專利名稱：茚并芴聚合物基有機(jī)半導(dǎo)體材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括茚并芴單元或其衍生物的聚合物，包括它們的有
機(jī)半導(dǎo)體(osc)材料，它們?cè)陔娮踊蚬怆娧b置中的用途，以及包括所述
聚合物或材料的器件。
背景技術(shù)：
最近幾年中，已經(jīng)開發(fā)了有機(jī)半導(dǎo)體(osc)材料以生產(chǎn)更多用途的
低成本電子器件。這種材料在各種各樣的器件或裝置中得到應(yīng)用，僅
舉數(shù)例，包括有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFETs)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)、 光電探測(cè)器、光伏(PV)電池、傳感器、存儲(chǔ)元件與邏輯電路。有機(jī)半 導(dǎo)體材料通常以薄層的形式，例如小于l微米厚的薄層存在于電子器件 中。
該OFET器件的性能主要基于半導(dǎo)材料的電荷載流子遷移率和電 流開/關(guān)比，因此理想的半導(dǎo)體應(yīng)該在斷態(tài)具有低的導(dǎo)電率，同時(shí)具有 高的電荷載流子遷移率(^X10'、r^V"s—1)。 另外，因?yàn)檠趸瘜?dǎo)致器 件性能降低，半導(dǎo)電材料對(duì)于氧化相對(duì)穩(wěn)定，即它具有高的電離電勢(shì) 是重要的。對(duì)于半導(dǎo)體材料另外的要求是良好的加工性，特別對(duì)于大 規(guī)模制造薄層和希望的圖樣，高穩(wěn)定性，薄膜均勻性和有機(jī)半導(dǎo)體層 的完整性。
在現(xiàn)有技術(shù)中，各種各樣的材料已被建議用作OFETs中的有機(jī)半 導(dǎo)體，包括例如戊省的小分子，和例如聚己基噻吩的聚合物。然而， 迄今為止研究的材料與器件仍具有若干缺點(diǎn)，它們的性能，特別是加 工性能、電荷-載流子遷移率、開/關(guān)比和穩(wěn)定性仍有進(jìn)一步改進(jìn)的余地。本發(fā)明的目的之一是提供新的用于電子器件中的有機(jī)半導(dǎo)體材 料，所述的有機(jī)半導(dǎo)體材料具有有利的性能，特別是良好的加工性、 高的電荷載流子遷移率、高的開/關(guān)比、高的氧化穩(wěn)定性和在電子器件 中的長(zhǎng)壽命。另外的目的是拓展本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可利用的半導(dǎo)體 材料庫(kù)。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，從以下的詳細(xì)說明中，本發(fā) 明其他的目的顯然是明顯的。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這些目的能夠通過提供本發(fā)明所要求的半導(dǎo)體材料實(shí) 現(xiàn)。這些材料基于聚合物，所述聚合物包括一個(gè)或多個(gè)以下通式的順 式或反式的茚并芴單元，或其衍生物
<formula>formula see original document page 11</formula>
順式的茚并芴
(其中RM表示芳香族或脂肪族烴基，兩個(gè)相鄰的基團(tuán)R^或R^也 可以形成螺環(huán)基團(tuán))，
并進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)具有空穴或電子傳遞性能的部分，例如 三芳基胺基團(tuán)。特別是，因?yàn)樗鼈兙哂辛己玫目杉庸ば?，同時(shí)顯示出 令人驚訝的高電荷載流子遷移率和高氧化穩(wěn)定性，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這種聚合 物適于用作電子器件中如晶體管中的半導(dǎo)體材料，以及用作聚合物發(fā) 光二極管(PLEDs)中的電荷遷移層或中間層。wo 2004/041901描述了聚合物以及它們?cè)趏led或ofet器件中 的用途，該聚合包括芳基取代的茚并芴和另外的單元，如三芳基胺或 雜芳基部分，但是沒有公開本發(fā)明所要求的聚合物。WO 2005/024971 展示了包括30%11、 11、 12、 12-四辛基茚并芴的特殊的共聚物，但是 沒有公開本發(fā)明所要求的聚合物。
三芳胺具有良好的空穴傳輸能力。然而，它們?cè)谠S多有機(jī)溶劑中 僅具有中等的溶解度，這不利地影響它們?cè)诔赡み^程中的可加工性， 并導(dǎo)致均勻性中等的薄膜。另一方面，茚并芴在常規(guī)的有機(jī)溶劑中是 可溶的，因此顯示出良好的可加工性，能夠形成高均勻性的薄膜。然 而，它們主要被報(bào)道為有效的電子傳遞和發(fā)光部分。因此，令人驚訝 的是根據(jù)本發(fā)明的聚合物，其中茚并芴單元與空穴遷移部分如三芳胺 結(jié)合，顯示出高的電荷載流子遷移率，能夠制備具有高開/關(guān)比的電子 器件如晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及聚合物，所述聚合物包括X)moiy。但〈50mol。/。的一種或 多種相同或不同的通式I的茚并芴單元，
其中
a和a，之一是單鍵，且另一個(gè)是cr1112， b和b，之一是單鍵，且另一個(gè)是cr3114，
rm 彼此獨(dú)立地是相同或不同的基團(tuán)，所述基團(tuán)選自h、鹵素、 -cn、 -nc、 -nco、 -ncs、 -ocn、 -scn、 -c(=o)nr0r00、 -c(=0)x、 -c(=o)r0、 -nh2、國(guó)nr。r00、 -sh、匿sr。、 -s03h、 -s02r°、 -oh、 -n02、 -cf3、 -sf5、任選取代的甲硅烷基、或具有1 40個(gè)碳原子的任 選取代和任選包括一個(gè)或多個(gè)雜原子的二價(jià)碳基或烴基，X 是鹵素，
R°和RQQ彼此獨(dú)立地是H或任選取代的任選包括一個(gè)或多個(gè)雜
原子的二價(jià)碳基或烴基，
Ar 是單鍵或表示單核的或多核的芳基或雜芳基， m 是>1的整數(shù)，禾口
其中任選基團(tuán)W與W和/或基團(tuán)R 與W形成具有相鄰芴部分的 螺環(huán)基團(tuán)，
條件是不包括以下的共聚物
W祖，
50 mol % 49 mol% i腦1%
本發(fā)明還涉及如上定義的聚合物，包括至多兩個(gè)，優(yōu)選由兩個(gè)不 同類型單元組成，其中之一選自通式I，另一個(gè)選自具有空穴或電子傳
遞性能的單元。
本發(fā)明還涉及包括如上和以下所述的一種或多種聚合物的有機(jī)半
導(dǎo)體(osc)材料、層或元件。
本發(fā)明還涉及如上和以下所述的聚合物或材料在電子或電光元件 或器件中的用途。
本發(fā)明還涉及包括如上和以下所述的聚合物或材料的電子或電光元件或器件。
所述的元件或器件包括但不限于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)，薄膜 晶體管(TFT)，集成電路(IC)，無(wú)線電頻率識(shí)別(RFID)標(biāo)簽，光電探測(cè) 器，傳感器，邏輯電路，存儲(chǔ)元件，電容器，有機(jī)光伏(OP)電池，在聚 合物發(fā)光二極管(PLEDs)中的電荷注入層、電荷遷移層或中間層，肖特 基二極管，平面化層，抗靜電膠片，聚合物電解質(zhì)膜(PEM)、導(dǎo)電襯底 或圖案，光電導(dǎo)體，電子照相元件或有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。


圖l顯示用于本發(fā)明實(shí)施例l晶體管的幾何結(jié)構(gòu)。 附圖2顯示晶體管的傳輸特性，所述晶體管包括本發(fā)明實(shí)施例1 的聚合物1。
附圖3顯示晶體管的傳輸特性，所述晶體管包括本發(fā)明實(shí)施例1 的聚合物2。
具體實(shí)施例方式
除非另有說明，在多次出現(xiàn)的情況下，基團(tuán)或標(biāo)記如Ar、 R1—4、 n 等彼此獨(dú)立，可以彼此相同或不同。因此，幾個(gè)不同的基團(tuán)可以由單 一標(biāo)記如"R1"表示。
術(shù)語(yǔ)"單元"意思是在聚合物或共聚物中的單體單元或重復(fù)單元。
術(shù)語(yǔ)"烷基"、"芳基"、"雜芳基"等同樣包括多價(jià)的式樣， 例如亞垸基、亞芳基、"亞雜芳基"等。
如以上述和以下使用的術(shù)語(yǔ)"二價(jià)碳基"表示任何的一價(jià)或多價(jià) 的有機(jī)殘基部分，包括至少一個(gè)碳原子，不含任何的非碳原子(例如-C 三C-)，或任選結(jié)合至少一個(gè)非碳原子，例如N、 O、 S、 P、 Si、 Se、 As、 Te或Ge(例如羰基等等)。術(shù)語(yǔ)"烴基"和"烴基基團(tuán)"表示還包含一個(gè)或多個(gè)H原子的二價(jià)碳基基團(tuán)，且任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原
子，例如N、 0、 S、 P、 Si、 Se、 As、 Te或Ge。
包括3個(gè)以上個(gè)碳原子鏈的二價(jià)碳基或烴基可以是直鏈、支鏈和/ 或環(huán)狀的，包括螺環(huán)和/或稠環(huán)。
優(yōu)選的二價(jià)碳基和烴基基團(tuán)包括垸基、烷氧基、垸基羰基、烷氧 羰基、烷基羰氧基和烷氧基羰氧基，它們每個(gè)任選是取代的，且具有 1~40、優(yōu)選1~25、非常優(yōu)選l-18個(gè)碳原子，而且包括具有6 40、優(yōu) 選6 25個(gè)碳原子的任選取代的芳基或芳氧基，此外包括烷基芳基、芳 基垸基、垸基芳氧基、芳基垸氧基芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰 氧基和芳氧基羰氧基，它們每個(gè)任選是取代的，具有6~40、優(yōu)選6~25 個(gè)碳原子。
所述二價(jià)碳基或烴基基團(tuán)可以是飽和或不飽和的非環(huán)基團(tuán)，或飽 和或不飽和的環(huán)狀基團(tuán)。不飽和的非環(huán)或環(huán)狀基團(tuán)是優(yōu)選的，尤其是 烯基和炔基基團(tuán)(尤其是乙炔基)。其中C廣C40二價(jià)碳基或烴基是非環(huán) 的，該基團(tuán)可以是直鏈或支鏈的。
C廣C40二價(jià)碳基或烴基基團(tuán)包括例如C廣C40垸基、CVC4。烯基、 C2-C40'塊基、C3-C40稀丙基、C4—C4o院基二稀基、C4-C40多》希基、C6-C40 芳基、C6隱C40院基芳基、C6-C40芳基烷基、C6-C40院基芳氧基、C6_C40 芳基烷氧基、CVC4Q雜芳基、CVC4o環(huán)垸基、CVC4o環(huán)烯基等。非常
優(yōu)選的是C廣C2o烷基、CVC2o烯基、C2-C2Q炔基、QrC2o烯丙基、C4-C20
烷基二烯基、CVd2芳基、C6-C20芳基垸基和C6-C20雜芳基。
另外優(yōu)選的二價(jià)碳基和烴基基團(tuán)包括具有1~40、優(yōu)選1~25個(gè)C 原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀垸基，它們是未取代的，被F、 Cl、 Br、 I或 CN單或多取代的，以及其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)任選被被 隱0-、 -S-、-NH-、 -NR0-、-SiR0R00-、 -CO-、 -COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-S-CO-、 -CO-S-、 -S02-、 -CO-NR"-、 -NR"-CO-、-NR"-CO陽(yáng)NR，、 -cx^cx、或-oc-替代的，所述替代基團(tuán)在每一情況下彼此獨(dú)立， 以O(shè)和/或S原子不彼此直接連接的形式替代，其中RG和R⑧具有如上 和如下給定的含義之一，Xi和xZ彼此獨(dú)立地是H、 F、 C1或CN。
RG和RGG優(yōu)選選自H、具有1 12個(gè)碳原子的直鏈或支鏈垸基或者 具有6 12個(gè)碳原子的芳基。
鹵素是F、 Cl、 Br或者I。
優(yōu)選的烷基包括但不限于甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、 異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、正 己基、環(huán)己基、2-乙基己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、十二 垸基、三氟甲基、全氟正丁基、2，2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基 等。
優(yōu)選的烯基包括但不限于乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán) 戊烯基、己烯基、環(huán)已烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基 等。
優(yōu)選的炔基包括但不限于乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己 炔基、辛炔基等。
優(yōu)選的烷氧基包括但不限于甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、 正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、 2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基等。
優(yōu)選的氨基包括但不限于二甲基氨基、甲基氨基、甲基苯基氨基、 苯基氨基等°芳基基團(tuán)可以是單核的，即僅具有一個(gè)芳環(huán)(例如苯基或亞苯基)， 或多核的，即具有兩個(gè)或多個(gè)可以稠合的芳環(huán)(例如萘基或亞萘基)，獨(dú) 立共價(jià)連接的(如聯(lián)苯基)，和/或稠合的和獨(dú)立連接的芳環(huán)的組合。優(yōu) 選的芳基是在基本上整個(gè)基團(tuán)的范圍基本上共軛的芳基。
優(yōu)選的芳基包括但不限于苯、亞聯(lián)苯基、苯并菲、[1,r:3，,r，]三
聯(lián)苯-2，-亞基、萘、蒽、亞聯(lián)萘基、菲、芘、二氫芘、屈、茈、丁省、
戊省、苯并芘、芴、茚、茚并芴、螺二芴等。
優(yōu)選的雜芳基包括但不限于5-元環(huán)，例如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻 唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1，2，4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二 唑、1,2，3-噻二唑、1,2，4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3，4-噻二唑，6-元環(huán)， 如吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、1,3，5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1，2，3,5-四嗪，以及稠合體系，如吲哚、異吲哚、 中氮茚、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘并咪唑、菲并咪唑、 嘧啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽 并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二 苯并呋喃、喹啉、異喹啉、蝶啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并 -7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并噠嗪、苯并嘧啶、 喹喔啉、吩嗪、萘徒、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲啶、噻吩并[2,3b]噻吩、 噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻 二唑并噻吩或其組合。所述雜芳基可以被垸基、垸氧基、硫代烷基、 氟、氟代垸基或另外的芳基或雜芳基取代基取代。
優(yōu)選的芳基垸基包括但不限于2-甲苯基、3-甲苯基、4-甲苯基、2，6-二甲基苯基、2,6-二乙基苯基、2，6-二異丙基苯基、2,6-二叔丁基苯基、 鄰叔丁基苯基、間叔丁基苯基、對(duì)叔丁基苯基、4-苯氧基苯基、4-氟苯 基、3-甲氧羰基苯基、4-甲氧羰基苯基等。優(yōu)選的烷基芳基包括但不限于芐基、乙基苯基、2-苯氧基乙基、 丙基苯基、二苯基甲基、三苯甲基或萘基甲基。
優(yōu)選的芳氧基包括但不限于苯氧基、萘氧基、4-苯基苯氧基、4-甲基苯氧基、聯(lián)苯氧基、蒽氧基、菲氧基等。
所述芳基、雜芳基、二價(jià)碳基和烴基任選包含一個(gè)或多個(gè)取代基， 所述取代基優(yōu)選選自甲硅烷基、磺基、磺?；?、甲酰基、氨基、亞氨 基、次氨基、巰基、氰基、硝基、鹵素、Cw2垸基、C^2芳基、Q.12 烷氧基、羥基和/或其組合。任選的取代基可以包含相同的基團(tuán)和/或 上述多個(gè)(優(yōu)選兩個(gè))基團(tuán)(例如氨基和磺酰，如果彼此直接連接則代表 磺酰胺基團(tuán))所有的化學(xué)可能的組合。
優(yōu)選的取代基包括但不限于促溶基團(tuán)，比如垸基或者烷氧基，吸 電子基團(tuán)，比如氟、硝基或者氰基，以及用于提高聚合物玻璃化轉(zhuǎn)變
溫度(Tg)的取代基，比如大體積的基團(tuán)，例如特丁基或者任選取代的芳 基。
優(yōu)選的取代基包括但不限于F、 Cl、 Br、 I、 -CN、 -n02 、 -NCO、 -NCS、 -OCN、 -SCN、 -C(=O)NR0R00、 -C(=0)X、 -C(=O)R0、 -NR°R00， 其中rO、 r^和x如上定義，任選取代的甲硅烷基，具有4 40、優(yōu)選 6 20個(gè)碳原子的芳基，以及具有1 20、優(yōu)選1~12個(gè)碳原子的直鏈或 支鏈烷基、垸氧基、垸基羰基、垸氧羰基、垸基羰氧基或烷氧基羰氧 基，其中一個(gè)或多個(gè)H原子任選被F或C1替代。
如果基團(tuán)R1與112和/或基團(tuán)R3與R4與芴基團(tuán)一起形成螺環(huán)基團(tuán)， 則優(yōu)選是螺二芴。
在通式I中的Ar是單鍵或表示任選取代的單核的或多核的芳基。在優(yōu)選實(shí)施方案中，Ar是單鍵。
在另一的優(yōu)選實(shí)施方案中，Ar選自任選取代的茚并荷、任選取代 的螺二芴、任選取代的9,10-二氫菲或任選取代的菲。
在通式I中的符號(hào)m優(yōu)選〈10，非常優(yōu)選為l、 2、 3、 4或5。
在通式I的單元中，其中m〉1，在每一個(gè)茚并芴基團(tuán)中B和B'的 含義選擇與其他的茚并芴基團(tuán)無(wú)關(guān)。因此，通式I的單元可以只由稠 合的順式茚并芴部分組成，或只由稠合的反式茚并芴部分組成，或可 以包含交替或無(wú)規(guī)的稠合的順式和反式茚并芴部分。
通式I的單元優(yōu)選選自以下的子通式
<formula>formula see original document page 19</formula><formula>formula see original document page 20</formula>其中R"如在通式I中的定義，R和RS—s彼此獨(dú)立地具有在通式I 中給出的R1的含義之一，r是0、 1、 2、 3或4， t是0、 1或2，且u 是0、 1、 2或3。
特別優(yōu)選的通式I的單元選自以下的子通式<formula>formula see original document page 22</formula>
其中
L是H、鹵素或任選氟化的具有1 12個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的烷 基或垸氧基，優(yōu)選是H、 F、甲基、異丙基、叔丁基、正戊氧基或三氟 甲基，禾口
L'是任選的氟化的具有1 12個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的烷基或烷 氧基，優(yōu)選是正辛基或正辛氧基。比例優(yōu)選〈40mo1。/。、非常優(yōu)選《30mo1。/。、 最優(yōu)選《25mo1。/。，并優(yōu)選^5mo1。/。。
除如以上和以下公開的通式I的單元之外，本發(fā)明的聚合物包含 一個(gè)或多個(gè)，優(yōu)選一個(gè)，其他類型的單元，優(yōu)選選自具有空穴或電子 傳遞性能的單元。
在聚合物中所述的其他單元的量通?！?0moP/。，優(yōu)選》60moP/。， 特別是》70mo1。/。，最優(yōu)選^75moiy。。
本發(fā)明的聚合物包含至多兩個(gè)，非常優(yōu)選只由兩個(gè)不同類型的單 元組成，其中一個(gè)選自通式I，另一個(gè)選自以下顯示的通式。
具有空穴傳導(dǎo)特性的其他單元優(yōu)選選自通式n，Ar。
2
m
II
其中
Y是N、 P、 P=0、 PF2、 P=S、 As、 As=0、 As=S、 Sb、 Sb=0或 Sb=S,優(yōu)選N，
Ar1可以相同或者不同，如果在不同的重復(fù)單元中則是獨(dú)立的， 表示單鍵或任選取代的單核或多核芳基，
Ar2可以相同或者不同，如果在不同的重復(fù)單元中則是獨(dú)立的， 表示任選取代的單核或多核芳基，
Ar3可以相同或者不同，如果在不同的重復(fù)單元中則是獨(dú)立的， 表示任選取代單核的或多核芳基，它們可以任選被橋連基團(tuán)取代，所 述橋連基團(tuán)連接不同的通式III的鏈殘基，以及
m是1、 2或3。特別優(yōu)選的是三芳胺及其衍生物。
通式II的單元優(yōu)選選自以下的子通式:<formula>formula see original document page 24</formula>
其中R14、 R和r如上定義，R，具有通式I中W的含義之一，且s 是0、 1、 2、 3、 4或5。
特別優(yōu)選的通式II的單元選自以下的子通式
<formula>formula see original document page 24</formula><formula>formula see original document page 25</formula>其中L和L，如上定義，L優(yōu)選是異丙基、叔丁基或三氟甲基，且 L'優(yōu)選是正辛基或正辛氧基。
具有電子傳遞性能的其他單元優(yōu)選選自以下的通式-
R R
III
V
o
R
么，
o其中R和R，如上定義，優(yōu)選為H、垸基、芳基、全氟烷基、硫代烷
基、氰基、垸氧基、雜芳基、烷基芳基或芳基垸基。
R優(yōu)選是H、苯基或具有l(wèi)、 2、 3、 4、 5或6個(gè)碳原子的烷基。R'優(yōu) 選是正辛基或正辛氧基。
本發(fā)明的聚合物可以是統(tǒng)計(jì)或無(wú)規(guī)共聚物、交替的或區(qū)域規(guī)整共 聚物、嵌段共聚物或其組合。它們可以包含兩個(gè)、三個(gè)以上不同的單 體單元。該聚合物優(yōu)選選自以下的通式:<formula>formula see original document page 28</formula>
其中
A 是通式I的或它優(yōu)選的子通式的單元，
B 是具有空穴或電子傳遞性能的單元，優(yōu)選選自通式II-IX或 它們優(yōu)選的子通式，
x >0但<0.5，
y 〉 0,5但< 1， x + y是1,
n 是>1的整數(shù)。
優(yōu)選的通式1的聚合物選自以下的子通式:<formula>formula see original document page 28</formula><formula>formula see original document page 29</formula> 其中R"、 R、 R，、 r、 s、 x、 y和n如上所定義。
在根據(jù)本發(fā)明的聚合物中，重復(fù)單元的數(shù)量n優(yōu)選為10~10,000， 非常優(yōu)選為50 5，000，最優(yōu)選為50 2，000。
本發(fā)明的聚合物可以通過任何適當(dāng)?shù)姆椒ㄖ苽?。例如，它們能適 當(dāng)?shù)赝ㄟ^芳基-芳基偶聯(lián)反應(yīng)制備，例如Yamamoto偶聯(lián)、Suzuki偶 聯(lián)、Stille偶聯(lián)、Sonogashira偶聯(lián)或Heck偶聯(lián)。Suzuki偶聯(lián)和 Yamamoto偶聯(lián)是特別優(yōu)選的。
能聚合形成本發(fā)明聚合物重復(fù)單元的單體能根據(jù)適當(dāng)?shù)囊呀?jīng)公開 在文獻(xiàn)中并為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的方法制備。用于制備通式I 茚并芴單體的適當(dāng)優(yōu)選的方法例如描述在WO 2004/041901中。用于制 備通式II茚并芴單體適當(dāng)優(yōu)選的方法例如描述在EP 2004006721中。 用于制備通式III三芳基胺單體的適當(dāng)優(yōu)選的方法例如描述在WO 99/54385中。
優(yōu)選地，該聚合物由包括上述通式I X的基團(tuán)之一的單體制備，所 述基團(tuán)連接到兩個(gè)可聚合的基團(tuán)P。因此，例如，茚并芴單體選自以 下的通式-其中P是可聚合的基團(tuán)，Ar、 R"如上定義。因此能構(gòu)建其他的共
聚單體，如三芳基胺單體。
優(yōu)選地，基團(tuán)P彼此獨(dú)立地選自C1、 Br、 I、鄰甲苯磺酸酯、鄰三 氟甲磺酸酯、鄰甲磺酸酯、鄰全氟丁基磺酸酯、SiMe2F、SiMeF2、0-S02Z、 B(OZ1)2 、 -CZ2=C(Z2)2、 -CECf^nSn(Z3)3，其中Z和Z"3選自烷基和芳 基，每一個(gè)任選被取代，兩個(gè)基團(tuán)21也可以形成環(huán)狀基團(tuán)。
本發(fā)明的另一方面是用于制備聚合物的方法，所述方法通過在聚 合反應(yīng)中偶聯(lián)一種或多種基于通式I單元的單體與一種或多種基于選自
通式n ix單元的單體，和任選另外的單元。
優(yōu)選的用于聚合的方法是那些能導(dǎo)致C-C偶聯(lián)或C-N偶聯(lián)的方法， 像Suzuki聚合，例如描述在WO 00/53656中，Yamamoto聚合，例如描述 在T. Yamamoto等人，Progress in Polymer Science (聚合物科學(xué)進(jìn)展)， 1993，17，1153~1205或WO 2004/022626A1中，以及Stille偶聯(lián)。例如， 當(dāng)通過Yamamoto聚合合成線性聚合物時(shí)，優(yōu)選使用如上所述具有兩個(gè) 反應(yīng)性鹵化物基團(tuán)P的單體。當(dāng)通過Suzuki聚合合成線性聚合物時(shí)，優(yōu) 選使用如上所述的單體，其中至少一個(gè)活性基團(tuán)P是硼衍生物基團(tuán)。
Suzuki聚合用于制備區(qū)域規(guī)整、嵌段和無(wú)規(guī)共聚物。特別是，無(wú) 規(guī)共聚物可以從上述單體中制備，其中一個(gè)活性基團(tuán)P是鹵素，另一個(gè)活性基團(tuán)P是硼衍生物基團(tuán)。作為選擇，嵌段或區(qū)域規(guī)整共聚物，特 別是AB共聚物，可以從第一和第二上述單體中制備，其中第一單體的 兩個(gè)活性基團(tuán)都是硼，且第二單體的兩個(gè)活性基團(tuán)都是鹵化物。嵌段
共聚物的合成詳細(xì)描述于例如WO 2005/014688 A2中。
Suzuki聚合使用Pd(0)絡(luò)合物或鈀(II)鹽。優(yōu)選的Pd(0)絡(luò)合物是那些 具有至少一個(gè)膦配位體例如Pd(Ph3P)4的絡(luò)合物。另一優(yōu)選的膦配位體 是三(鄰-甲苯基)膦，艮P， Pd(o-Tol)4。優(yōu)選的Pd(II)鹽包括乙酸鈀，艮P， Pd(Oac)2。 Suzuki聚合在堿，例如碳酸鈉、磷酸鉀或者有機(jī)堿比如碳 酸四乙基銨的存在下進(jìn)行。Yamamoto聚合使用Ni(O)絡(luò)合物，例如雙 (1，5-環(huán)辛二烯基)鎳(0)。
作為如上所述的鹵素的替代方案，能使用通式-0-S02Z的離去基 團(tuán)，其中Z為如上所述。這種離去基團(tuán)的詳細(xì)的實(shí)施例是甲苯磺酸酯、 甲磺酸酯和三氟甲烷磺酸酯。
本發(fā)明另外的方面是有機(jī)半導(dǎo)體材料、層或元件，它們包括一種 或多種以上和以下描述的聚合物。另外的方面是如以上和以下描述的 聚合物或材料在電子或電光元件或器件中的用途。另外的方面是電子 元件或器件，它們包括如上所述的和以下所述的聚合物或材料。
所述電子或電光元件或器件例如是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、薄 膜晶體管(TFT)、集成電路(IC)、無(wú)線電頻率識(shí)別(RFID)標(biāo)簽、光電探 測(cè)器、傳感器、邏輯電路、存儲(chǔ)元件、電容器、有機(jī)光伏(OPV)電池、 電荷注入層、電荷遷移層、肖特基二極管、平面化層、抗靜電膠片、 聚合物電解質(zhì)膜(PEM)、導(dǎo)電襯底或圖案、光電導(dǎo)體、電子照相元件或 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
本發(fā)明的聚合物通常以薄的有機(jī)層或膜的形式用作有機(jī)半導(dǎo)體， 優(yōu)選小于30微米厚。通常，本發(fā)明的半導(dǎo)體層最多1微米^l^m)厚，盡管如果需要的話可以更厚。對(duì)于各種各樣的電子器件應(yīng)用場(chǎng)合，厚
度也可以小于約l微米厚。對(duì)于在OFET中使用，該層厚度通?？梢?是500nm以下，在OLEDS中為lOOnm以下。該層準(zhǔn)確的厚度例如取 決于其中使用該層的電子器件的要求。
例如，在OFET中的漏極和源極之間的有源半導(dǎo)體通道可以包含 本發(fā)明的層。作為另外的實(shí)施例，在OLED器件中的空穴注入或傳輸 層和/或電子阻擋層可以包含本發(fā)明的層。
根據(jù)本發(fā)明的OFET器件優(yōu)選包括
-源電極，
-漏電極，
-柵電極，
-半導(dǎo)體層，
-一個(gè)或多個(gè)柵絕緣層，
-任選的基層。
其中該半導(dǎo)體層優(yōu)選包括如上和如下所述的一種或多種聚合物。
在OFET器件中的柵電極、源電極和漏電極以及絕緣和半導(dǎo)體層 可以任何的順序排列，條件是源電極和漏電極與柵電極通過絕緣層隔 開，柵電極和半導(dǎo)體層都接觸絕緣層，并且源電極和漏電極都接觸半 導(dǎo)體層。
優(yōu)選地，該電子器件是這樣的OFET，它包括具有第一側(cè)和第二側(cè) 的絕緣體；位于絕緣體第一側(cè)上的柵電極；位于絕緣體第二側(cè)上的包 括本發(fā)明聚合物的層；位于該聚合物層上的漏電極和源電極。
該OFET器件能是頂柵極器件或底柵極器件。適當(dāng)?shù)腛FET器件 的結(jié)構(gòu)和制造方法是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員己知的，并描述于文獻(xiàn)例如WO 03/052841中。
該柵絕緣體層可以包含例如含氟聚合物，如市場(chǎng)上可買到的Cytop 809M⑧或Cyt叩107M⑧(得自Asahi Glass(旭硝子))。優(yōu)選該柵絕緣體 層從包括絕緣體材料和一種或多種具有一個(gè)或多個(gè)氟原子的溶劑(含氟 溶劑)，優(yōu)選全氟溶劑的制劑中，例如通過旋涂、刮涂、金屬棒涂、噴 涂或浸涂或其他已知的方法沉積。適當(dāng)?shù)娜軇├缡荈C75⑧(可 以從Acros中獲得，目錄編號(hào)12380)。其他適當(dāng)?shù)暮酆衔锖秃?溶劑是現(xiàn)有技術(shù)已知的，例如全氟聚合物Teflon AF 1600或2400(得 自 DuPont(杜邦》或Fluoropel (得自 Cytonix)或全氟溶劑 FC43 (Acros，編號(hào)12377)。
還優(yōu)選的是集成電路，所述集成電路包括根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶 體管。
另外優(yōu)選的是光電池，所述光電池包括根據(jù)本發(fā)明的聚合物或?qū)印?br> 除如上所述的器件以外，本發(fā)明的聚合物也可以用作有機(jī)發(fā)光器 件(OLED)的電子傳遞組分。特別是，它能用作PLEDs中的空穴電子 傳遞、注入或阻擋層。
本發(fā)明的聚合物也可以用于聚合物電解質(zhì)膜，例如用于燃料電池。 使用聚合物電解質(zhì)膜的燃料電池通常由布置在高分子電解質(zhì)膜(PEM)
前后側(cè)上的正電極層和負(fù)電極層組成。為發(fā)電，氫將與在負(fù)電極層中 的催化劑接觸，而氧與在正電極層中的催化劑接觸。PEM擔(dān)負(fù)質(zhì)子的 傳輸。通常使用的制造PEM的方法是通過磺化和/或磷酸化。
本發(fā)明另一方面涉及溶液，所述溶液包括如上和如下所述的一種 或多種聚合物以及一種或多種有機(jī)溶劑。本發(fā)明另一方面涉及分散體，其中一種或多種如上和如下所述的 聚合物被磺化或磷酸化，并在水或一種/多種有機(jī)溶劑中形成分散體。
適當(dāng)優(yōu)選的磺化或磷酸化方法描述于Chemical Review(化學(xué)綜述)， 2004,vol 104， 45687中。這種分散體適合例如用于高分子電解質(zhì)膜 (PEMs)。
適當(dāng)優(yōu)選的有機(jī)溶劑的例子包括但不限于二氯甲烷、三氯甲烷、 一氯苯、鄰二氯苯、四氫呋喃、茴香醚、嗎啉、甲苯、鄰二甲苯、間 二甲苯、對(duì)二甲苯、1,4-二氧六環(huán)、丙酮、甲乙酮、1,2-二氯乙烷、l，l,l-三氯乙垸、1，1,2,2-四氯乙垸、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二甲基甲酰胺、 二甲基乙酰胺、二甲亞砜、1，2，3,4-四氫化萘、十氫化萘、二氫化茚和/ 或其混合物。
聚合物在溶液中的濃度優(yōu)選為0.1~10wt%，更優(yōu)選為0.5 5wt%。
在適當(dāng)?shù)幕旌虾屠匣?，評(píng)價(jià)溶液歸為以下類別之一完全溶 液、邊界溶液或不能溶解。繪制等值線以描繪區(qū)分溶解性和不溶性的 溶解度參數(shù)-氫鍵界限。位于溶解性區(qū)域中的"完全"溶劑能從文獻(xiàn)評(píng) 價(jià)選擇，例如出版在"Crowley, J.D" Teague, G.S. Jr and Lowe, J.W. Jr.， Journal of Paint Technology(涂料技術(shù)雜志)，38, No 496, 296 (1966)"中。 也可以使用溶劑混合物，而且能如"Solvents, W.H.Ellis, Federation of Societies for Coatings Technology, p9-10, 1986"中描述的進(jìn)行確認(rèn)。盡 管希望在混合物中具有至少一種真溶劑，但這種步驟可以導(dǎo)致"非" 溶劑的混合物能溶解本發(fā)明的兩種聚合物。
在現(xiàn)代微電子器件中希望形成小的結(jié)構(gòu)或圖樣以減少成本(更多 的器件/單位面積)并降低功率消耗?？梢酝ㄟ^光刻法使本發(fā)明的層圖樣化。
為了用作半導(dǎo)體層，可以通過任何適當(dāng)?shù)姆椒ǔ练e本發(fā)明的聚合物或溶液。與真空沉積技術(shù)相比較，更希望液態(tài)涂敷有機(jī)電子器件例 如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。溶液沉積方法是特別優(yōu)選的。優(yōu)選的沉積技術(shù)包 括但不限于浸涂、旋涂、噴墨印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、刮涂、輥 筒印花、反向輥筒印花、平版膠印、柔版印刷、巻筒紙印刷、噴涂、 刷涂或移印。噴墨印刷是特別優(yōu)選的，因?yàn)樗芍苽涓叻直媛曙@示器。
本發(fā)明選擇的溶液可以通過噴墨印刷或微分散施加到預(yù)制的器件
基材上。優(yōu)選工業(yè)壓電印刷頭，例如而不限于由Aprion, Hitachi-Koki, InkJet Technology, On Target Technology, Picojet, Spectra, Trident, Xaar 提供的那些，可以用于將有機(jī)半導(dǎo)體層施加到基材上。另外也可使用 例如由Brother, Epson, Konica, Seiko Instruments Toshiba TEC制造的夷卩 些半工業(yè)頭，或例如由Microdrop and Microfab生產(chǎn)的單噴嘴微分散 器°
為通過噴墨印刷或微分散進(jìn)行施加，該聚合物應(yīng)該首先溶解在適 當(dāng)?shù)娜軇┲?。溶劑必須滿足要求在上面所提的條件，而且必須對(duì)選擇 的印刷頭不具有任何不利的影響。另外，溶劑應(yīng)該具有MO(TC、優(yōu)選 >140°C、更優(yōu)選M5(TC的沸點(diǎn)，以防止由印刷頭內(nèi)部溶液干燥所引起 的可操作性問題。除以上提及的溶劑之外，適當(dāng)?shù)娜軇┌ㄈ〈暮?未取代的二甲苯衍生物，二-CL2-烷基甲酰胺，取代和未取代的茴香醚 及其他苯酚醚衍生物，取代的雜環(huán)，例如取代的吡啶、吡嗪、嘧啶、 吡咯烷酮，取代和未取代的N,N-二-d.2-垸基苯胺以及其他氟化或氯化 的芳烴。
優(yōu)選用于通過噴墨印刷沉積根據(jù)本發(fā)明的聚合物的溶劑包括苯衍 生物，所述苯衍生物具有被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的苯環(huán)，其中在一 個(gè)或多個(gè)取代基中碳原子的總數(shù)至少為3。例如，苯衍生物可以被丙 基或三個(gè)甲基取代，在兩種情況下，都總共至少有三個(gè)碳原子。這種 溶劑能夠形成包括聚合物和溶劑的噴墨流體，這樣能減少或防止噴嘴 阻塞和在噴射期間組分的分離。該溶劑可以包括選自以下實(shí)例名單中的那些十二烷基苯、l-甲基-4-叔丁苯、萜品醇檸檬烯、偏四甲苯、 異松油烯、傘花烴、二乙基苯。該溶劑可以是溶劑混合物，也就是說 兩種或多種溶劑的組合，每種溶劑優(yōu)選具有〉100。C、更優(yōu)選>140°。的 沸點(diǎn)。這種溶劑同樣能增強(qiáng)在沉積層中薄膜的形成，并降低層中的缺 陷。
該噴墨流體(也就是說溶劑、粘合劑和半導(dǎo)體化合物的混合物)在
2(TC下優(yōu)選具有1 100mpa.s，更優(yōu)選1 50mpa.s，且最優(yōu)選l~30mpa-s 的粘度。
根據(jù)本發(fā)明的聚合物或溶液能另外包含一種或多種其它組份，例 如表面活性化合物、潤(rùn)滑劑、潤(rùn)濕劑、分散劑、疏水劑、膠粘劑、流 動(dòng)改迸劑、消泡劑、除氣器、反應(yīng)性或非反應(yīng)性的稀釋劑、輔助劑、 著色劑、染料或顏料、敏化劑、穩(wěn)定劑、納米粒子或抑制劑。
除上下文另外明確指出之外，如本發(fā)明使用，術(shù)語(yǔ)的復(fù)數(shù)形式應(yīng) 理解為包括單數(shù)形式，反之亦然。
該說明書的描述和權(quán)利要求自始至終，字"包含(comprise)"和 "包含(contain)"和字的變化形式，例如"包括(comprising)和"包 括(comprises)"，意思是"包括而不是限于"，沒有意欲(以及沒 有)排除其他的組分。
應(yīng)理解盡管能夠?qū)Ρ景l(fā)明前述的實(shí)施方式進(jìn)行變化，但仍落在本 發(fā)明的范圍之內(nèi)。在說明書中公開的每一特征，除非另有說明，可以 被可選擇的用于相同、等同或類似目的的特征替代。因此，除非另有 說明，公開的每一特征僅僅是同屬系列等同或類似特征的一個(gè)實(shí)例。
在說明書中公開的所有特征可以任何組合形式進(jìn)行結(jié)合，除了其 中至少一些這種特征和/或步驟是互相排斥的組合。特別是，本發(fā)明的優(yōu)選的特征適用于本發(fā)明所有的方面，而且可以任何組合使用。同樣， 以非必需組合形式描述的特征可以分離使用(不以組合形式)。
應(yīng)理解上面描述的許多特征，特別是優(yōu)選實(shí)施方案，不僅僅作為 本發(fā)明實(shí)施方式的一部分，而是本發(fā)明的，它們有自己的權(quán)利。除本 發(fā)明的要求之外或本發(fā)明的要求的替代方案，可以對(duì)這些特征尋求獨(dú) 立的保護(hù)。
現(xiàn)在參考以下實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，所述的實(shí)施例僅僅是 說明性的，并不限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例l:聚合物
通過如在WO 03/048225中公開的Suzuki偶聯(lián)合成以下的聚合物。
聚合物1是如下單體的共聚物
<formula>formula see original document page 37</formula>M1 50% <formula>formula see original document page 37</formula>M2 50%
聚合物2是如下單體的共聚物:
<formula>formula see original document page 37</formula>M1 75% <formula>formula see original document page 37</formula>M2 25%實(shí)施例2: OFET的制備和測(cè)量
在高傳導(dǎo)的硅晶片(l 5mQcm)上制造有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在所述 硅晶片上熱生長(zhǎng)230nm厚的氧化物作為柵絕緣體。通過電子束蒸發(fā)和 剝離工藝制造光刻圖案化的Ti( 1 mm)/Au( 1 OOnm)源電極和漏電極。這 些結(jié)構(gòu)在超聲波浴中用溶劑(丙酮和異丙基)和超純水清潔。用純氮?dú)?干燥基材，在200W和0.6毫巴下用O2等離子體處理60秒，并在400K下于 前級(jí)真空中加熱2小時(shí)。然后通過旋涂聚合物在甲苯中的溶液(10克/ 升)在OFET基材上沉積薄的半導(dǎo)體薄膜。該器件然后在7(TC下于手套 箱中在氮?dú)庀录訜?.5小時(shí)以除去殘余溶劑，然后冷卻到室溫測(cè)定該晶 體管的特性。在室溫下手套箱中，使用通過LabView程序控制的兩個(gè) 獨(dú)立的源表單元(Kethley 236)表征該晶體管器件的電學(xué)特性。
使用如圖l所示的具有環(huán)型幾何結(jié)構(gòu)的晶體管，其源電極形成圍繞 漏電極的閉合環(huán)。它能防止寄生電流從有源晶體管通道外部流出，而 不需要結(jié)構(gòu)化有機(jī)半導(dǎo)體。該通道長(zhǎng)度和寬度分別為10和2500pm。
聚合物1的傳輸特性顯示在圖2中，聚合物2的傳輸特性顯示在 圖3中。該器件顯示p型特性。使用方程式(lb)在線性區(qū)域中計(jì)算場(chǎng) 效應(yīng)流動(dòng)性。
<formula>formula see original document page 38</formula>其中
|J 是電荷載流子遷移率
W是漏電極和源電極的長(zhǎng)度
L 是漏電極和源電極的距離
lD 是源極-漏極電流C 是柵絕緣材料每單位面積的電容 VG是柵電壓(V) VDS是源極-漏極電壓 VT是閾值電壓
聚合物1根據(jù)方程式(1b)演繹得到的遷移率是1.1 X10—5cm2/Vs，聚合 物2根據(jù)方程式(1b)的遷移率為1.9X10—Scrr^/Vs。這表明聚合物2的遷移 率幾乎為聚合物1遷移率的2倍。
通過使用優(yōu)化的介電材料和其他的源-漏電極材料顯著地改進(jìn)了絕對(duì) 遷移率。
權(quán)利要求
1. 一種聚合物，包括>0mol％但<50mol％的一種或多種相同或不同的包括通式I茚并芴基團(tuán)的單元，其中A和A’之一是單鍵，且另一個(gè)是CR1R2，B和B’之一是單鍵，且另一個(gè)是CR3R4，R1-4彼此獨(dú)立地是相同或不同的基團(tuán)，選自H、鹵素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)NR0R00、-C(＝O)X、-C(＝O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5，任選取代的甲硅烷基，或具有1～40個(gè)碳原子的任選取代的和任選包括一個(gè)或多個(gè)雜原子的二價(jià)碳基或烴基，X是鹵素，R0和R00彼此獨(dú)立地是H或任選取代的任選包括一個(gè)或多個(gè)雜原子的二價(jià)碳基或烴基，Ar是單鍵或表示任選取代的單核或多核芳基或雜芳基，m為≥1的整數(shù)，其中任選基團(tuán)R1與R2和/或基團(tuán)R3與R4形成具有相鄰芴部分的螺環(huán)基團(tuán)，條件是不包括以下的聚合物
2.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其特征在于通式I的單元選自以 下的子通式<formula>formula see original document page 4</formula>其中R^如權(quán)利要求1中所定義，R和RS—8彼此獨(dú)立地具有在權(quán) 利要求1中給出的R1的含義之一，r是0、 1、 2、 3或4， t是0、 1或 2，且u是0、 1、 2或3。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其特征在于它由兩種不同 類型的單元組成， 一種選自通式I，另一個(gè)選自具有空穴或電子傳遞性 能的單元。
4. 如權(quán)利要求3所述的聚合物，其特征在于其他單元選自通式n，<formula>formula see original document page 5</formula>其中Y是N、 P、 P=0、 PF2、 P=S、 As、 As=0、 As=S、 Sb、 Sb=0或Sb=S，Ar1可以相同或者不同，在不同的重復(fù)單元中是獨(dú)立的，表示單 鍵或任選取代的單核或多核芳基，A戶可以相同或者不同，在不同的重復(fù)單元中是獨(dú)立的，表示任 選取代的單核或多核芳基，Ar3可以相同或者不同，在不同的重復(fù)單元中是獨(dú)立的，表示任 選取代的單核或多核芳基，它們可以任選被橋連基團(tuán)取代，所述橋連基團(tuán)連接不同的通式ni的鏈殘基，以及m是1、 2或3。
5.如權(quán)利要求3所述的聚合物，其特征在于其他單元選自以下通式<formula>formula see original document page 6</formula><formula>formula see original document page 7</formula>其中R和R'具有權(quán)利要求1中R1的含義之一。
6.如權(quán)利要求1~5至少一項(xiàng)所述的聚合物，其特征在于它選自 以下的通式[十化+B+yL 1其中A是通式I的單元，B是選自通式II IX的單元，x是〉0但< 0.5，y是〉0.5但< 1，x + y是1，n是〉1的整數(shù)。
7.如權(quán)利要求l-6至少一項(xiàng)所述的聚合物，其特征在于它選自以 下的通式其中R1—4、 r、 R和R'如在權(quán)利要求1、 2和5中所定義，s是0、 1、 2、 3、 4或5，且x、 y和n如權(quán)利要求6中所定義。
8.—種有機(jī)半導(dǎo)體層或元件，其包括如權(quán)利要求1-7至少一項(xiàng)所 述的聚合物。
9. 一種電子或電光器件，其包括如權(quán)利要求l-8至少一項(xiàng)所述的 聚合物、層或元件。
10. 如權(quán)利要求9所述的電子或電光器件，其是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體 管(OFET)，薄膜晶體管(TFT)，集成電路(IC)，無(wú)線電頻率識(shí)別(RFID) 標(biāo)簽，光電探測(cè)器，傳感器，邏輯電路，存儲(chǔ)元件，電容器，有機(jī)光 伏(OP)電池，在聚合物發(fā)光二極管(PLEDs)中的電荷注入層、電荷遷移 層或中間層，肖特基二極管，平面化層，抗靜電膠片，聚合物電解質(zhì) 膜(PEM)，導(dǎo)電襯底或圖案，光電導(dǎo)體，電子照相元件，或有機(jī)發(fā)光二 極管(OLED)。
11. 一種制備如權(quán)利要求1 7 —項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物的方法， 包括在聚合反應(yīng)中偶聯(lián)基于如權(quán)利要求1或2所述的單元的一種或多 種單體，基于如權(quán)利要求3~5 —項(xiàng)或多項(xiàng)所述的單元的一種或多種單 體，以及任選的另外的單元。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括茚并芴單元或其衍生物的聚合物，涉及包括它們的有機(jī)半導(dǎo)體(OSC)材料，涉及它們?cè)陔娮踊蚬怆娧b置中的用途，以及涉及包括所述聚合物或材料的器件。
文檔編號(hào)C08G61/02GK101443928SQ200780017112
公開日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2007年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月12日
發(fā)明者弗蘭克·邁爾, 潘君友, 蘇珊·霍伊恩 申請(qǐng)人:默克專利有限公司