專利名稱：：熱穩(wěn)定的芳基聚硅氧烷組合物的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及可固化的芳基硅氧烷組合物，涉及由其制備熱穩(wěn)定的固化的芳基聚硅氧烷組合物的方法，還涉及該熱穩(wěn)定的固化的芳基聚硅氧垸組合物，還涉及包封的半導體器件，還涉及通過用所述熱穩(wěn)定的固化的芳基聚硅氧烷組合物涂敷半導體器件的半導體元件，從而制備所述包封的半導體器件的方法。
背景技術：
：人們正在開發(fā)的用于工業(yè)和民用照明應用的下一代高強度發(fā)光二極管(LED)將會需要新的包封劑種類。目前尚無能夠在長期(10000-100000小時)和高溫(100-20(TC)的操作條件下連續(xù)工作而不會損失所需特征的可用的包封劑替代品。目前可得到的環(huán)氧化物聚合包封劑在用于高強度LED的嚴酷操作條件下會發(fā)生人們所無法接受的變黃和降解。另外，優(yōu)選可能也需要新的候選包封劑能夠與目前的包封劑生產方法相容。已經發(fā)現一類聚硅氧垸在用作高強度發(fā)光器件的包封劑的時候，具有優(yōu)于環(huán)氧聚合物的優(yōu)點。甲基取代的聚硅氧垸在處于空氣中的高溫條件下時，對抵制降解和伴隨的變色具有特別強的能力。但是甲基取代的聚硅氧垸的這種特性被其組成固有的特性一一低折射率(RI1.41)抵消無余。固定在LED發(fā)光層疊體的高折射率發(fā)光表面(RI2.5)上的低折射率甲基取代聚硅氧烷會產生一個界面，該界面能夠有效地阻礙光線從所述LED層疊體中產生光的位置向需要照明的外部環(huán)境的發(fā)射。由于減小LED層疊體(stack)和包封劑之間的折射率之差能夠增加離開LED層疊體的光，從而提高LED的效率，因此人們需要提高聚硅氧垸的折射率。一種增大聚硅氧烷折射率的方法是在硅原子上連接芳基。在硅原子上連接芳基可以將聚硅氧垸的折射率增大到1.5-1.62。因此，當芳基取代的聚硅氧垸用作LED的包封劑的時候，相對于甲基取代的聚硅氧垸，芳基取代的聚硅氧烷能夠提供優(yōu)異的光通量效率。不幸的是，已知芳基聚硅氧垸在溫和至中等的加速加熱老化條件下會變黃，在劇烈的加速加熱老化條件下會變成棕色。這種降解使得芳基聚硅氧垸不適合用作高強度LED的包封劑。專利公開第W02005/033207Al號揭示了含量為0.1-500ppm的Pt便足以催化包含芳族取代基的可固化有機聚硅氧烷組合物發(fā)生硅氫化作用。W02005/033207Al進一步揭示了使用鉑含量高于該范圍上限(即Pt金屬含量大于500ppm)的催化劑固化這些芳基有機聚硅氧烷的時候，可能會導致所得的固化產物具有各種顏色的問題。盡管提出在芳基有機聚硅氧烷物質固化的過程中，Pt金屬的含量上限應約為500ppm，但是對于鉑金屬含量等于或低于500ppm的樣品，其在升高的溫度下在空氣中加速老化的時候，未發(fā)現任何有害的影響。當使試驗實例固化并測試其透光率損失的時候，這些實例在150。C固化1小時，然后在150。C加熱老化100小時。固化和老化都在熱空氣回流烘箱中進行。當然，由于沒有在長時間高亮度LED應用條件的溫度下進行加速加熱老化，因此并沒有關于Pt金屬含量0.1-500ppm范圍內的全部含量均可、均不可或其中一部分可以促進芳基有機聚硅氧垸在高亮度LED使用條件下存留下來的描述。我們驚訝地發(fā)現，包含芳基乙烯基聚硅氧垸和氫化硅化合物、以及含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm的硅氫化催化劑的可固化的芳基硅氧垸組合物,在固化的時候可制得一種固化的芳基聚硅氧烷組合物，該固化的芳基聚硅氧垸組合物在20(TC的空氣中加速熱老化兩周的過程中不會發(fā)生變色，所述芳基乙烯基聚硅氧垸和氫化硅化合物中的至少一種包含一種或多種芳基，所述硅氫化催化劑的含量是以可固化的芳基硅氧垸組合物中硅氧垸的總重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示。
發(fā)明內容本發(fā)明的一個方面涉及一種固化的芳基聚硅氧烷組合物，其包含A.亞烷基橋連的芳基聚硅氧垸，其包含至少一種硅-橋連亞烷基部分；至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述含量是以所述亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計；B.硅氫化催化劑，所述硅氫化催化劑是包含選自鉑，銠，鈀，以及它們的組合的第VIII族元素的金屬或金屬化合物；所述硅氫化催化劑及其任意衍生物的總含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm,所述硅氫化催化劑及其任意衍生物的總含量是以固化的芳基聚硅氧烷組合物的重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示；所述固化的芳基聚硅氧烷組合物在20(TC、在空氣中熱老化14天的過程中不會發(fā)生變色，也即是說，用CIE19761^&*1)*065(照射角)/10(觀察角)顏色測試法測得，加熱老化之后的0.6毫米厚的固化芳基聚硅氧烷組合物試樣的CIEb值不大于2.0。本發(fā)明第二方面涉及制備本發(fā)明第一方面的固化的芳基聚硅氧烷組合物的方法，該方法包括以下步驟A.提供i)芳基烯基聚硅氧垸，其包含至少兩個與硅鍵合的烯基；至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述芳基含量是以所述芳基烯基聚硅氧垸的與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計的；ii)氫化硅(hydridosilicon)化合物，其包含至少兩個與硅鍵合的氫原子；0摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述芳基的含量是以所述氫化硅氧垸(hydridosiloxane)化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計的；iii)硅氫化催化劑；B.將所述芳基烯基聚硅氧烷、氫化硅化合物和硅氫化催化劑組合起來，制備可固化的芳基硅氧烷組合物；C.使所述可固化的芳基硅氧垸組合物固化，以形成所述固化的芳基聚硅氧垸組合物；D.任選地通過包括選自以下的步驟的技術對所述固化的芳基聚硅氧烷組合物進行純化除去至少一部分的硅氫化催化劑；使至少一部分的硅氫化催化劑失活；以及它們的組合，其中所述硅氫化催化劑是包含選自鉑，銠，鈀，以及它們的組合的第VIII族元素的金屬或金屬化合物；所述硅氫化催化劑的含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm,所述硅氫化催化劑的含量是以可固化的芳基硅氧垸組合物的重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示；所述固化的芳基聚硅氧烷組合物在20(TC、在空氣中熱老化14天的過程中不會發(fā)生變色，也即是說，使用CIE19761^&*1)*065(照射角)/10(觀察角)顏色測試法測得，加熱老化之后的0.6毫米厚的固化芳基聚硅氧烷組合物試樣的CIEb值不大于2.0。本發(fā)明的第三方面涉及一種包封的半導體器件，其包括半導體元件，所述半導體元件中的一種或多種涂敷有本發(fā)明第一方面的固化的芳基聚硅氧烷組合物。具體實施方式本說明書的術語包括本文具體提到的詞、它們的衍生詞以及具有類似含義的詞。在本文中，以下術語具有以下定義在此說明書中，除非另外特別說明，詞語"一個"和"一種"表示"至少一個(種)"。"范圍"。在本文中，范圍以上限和下限表示?？赡艽嬖谝粋€或多個下限以及獨立的一個或多個上限。特定的范圍是通過選擇一個下限以及一個上限來確定的。而所選定的下限和上限定義該特定范圍的邊界。所有能夠通過該方式限定的范圍都包括端值且可以互相組合，這意味著任意的下限可以與任意的上限組合，用來限定范圍。"與硅鍵合的有機基團"是與硅原子鍵合的有機基團，其中"有機基團"包含至少一個碳原子，或者是氫原子。"與硅鍵合的芳基"是包含一個直接與硅原子鍵合的芳環(huán)碳原子的芳基。其它與硅鍵合的有機基團包括例如"與硅鍵合的亞烷基"；"與硅鍵合的氫原子";"與硅鍵合的垸氧基";"與硅鍵合的芳烷氧基"；以及"與硅鍵合的羥基"。在本文中，術語"摩爾百分數"和"摩爾％"可互換使用。特定硅化合物(例如硅氧烷或硅烷)的"與硅鍵合的芳基的摩爾％"是該硅化合物中包含的與硅鍵合的芳基的摩爾數除以所有的與硅鍵合的有機基團的摩爾數。例如，對于包含8個與硅鍵合的芳基以及2個與硅鍵合的氫原子的氫化硅化合物，以所述氫化硅化合物中與硅鍵合的有機基團的總量為基準計，總共10個與硅鍵合的有機基團包含80摩爾％的與硅鍵合的芳基。"包含烯鍵式不飽和基團的芳基聚硅氧垸"("芳基烯基聚硅氧烷")包含至少兩個與硅鍵合的烯鍵式不飽和基團，以及至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述含量以所述芳基乙烯基聚硅氧烷中的與硅鍵合的有機基團總量為基準計。在本文中，術語"烯基"是"烯鍵式不飽和基團"的縮寫。因此，應理解烯丙基(即其中碳-碳雙鍵與-CH2-基團或-CHR-基團緊鄰的基團)包括在術語"烯基"的范圍之內。"氫化硅化合物"包含至少兩個與硅鍵合的氫原子以及0摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述含量是以氫化硅化合物中包括氫原子在內的與硅鍵合的有機基團的總量為基準計。術語"初級硅氧烷單元"表示包含單個硅原子的聚硅氧烷的一部分，所述硅原子直接連接于l-4個氧原子，這些氧原子又各自與相鄰的初級硅氧垸單元中另外的硅原子鍵合。例如，(CH3)3Si-0-Si(CH3)3是包含兩個初級硅氧烷單元的聚硅氧烷。各初級硅氧垸單元包含與三個甲基和一個氧鍵合的單個硅原子，使得氧原子與兩個硅原子鍵合。在下文中，將(CH3)3Si-0-Si(CH3)3中的兩個初級硅氧烷單元各自稱為"M單元"。在第二實施例中，(CH3)3Si-0-Si(CH3)20H也是包含兩個初級硅氧烷單元的聚硅氧烷，這兩個初級硅氧垸單元各自包含與相同的單個氧原子鍵合的單個硅原子，該氧原子又與第二個硅原子相鍵合。羥基中的氧原子不與第二個硅原子鍵合，因此為了確定該氧原子所屬的初級硅氧院單元究竟是M單元還是D單元的時候，該氧原子不作為第二氧原子計數。因此，所述羥基作為與硅鍵合的有機基團處理，其所屬的初級硅氧烷單元是M單元。"聚硅氧垸"是包含至少兩個初級硅氧烷單元的硅氧垸。術語"M-單元"表示聚硅氧烷的初級硅氧垸單元，其中該單元的硅與單個緊鄰的-O-Si-部分連接，且為通過共價鍵與該-O-Si-部分的氧原子鍵合。類似地，術語"D單元"，"T單元"和"Q單元"分別表示硅氧垸的初級硅氧烷單元，該單元的硅原子與兩個、三個或四個緊鄰的-O-Si-部分相連，且為通過共價鍵與所述-O-Si-部分的氧原子相連。術語"ppm"意味著"百萬分之分數"，意味著"每一百萬重量份中所占之重量分數"。ppm是以重量為基準計的。因此，組合物y中特定組分x的含量是用組分x的重量除以組合物y的重量，然后乘以一百萬而得到的。例如，如果1000克固化的芳基聚硅氧烷組合物中包含0.002克的鉑金屬，則以所述固化的芳基聚硅氧烷組合物的總重量為基準計，Pt金屬含量為2ppm。"硅氫化催化劑"包含選自鉑，銠，鈀，釕、銥或其組合的第VIII族元素，能夠催化烯鍵式不飽和基團中雙鍵上的Si-H基團加成。"高RI納米顆粒"是折射率("RI")為至少1.8至不大于3.5的顆粒。多個高RI納米顆粒的"平均粒徑"為至少1納米至不大于30納米。"第VIII族元素當量值"表示硅氧垸組合物中硅氫化催化劑的含量，以該硅氧垸組合物中第vni族元素的含量計算。例如，如果本身包含50重量x的第vni族元素的特定硅氫化催化劑在硅氧烷組合物中的含量為10ppm，則該組合物中硅氫化催化劑的含量"以第VIII族元素當量值表示"為5ppm。"可固化的芳基硅氧烷組合物"包括芳基亞垸基聚硅氧烷；氫化硅化合物;以及含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm的硅氫化催化劑，所述硅氫化催化劑的含量是以可固化的芳基硅氧烷組合物中硅氧烷的總重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示。所述可固化的芳基硅氧垸組合物在固化的時候制得在加速加熱老化測試過程中不會發(fā)生變色的固化的芳基聚硅氧垸組合物。一種合適的"硅-橋連亞烷基部分"是"-CHR"CHRS-Xs-",其中通過硅氫化源自碳-碳不飽和鍵的兩個碳原子中的至少一個(即與R"鍵合的碳原子)與亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷的硅原子共價鍵合。另一個碳原子(即與RS鍵合的碳原子)可以直接與另一個硅鍵合(下標8=0)或通過乂與另一個硅鍵合(下標3=1)，其中X選自亞甲基、苯基和取代苯基。通過這種方式，形成了較大的"Si-CHR4CHR5-Xs-Si部分"。本發(fā)明亞垸基橋連的聚硅氧垸必須包括至少一個硅-橋連的亞烷基部分。"亞烷基橋連的芳基聚硅氧垸"是固化的芳基聚硅氧垸組合物的一種組分。"亞烷基橋連的芳基聚硅氧垸"是包括以下部分的聚硅氧垸至少兩個硅-橋連亞垸基部分；至少一個源自芳基亞烷基聚硅氧垸的單元；至少一個源自氫化硅化合物的單元。以所述亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷中與硅鍵合的有機基團的總量為基準計，其中包含至少10摩爾％至100摩爾％的與硅鍵合的芳基。亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷可包括"活性的與硅鍵合的有機基團"，其包括與硅鍵合的亞垸基、與硅鍵合的氫原子、與硅鍵合的垸氧基、與硅鍵合的芳垸氧基、與硅鍵合的羥基、以及它們的組合。或者，亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷可不包括活性的與硅鍵合的有機基團。"封閉劑"包括能夠與至少一種活性的與硅鍵合的有機基團反應的單獨的"封閉部分"。當需要減少預期的亞垸基橋連的芳基聚硅氧垸中這樣的活性的與硅鍵合的有機基團的數量的時候，將封閉劑加入可用來制備所述預期亞垸基橋連的芳基聚硅氧垸的相應的"可固化的芳基硅氧烷組合物"。通常在固化前將所述封閉劑加入所述可固化的芳基硅氧烷組合物?；蛘咚龇忾]劑可以在固化過程中、或固化之后加入，或者可以在固化步驟之前、過程中和之后的各種時間加入一些部分的所述封閉劑。本領域技術人員可以認識到，在固化開始后加入"封閉劑"的可行性將取決于一些因素，例如生長的或完全形成的亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷的交聯程度，以及固化過程中和固化之后，所述可固化的芳基硅氧垸組合物中封閉劑的溶解度和遷移率，所有這些因素都會影響封閉劑擴散的能力，從而影響均勻性。術語"封閉的"意味著固化的或固化中的可固化的芳基硅氧烷組合物的活性的與硅鍵合的有機基團，已經與能夠與該活性基團反應的封閉劑反應。"封閉反應"通常會形成新的非活性、或活性較小的(即"封閉的")端基。本領域技術人員能夠理解，根據亞烷基橋連的芳基聚硅氧垸、封閉劑、其它反應物質的特性、它們各自的相對量、以及"封閉反應"的其它細節(jié)(例如時間、溫度和混合)，所有的或一部分的所述活性的與硅鍵合的有機基團可被"封閉"。"固化的芳基聚硅氧垸組合物"包括亞垸基橋連的芳基聚硅氧垸；以及含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm的硅氫化催化劑，所述硅氫化催化劑的含量是以可固化的芳基聚硅氧烷組合物的重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示。所述固化的芳基聚硅氧烷組合物在本發(fā)明的加速加熱老化測試過程中不會發(fā)生變色。本發(fā)明的固化的芳基聚硅氧烷組合物需要能夠在100-13(TC、甚至更高的使用溫度下、在空氣中長時間(數千小時)保持穩(wěn)定。因此，本發(fā)明一個特別的要求是所述固化的芳基聚硅氧垸組合物在20(TC、在空氣中熱老化14天的過程中不會發(fā)生變色，也即是說，使用CIE19761^&*1)*065(照射角)/10(觀察角)顏色測試法測得，加熱老化之后的0.6毫米厚的固化芳基聚硅氧垸組合物試樣的CIEb值不大于2.0。這是本發(fā)明的"加速加熱老化測試"。對于顆粒的集合(即許多顆粒)測得的"平均粒度"是使用裝有HPLC型紫外檢測器的MatecCHDF2000粒度分析儀、使用毛細動力學分級技術測得的"重均粒度"，"dw"。在本文中，術語"粒度"、"粒徑"和"PS"可互換使用。在本文中，術語"平均粒度"、"平均粒徑"、"重均粒度"、"重均粒徑"和"cV'可互換使用。在本文中，術語"粒度分布"和首字母縮寫"PSD"可互換使用。在本領域中，用"多分散性"來衡量值的分布寬度，在此情況下為顆粒的集合測得的粒度數值。在本文中,"PSD多分散性"是多個顆粒的粒度分布的描述。PSD多分散性是根據下式，由重均粒度dw和數均粒度dn計算的PSD多分散性二(dw)/(dn)，其中=^>乂./2>,式中n,是粒度為d,的顆粒的數量。合成聚合物幾乎總是具有不同分子量的鏈的混合物，即存在"分子量分布"，縮寫為"MWD"。對于均聚物，分布組成的不同之處在于它們包含的單體單元的數量。描述聚合物鏈分布的方式也延伸到共聚物。假定存在分子量的分布，對給定樣品分子量最完整的表征是測定全部的分子量分布。這種表征是通過區(qū)分分布中各組分，然后對其各自含量進行定量而進行的。一旦得到該分布，則獲得一些概括性計量或描述，由其可以推衍出該聚合物的分子量。分布中兩個最常用的要素是"重均分子量"，"Mw"和"數均分子量"，"Mn"。它們的定義如下Mw=i:(WiMi)/SW,=2(NiMi2)/SNiMiMn=SWi/I(Wi/Mj)=S(NiMi)/2Ni式中M,二分布的第i種組分的摩爾質量W,-分布的第i種組分的重量Nf第i種組分的鏈的數量，求和是對該分布中所有的組分進行的。Mw和Mn通常是使用凝膠滲透色譜法，由MWD計算的(見試驗部分)。"MWD多分散性"等于Mw/Mn?？梢愿鶕﨑.W.VanKrevelen，《聚合物性質(PropertiesofPolymers)》，第三版，Elsevier,第189-225頁，1990中描述的眾所周知的方法估計一種聚合物和另一種組分(例如另一種聚合物或溶劑或其它小分子)是否可混溶。例如，VanKrevelen通過下式定義一種物質的總溶解度參數(5t):5=Sd2+V+5h2,式中5d、5p和Sh分別是溶解度參數的分散性分量、極性分量和氫鍵分量。許多溶劑、聚合物以及聚合物鏈段的Sd、5p和5h的數值是已經確定的，可使用VatiKrevelen組合貢獻法估算。例如，為了預測具有特定組成的聚合物是否能夠與特定的溶劑或其它小分子(例如分子量約等于或小于500)混溶，可以計算聚合物的^和溶劑的5t2。通常如果二者之差A5大于25(即A5一5),則所述聚合物和溶劑不混溶。另外，如果需要確定具有不同組成的兩種聚合物是否能夠混溶，則可進行相同的計算，但是預計的關于混溶性的AS上限將隨著一種或兩種所述聚合物分子量的增大而減小。認為這種減小是與隨著被混合組分分子量的增大而發(fā)生的混合熵的減小平行的。例如，對于聚合度各自為100的兩種聚合物，如果它們混合物的A5為9、甚至為4(即AS「3,甚至為2)的時候，它們可能不混溶。而分子量更高的聚合物甚至在更低的A5t情況下也可能不混溶。希望本發(fā)明的芳基烯基聚硅氧烷和氫化硅化合物以及硅氫化催化劑可混溶在本發(fā)明的可固化的芳基硅氧烷組合物中。還希望可固化的芳基硅氧烷組合物中包含的任意封閉劑均可混溶在所述可固化的芳基硅氧垸組合物中。不希望被任何特定的理論所限制，認為所述可固化的芳基硅氧烷組合物中組分的混溶性會導致更均勻的固化，得到比不能混溶的組分更均勻的固化的芳基聚硅氧烷組合物。為了估計具有特定組成的本發(fā)明的芳基烯基聚硅氧烷是否能夠與具有另外組成的本發(fā)明特定的氫化硅化合物混溶，人們可以計算它們各自的ASt2。應當理解這些計算為本領域技術人員提供了有效的指導，顯著減少了達到所需結果所需的試驗的量。但是還應認識到，這些計算的結果是估算的結果，除了這些計算以外，還需要進行一些試驗,以確定本發(fā)明可固化的芳基硅氧烷組合物特別優(yōu)選的組成。還應理解，當可固化的芳基硅氧垸組合物的兩種組分表現出邊界混溶性、甚至非混溶性的時候，通過選擇與這兩種組分都可混溶的第三組分，可以有效地得到這三種組分均可混溶的溶液。本發(fā)明的硅氫化催化劑包含元素周期表第VIII族的元素，這些元素為金屬(即零價元素形式)或金屬化合物(即與一種或多種抗衡離子結合的正價態(tài)金屬的形式；或有機金屬絡合物)的形式，所述元素選自鈾，銠，鈀，釕，銥，以及它們的組合；鈾，銠，鈀，以及它們的組合；鈀，鉬，以及它們的組合；或者鉑。鉑化合物的一個非限制性列表包括鉑黑；鉑鹵化物，例如氯化鉑(II)、PtCl4、H2PtCl4.6H20、Na2PtCl4.4H20、H2PtCl4.6120與環(huán)己烷的反應產物，以及氯鉑酸和一元醇的反應產物(例如Lamoreaux催化劑)；鉬-烯烴絡合物，例如Karstedt催化劑，鉑羰基環(huán)乙烯基甲基硅氧烷絡合物，以及鉑環(huán)乙烯基甲基硅氧垸絡合物；鈿-醇絡合物；鈾-醇化物絡合物；鉬-醚絡合物；鉑-醛絡合物；鉬-酮絡合物,例如雙乙酰乙酸鉑；鉑碳烯絡合物，四氯化鉑與烯烴和胺的反應產物；鉑-乙烯基硅氧垸絡合物，例如鉑-l，3-二乙烯基-l,l，3,3-四甲基二硅氧烷絡合物；二氯化雙-(Y-甲基吡啶)-鉑；二氯化三亞甲基二吡啶-鈾，二氯化二環(huán)戊二烯-鉑，二氯化環(huán)辛二烯-鉬；二氯化環(huán)戊二烯-鉑；雙(炔基)雙(三苯基膦)-鉑絡合物；雙(炔基)(環(huán)辛二烯)-鉑絡合物；氯化二甲基硫氧基亞乙基鉑(II);以及它們的組合。所述可固化的芳基硅氧垸組合物中硅氫化催化劑的含量(以第VIII族元素的當量值表示)為至少0.005,至少O.Ol，或至少O.lppm;且不大于3.0,不大于2，小于l,小于0.6ppm,或不大于0.5ppm，所述含量是以可固化的芳基硅氧垸組合物的重量為基準計。所述固化的芳基聚硅氧烷組合物中類似地包含的所述硅氫化催化劑及其任意衍生物的總含量(以第VIII族元素的當量值表示)為至少0.005,至少0.01，或至少0.1ppm;且不大于3.0,不大于2，小于l,小于0.6ppm，或不大于0.5ppm,所述含量是以固化的芳基聚硅氧垸組合物的總重量為基準計。另外，所述硅氫化催化劑及其衍生物含量合適的上限甚至可低達0.45ppm(以第VIII族元素的當量值為基準計)。本領域技術人員將會意識到，一部分的或所有的硅氫化催化劑在固化過程中或固化之后可以轉化為衍生物，包括其它催化物質以及非活性降解產物。因此，所述硅氫化催化劑及其衍生物的含量表示為第VIII族元素的本發(fā)明合適的硅氫化催化劑包括位于所述可固化的芳基硅氧烷組合物以及固化的芳基聚硅氧烷組合物中的單獨的分子(即小分子或單獨的聚合物鏈)。其它合適的硅氫化催化劑包括具有納米，或者不大于10納米。合適的硅氫化催化劑還可以微包封的形式使用，所述微包封包括含有所述硅氫化催化劑的極細小的熱塑性樹脂(例如聚酯樹脂或硅酮樹脂)的顆粒。所述硅氫化催化劑還可以環(huán)糊精之類的籠形化合物的形式使用。本發(fā)明的"與硅鍵合的芳基"包含任何含有至少一個芳環(huán)的基團，所述芳環(huán)可以是取代的或未被取代的，前提是芳基對固化過程中硅氫化反應的條件呈惰性，而且對加熱老化測試的條件呈惰性，或者如果有活性，則不會造成固化的芳基聚硅氧烷組合物所需性質的損失，所述性質包括顯色性質。與硅鍵合的芳基的一個非限制性列表包括苯基；鹵代苯基，例如鄰氯苯基、間氯苯基、對氯苯基和二氯苯基；包含d-d2烷基的烷基苯基，例如甲苯基、二甲苯基和乙基取代的苯基；苯氧基苯基，例如鄰苯氧基苯基、間苯氧基苯基、以及對苯氧基苯基;雜芳基苯基，其包含與苯環(huán)鍵合、作為單價取代基或稠環(huán)變體的雜芳基取代基，例如為芳基酰亞胺；芳垸基，例如芐基或苯乙基；稠環(huán)芳基，例如萘基；以及它們的組合。合適的與硅鍵合的芳基可選自苯基、苯氧基苯基、萘基、或它們的組合。其它合適的與硅鍵合的芳基可以是苯基。本發(fā)明的芳基烯基聚硅氧烷包含至少兩個與硅鍵合的烯基。以芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的有機基團的總量為基準計，芳基烯基聚硅氧垸中與硅鍵合的烯基的含量至少為0.1摩爾％,至少為1摩爾％,或至少為5摩爾％;且不大于60摩爾％，不大于30摩爾％，或不大于10摩爾％。以芳基烯基聚硅氧垸中與硅鍵合的有機基團的總量為基準計，芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的芳基的含量至少為10摩爾％,至少為30摩爾％,或至少為40摩爾％;且不大于99.9摩爾％,不大于90摩爾％，不大于80摩爾％，或不大于70摩爾％。與硅鍵合的烯基包括乙烯基；單烯鍵式不飽和C3-C,8直鏈、支鏈或環(huán)狀烴，例如烯丙基、丙-l-烯-l-基、己-l-烯-l-基和己-5-烯-l-基；乙烯基取代的芳基，例如對乙烯基苯基，以及它們的組合。合適的與硅鍵合的烯基可選自乙烯基或烯丙基，以及它們的組合。合適的烯基還可是乙烯基。在本發(fā)明固化的芳基聚硅氧烷組合物中，合適的亞烷基橋連芳基聚硅氧烷由平均組成式I表示，(RnSiO(4.n)/2)a(0(4-p-r)/2RpSiZrSiRqQ(4-q-r)/2)b(I)式中對于各(R、Si(V^)單元下標n獨立地等于O，1,2或3;對于各(0(4.p.rV2R2pSiZrSiR3qQ(4.q，)單元下標p等于0，1，2或3;下標q等于O,1，2或3;p+q^至[8-(2r+l)];下標r"，2或3;Z選自-CHI^CHRS-Xs-,亞芳基，取代亞芳基，以及它們的組合，其中-CHR"CHRS-Xr是硅橋連的亞烷基部分X獨立地選自亞甲基、苯基、取代苯基，以及它們的組合；下標s:0或l;R，BRS獨立地選自氫原子和烷基；R、je和w選自烯基、氫原子、芳基、垸基、羥基、垸氧基、芳氧基、其它烴類基團，以及它們的組合；對下標a和b進行選擇，使得分別符合(R、Si0(4.^2)單元和(0(4f)/2R2pSiZrSiR3qQ(4.q力/2)單元的摩爾分數；0<a<l;0<b<l;a+b=l。下標"a"和"b"表示摩爾分數。例如，包含4個(R、SiO(4.n),2)單元和6個(0(4.p-r)/2R^SiZrSiRQ(4.q.r)/2)單元的亞垸基橋連芳基聚硅氧垸在式I中的"a"和"b"的數值分別為0.4和0.6。在式I的合適的亞烷基橋連聚硅氧垸中，式iv的亞垸基橋連的芳基聚硅氧垸中的R基團R1，R、卩RS選自乙烯基、氫原子、甲基、苯基、萘基和苯氧基苯基，它們的總摩爾％至少為70摩爾％，至少90摩爾％，或至少95摩爾％;為100摩爾%，不大于99摩爾％,或不大于97摩爾％，所述含量以所述亞垸基橋連芳基聚硅氧烷的與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計。本發(fā)明的硅-橋連亞垸基部分是通過與硅鍵合的烯基與與硅鍵合的氫原子的硅氫化反應形成的(即通過硅氫化形成)。由于與硅鍵合的烯基包括乙烯基;單烯鍵式不飽和C3-ds直鏈、支鏈或環(huán)狀烴，以及其它乙烯基取代的芳基，所以所述硅-橋連亞烷基部分的CHR"CHRS單元中包含的碳原子數通常為2-18個碳原子。因此，R，卩RS各自可包含0-16個碳原子，114和115的碳原子總數為0-16。實際上，盡管CHRVHRS單元中通常包含2-18個碳原子，但是對所述CHR忙HRS單元中碳原子總數并無特別限制。本發(fā)明亞烷基橋連芳基聚硅氧烷的Mn至少為234克/摩爾，至少為500克/摩爾，或至少為l,000克/摩爾，沒有具體的上限，前提是所述亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷可以是包含不確定的高分子量的單個交聯的分子，或者是多個交聯的分子。在本文中，術語"交聯"意味著作為位于芳基亞烷基聚硅氧烷、氫化硅化合物和封閉劑中任意幾種上的與硅鍵合的有機基團存在的兩種與硅鍵合的具有互補活性(即具有互相反應的能力)的活性有機基團，反應形成交聯(例如通過與硅鍵合的氫原子同與硅鍵合的乙烯基反應形成亞烷基橋)。合適的亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷的Mn可至少為234克/摩爾，至少為500克/摩爾，或至少為1,000克/摩爾;且不大于300,000克/摩爾，不大于200,000克/摩爾，不大于50,000克/摩爾，不大于10,000克/摩爾；且MWD多分散性，即Mw/Mn可至少為1.00,至少為l.Ol，至少為1.1,或至少為1.2;且不大于50,不大于20,不大于IO,或不大于3。該領域技術人員將會進一步認識到，所述亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷可包含一種或多種非常大的交聯分子(即Mn為200,000,300,000，l，OOO,OOO或無法確定的高分子量)與較小的亞烷基橋連的芳基聚硅氧垸分子的混合物，使得MWD為雙峰或多峰。在本發(fā)明一種合適的可固化的芳基硅氧垸組合物中，所述芳基烯基聚硅氧烷用平均組成式II表示，(R63Si01/2)c(R72Si02/2)d(R8Si03/2)e(Si04/2)f(II),式中R63Si01/2,R72Si02,2，R8SiO3/2和SiO4/2分別為M-單元、D-單元、T-單元和Q-單元，所有這些單元均為初級硅氧垸單元；對下標c,d,e和f進行選擇，以分別符合<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>的摩爾分數；0.001Sc化0化0.999;0W0.50;0必0.10;c+d+e+f=l;以芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的烯基的含量為至少0.1摩爾％至不大于60摩爾％;以芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述芳基烯基聚硅氧垸中與硅鍵合的芳基的含量為至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％;R、RS選自烯基，氫原子，芳基，烷基，羥基，垸氧基，芳氧基，其它烴類基團，以及它們的組合。芳基烯基聚硅氧烷的非限制性列表包括例如乙烯基二甲基甲硅垸基-封端的聚(苯基甲基硅氧垸)，乙烯基二甲基甲硅垸基-封端的聚(苯基甲基硅氧烷-共-二苯基硅氧烷)，乙烯基甲基苯基甲硅烷基-封端的聚(苯基甲基硅氧垸)，乙烯基甲基苯基甲硅垸基-封端的聚(苯基甲基硅氧垸-共-二苯基硅氧烷)，乙烯基二甲基甲硅垸基-封端的聚(苯基甲基硅氧垸-共-乙烯基甲基硅氧烷)，乙烯基二甲基甲硅烷基-封端的聚(苯基甲基硅氧烷-共-二苯基硅氧垸-共-乙烯基甲基硅氧垸),乙烯基甲基苯基甲硅烷基-封端的聚(苯基甲基硅氧烷-共-乙烯基甲基硅氧烷)、乙烯基甲基苯基甲硅垸基-封端的聚(苯基甲基硅氧烷-共-二苯基硅氧烷-共-乙烯基甲基硅氧垸)；二乙烯基二苯基二甲基二硅氧垸、1,5-二乙烯基-1,5-二甲基-四苯基三硅氧烷、1,5-二乙烯基-六苯基三硅氧垸，以及它們的組合。以氫化硅化合物中與硅鍵合的有機基團的總量為基準計，本發(fā)明氫化硅化合物中與硅鍵合的氫原子的含量至少為0.1摩爾％,至少為1摩爾％，或至少為5摩爾％;且不大于60摩爾％,不大于30摩爾％，或不大于10摩爾％。以氫化硅化合物中與硅鍵合的有機基團的總量為基準計，氫化硅化合物中與硅鍵合的芳基的含量至少為10摩爾％,至少為30摩爾％，或至少為40摩爾％;且不大于99.9摩爾％,不大于90摩爾％，不大于80摩爾％,或不大于70摩爾％。在本發(fā)明一種合適的可固化的芳基硅氧烷組合物中，所述氫化硅化合物包括選自以下的氫化硅化合物，以及它們的組合i)具有平均組成式III的氫化硅化合物，(R93SiOv2)g(RSi02/2)h(R"Si03/2)j(Si04/2)k(III)，式中R93Si01/2、R1Q2Si02/2、R"Si03/2、Si04,2分別為M-單元、D-單元、T-單元和Q-單元，這些單元均為初級硅氧烷單元；對下標g，h,j和k進行選擇，使其分別符合R93SiOi/2、R1Q2Si02/2、R"Si03/2、Si04/2的摩爾分數；0.001SgSl;0Sh^0.999;0SjS0.50;0Sk^0.10;g+h+j+k=1;以氫化硅氧烷化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述氫化硅化合物中與硅鍵合的氫原子的含量為至少0.1摩爾％至不大于60摩爾％;以氫化硅氧垸化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述氫化硅化合物中與硅鍵合的芳基的含量為至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％;R、RU選自烯基，氫原子，芳基，烷基，羥基，烷氧基，芳氧基，其它烴類基團，以及它們的組合；ii)具有下式IV的氫化硅化合物R12mSiH(4.m)(IV)式中m-l或2;1112選自烯基，芳基，垸基，羥基，垸氧基，芳氧基，其它烴類基團，以及它們的組合。本發(fā)明的芳基烯基聚硅氧垸或氫化硅化合物的Mn、Mw或MWD多分散性(Mw/Mn)并沒有特別的限制。另外其可以為具有單一分子量的單獨的良好限定的化合物，或者為具有鏈長分布、因此具有分子量分布的聚合物鏈的集合。通常二者中任意的Mn至少為100克/摩爾，至少為500克/摩爾；且不大于50，000克/摩爾，不大于30,000克/摩爾，不大于10,000克/摩爾，或不大于2,000克/摩爾。通常二者任意的MWD多分散性Mw/Mn至少為1.00,至少為l.Ol，至少為l.l，或至少為1.2;且不大于20,不大于IO,或不大于3。氫化硅化合物的非限制性列表包括，例如氫化物封端的聚(苯基-(二甲基氫化甲硅烷氧基)硅氧烷)，氫化物封端的聚(甲基氫化硅氧烷-共-苯基甲基硅氧垸)，苯基三(二甲基甲硅垸氧基)硅烷，苯基硅烷，二苯基硅垸，1，3-二苯基-U,3，3-四(二甲基甲硅垸氧基)二硅氧垸，以及它們的組合。式II的R、RS中的任意基團可包括與硅鍵合的烯基，R、R、卩起來必須包含至少兩個與硅鍵合的烯基。式III的R、RU中的任意基團可包括與硅鍵合的氫原子,R、RU加起來必須包括至少兩個與硅鍵合的氫原子。式II的R、R8、式III的R、R11、和式IV的RU中的任意基團還可包含選自以下的與硅鍵合的基團芳基；垸基;羥基；烷氧基，芳氧基；其它烴類基團；以及它們的組合。另外，本領域技術人員將會認識到，本發(fā)明的芳基烯基聚硅氧烷或氫化硅化合物可同時包含與硅鍵合的烯基和與硅鍵合的氫原子，使得式II的RS-RS中的任意基團可任選地包含一個或多個與硅鍵合的氫原子("氫化基團")；式III的R、RH以及式IV的R"中的任意基團可任選地包括一種或多種與硅鍵合的烯基。烷基的非限制性列表包括甲基，C2-d2垸基，其中垸基部分是直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的，例如乙基、丙基、異丙基、環(huán)己基、丁基和異丁基；鹵素取代的垸基，例如3，3,3-三氟丙基；以及垸氧基取代的烷基，例如甲氧基甲基。合適的垸基可選自甲基或乙基，以及它們的組合。合適的烷基可以是甲基。烯基包括例如乙烯基，l-己烯基，5-己烯基，烯丙基，2-己烯基和乙烯基苯基(即通過與苯環(huán)碳原子的共價鍵同硅鍵合的苯乙烯類基)。合適的烯基可選自乙烯基或烯丙基，以及它們的組合。合適的烯基可以是乙烯基。合適的烯基可包括至少一種乙烯基苯基。由于乙烯基苯基既是烯基又是芳基，在確定摩爾百分數的時候，可以同時將其計入烯基和芳基。考慮到這種明顯的沖突，將以下形式體系附加于本文中當與硅鍵合的基團同時為芳基和烯基的時候，該與硅鍵合的基團將記作烯基。例如，如果芳基烯基聚硅氧烷包含兩個與硅鍵合的乙烯基，一個與硅鍵合的對乙烯基苯基，五個與硅鍵合的苯基，以及兩個與硅鍵合的甲基，則以與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，按照這種形式計算的所述與硅鍵合的烯基的摩爾％為30摩爾％，以與硅鍵合的有機基團的總摩爾數為基準計，按照這種形式計算的與硅鍵合的芳基的摩爾％為50摩爾％。烷氧基包括例如甲氧基，C2-Cu垸氧基，其中烷基部分為直鏈、支鏈或環(huán)狀的，例如為乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基和叔丁氧基。合適的烷氧基可選自甲氧基或乙氧基，以及它們的組合。合適的烷氧基可以是甲氧基。芳氧基包括例如苯氧基；包含一個或多個與苯環(huán)連接的垸氧基、芳氧基或鹵素取代基的苯氧基。本領域技術人員將會意識到，在本發(fā)明的芳基亞垸基聚硅氧垸、氫化硅化合物和亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷中可包含超過上文列出的具體種類和組以外的其它烴類基團。以分子中包含的與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，這些其它烴類基團的含量為0摩爾％至不大于10摩爾％。甚至還可包含大于10摩爾％的其它烴類基團，只要通過加速加熱老化測試法測得的在固化和加熱老化時的不利影響為最小或不存在即可。其它種類的烴類基團的非限制性列表包括腈；(甲基)丙烯酸酯，酰胺，酰亞胺，以及它們的組合.對于除乙烯基以外的適合用作式II的R^RS的與硅鍵合的基團，本領域技術人員將會認識到，如果結合入本發(fā)明的芳基亞烷基聚硅氧烷中，則某些這樣的基團在加速加熱老化測試條件下將比其它的基團更穩(wěn)定。另外，對于除了氫原子以外的適合用作式III中的R、R"的其它與硅鍵合的基團，本領域技術人員將會認識到，如果結合入本發(fā)明的氫化硅化合物中，則某些這樣的基團在加速加熱老化測試的條件下將會比其它的基團更穩(wěn)定。因此，合適的式I的芳基亞垸基聚硅氧烷的R基團R、RS選自乙烯基，氫原子，甲基，苯基，萘基和苯氧基苯基，它們的總摩爾％可至少為70摩爾％，至少為90摩爾％,或至少為95摩爾％;為100摩爾％，不大于99摩爾％,或者不大于97摩爾％，所述含量以芳基亞浣基聚硅氧垸中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計。類似地，合適的式m的氫化硅化合物中的R基團，R、R"選自乙烯基，氫原子，甲基，苯基，萘基和苯氧基苯基，它們的總摩爾％可至少為70摩爾％，至少為90摩爾％,或至少為95摩爾％;為100摩爾％，不大于99摩爾％,或不大于97摩爾。/。(以所述氫化硅化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計)。在本發(fā)明的可固化的芳基硅氧垸組合物中，所述氫化硅化合物中與硅鍵合的氫原子同芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的烯基的摩爾比至少為0.5,至少為0.8，或至少為1.0;且不大于3.0,不大于2.0,或不大于1.5。本領域技術人員還可以理解，可以將其它的化合物結合入芳基烯基聚硅氧垸中，結合入氫化硅化合物中，或直接結合入本發(fā)明亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷中。例如，可以將包含被間隔基團連接的兩個硅原子的硅化合物結合入所述亞烷基橋連的聚硅氧烷中，所述間隔基團是亞芳基，例如l,4-亞苯基，1,4，-亞聯苯基，或取代的亞芳基。例如，可將硅亞苯基單體單元，l，4-HOSiMe2-Ph-SiMe2OH,結合入所述亞垸基橋連的芳基聚硅氧烷結構中，從而引入-0-SiMe2-Ph-SiMe2-0-單元。本發(fā)明的封閉劑包括選自以下的封閉劑"烯基封閉劑"；"氫化物封閉劑"；"垸氧基封閉劑"，"芳烷氧基"或"羥基封閉劑"。烯基封閉劑包括"烯基封閉部分"，其為能夠同與硅鍵合的乙烯基反應的部分。通常，烯基封閉部分是"氫化硅鍵"(即Si-H鍵)。烯基封閉劑示例性的例子包括三甲基硅烷、三苯基硅垸、甲基苯基硅烷和五苯基二硅氧烷。氫化物封閉劑包括"氫化物封閉部分"，其為能夠同與硅鍵合的氫化物基團反應的部分。通常，氫化物封閉部分是烯基。氫化物封閉劑的示例性例子包括三甲基乙烯基硅烷、三苯基乙烯基硅垸、以及五苯基乙烯基二硅氧垸。烷氧基封閉劑包括烷氧基封閉部分，其為能夠同與硅鍵合的垸氧基反應的部分。通常垸氧基封閉部分選自烷氧基、水或羥基，以及它們的組合。烷氧基封閉劑示例性的例子包括三甲基甲氧基硅垸、三苯基甲氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷和五苯基甲氧基二硅氧烷。羥基封閉劑包括"羥基封閉部分"，其為能夠同與硅鍵合的羥基反應的部分。通常羥基封閉部分選自垸氧基或羥基，以及它們的組合。羥基封閉劑的示例性例子包括三甲基甲氧基硅垸、三苯基甲氧基硅垸、三苯基乙氧基硅烷和五苯基甲氧基二硅氧垸。本領域技術人員還將認識到，本發(fā)明的封閉劑可包括除了上述封閉部分以外的封閉部分，只要這些其它的封閉劑包括能夠同與硅鍵合的烯基、氫化物基團、垸氧基、芳烷氧基或羥基反應，而且不會對固化反應或固化的芳基聚硅氧垸組合物造成負面影響的封閉部分。本發(fā)明固化的芳基聚硅氧烷組合物還可包含添加劑。在固化的聚硅氧垸中可包含一種或多種添加劑，只要所述添加劑或添加劑的組合的存在不會在加速加熱老化測試過程中使重要的不變黃的性質降低即可。添加劑的一個非限制性列表包括納米顆?；蛭⒚最w粒尺度的填料，例如氧化鈰、氧化鈦、氧化硅、氧化鋯、氧化鉿、氧化釩、氧化鑭；抗氧化劑；位阻胺光穩(wěn)定劑(HALS);潤滑添加劑；殺真菌劑；阻燃劑；對比度增強劑；紫外穩(wěn)定劑；光穩(wěn)定劑；表面活性劑;粘度改性劑，例如包含烷氧基的硅烷、包含烷氧基的硅酮以及環(huán)氧基硅酮；磷光體；吸收染料；熒光染料；電導性或熱導性添加劑，例如碳納米管或納米顆粒;螯合劑或隔離劑除酸劑；堿清除劑；以及金屬鈍化劑和加強劑，例如熒光粉、納.米管、納米小球、納米顆粒、微米小球、顏料、液晶和粘土。只要在20(TC的加熱處理時、不變黃的重要性質能夠得以保持，該添加劑便可包含在固化的芳基聚硅氧烷組合物中。可將高RI納米顆?；蚱渌砑觿┘尤胨鼋M合物中，以增大該復合體的折射率。這些折射率增高添加劑包括例如氧化鈰、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、氧化釩、氧化鑭、氧化鋅、鎢酸鹽、鉬酸鹽、氧化鈮、氧化銦、氧化銦錫、六苯基二硅氧垸、四苯基鉛和四苯基硅烷。本發(fā)明的大量高RI納米顆粒的平均粒徑至少為l納米，至少為2納米，或至少為5納米；且不大于30納米，不大于20納米,或者不大于10納米。當固化的芳基聚硅氧烷組合物的應用需要高透光率的時候,還需要所述大量高RI的納米顆粒不會使試樣的透光率顯著減小至低于90。/。。對大量高RI納米顆粒的PSD多分散性沒有特別的限制，但是所述大量高RI納米顆粒的PSD多分散性通常至少為l.OO，至少為l.Ol,至少為l.l，或至少為1.2;且不大于20，不大于IO,或不大于3。所述PSD可以是單峰或多峰的。另外，在本發(fā)明的可固化的芳基硅氧烷組合物以及固化的芳基聚硅氧烷組合物中可包含固化抑制劑、輔助催化劑、助粘劑、表面鈍化劑和用于可移動性離子型物質的鈍化劑，只要在加速加熱老化測試過程中，重要的不變黃的性質得以保持即可。固化抑制劑包括例如炔醇，如3-甲基-3-丁炔-2-醇、2-甲基-1-戊炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2，5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3，6-二醇、2，4,7，9-四甲基-5-癸炔-4，7-二醇和3,7-二甲基-6-辛-1-炔-3-醇(來自BASF的"脫氫里哪醇")；三唑；氫化硅烷，例如l,3-二乙烯基-l,l,3,3-四甲基二硅氧垸；二垸基甲酰胺；垸基硫脲；甲基乙基酮肟；具有脂族三鍵和合適的沸點的有機硅化合物；馬來單酯；馬來酸二烯丙酯和乙酸乙烯酯的混合物；腈類化合物；以及磷化合物。輔助催化劑包括例如金屬氧化物，如鈦、錫、鋯和鉛的氧化物。這些相同的金屬氧化物還可作為助粘劑。鈍化劑通常通過降低表面能而防止與水發(fā)生相互作用，其包括例如聚[(3,3,3-三氟丙基)甲基硅氧垸]、(3，3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、(十七氟-l，l,2，2-四氫癸基)三乙氧基硅垸、(十三氟-1,1,2,2，-四氫辛基)三甲氧基硅垸、(十三氟-l,l,2,2-四氫辛基)二甲基氯代硅垸以及3,5-雙(三氟甲基)苯基二甲基氯代硅垸。還可使用載體溶劑，以形成耐高溫的硅酮涂料。合適的溶劑的非限制性列表包括甲苯、二甲苯、丙酮、醚基溶劑(dowanol(商品名)、甘醇二甲醚、垸基醚)和鹵代溶劑。所有能夠與本發(fā)明的可固化的芳基硅氧烷組合物或固化的芳基聚硅氧烷組合物混溶的溶劑均可包括在所述組合物中，只要在加速加熱老化測試過程中不變黃的重要性質得以保持即可。制備本發(fā)明固化的芳基聚硅氧烷組合物的方法包括以下步驟將芳基烯基聚硅氧烷與氫化硅化合物、硅氫化催化劑和任選的封閉劑混合起來，制備可固化的芳基硅氧烷組合物；使所述可固化的芳基硅氧垸組合物固化，以形成所述固化的芳基聚硅氧垸組合物。本領域技術人員將會認識到，固化溫度和時間可以變化，以適應具體的可固化的芳基硅氧垸組合物和硅氫化催化劑含量。通常對固化溫度進行選擇，使得固化的芳基聚硅氧垸組合物在數分鐘至幾小時的時間內，在至少100。C、至少120。C或至少140。C;且不高于220。C、不高于200。C、或不高于180。C的溫度下形成。合適的制備固化的芳基聚硅氧垸組合物的方法還可包括高于和低于上述極值的固化溫度。對于活性特別高的體系或敏感的電子器件，可能需要固化溫度低于100。C，而對于一些活性特別低、而且在固化過程中和之后對高溫特別穩(wěn)定的體系，可能需要固化溫度高于220。C。當然，在選擇固化條件的時候，還必須考慮各可固化的芳基硅氧烷組合物的特性，例如組分的揮發(fā)性。還應理解在固化過程中固化溫度可以變化。例如，固化溫度可初始設定在130。C,但是在2小時內程序升溫至150。C,然后在18(TC進行8小時的最終固化。通常芳基烯基聚硅氧烷和硅氫化催化劑在加入氫化硅化合物之前混合，以確保硅氫化催化劑在同與硅鍵合的氫原子發(fā)生相互作用之前均勻分散。這種在沒有可容易獲得的芳基烯基聚硅氧烷的情況下發(fā)生的相互作用可能會導致相互作用的產物的沉淀，使得在隨后加入芳基烯基聚硅氧烷的時候難以或不可能形成均勻的完全可固化的反應混合物。還可將硅氫化催化劑與同時包含芳基烯基聚硅氧烷和氫化硅化合物的混合物相混合。當然，所述固化的芳基聚硅氧烷組合物可以在沒有任意器件的情況下，使用本發(fā)明的固化方法形成，例如可采用成膜和膜的固化；各種形狀制品的擠出或滲出(exudation);各種形狀制品(例如透鏡或具有圖案化表面的膜，例如光提取膜)的注塑和其它使用模具的成形。當在固化過程中存在半導體器件之類的器件時，需要對固化溫度進行選擇，使其不會破壞該器件。在此情況下，可以通過在固化步驟之前或固化過程中，用所述可固化芳基亞垸基聚硅氧烷組合物涂敷半導體器件的一種或多種半導體元件，對所述半導體元件進行包封，以形成包封的半導體器件。或者所述固化的芳基聚硅氧垸組合物可以以例如獨立的膜的形式形成，然后施用于所述器件。本發(fā)明熱穩(wěn)定的固化的芳基聚硅氧烷組合物具有許多用途，包括底部填料(imderfiller)、保護性涂料試劑、灌封劑、或者用于電氣和電子產品(包括半導體)的粘合劑。對可以被包封的半導體的種類沒有特別限制。例如,可以用本發(fā)明固化的芳基聚硅氧垸包封發(fā)光二極管(LED)器件。所述芳基聚硅氧垸組合物的高透光率使其特別適合用作光學應用中半導體元件內的底部填料、保護性涂料試劑、灌封劑或粘合劑。本發(fā)明器件的特征是，其半導體元件涂敷有固化的芳基聚硅氧垸組合物，或者涂敷有可固化的芳基硅氧烷組合物，然后原位固化。這些半導體元件的例子是用于二極管、晶體管、晶閘管、固態(tài)攝像元件、單片集成電路和混合集成電路的半導體元件。另外，這些半導體器件的例子是二極管、發(fā)光二極管(LED)、晶體管、晶閘管、光電耦合器、電荷耦合器件(CCD)、單片集成電路(IC)、混合集成電路、大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路(LSI和VLSI)。試驗。在以下實施例中將詳細描述本發(fā)明的一些實施方式。使用凝膠滲透色譜法(GPC)進行分子量測定。凝膠滲透色譜法又被稱為尺寸排阻色譜法，實際上根據分布中的組分在溶液中的流體動力學尺寸(而非其分子量)將這些組分分離。然后用具有已知分子量和組成的標樣校準該體系，使分子量與洗脫時間相關。GPC技術在以下文獻中進行了詳細討論AfoAmS/ze五xc/wsz'owC7zrow(^ogra/7/7乂W.W.Yau,J.JKirkland,D.D.Bly;Wiley-Interscience,1979,禾口《爿Gw/c/eZoM她r/(3/sC7zarac/"eWz加'owC7zem/ca/，J.P.Sibilia;VCH，1988，第81-84頁。例如，可根據以下步驟測定低分子量樣品(例如10000)的分子量信息將樣品(包含低分子量顆粒的水乳液)以大約0.1重量X樣品/升THF的濃度溶解在THF中，震搖6小時，然后用0.45微米的PTFE(聚四氟乙烯)薄膜過濾器過濾。通過將100微升上述溶液注入保持在4(TC的三個串聯的柱子中，進行分析。這三個柱子為PLGel5100,PLGel51,000和PLGel510,000各一個，這些柱子均得自美國麻薩諸塞州，Amherst的PolymerLabs。用于THF的流動相的流速為l毫升/分鐘。通過不同的折射率進行檢測。該體系用窄分子量的聚苯乙烯標樣進行校準。樣品的聚苯乙烯-等價分子量通過Mark-Houwink校正、使用K-14.1X10—3毫升/克和a=0.70，對于聚苯乙烯標樣進行計算。用來測定與硅鍵合的乙烯基和與硅鍵合的氫原子之比的核磁共振(NMR)法。使用BrukerADVANCE500NMR譜儀進行NMR分析，提供了制劑的與硅鍵合的氫原子和乙烯基組分的克當量。將含硅化合物的乙烯基或氫質子積分的質子NMR信號與已知質量的甲苯標樣的質子NMR積分信號相比較。然后可以重量為基準計算乙烯基或氫化物質子的量。例如，在進行乙烯基測定的時候，將三個乙烯基質子組合的質子信號與甲苯甲基的三個質子的信號相比較。從芳基乙烯基聚硅氧垸的特定儲液取出計算量的(重量)芳基乙烯基聚硅氧垸，將其與硅氫化催化劑混合。加入以體積計(具有已知密度)或以重量計的計算量的氫化硅化合物。用來測定硅氫化催化劑儲液中鉑濃度的X射線熒光(XRF)法。通過將已知量的硅氫化催化劑溶解在已知量的溶劑(甲苯或二甲苯)中來制備硅氫化催化劑儲液。使用X射線熒光(XRF)光譜測定硅氫化催化劑在甲苯或二甲苯中的儲液的鉑濃度。XRF測量使用PhilipsPW2404連續(xù)波長色散XRF,其使用已知的鉑標樣校準。首先將計算量的(例如使用微量移液管移送的微升)硅氫化催化劑儲液與芳基乙烯基聚硅氧垸混合，然后與氫化硅化合物混合，形成可固化的芳基硅氧垸組合物。硅氫化催化劑儲液以多種濃度制備。固化的芳基聚硅氧垸組合物的加熱老化。使用FisherIsoTemp加熱爐在20(TC的空氣中，進行不同時間的加速加熱老化測試。對加速加熱老化測試的嚴格條件進行選擇以提供各種固化的芳基聚硅氧垸組合物預期所需的性能，所述組合物需要在較低溫度(例如150-180'C)下長期使用時間內保持透明和無色。并非所有的制劑均能良好地老化一一些制劑開裂、收縮、顯現出具有皺紋的表面、或者從玻璃片或微量燒杯上脫落。并非所有的制劑都具有最佳的機械性質，但是它們顯示了本發(fā)明防止形成顏色的能力范圍。固化的芳基聚硅氧垸組合物在老化之后的紫外-可見(UV-vis)分光光譜分析。使用Hewlett-Packard8453型分光光度計分析厚度約為0.6毫米的加熱老化后的膜的顏色和光學透明度。通過從紫外-可見數據中減去通過測定各種樣品o天時的數據得到的筆直基線，校正樣品的差異。在固化之后對固化的芳基聚硅氧烷組合物進行CIE(CommissionInternationaledeIclairage)分析。使用X-Rite500系列光密度計分析厚度約為0.6毫米的膜的顏色和透明度。在CIE測量中不對膜的厚度進行校正，但是對于特定的制劑系列，所有的樣品都在各自厚度的20%以內。CIE測量空間是CIE1976LHc^"空間，使用D6s/10設定(g卩65。照射角；IO。觀察角)，顏色測量是通過將樣品置于校正的白點之上來進行的。使用所述CIE1976"^1)*空間065(照射角)/10(觀察角)顏色測試法對在20(TC的空氣中加熱老化14天的試樣進行觀察的時候，如果CIEb值等于或小于2.0，則該試樣通過了所述"加速加熱老化測試"。材料。大部分硅氧烷單體和聚合物購自Gelest,Inc.。溶劑和其它化學物質購自Aldrich或FisherScientific化學物質直接使用。將石英片或晶片用于硅氧烷樣品的紫外分析，這些石英片或晶片購自GMAssociates,Inc.。鉑催化劑購自Gelest。對于Karstedt催化劑(二甲苯中的鉑-二乙烯基四甲基二硅氧垸絡合物)，在所有實驗中使用購自Gelest的低色類型。通過對鉑儲液進行X射線熒光光譜測試，計算鉑濃度。在實施例中，乙烯基聚合物存2(表中的乙烯基弁2)購自Aldrich(482048)。乙烯基聚合物弁3(PMV-9925)和氫化物弁l(HPM-502),#2(S1P6826),#4(H-ll),弁5(SlP6736.5)和弁6(SlD4582)購自Gelest。聚合物分子量通過凝膠滲透色譜法，使用聚苯乙烯標樣測定，因此是相對分子量。實施例l.乙烯基#1的合成。包含與硅連接的苯基和甲基的三甲基硅封閉的芳基乙烯基聚硅氧烷的制備。將乙烯基三甲氧基硅烷(76.24克)、370.96克二甲基二甲氧基硅烷、11.6克0.02N的HC1和136.92克水加入三頸燒瓶中。反應釜內的溫度從67。C升高到130。C,在4小時內除去餾出物。將反應混合物冷卻至室溫，將120.91克三甲基甲氧基硅垸與另外11.6克0.02N的HC1—起加入。該反應在60。C攪拌3小時，然后在高達85'C的溫度下除去餾出物。為了充分地封閉所述聚合物，加入72.86克無水的三乙胺，然后緩慢加入78.22克三甲基氯代硅垸。該反應用300毫升己垸稀釋，用10%的HC1洗滌，直至有機物的pH值降至低于7。然后用水洗滌有機相(己烷)，直至pH值為5-6。然后在80。C的真空條件下對有機相進行汽提。產物為l卯克液態(tài)芳基乙烯基聚硅氧烷。實施例2.乙烯基#4的合成。包含與硅連接的苯基和甲基、以及包括聚合的硅亞苯基單體單元的二苯基甲基硅封閉的芳基乙烯基聚硅氧烷的制備。1，4-二(羥基二甲基甲硅烷基)苯(4.08克)、2.73克苯基甲基二甲氧基硅烷、2.38克甲基乙烯基二甲氧基硅烷、2.18克二苯基甲基乙氧基硅烷、4.32克水和28毫克氫氧化鉀在圓底燒瓶中混合。該反應混合物進行簡短的回流，然后在100-11(TC的反應釜溫度下(油浴溫度12(TC)在1.5小時內除去甲醇。除去甲醇和一些水之后,冷卻反應混合物，并用甲苯稀釋。甲苯溶液用氯化銨溶液萃取兩次，用去離子水萃取一次，使得pH值為中性。過濾有機相，用硫酸鎂干燥，用旋轉蒸發(fā)儀濃縮。產物為8.09克液體芳基乙烯基聚硅氧烷。實施例3.乙烯基#5的合成。包含與硅連接的苯基和甲基的三甲基乙氧基硅封閉的芳基乙烯基聚硅氧烷的制備。二苯基二甲氧基硅垸(8.06克)、6.38克苯基甲基二甲氧基硅烷、2.37克乙烯基三甲氧基硅垸、1.89克三甲基乙氧基硅烷、9克水和105毫克氫氧化鉀在圓底燒瓶中混合。該反應在75'C攪拌16小時。然后在100-11(TC的反應釜溫度下(油浴溫度120。C)除去甲醇。在除去甲醇和一些水之后，加入3.80克的三甲基乙氧基硅垸以確保封閉，該混合物在8(TC下攪拌40分鐘。該反應冷卻并用甲苯稀釋。用氯化銨溶液萃取兩次，用去離子水萃取一次，使得pH值呈中性。過濾有機相，用硫酸鎂干燥，用旋轉蒸發(fā)儀濃縮。產物為9.98克液體芳基乙烯基聚硅氧垸。實施例4。氫化物#3的合成。包含與硅相連的苯基和甲基的氫化硅化合物的制備。將二苯基二甲氧基硅垸(19.55克)、6.01克五甲基環(huán)戊硅氧烷、2克硫酸和4克水加入燒瓶中，在室溫下攪拌過夜。該反應通過加入150毫升甲苯而引起。有機相用飽和碳酸氫鈉水溶液萃取兩次(每次300毫升)，用水萃取兩次(每次300毫升)。有機相用旋轉蒸發(fā)儀汽提，制得18克粘性透明的聚合物。實施例5。可固化的芳基硅氧烷組合物的制備和固化。向所述芳基乙烯基聚硅氧垸中加入溶解在甲苯或二甲苯中的一定量的硅氫化催化劑(鉑催化劑)，該組分在輥式混合器上充分混合。對于粘性的乙烯基硅酮,使用己烷作為稀釋劑來幫助稱重和聚合物與鉑催化劑的混合。在這些情況下，通過在電熱爐上蒸發(fā)除去己垸，然后加入氫化硅化合物。加入氫化硅化合物，并在輥式混合器上充分混合。然后將所述制劑倒在石英片(用于紫外-可見測量的試樣)或玻璃片(用于CIE測量的試樣)上，或倒入微量玻璃燒杯中(用于觀察測量的試樣)。NMR分析提供了用于配制的氫化物組分和乙烯基組分的克當量。初始的固化溫度和時間分別為100-130。C和l-4小時，對具有較慢固化特征的可固化的芳基硅氧垸組合物選擇較高的溫度和較長的時間。Pt含量大于0.2ppm的樣品在恒溫電熱爐上，在100-13(TC固化長達2.0小時。某些低催化劑含量的制劑(Pt含量小于0.2ppm)需要在160-18(TC的升高的溫度下初始固化0.5-4小時。然后在13(TC對所有進行過初始固化的樣品進行8小時的最終固化步驟。表A實施例制劑中使用的反應物和催化劑的量。<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>(a)ide鑒定劑。(b)Wt.e重量。(c)每當量Si-乙烯基的Si-H當量。(d)l倍意味著該溶液未被稀釋，1/10倍、1/100倍和1/1000倍意味著所述1倍的溶液分別被稀釋了十倍、一百倍和一千倍。HSC-1:l倍溶液中的Pt濃度二23050ppm;HSC-2:l倍溶液中的Pt濃度二19777ppm;HSC-3:l倍溶液中的Pt濃度二19300ppm。Pt催化劑使用微量移液管，從1倍、1/10倍、1/100倍和1/1000倍儲液加入。表l.用于試驗實施例的乙烯基聚硅氧烷和氫化硅化合物。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>(a)IDE鑒定劑(identifier)。名稱和數字用于乙烯基聚硅氧垸和氫化硅化合物。乙烯基l不含芳基；乙烯基2-5是芳基乙烯基聚硅氧垸。氫化物4不含芳基；氫化物l-3、5和6是芳基氫化硅化合物。(b)RlE用阿貝折射計測得的折射率。(c)苯基、甲基、乙烯基和氫的摩爾％，該摩爾％是以特定化合物中與硅鍵合的所有有機基團的總量為100摩爾％計算的。(d)化合物是良好限定的獨立的小分子，或者是良好限定的小分子的混合物。200710180280.9勢溢也被29/393<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>表4.加熱老化固化的聚硅氧垸組合物的CIE分析氫化硅化合物和鉑含量變化。<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)CIE讀數是對通過固化的聚硅氧垸組合物路徑長度約0.6毫米的試樣單次觀察的讀數。(c)樣品在20(TC處理67小時之后仍然是粘的，說明其部分固化。200710180280.9轉溢齒被31/395t表5。CIE顏色分析在對固化的芳基聚硅氧烷組合物進行20(TC的加熱老化的過程中，作為Pt含量和時間函數的b坐標數值。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)CIE讀數是對通過固化的聚硅氧烷組合物路徑長度約0.6毫米的試樣單次觀察的讀數。(c)O、3、7、14和31天分別對應于0和大約72、168、336和744小時。表6加熱老化固化的聚硅氧烷組合物的CIE分析改變的硅氫化催化劑種類。<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)固化的聚硅氧垸組合物C13、C14和17-19是使用鉑羰基環(huán)乙烯基甲基硅氧垸絡合物(Ossko)固化的；固化的聚硅氧垸組合物C15、C16和20-22是使用鉑辛醛/辛醇絡合物(Lamoreaux)固化的。(c)CIE讀數是對通過固化的聚硅氧垸組合物路徑長度約0.6毫米的試樣單次觀察的讀數。200710180280.9勢溢，B被32/39:K表7加熱老化固化的聚硅氧垸組合物的CIE分析乙烯基/氫化物比例和Pt含量變化。<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)CIE讀數是對通過固化的聚硅氧烷組合物路徑長度約0.6毫米的試樣單次觀察的讀數。表9加熱老化固化的聚硅氧垸組合物的CIE分析作為Pt含量變化的函數的CIEb數值<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>表ll對加熱老化固化的聚硅氧烷組合物的觀察檢測Pt含量變化<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)樣品在直徑1.8厘米的玻璃微量燒杯中固化。表12加熱老化之后對后處理的聚硅氧垸組合物的觀察檢測。<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)樣品在直徑1.8厘米的玻璃微量燒杯中固化。表13作為固化的芳基聚硅氧烷組合物在20(TC加熱老化過程中的Pt含量和時間的函數的近紫外區(qū)域(300-380納米)內的吸收積分。__<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>(a)每當量Si-乙烯基的Si-H當量(b)O、7、14、21、28和49天分別對應于0小時和約等于168、336、504、672和1176小時。表格的解釋。表A列出了用于各可固化的芳基硅氧烷組合物的乙烯基聚硅氧烷、氫化硅化合物和硅氫化催化劑的種類和用量。表l列出了乙烯基聚硅氧烷7-5(即乙烯基#1至乙烯基#5)的名稱、折射率、Mn以及與硅鍵合的有機基團苯基、甲基和乙烯基的量。表1還列出了氫化硅化合物1-6(即氫化物#1至氫化物#6)的名稱、折射率、Mn和與硅鍵合的有機基團苯基、甲基和乙烯基的量。表2列出了硅氫化催化劑l-3(即HSC-l至HSC-3)的名稱。表3-10列出了對在20(TC的空氣中加熱固化各種時間之前和之后的各種固化的芳基聚硅氧烷組合物進行的CIE分析的測量結果。CIE"b"坐標具體反映了樣品中棕/黃色的外觀。因此，在表3-10中將"b"坐標以粗體標出，以強調其重要性。通常，在這些制劑中，當b值大于2.0的時候，可觀察檢測到棕色。目前所有的實施例均符合這種情況。表10還列出了紫外-可見分光光度法測量的結果，與CIEb值比較。表11和表12列出了固化的芳基聚硅氧垸組合物在加熱老化之前和之后的觀察結果。表13列出了聚焦于近紫外區(qū)域的紫外-可見分光光譜法測量的結果。測試結果。除非另外說明，樣品在烘箱中、在200'C的空氣氣氛下老化(見上文所述的加熱老化法)。并非所有制劑均可良好地老化一一些制劑發(fā)生開裂、收縮、出現有鈹紋的表面、或者從玻璃片或微量燒杯上脫落。并非所有的制劑都具有最佳的機械性質，但是由于它們顯示了根據本發(fā)明可防止變色的各種樣品，所以它們均包括在內。加熱老化固化的芳基聚硅氧烷組合物的CIE分析。樣品在200。C老化，周期性地使用CIEL*a*b*(1976)測試法測定CIELab,以觀察鉑催化劑的含量對樣品顏色的影響。表3顯示了在20(TC的空氣中、CIEb坐標(b值)隨時間的變化。不含與硅鍵合的苯基的固化的聚硅氧烷組合物在2周后的b值略大于2.0,而該固化的芳基聚硅氧烷在Pt含量為5.1ppm的條件下，在剛剛67小時之后，便顯示出高的(不希望有的)b值(見樣品C5和C6)。對于包含與硅鍵合的芳基的樣品，等于和小于l.O的較低的Pt含量顯示出極低的b值。表4顯示了固化的芳基聚硅氧烷組合物在67小時和2周的時間內加熱老化的CIEb坐標趨勢，所述組合物由乙烯基#3以及各氫化物#2、#1和#5制備，在所有三種情況下，使用硅氫化催化劑使得相應的Pt含量為9.9至低達0.23ppm，在一種情況下低達0.05ppm。對于鉑含量等于或小于2.5ppm的情況，CIEb值全都低于2.0。表5顯示了對于比較例C7和C8，在200。C的空氣中加熱老化3天以內，都會有極高的b值。很重要的是要注意，比較例C7和C8的b值的減小不是由于顏色的損失，而是由于樣品受到破壞，使得難以使用CIE法測量顏色。硅氫化催化劑的含量滿足金屬相當值等于或小于2.5ppm的固化的芳基聚硅氧烷組合物，即使在31天之后，其CIEb值仍然等于或小于l。表6顯示了使用其它的硅氫化催化劑，在表3-5中建立的低硅氫化催化劑含量條件下，可以獲得相同的對加熱老化的顏色穩(wěn)定性。另外，兩種硅氫化催化劑在Pt含量為5.1ppm和9.9ppm的條件下都具有一樣的差的顏色穩(wěn)定性。表7顯示了對于一定范圍的與硅鍵合的氫原子同與硅鍵合的乙烯基之比的條件下，在67小時和2周的時間表現出極佳的顏色穩(wěn)定性。表8又表現出另外的固化的芳基聚硅氧垸組合物在Pt含量為0.01-l的條件下，在加熱老化的過程中具有極佳的顏色穩(wěn)定性，這次的組合物使用乙烯基#3和氫化物#3制備。表9將表8的觀察擴展到另外的鉑含量(即0.005ppm)和更長的時間(即329小時和930小時)。盡管Pt含量等于或高于5ppm、時間為930小時(即略長于5.5周)情況下的b值非常高，但是等于或小于lppm的Pt含量也能保持極佳的顏色穩(wěn)定性(即，即使在5.5周的時候，所有的b值都遠低于l)。加熱老化固化的芳基聚硅氧烷組合物的紫外-可見分光光譜分析。對在200。C的空氣中加熱老化的選定樣品進行紫外-可見分光光度法分析。表10顯示了升高的CIEb值與紫外可見光譜朝向較長波長的截斷(cut-off)波長的移動之間的關系，所述截斷波長是在近紫外區(qū)域內、吸光度第一次降至0.5單位的基線值時的波長。也即是說，隨著紫外光波長的增大，截斷點是吸光度減至0.5的第一個波長。表10的關系說明在近紫外范圍內輸出光的器件(例如具有近紫外能力的UV-LED器件)也可受益于本發(fā)明固化的芳基聚硅氧烷的包封。表13還說明對于低鉑含量，近紫外(此處為300-380納米)范圍內的紫外吸收減小。表13的數據點是通過進行線性基線校正(g卩，將各種Pt含量下、380納米處0天的數據設定為O吸收)之后，對300-380納米的吸收峰下方面積的積分得到的。這種步驟校正了樣品之間的差異(例如略厚的石英片)。對加熱老化固化的芳基聚硅氧垸組合物的視覺觀察分析。觀察比較兩種樣品，結果列于表ll。比較例C21使用20ppm的鉑制備，僅在20(TC下加熱老化4小時。觀察厚度僅約2毫米的試樣，發(fā)現其為棕色。相反地，使用4.6ppm的鉑制備樣品40，在200。C加熱老化24小時。目視觀察厚度IO毫米(為比較試樣厚度的5倍)的試樣，發(fā)現其為極微弱的棕色。表12中的結果表明對固化的聚硅氧烷組合物的后處理會降低固化的聚硅氧烷組合物在加速加熱老化過程中變色的趨勢。樣品C22和41-44顯示了可通過將鉑催化劑萃取出交聯的凝膠，來減小在200。C下產生顏色的程度。對于樣品41-44,所有的萃取過或處理過的樣品的產生顏色程度都小于參比樣品C22。在D-G中，所用的萃取或催化劑失活方法的具體種類不會(從肉眼上來看)使得觀察到的顏色程度產生差異，而僅僅是進行了萃取。例如，對于減小產生顏色的程度來說，用氫氧化銨處理似乎與用甲苯萃取的效果差不多。所有這些處理都會破壞凝膠材料，但是它們有助于檢驗一個原理，即Pt催化劑濃度對于在20(TC下產生顏色具有重要意義。權利要求1.一種固化的芳基聚硅氧烷組合物，其包含A.亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷，其包含至少一種硅-橋連亞烷基部分；至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述含量是以所述亞烷基橋連的芳基聚硅氧烷中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計；B.硅氫化催化劑，所述硅氫化催化劑是包含選自鉑，銠，鈀，以及它們的組合的第VIII族元素的金屬或金屬化合物；所述硅氫化催化劑及其任意衍生物的總含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm，所述硅氫化催化劑及其任意衍生物的的總含量是以固化的芳基聚硅氧烷組合物的重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示；所述固化的芳基聚硅氧烷組合物在200℃、在空氣中熱老化14天的過程中不會發(fā)生變色，即是說，使用CIE1976L*a*b*D65(照射角)/10(觀察角)顏色測試法測得，加熱老化之后的0.6毫米厚的固化芳基聚硅氧烷組合物試樣的CIEb值不大于2.0。2.如權利要求l所述的固化的芳基聚硅氧烷組合物，其特征在于，以所述固化的芳基聚硅氧烷組合物的總重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示，所述硅氫化催化劑及其任意衍生物的總量為至少0.005ppm至小于1.0ppm。3.如權利要求l所述的固化的芳基聚硅氧烷組合物，其特征在于所述亞烷基橋連芳基聚硅氧烷由平均組成式I表示，12，，3(RnSiO(4-n)/2)a(0(4-p-r)/2RpSiZrSiRqQ(4陽q陽r)/2)b(I)式中對于各(R、SiO(一,2)單元下標n獨立地等于O,1,2或3;對于各(0(4.p.r)/2R2pSiZfSiR3qQ(4.q.r)/2)單元下標p等于O,1,2或3;下標q等于O,1，2或3;p+q二0至[8國(2r+l)];下標r-l,2或3;Z選自-CHR4CHR5-Xs-，亞芳基，取代亞芳基，以及它們的組合，其中-01114(:111150^-是硅橋連的亞烷基部分；X獨立地選自亞甲基、苯基、取代苯基，以及它們的組合；下標s:0或l;R，BRS獨立地選自氫原子和垸基；R1,W和RS選自烯基、氫原子、芳基、烷基、羥基、垸氧基、芳氧基、其它烴類基團，以及它們的組合；對下標a和b進行選擇，使得分別符合(R、SiO("),2)單元和(0(4.p.r)/2R2pSiZ,SiR3qQ(4.q.r)/2)單元的摩爾分數；0<a<l;0<b<l;a+b=l。4.如權利要求3所述的固化的芳基聚硅氧烷組合物，其特征在于，至少70摩爾X至100摩爾X的R1、112和113的組合選自乙烯基、氫原子、甲基、苯基、萘基、苯氧基苯基、以及它們的組合。5.制備如權利要求l所述的固化的芳基聚硅氧垸組合物的方法，該方法包括以下步驟A.提供i)芳基烯基聚硅氧烷，其包含至少兩個與硅鍵合的烯基；至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述芳基含量是以所述芳基烯基聚硅氧烷的與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計的；ii)氫化硅化合物，其包含至少兩個與硅鍵合的氫原子；0摩爾％至不大于99.9摩爾％的與硅鍵合的芳基，所述芳基的含量是以所述氫化硅氧烷化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計的；iii)硅氫化催化劑；B.將所述芳基烯基聚硅氧垸、氫化硅化合物和硅氫化催化劑組合起來，制備可固化的芳基硅氧垸組合物；C.使所述可固化的芳基硅氧烷組合物固化，以形成所述固化的芳基聚硅氧烷組合物；D.任選地通過包括選自以下的步驟的技術對所述固化的芳基聚硅氧烷組合物進行純化除去至少一部分的硅氫化催化劑；使至少一部分的硅氫化催化劑失活；以及它們的組合，其中所述硅氫化催化劑是包含選自鉑，銠，鈀，以及它們的組合的第VIII族元素的金屬或金屬化合物；所述硅氫化催化劑的含量為至少0.005ppm至不大于3.0ppm，所述硅氫化催化劑的含量是以可固化的芳基硅氧烷組合物的重量為基準計，以第VIII族元素的當量值表示；所述固化的芳基聚硅氧垸組合物在20(TC、在空氣中熱老化14天的過程中不會發(fā)生變色，也即是說，使用CIE19761^&*15*065(照射角)/10(觀察角)顏色測試法測得，加熱老化之后的0.6毫米厚的固化芳基聚硅氧烷組合物試樣的CIEb值不大于2.0。6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，該方法還包括以下步驟E.提供包括半導體元件的半導體器件；F.通過包括選自以下步驟的技術，在至少一個半導體元件的至少一個表面上形成涂層在固化步驟之前或過程中，將所述可固化的芳基硅氧烷組合物施涂在所述表面上；將固化的芳基聚硅氧烷組合物施涂在所述表面上；以及它們的組合.7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述芳基烯基聚硅氧烷用平均組成式II表示，(R63Si01/2)c(R72Si02/2)d(R8Si03/2)e(Si04/2)f(11)，式中R63Si01/2,R72Si02/2,R8Si03/2和Si04/2分別為M-單元、D-單元、T-單元和Q-單元，所有這些單元均為初級硅氧烷單元；對下標c,d,e和f進行選擇，以分別符合11638101/2,R72Si02/2,R8Si03/jnSi04/2的摩爾分數；O.OOl^d0化0.999;0^0.50;0必0.10;c+d+e+f=l;以芳基烯基聚硅氧垸中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述芳基烯基聚硅氧烷中與硅鍵合的烯基的含量為至少0.1摩爾％至不大于60摩爾％;以芳基烯基聚硅氧垸中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述芳基烯基聚硅氧垸中與硅鍵合的芳基的含量為至少10摩爾％至不大于99.9摩爾%;R、RS選自烯基，氫原子，芳基，垸基，羥基，垸氧基，芳氧基，其它烴類基團，以及它們的組合。8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述氫化硅化合物包括選自以下的氫化硅化合物，以及它們的組合i)具有平均組成式III的氫化硅化合物，(R93SiO!/2)g(R!02SiO2/2)h(R"Si。3/2)j(SiO4/2)k(III),式中R93Si01/2、R1G2Si02/2、R"Si03/2、Si04,2分別為M-單元、D-單元、T-單元和Q-單元，這些單元均為初級硅氧垸單元；對下標g,h,j和k進行選擇，使其分別符合R93SiOw、R1()2Si02/2、R"Si03/2、Si04/2的摩爾分數；O.OOl蘭gSl;0Sh^0.999;0^^0.50;0SkS0.10;g+h+j+k=l;以氫化硅氧烷化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述氫化硅化合物中與硅鍵合的氫原子的含量為至少0.1摩爾％至不大于60摩爾％;以氫化硅氧烷化合物中與硅鍵合的有機基團的總摩爾量為基準計，所述氫化硅化合物中與硅鍵合的芳基的含量為至少10摩爾％至不大于99.9摩爾％;R、R"選自烯基，氫原子，芳基，烷基，羥基，烷氧基，芳氧基，其它烴類基團，以及它們的組合；ii)具有下式IV的氫化硅化合物R12mSiH(4-m)(IV)式中R^選自烯基，芳基，烷基，羥基，烷氧基，芳氧基，其它烴類基團，以及它們的組合。9.一種包封的半導體器件，其包括半導體元件，所述半導體元件中的一種或多種涂敷有如權利要求l所述的固化的芳基聚硅氧烷組合物。全文摘要揭示了一種可固化的芳基硅氧烷組合物。還揭示了一種熱穩(wěn)定性的固化的芳基聚硅氧烷組合物，以及由所述可固化的芳基硅氧烷組合物制備所述熱穩(wěn)定性固化的芳基聚硅氧烷組合物的方法。還揭示了一種包封的半導體器件，以及用所述熱穩(wěn)定性的固化的芳基聚硅氧烷涂敷半導體器件的半導體元件、以制備該包封的半導體器件的方法。文檔編號C08L83/04GK101165099SQ200710180280公開日2008年4月23日申請日期2007年10月15日優(yōu)先權日2006年10月16日發(fā)明者D·W·莫斯利,G·卡納里昂申請人:羅門哈斯公司