專利名稱：三并咔唑超支化聚合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種藍光發(fā)射聚合物。更具體地，本發(fā)明涉及一種藍光超支化聚 合物，其中將三并咔唑基元引入聚合物骨架中，并由此構(gòu)建出以三并咔唑單元作 為節(jié)點具有三維超支化結(jié)構(gòu)的聚合物，屬于電致發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
當(dāng)在由某些特殊的有機熒光物質(zhì)構(gòu)成的薄膜(~0.1 pm)表面上鍍上適當(dāng)?shù)慕?屬電極并加上2—5伏的直流電壓時，該薄膜就會發(fā)出光來，此過程就稱為有機電 致發(fā)光(Organic Electroluminescence,簡稱OEL，或OLEDs)，是電/光變換過程 之一。通過改變所使用的薄膜材料就可以控制發(fā)出的光的顏色。與其它顯示技術(shù)相比，OLED器件具有眾多的優(yōu)勢，如啟動電壓低、響應(yīng)速 度快、能耗小、視角寬、成本低、自發(fā)光、高亮度、高效率、可實現(xiàn)大屏幕全色 顯示和柔性顯示等，成為現(xiàn)代顯示技術(shù)中最具競爭力和市場潛力的技術(shù)。根據(jù)所選薄膜材料的分子量大小，有機EL材料可分為小分子材料和高分子材 料。小分子EL材料通常通過真空蒸鍍制備器件，符合輕薄短小的原則，目前應(yīng)用 范圍為中小尺寸。而以高分子材料作為EL材料可采用旋涂和噴墨打印成膜，其簡 化了制造工藝和降低了制造成本，而且由此形成的有機層具有好的機械特性，適 合于各種尺寸、多種用途的顯示器件，更可實現(xiàn)大屏幕柔性平板顯示，受到學(xué)術(shù) 界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注和競相投入。為了實現(xiàn)高分子全彩顯示，迫切需要開發(fā)穩(wěn)定高效的紅綠藍三基色高分子EL 材料。目前，紅光和綠光高分子材料已經(jīng)達到了實用化的要求，而可實用化的藍 光高分子材料相對缺乏。尤其在光譜穩(wěn)定性、發(fā)光效率、器件壽命等方面距離實 用化要求還有較大的差距。這相當(dāng)程度上制約著高分子EL顯示器件的產(chǎn)業(yè)化進 程。因此，開發(fā)穩(wěn)定高效的藍光高分子EL材料顯得至關(guān)重要。為解決高分子EL材料的藍光發(fā)射問題，人們開展了很多的研究。這主要集中 在線性聚合物的研究開發(fā)上。比如美國專利5， 728， 801公開了一類具有改良電
致發(fā)光特性的聚(芳胺)；美國專利6， 169， 163描述了含芴聚合物的共聚方法以改 善高分子量有機EL器件的電致發(fā)光特性。然而，這些方法在克服藍光問題方面并 沒有達到令人滿意的程度。這在一定意義上可以理解為線性聚合物由于其剛性的 共平面特征，難以有效地抑制因分子間相互作用而產(chǎn)生的聚集或分子鏈堆積，并 克服如此而引起的發(fā)射光譜的紅移問題。另一方面，我們在中國專利(申請?zhí)?00610024302.8)和發(fā)表的論文 (M"crawo/ecMfey， 2006， "， 3707-3709)中描述了一類基于三并咔唑基元的單 分散支化結(jié)構(gòu)功能材料，顯示出包含三并咔唑單元的功能材料具有好的熱穩(wěn)定性、 比較寬的禁帶能級和比較低的氧化電勢，所得到的功能材料具有良好的藍色發(fā)光 性能和優(yōu)良的空穴傳輸性能，是一類有應(yīng)用前景的有機EL材料。但是，由于其單 分散的復(fù)雜的多臂化學(xué)結(jié)構(gòu)，使得其分子量較低，而且在合成上顯得步驟較多， 而不易于制備。因此，有必要開發(fā)基于三并咔唑基元的具有特殊空間結(jié)構(gòu)的聚合物體系，簡 化合成方法，并達到改善藍光發(fā)射的光譜穩(wěn)定性和提高其器件性能的目的。技術(shù)問題本發(fā)明的目的是提供一種三并咔唑超支化聚合物，其可用于純藍 光有機EL器件的制備。更具體地，由于其中含有三并咔唑基元并由此而構(gòu)成三維 空間的超支化結(jié)構(gòu)，其具有改善的藍光發(fā)射性能和優(yōu)良的光譜穩(wěn)定性能。技術(shù)方案本發(fā)明提供的含有三并咔唑基元的超支化聚合物，其具有如下式 1的結(jié)構(gòu)其中，Ar是選自取代或未取代的C6-C30的亞芳基和取代或未取代的C2-C30 的雜亞芳基之一種或若干種的組合；Ri到R,2各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C30的垸基、取代或未取代 的C1-C30的垸氧基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C2-C30

發(fā)明內(nèi)容
的雜芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30的雜芳垸基、 取代或未取代的C5-C30芳氧基、取代或未取代的C2-C30雜芳氧基、取代或未取 代的C3-C30的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C30的雜環(huán)垸基；n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)；15 m 5 3000，且為實數(shù)。所述的Ar單元是選自下面式la至lq所示的基團之一種或若干種的組合<formula>formula see original document page 7</formula>(1n) (1o) (1p) (1q)式中，R,3到R2o各自獨立地為氫、取代或未取代的C1-C20的垸基、取代或 未取代的C1-C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳烷基、取代或未取代的C2-C20的 雜芳垸基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、 取代或未取代的C3-C20的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)烷基。三并咔唑聚合物為由下式2或式3之一表示的聚合物
其中，R^到R3各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C20的烷基、取代或 未取代的C1-C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳烷基、取代或未取代的C2-C20的雜芳烷基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、 取代或未取代的C3-C20的環(huán)垸基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)烷基；RB到R2c各自獨立地選自氫原子、取代或未取代的C1一C20烷基、取代或未 取代的C3-C20的環(huán)烷基、取代或未取代的C1一C20烷氧基、和取代或未取代的 氨基；n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)； m53000，且為實數(shù)；0SpS3000，且為實數(shù)。三并咔唑聚合物為下面式4或式5之一所示的化合物.5)式中，1SnSl000，且為實數(shù)；1SmS3000，且為實數(shù)；O三pSlOOO，且 為實數(shù)。
該聚合物具有三維空間結(jié)構(gòu)的特征，可以最大限度地抑制分子間聚集或分子 鏈堆積，從而更有效地克服因聚集或激基締合物的形成所導(dǎo)致的熒光發(fā)射效率的 降低和光譜紅移的現(xiàn)象。因而，該聚合物具有應(yīng)用于純藍光高分子EL器件的前景。有益效果本發(fā)明提出的三并昨唑超支化聚合物具有良好的電荷遷移能力和 改善的藍光發(fā)射特性，可作為電致發(fā)光材料或傳輸材料廣泛應(yīng)用于有機電致發(fā)光 顯示器件中。此外，本發(fā)明提出的聚合物還具有制備方法簡單便捷的特點。采用 本發(fā)明的藍色電致發(fā)光超支化聚合物作為發(fā)光層，可以制備出具有優(yōu)良電致發(fā)光亮度、效率、色純度和光譜穩(wěn)定性的有機EL器件。圖1為合成實施例1中得到的聚合物的^NMR圖； 圖2為合成實施例1中得到的聚合物的13C NMR圖。
具體實施方式
通過參考附圖和詳細描述其示例性的實施方式，將更易于理解本發(fā)明的上述 特點和優(yōu)勢。下面式1所示的聚合物在其主鏈骨架中包含三并咔唑單元。三并咔唑單元具 有強的給電子能力，具有優(yōu)異的電荷傳輸能力，特別是空穴傳輸能力，以及優(yōu)異的藍光發(fā)射性能。而且三并咔唑單元具有C3對稱性，易于形成包含三個活性點的 單體，是構(gòu)建超支化結(jié)構(gòu)的理想單元。式中，Ar是選自取代或未取代的C6-C30的亞芳基和取代或未取代的C2-C30 的雜亞芳基之一種或若干種的組合；R,到Ru各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C30的烷基、取代或未取代 的C1-C30的烷氧基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C2-C30 的雜芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30的雜芳烷基

:
取代或未取代的C5-C30芳氧基、取代或未取代的C2-C30雜芳氧基、取代或未取 代的C3-C30的環(huán)垸基、和取代或未取代的C2-C30的雜環(huán)垸基；n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)；1Sm ￡3000，且為實數(shù)。式1的Ar單元可以選自下面式la至式lq所示的基團之一種或若干種的組合<formula>formula see original document page 10</formula>式中，Ru到R2o各自獨立地為氫、取代或未取代的C1-C20的垸基、取代或 未取代的C1-C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳垸基、取代或未取代的C2-C20的 雜芳烷基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、 取代或未取代的C3-C20的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)垸基；根據(jù)本發(fā)明的超支化聚合物在其主鏈骨架中可以包含Ar單元，所述Ar單元 具有芴結(jié)構(gòu)時，如上面式ln所示的基團。這種聚合物可以有良好的發(fā)光性能和溶 解性能，由于聚合物分子結(jié)構(gòu)中含有由于三并昨唑單元的引入而引起的超支化結(jié)
構(gòu)，分子鏈之間的相互作用被有效的隔離，從而有效抑制受激激基締合物的形成， 使所述的聚合物具有改善的藍光發(fā)射性能。式1所示的化合物可以是下面式2的聚合物其中，R,到R3各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C20的烷基、取代或 未取代的C1-C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳烷基、取代或未取代的C2-C20的 雜芳烷基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、 取代或未取代的C3-C20的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)垸基；Rn和R"各自獨立地選自氫原子、取代或未取代的C1一C20垸基、取代或未 取代的C3-C20的環(huán)烷基、取代或未取代的C1一C20烷氧基、和取代或未取代的 氨基。n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)； m 5 3000，且為實數(shù)。式1所示的超支化聚合物中，所述Ar單元選自上面式lo和lp所示的兩種基 團組合時，可以是下面式3所示的化合物。這種聚合物以主鏈中芴的9位為芳基 取代為特征，可以有高的熱穩(wěn)定性、高的抗氧化性能以及更明顯的空間位阻，使 得所得的聚合物不可能與鄰近的鏈發(fā)生相互作用而形成鏈間聚集或激基締合物， 從而改善其光發(fā)射性能，尤其是其亮度、效率和色純度。其中，R,到R3各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C20的烷基、取代或 未取代的C1-C20的垸氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳烷基、取代或未取代的C2-C20的 雜芳垸基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、
取代或未取代的C3-C20的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)垸基；R^到R20各自獨立地選自氫原子、取代或未取代的C1一C20垸基、取代或未 取代的C3-C20的環(huán)烷基、取代或未取代的C1一C20烷氧基、和取代或未取代的 氨基。n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)；15 m53000，且為實數(shù)；0^p￡3000，且為實數(shù)。在式2中，R" R2、和R3可以是C1-C20的烷基；Rn和Rw可以是Cl一C20烷基°更具體的，式2所示的化合物可以優(yōu)選為下面式4所示的化合物<formula>formula see original document page 12</formula>式中，1SnSl000，且為實數(shù)；1SmS3000，且為實數(shù)。 在式3中，R,、 R2、和R3可以是C1-C20的烷基；R!5和R,6可以是C1一C20 垸氧基；Rn到R2o可以是氫原子。更具體的，式3所示的化合物可以優(yōu)選為下面式5所示的化合物<formula>formula see original document page 12</formula>.5)式中，lSn5 1000,且為實數(shù)；lSm5 3000,且為實數(shù)；OSpSlOOO，且 為實數(shù)。下面將描述制備式2和式3所示的三并咔唑超支化聚合物的方法。 首先，根據(jù)反應(yīng)路線圖1制備三溴化三并咔唑化合物反應(yīng)路線1<formula>formula see original document page 12</formula>
式中，R1 R2和R3如前面式2中所定義,X1鹵原子?；衔顰為反應(yīng)前 驅(qū)體，其在堿作用下與鹵代烷回流反應(yīng)，制得化合物B。然后，使化合物B在Pd/C 催化劑的作用下脫去鹵原子，制得化合物C。用NBS在低溫下選擇性溴化化合物 C得到三溴化產(chǎn)物化合物D。最后，根據(jù)反應(yīng)路線圖2，使三溴三并咔唑D與芴的二溴化物和二硼酸酯化 合物E聚合，制得式2所示的聚合物反應(yīng)路線2<formula>formula see original document page 13</formula>式中，R^至R3、 RI3、 Rm如上述式2中所定義；X,和X2各自為鹵原子。 三并咔唑超支化聚合物可以利用與上述制備工藝中相同的方法來制備得到。比如，式3的聚合物可以由與反應(yīng)路線2相似的反應(yīng)路線3所示的方法來制備反應(yīng)路線3<formula>formula see original document page 13</formula>式中，R,至R3、 Ris至R2o如上述式3中所定義；X1,X3、 X4各自為鹵原子。 根據(jù)本發(fā)明實施方式得到的聚合物，其中的未取代烷基可以是甲基、乙基、 丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、和辛基等。在該烷基上的一個或多個H原子可以由以下基團取代鹵原子；一OH; —N02; —CN;取 代或未取代的氨基(如一NH2， 一NH (R)，或一NH (R，) (R")，其中R，和R" 各自獨立地為C1一C10烷基)、脒基、肼、腙、羧基、磺酰基、磷?；?、C1-C20 的烷基、C1-C20的鹵代烷基、C1-C20的烯基、C1-C20的炔基、C1-C20的雜烷基、 C6-C20的芳基、C6-C20芳烷基、C2-C20的雜芳基、或C2-C20雜芳烷基。所述未取代的烷氧基可以是甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、 戊氧基、異戊氧基、己氧基、辛氧基等。在未取代的烷氧基中，至少一個H原子
可以如在未取代的烷基中被取代。所述的未取代的芳基是指含有一個或多個環(huán)的碳環(huán)形的芳香族體系，該環(huán)可 以作為以側(cè)基的形式相互連接或相互稠合。這里，芳基可以是芳香基，如苯基、 萘基、四氫萘基等，在芳基中，至少一個H原子可以如上述未取代的烷基那樣被 取代。所述雜芳基是指其中環(huán)原子數(shù)為5-30的環(huán)狀芳香系。在此情況下，至少一種 不同的環(huán)原子選自N、 0、 P、及S。該雜芳基的環(huán)可以側(cè)基的形式連接或稠合。 在該雜芳基上的一個或多個H可以象上述未取代的烷基那樣被取代。所述芳垸基是指一些H原子被低級烷基，例如甲基、乙基、丙基等取代的芳 基。芳烷基可以是苯甲基、苯乙基等。在芳垸基中，至少一個H原子可以如上述 未取代的烷基一樣被取代。所述雜芳烷基是指一些H原子被低級烷基取代的雜芳基。包括在雜芳垸基中 的雜芳基如前所述。在雜芳烷基中，至少一個H原子可以象上述未取代的烷基那 樣被取代。所述的芳氧基的實例包括苯氧基和萘氧基。在該芳氧基上的一個或多個H原 子可以象上述未取代烷基那樣被取代基所取代。所述的雜芳氧基可以是芐氧基和苯氧基等。在雜芳氧基中，至少一個H原子 可以象上述未取代的烷基那樣被取代基所取代。所述未取代的環(huán)垸基是指含有C3-C30個碳原子的單價單環(huán)體系。在該環(huán)垸基 上的一個或多個H原子可以由在烷基中所述的那些相同的取代基所取代。所述的雜環(huán)烷基具體是指含有一個以上環(huán)原子是N、 0、 P和S的雜原子的 2-30個碳原子的單價單環(huán)體系。在該雜環(huán)垸基中，至少一個H原子可以如上述未 取代烷基那樣被取代。所述的氨基可以是一NH2， 一NH(R)，或一N(R，)(R")，式中，R，和R"各自獨 立地為l-10個碳原子的烷基。下面，將結(jié)合更具體的實施例來詳細描述本發(fā)明，但是所述實施例僅是為了 更具體的說明，并不是為了限制本發(fā)明的范圍。合成實施例1式4所示聚合物的合成反應(yīng)路線4<formula>formula see original document page 15</formula>(1) 2,3,7,8,12，13—六溴一5，10,15-三己基三并咔唑(B，)的合成化合物A， (2.45 g， 3 mmol)和KOH (1.4 g, 25腿ol)溶于THF (100 ml )， 加熱至回流，1-溴己烷(2.23 g, 13.5 mmol)逐滴加入到上述溶液中，回流3 h?；?合物冷至室溫，用CH2Cl2稀釋，然后依次用10%HC1溶液、飽和NaCl溶液洗漆 有機層，最后用無水Na2S04干燥。去除有機溶劑后得到的粗產(chǎn)物用正己垸/二氯 甲烷(8:1)柱層析，得到白色固體產(chǎn)物(2.96 g， 92%)。(2) 5,10,15-三己基三并咔唑(C，)的合成化合物B， (2.40 g， 2.24mmo1),三乙胺(2.5 ml)，甲酸(0.68 ml)與10% Pd/C (712.3 mg， 0.672 mmol)的THF溶液(20 ml)加熱回流3小時?；旌衔镞^ 濾，濾液用氯仿稀釋，10%的鹽酸水溶液洗滌，用無水Na2S04干燥有機層，最后 去除溶劑。得到的粗產(chǎn)物用正己烷/二氯甲烷(8:1)柱層析得到白色固體粉末(1.25 g， 93%)o(3) 3,8,13-三溴一5,10,15-三己基三并咔唑(D，)的合成化合物C' (1.0 g， 1.673 mmol)溶于30 ml THF中；在低溫下，逐滴加入NBS (0.937 g)的DMF (5 ml)溶液?；旌衔镌谑覝叵聰嚢璋胄r。然后將該反應(yīng)混 合物傾入適量水中，有機層用氯仿萃取，無水Na2S04干燥。去除溶劑后，粗產(chǎn)物 用正己垸/二氯甲烷(9:1)作為洗脫劑進行柱層析，得到白色固體粉末(1.15 g， 82.4%)。(4) 式4所示三并咔唑超支化聚合物的合成反應(yīng)路線5
<formula>formula see original document page 15</formula> 將燒瓶抽真空并用N2置換數(shù)次，完全除去所含水分。在惰性氣體氛圍中， 將Ni(COD) (880 mg)和聯(lián)吡啶(500 mg)，添加到無水分的燒瓶中。然后，將 該燒瓶再抽真空置換N2三次。接著，在N2氣流下加入無水DMF (10ml)、 1，5 — 環(huán)辛二烯(COD) G46mg)和無水甲苯(10ml)?；旌衔镌?0 。C下攪拌反應(yīng)半 小時。在N2氣氛下，將化合物D， ( 133.5 mg， 0.16 mmol)和化合物E' (708.96 mg， 1.44 mmol)溶于甲苯(10 ml)，并加入到反應(yīng)體系中。然后再加入10 ml甲苯， 以便將附著于器壁上的原料沖洗到反應(yīng)體系中?；旌衔镌?0 。C下攪拌4田，然 后將4一溴苯(17.6 mg， 0.112 mmol)加入燒瓶中，并在該溫度下攪拌一天。反 應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液冷卻至室溫，然后在1:1:2的HC1、丙酮和甲醇的混合溶劑中 沉淀。所得沉淀用丙酮在索格立特抽提器中洗提24h，然后用THF將可溶解部分 的產(chǎn)物萃取，在真空中干燥制得如式4所示的三并咔唑超支化聚合物(300 mg， 52%)。該聚合物采用凝膠滲透層析法(GPC)進行分析，結(jié)果顯示，數(shù)均分子量 (Mn)為26,500，分子量分布(MWD)為4.2。在式4中，取投料比n: m = 1: 9。合成實施例2式5所示三并咔唑超支化聚合物的合成反應(yīng)路線6<formula>formula see original document page 16</formula>將燒瓶抽真空并用N2置換數(shù)次，完全除去所含水分。在惰性氣體氛圍中，將Ni(COD) (880 mg)和聯(lián)吡啶(500 mg)，添加到無水分的燒瓶中。然后，將 該燒瓶再抽真空置換N2三次。接著，在N2氣流下加入無水DMF (10ml)、 1，5 — 環(huán)辛二烯(COD) (346 mg)和無水甲苯(lOmI)?；旌衔镌?0 °C下攪拌反應(yīng)半 小時。在N2氣氛下，將化合物D， ( 133.5 mg, 0.16 mmol)、化合物F，(865.9 mg， 1.28mmol)和化合物G， (75.9 mg， 0.16mmo1)溶于甲苯(15ml)，并加入到反應(yīng) 體系中。然后再加入15ml甲苯，以便將附著于器壁上的原料沖洗到反應(yīng)體系中。 混合物在80。C下攪拌4田，然后將4一溴苯(17.6mg， 0.112mmol)加入燒瓶中， 并在該溫度下攪拌一天。反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液冷卻至室溫，然后在1:1:2的HC1、 丙酮和甲醇的混合溶劑中沉淀。所得沉淀用丙酮在索格立特抽提器中洗提24 h， 然后用THF將可溶解部分的產(chǎn)物萃取，在真空中干燥制得如式5所示的三并咔唑 超支化聚合物(360 mg， 44%)。該聚合物采用凝膠滲透層析法(GPC)進行分析， 結(jié)果顯示，數(shù)均分子量(Mn)為12,000，分子量分布(MWD)為3.5。在式5中，取投料比n: m: p = 1: 8: 1。盡管我們結(jié)合示例性的實施方式，具體地描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人 員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離上述權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可 以在形式和細節(jié)上做出各種修飾和改變。
權(quán)利要求
1.一種三并咔唑超支化聚合物，其特征在于該聚合物是基于三并咔唑基元的聚合物，其由下面的式1所示其中，Ar是選自取代或未取代的C6-C30的亞芳基和取代或未取代的C2-C30的雜亞芳基之一種或若干種的組合；R1～R12各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C30的烷基、取代或未取代的C1-C30的烷氧基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C2-C30的雜芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30的雜芳烷基、取代或未取代的C5-C30芳氧基、取代或未取代的C2-C30雜芳氧基、取代或未取代的C3-C30的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C30的雜環(huán)烷基；n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)；1≤m≤3000，且為實數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三并咔唑超支化聚合物，其特征在于在三并咔唑聚合物 中，所述的Ar單元是選自下面式la至lq所示的基團之一種或若干種的組合 <formula>formula see original document page 3</formula>(1n) <formula>formula see original document page 3</formula>(1o)<formula>formula see original document page 3</formula> (1p) <formula>formula see original document page 3</formula>(1q)式中，Ru到R2o各自獨立地為氫、取代或未取代的C1-C20的垸基、取代或 未取代的C1-C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳烷基、取代或未取代的C2-C20的 雜芳垸基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、 取代或未取代的C3-C20的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)垸基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三并昨唑超支化聚合物，其特征在于三并咔唑聚合 物為由下式2或式3之一表示的聚合物.3)其中，R,到R3各自獨立地選自氫、取代或未取代的C1-C20的烷基、取代或 未取代的C1-C20的烷氧基、取代或未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的 C2-C20的雜芳基、取代或未取代的C6-C20芳烷基、取代或未取代的C2-C20的 雜芳垸基、取代或未取代的C5-C20芳氧基、取代或未取代的C2-C20雜芳氧基、 取代或未取代的C3-C20的環(huán)烷基、和取代或未取代的C2-C20的雜環(huán)垸基；RD到R20各自獨立地選自氫原子、取代或未取代的C1一C20垸基、取代或未 取代的C3-C20的環(huán)烷基、取代或未取代的C1一C20烷氧基、和取代或未取代的 氨基； n是所得聚合物鏈中三并咔唑基元的重復(fù)單元數(shù)，為1-1000之間的實數(shù)；IS m^3000，且為實數(shù)；0Sp53000，且為實數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三并咔唑超支化聚合物，其特征在于三并咔唑聚合物為 下面式4或式5之一所示的化合物式中，1SnSl000，且為實數(shù)；1SmS3000，且為實數(shù)；0SpS 1000，且 為實數(shù)。
全文摘要
三并咔唑超支化聚合物涉及一種藍光發(fā)射聚合物，更具體地涉及一種藍光超支化聚合物，其中將三并咔唑基元引入聚合物骨架中，并由此構(gòu)建出以三并咔唑單元作為節(jié)點的三維超支化結(jié)構(gòu)聚合物，其由下式所示，其具有良好的電荷遷移能力和改善的藍光發(fā)射性能，可作為電致發(fā)光材料或傳輸材料廣泛應(yīng)用于有機電致發(fā)光顯示器件，特別是純藍光高分子電致發(fā)光器件。
文檔編號C08G73/06GK101148508SQ20071013144
公開日2008年3月26日 申請日期2007年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月29日
發(fā)明者賴文勇, 維 黃 申請人:南京郵電大學(xué)