jī)層用無水硫酸鈉干燥，并且使其通過快速柱(硅膠/甲苯)純化。將得到的溶液濃縮至5ml。向得到的油中，加入50ml的甲醇，并且將得到的固體物質(zhì)過濾且干燥，得到708mg的化合物M-7。LC-MS(APCI方法)；m/z933([M+H]+))H-NMR;51.42-1.60(16H，m)，1.84-1.90(8H，m)，3.60(4H，t)，4.09(4H，t)，7.20(2H，s)，7.44-7.52(8H，m)，7.74(2H，s),8.12(4H，d)，8.26(4H，d)，8.32(2H，s)。(實(shí)施例l)高分子化合物P-l的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage133</formula>在惰性氣氛下，將化合物M-5和2，2'-聯(lián)吡啶溶解于預(yù)先用氬氣鼓泡的脫水四氫呋喃中。然后，將雙(l，5-環(huán)辛二烯)鎳(0)(Ni(COD)2)加入到反應(yīng)溶液中。在反應(yīng)溶液的溫度升高到60。C之后，將反應(yīng)進(jìn)行3小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻至室溫，并且滴加至25%氨水(lmL)/甲醇/離子交換水的溶液混合物中，并且攪拌l小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾，在減壓下干燥，然后溶解于甲苯中。向其中加入鈉沸石并且攪拌。在過濾不溶性物質(zhì)后，將濾液通過氧化鋁柱純化。然后，加入4%氨水，攪拌，然后除去水層。此外，向有機(jī)層中，加入離子交換水，并且攪拌，然后除去水層。此后，將有機(jī)層在減壓下濃縮，并且加入到甲醇中，且攪拌。將沉淀的物質(zhì)過濾并且在減壓下濃縮，以合成高分子化合物P-l。(實(shí)施例2)高分子化合物P-2的合成[式107]<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage134</formula>在惰性氣氛下，將化合物M-7(0.204g)，2，7-二溴-3,6-二辛氧基二苯并呋喃(0.140g)和2，2'-聯(lián)吡啶(0.172g)溶解于預(yù)先用氬氣鼓泡的脫水四氫呋喃(15mL)中。然后，將雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0){Ni(COD)2}(0.303g)力口入到反應(yīng)溶液中。在將反應(yīng)溶液的溫度升高至60。C后，將反應(yīng)進(jìn)行3小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻至至室溫，并且滴加到25%氨水(5mL)/甲醇(24mL)/離子交換水(24mL)的溶液混合物中，并且攪拌l小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾，在減壓下干燥，隨后溶解于甲苯(15ml)中。向其中加入鈉沸石(0.1g)，并且攪拌30分鐘。在過濾不溶性物質(zhì)后，通過氧化鋁柱純化濾液。然后，加入4。/。氨水(20mL)，攪拌2小時(shí)，然后除去水層。此外，向有機(jī)層中，加入離子交換水(約20mL)，并且攪拌，然后除去水層。此后，將有機(jī)層加入到80ml的甲醇中，并且攪拌0.5小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾并且在減壓下干燥，得到0.144g的高分子化合物P-2。注意其數(shù)均分子量和重均分子量按聚苯乙烯計(jì)分別為Mi^5.4xlO，卩M『1.5x105。2，7—二溴-3,6-二辛氧基二苯并呋喃是根據(jù)JP-A-2004-059899中所述的方法合成的。(實(shí)施例3)高分子化合物P-3的合成在惰性氣氛下，將化合物M-7(0.269g)，2,7-二溴-3,6-二辛氧基二苯并噻吩(0.045g)和2,2'-聯(lián)吡啶(0.172g)溶解于預(yù)先用氬氣鼓泡的脫水四氫呋喃(15mL)中。然后，將雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0頻COD)2〉(0.303g)加入到反應(yīng)溶液中。在反應(yīng)溶液的溫度升高到60。C后，將反應(yīng)進(jìn)行3小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻到室溫，并且滴加到25%氨水(5mL)/甲醇(24mL)/離子交換水(24mL)的溶液混合物中，并且攪拌l小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾，在減壓下干燥，隨后溶解于甲苯(15mL)中。向其中加入鈉沸石(0.1g)，并且攪拌30分鐘。在過濾不溶性物質(zhì)后，將濾液通過氧化鋁柱純化。然后，加入4%氨水(20mL)，并且攪拌2小時(shí)，然后除去水層。此外，向有機(jī)層中，加入離子交換水(約20mL)，并且攪拌l小時(shí)，然后除去水層。此后，將有機(jī)層加入到80ml的甲醇，并且攪拌0.5小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾并且在減壓下干燥，得到0.078g的高分子化合物P-3。注意其數(shù)均分子量和重均分子量按聚苯乙烯計(jì)分別為Mr^l.0x105和Mw:5.1x105。2,7-二溴-3,6-二辛氧基二苯并噻吩是根據(jù)JP-A-2004-002703中所述的方法合成的。(實(shí)施例4)高分子化合物P-4的合成[式109]在惰性氣氛下，混合化合物M-7(0.225g)，化合物M-8(0.441g)2,7-雙(l，3，2-二氧雜硼垸-2-基)-9，9-二辛基芴(0.640g)和雙(三苯膦)二氯化鈀(0.9mg)，Aliquat336(0.2g，由Aldrich制造)，甲苯(9ml)和2MNa2CO^K溶液(3ml)，并且回流3小時(shí)。在反應(yīng)完成之后，加入苯基硼酸(20mg)和THF(2ml)的溶液混合物，并且進(jìn)一步回流4小時(shí)。然后，將二乙基二硫代氨基甲酸鈉的水溶液加入到其中，并且于85。C攪拌4小時(shí)。在冷卻后，將反應(yīng)溶液用水(30ml)洗滌三次，用3%乙酸水溶液(30ml)洗滌4次，并且用水(30ml)洗滌3次，且通過氧化鋁柱和硅膠柱純化。將得到的甲苯溶液滴加到甲醇(250ml)中，并且攪拌l小時(shí)。此后，將得到的固體物質(zhì)過濾并且干燥。得到的高分子化合物P-4的產(chǎn)量為240mg。注意高分子化合物P-10的數(shù)均分子量和重均分子量按聚苯乙烯計(jì)分別為9.4xl()4和2.5x105。(合成實(shí)施例7)高分子化合物P-5的合成高分子化合物P-5是根據(jù)EP1344788中所述的方法合成的(其數(shù)均分<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage136</formula>子量和重均分子量按聚苯乙烯計(jì)為MnLlxl()S和M『2.7x105)。高分子化合物(P-5)<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage137</formula>(實(shí)施例8)高分子化合物P-6的合成<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage137</formula>在惰性氣氛下，將2,7-二溴-3,6-二辛氧基二苯并呋喃(0.045g)，2/7-二溴-3,6-二辛氧基二苯并噻吩(0.045g)和2，2'-聯(lián)吡啶(0.172g)溶解于預(yù)先用氬氣鼓泡的脫水四氫呋喃(15mL)中。然后，將雙(l,5-環(huán)辛二烯)鎳(0){Ni(COD)2}(0.303g)加入到其中，并且攪拌。在得到溶液的溫度升高至60。C之后，將反應(yīng)進(jìn)行3小時(shí)。將反應(yīng)溶液冷卻到室溫，并且滴加到25%氨水(5mL)/甲醇(24mL)/離子交換水(24mL)的溶液混合物中，并且攪拌l小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾，在減壓下干燥，隨后溶解在甲苯(15ml)中。向其中加入鈉沸石(0.1g)，并且攪拌30分鐘。在過濾不溶性物質(zhì)之后，將濾液通過氧化鋁柱純化。然后，加入4%氨水(20mL)，并且攪拌2小時(shí)，然后除去水層。此外，向有機(jī)層中，加入離子交換水(約20mL)，并且攪拌l小時(shí)，然后除去水層。此后，將有機(jī)層加入到80ml的甲醇，并且攪拌0.5小時(shí)。將沉淀的物質(zhì)過濾，并且在減壓下干燥，得到0.078g的高分子化合物P-6。注意其數(shù)均分子量和重均分子量按聚苯乙烯計(jì)分別為Mi^l.0x105和Mw^5.1x105。2,7-二溴-3,6-二辛氧基二苯并噻吩是根據(jù)JP-A-2004-002703中所述的方法合成的。HOMO和LUMO能量值是由循環(huán)伏安計(jì)(ALS600，由P.A.S制造)測(cè)定的并且是在含有0.1重量％的四氟硼酸四丁基銨的乙腈溶劑中測(cè)量的。將高分子化合物溶解于氯仿中，以得到約0.2重量％的溶液。然后，向工作電極上，涂覆lmL的高分子化合物的氯仿溶液，并且蒸發(fā)溶劑，以形成高分子化合物的薄膜。在用氮?dú)獯祾叩氖痔紫渲?，使用銀/銀離子電極作為參比電極和玻璃狀碳電極作為工作電極，并且使用鉑電極作為相反電極，進(jìn)行測(cè)量。電位的掃描頻率都是在50mV/s測(cè)量的。<氧化電位的測(cè)量>(實(shí)施例5)由上述方法，可以測(cè)量高分子化合物P-l的氧化電位，得到HOMO能量。預(yù)期高分子化合物P-l的HOMO能量的絕對(duì)值低于沒有側(cè)鏈基團(tuán)的高分子化合物的HOMO能量的絕對(duì)值。(實(shí)施例6)<氧化電位的測(cè)量>由上述方法測(cè)量高分子化合物P-2的氧化電位?；诘玫降难趸娢?，計(jì)算HOMO能量。(比較例l)<氧化電位的測(cè)量>由上述方法測(cè)量高分子化合物P-5的氧化電位?；诘玫降难趸娢?，計(jì)算HOMO能量。<table>complextableseeoriginaldocumentpage139</column></row><table>(實(shí)施例7)<氧化電位的測(cè)量>由上述方法測(cè)量高分子化合物P-3的氧化電位?；诘玫降难趸娢唬?jì)算HOMO能量。(比較例2)<氧化電位的測(cè)量〉由上述方法測(cè)量高分子化合物P-6的氧化電位?；诘玫降难趸娢?，計(jì)算HOMO能量。表2<table>complextableseeoriginaldocumentpage139</column></row><table>(實(shí)施例8)溶液的制備將上面得到的高分子化合物P-l溶解于甲苯中，以制備聚合物濃度為1.2重量％的甲苯溶液。EL器件的制備在通過濺射方法在其上形成150nm厚的ITO膜的玻璃襯底上，使用溶液由旋涂形成70nm厚的薄膜，并且在200。C的電熱板上干燥10分鐘，所述的溶液是通過使聚(3,4)亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(BaytronPAI4083,由Bayer制造)的懸浮溶液通過0.2)am膜過濾器而得到的。然后，使用上面得到的甲苯溶液，以1000rpm的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行旋涂，得到膜。此外，將膜于80。C在減壓下干燥1小時(shí)，并且將氟化鋰沉積到約4nm的厚度。將鈣沉積至約5nm的厚度作為陰極，然后將鋁沉積至約72nm的厚度。如此，可以制備EL器件。注意在真空度達(dá)到lxlO"Pa或更小之后，開始金屬的沉積。EL器件的性能在將電壓施加到得到的器件時(shí)，可以觀察到來自器件的EL發(fā)光。(實(shí)施例9)溶液的制備將上面得到的高分子化合物P-2溶解于二甲苯中，以制備聚合物濃度為1.2重量％的二甲苯溶液。EL器件的制備在通過濺射方法在其上形成150nm厚的ITO膜的玻璃襯底上，使用溶液由旋涂形成70nm厚的薄膜，并且在200。C的電熱板上千燥10分鐘，所述的溶液是通過使聚(3,4)亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(BaytronPAI4083,由Bayer制造)的懸浮溶液通過0.2pm膜過濾器而得到的。然后，使用上面得到的二甲苯溶液，以1000rpm的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行旋涂，形成膜。形成的膜的厚度為約73nm。將膜于80。C在減壓下干燥1小時(shí)，并且將鋇沉積至約5nm的厚度作為陰極，然后將鋁沉積至約80nm的厚度。如此，可以制備EL器件。注意在真空度達(dá)到lxlO"Pa或更小之后，開始金屬的沉積。EL器件的性能在將電壓施加到得到的器件時(shí)，由器件得到峰值在440nm的EL發(fā)光。器件的最大發(fā)光效率為0.15cd/A。(實(shí)施例IO)溶液的制備將上面得到的高分子化合物P-3溶解于二甲苯中，以制備聚合物濃度為1.2重量％的二甲苯溶液。EL器件的制備以與實(shí)施例9中基本上相同的方式制備EL器件，不同之處在于，使用上面得到的二甲苯溶液。此時(shí)，在旋涂過程中的轉(zhuǎn)數(shù)為1500rpm，并且得到的膜的厚度為77nm。EL器件的性能在將電壓施加到得到的器件時(shí)，由器件得到峰值在435nm的EL發(fā)光。器件的最大發(fā)光效率為0.16cd/A。(實(shí)施例ll)溶液的制備將上面得到的高分子化合物P-4溶解于二甲苯中，以制備聚合物濃度為1.2重量％的二甲苯溶液。'EL器件的制備以與實(shí)施例9中基本上相同的方式制備EL器件，不同之處在于，使用上面得到的二甲苯溶液。此時(shí)，在旋涂過程中的轉(zhuǎn)數(shù)為1000rpm，并且得到的膜的厚度為76nm。EL器件的性能在將電壓施加到得到的器件時(shí)，由器件得到峰值在440nm的EL發(fā)光。工業(yè)適用性可以將含有根據(jù)本發(fā)明的高分子化合物的高分子LED用作液晶顯示器的背光或照明用的曲面和平面光源，并且用于節(jié)段型顯示器和點(diǎn)矩陣平板顯示器。權(quán)利要求1.一種發(fā)光或電荷輸送高分子化合物，所述的高分子化合物具有在主鏈中作為重復(fù)單元的二價(jià)雜環(huán)基，不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基，由下式(1)表示的基團(tuán)或二價(jià)芳族胺基，并且具有功能側(cè)鏈，所述的側(cè)鏈含有至少一個(gè)官能團(tuán)，所述的官能團(tuán)選自空穴注入/輸送基團(tuán)，電子注入/輸送基團(tuán)和發(fā)光基團(tuán)，其特征在于，所述的官能團(tuán)直接結(jié)合到重復(fù)單元的飽和碳上，或通過-RJ-X-(其中RJ為可以被取代的亞烷基；X表示直接鍵，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)-O，S＝O，SiR8R9，NR10，BR11，PR12，或P(＝O)R13)在X處結(jié)合到重復(fù)單元上，[式1]其中環(huán)A和環(huán)B各自獨(dú)立地表示可以具有取代基的芳族烴環(huán)；環(huán)A的芳族烴環(huán)和環(huán)B的芳族烴環(huán)彼此的環(huán)結(jié)構(gòu)不同；環(huán)A和/或環(huán)B上分別存在兩個(gè)鍵；Rw和Rx各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基；并且Rw和Rx可以彼此結(jié)合形成環(huán)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的高分子化合物，所述的高分子化合物具有作為官能側(cè)鏈的空穴注入/輸送基團(tuán)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高分子化合物，其中所述的空穴注入/輸送基團(tuán)含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子或至少兩個(gè)氮原子。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分子化合物，其中所述的空穴注入/輸送基團(tuán)含有至少兩個(gè)氮原子。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物，所述的高分子化合物具有作為官能側(cè)鏈的電子注入/輸送基團(tuán)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高分子化合物，其中所述的電子注入/輸送基團(tuán)含有至少一個(gè)不同于氮原子的雜原子或至少兩個(gè)氮原子。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高分子化合物，其中所述的電子注入/輸送基團(tuán)含有至少兩個(gè)氮原子。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高分子化合物，其中在所述電子注入/輸送基團(tuán)中含有的所述不同于氮原子的雜原子為硫原子。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高分子化合物，其中所述的電子注入/輸送基團(tuán)含有金屬配合物，所述的金屬配合物含有選自元素周期表第一至第三周期的元素。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物，所述的高分子化合物包含作為官能側(cè)鏈的發(fā)光基團(tuán)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高分子化合物，其中所述的發(fā)光基團(tuán)含有雜環(huán)或稠合多環(huán)芳族烴。12.根據(jù)權(quán)利要求l至ll中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物的數(shù)均分子量按聚苯乙烯計(jì)為103至108。13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物的絕對(duì)HOMO能量值為5.6eV或更小。14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中所述高分子化合物的絕對(duì)LUMO能量值為2.2eV或更大。15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中所述的重復(fù)單元是二價(jià)雜環(huán)基，并且所述的官能側(cè)鏈通過-Rj-O-(R;與如上定義的相同)在O處結(jié)合到重復(fù)單元上。16.—種組合物，其特征在于，包含至少一種選自空穴輸送材料、電子輸送材料和發(fā)光材料中的材料，和至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物。17.組合物，其特征在于，包含至少兩種根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物。18.—種溶液，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物。19.一種溶液，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求16和17中任何一項(xiàng)的組合物。20.根據(jù)權(quán)利要求18和19中任何一項(xiàng)所述的溶液，其特征在于，包含至少兩種有機(jī)溶劑。21.根據(jù)權(quán)利要求18至20中任何一項(xiàng)所述的溶液，其中所述溶液的粘度在25。C時(shí)為1至20mPa-s。22.—種發(fā)光薄膜，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光薄膜，其中所述發(fā)光薄膜的發(fā)光量子產(chǎn)額為50%或更大。24.—種導(dǎo)電薄膜，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物。25.—種有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物。26.—種有機(jī)晶體管，其包含根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。27.—種形成根據(jù)權(quán)利要求18至20中任何一項(xiàng)的薄膜的方法，其特征在于，使用噴墨法。28.—種高分子發(fā)光器件，其特征在于，具有在由陽極和陰極組成的電極之間的有機(jī)層，所述的有機(jī)層含有根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物或根據(jù)權(quán)利要求16和17任何一項(xiàng)所述的組合物。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的高分子發(fā)光器件，其中所述的有機(jī)層是發(fā)光層。30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的高分子發(fā)光器件，其中所述的發(fā)光層進(jìn)一步含有空穴輸送材料、電子輸送材料或發(fā)光材料。31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的高分子發(fā)光器件，其包含在由陽極和陰極組成的電極之間的發(fā)光層和電荷輸送層，其中所述的電荷輸送層含有根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物或根據(jù)權(quán)利要求16和17任何一項(xiàng)所述的高分子組合物。32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的高分子發(fā)光器件，其包含在由陽極和陰極組成的電極之間的發(fā)光層和電荷輸送層，和在電荷輸送層和電極之間的電荷注入層，其中所述的電荷注入層含有根據(jù)權(quán)利要求1至15中任何一項(xiàng)所述的高分子化合物或根據(jù)權(quán)利要求16和17任何一項(xiàng)所述的高分子組合物。33.—種平面光源，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求28至32中任何一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光器件。34.—種節(jié)段顯示器，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求28至32中任何一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光器件。35.—種點(diǎn)矩陣顯示器，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求28至32中任何一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光器件。36.—種液晶顯示器，其特征在于，包含作為背光的根據(jù)權(quán)利要求28至32中任何一項(xiàng)所述的高分子發(fā)光器件。全文摘要本發(fā)明公開了一種具有主鏈和官能側(cè)鏈的發(fā)光或電荷-輸送高分子化合物，主鏈含有作為重復(fù)單元的二價(jià)雜環(huán)基，不含5元環(huán)的二價(jià)稠合多環(huán)烴基，由下式(1)表示的基團(tuán)或二價(jià)芳族胺基，而官能側(cè)鏈含有至少一個(gè)選自空穴注入/輸送基團(tuán)，電子注入/輸送基團(tuán)和發(fā)光基團(tuán)中的官能團(tuán)。此高分子化合物的特征在于，該官能團(tuán)直接結(jié)合到重復(fù)單元的飽和碳上，或通過-R_J-X-基團(tuán)(其中R_J為任選取代的亞烷基；X表示直接鍵，氧原子，硫原子，C＝O，C(＝O)-O，S＝O，SiR⁸R⁹，NR¹⁰，BR¹¹，PR¹²，或P(＝O)R¹³)在X處結(jié)合到重復(fù)單元上。(式中，環(huán)A和環(huán)B獨(dú)立表示任選取代的芳族烴環(huán)，并且環(huán)A中的芳族烴環(huán)和環(huán)B中的芳族烴環(huán)具有彼此不同的環(huán)結(jié)構(gòu)；環(huán)A和/或環(huán)B上分別存在兩個(gè)懸空鍵；Bw和Rx獨(dú)立表示氫原子或取代基，且Rw和Rx可結(jié)合在一起形成環(huán))。文檔編號(hào)C08G61/12GK101198633SQ20068002185公開日2008年6月11日申請(qǐng)日期2006年6月21日優(yōu)先權(quán)日2005年6月22日發(fā)明者中谷智也,山田武申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社