專利名稱：：導(dǎo)電聚合物的磺化和oled器件、光電器件以及esd器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
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背景技術(shù)：
：盡管在諸如有機發(fā)光二極管(OLEDs)、聚合物發(fā)光二極管(PLEDs)和有機光電器件(OPVs)等有機類節(jié)能器件方面有很大的突破，仍需要進(jìn)一步的改進(jìn)以提供更好的工藝(processing)和性能。例如，一種有潛質(zhì)的材料是導(dǎo)電聚合物包括例如聚噻吩和立體規(guī)則性聚噻吩，該立體規(guī)則性聚噻吩是由RichardMcCullough首先發(fā)明的。然而，存在很多有關(guān)摻雜、純度、溶解性和加工的問題。特別是，很好地控制聚合物交替層的溶解性是十分重要的(如相鄰層中的正交或交替溶解性(orthogonaloralternatingsolubility))。特別是，考慮到競爭要求和高質(zhì)量和薄型化膜的需求，空穴注入層和空穴傳輸層面臨很大的困難。需要一個良好的平臺以控制空穴注入層和空穴傳輸層的特性(如溶解性和電子能級如HOMO和LUMO)，使材料能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用，且與不同的材料(如發(fā)光層、光敏層(photoactivelayers)和電極)一起作用。特別是，具有良好的溶解性以及能級(如HOMO和LUMO)的控制能力和形成針對某一特定應(yīng)用的系統(tǒng)并提供所需特性之間的平衡的能力都很重要。聚噻吩和立體規(guī)則性聚噻吩是尤其重要的。有關(guān)聚噻吩的背景參考包J舌以下的文獻(xiàn)(1)Sotzing,G.A.的substitutedthieno[3,4-b]thiophenepolymers,methodofmakingandusethereof,US2005/0124784Al;(2)Lee，B.;Seshadri，V.;Sotzing,G.A.的RingSulfonatedpoly(thieno[3，4-b]thiophene),Adv.Mater.2005,17,1792。(3)Udman，Y.A.;Pekmez,K.;Yildiz,A的Synth.Met.2004,142,1。(4).Udman，Y.A.;Pekmez，K.;Yildiz,A.的Eur.Poly.J.2004,40,1057.(5)"Methodforproducingsolubleconductivepolymershavingacidicgroups"EP0834885B1。然而，現(xiàn)有技術(shù)通常存在重要的限制，如摻雜不穩(wěn)定、起始聚合物缺乏溶解性、配方缺乏通用性、缺乏對溶劑的控制、稠合系統(tǒng)受限制、無規(guī)磺化、缺乏共聚性、缺乏對分子量的控制、缺乏對結(jié)構(gòu)和立體規(guī)則性的控制、側(cè)基和共軛鏈之間缺乏相互作用和缺乏器件數(shù)據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容磺化和磺化聚合物，特別是聚噻吩和立體規(guī)則性聚噻吩可用于改善性能和工藝。各種實施方式包括組合物、組合物的制備方法、組合物的使用方法、以及器件。例如，一個實施方式提供了一種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩含有(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。另一實施方式是一種組合物，其包括水溶性、水分散性或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩含有(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。另一實施方式提供一種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性雜環(huán)聚合物，所述聚合物包括(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該取代基含有的磺酸酯的硫與聚合物骨架直接相連。雜環(huán)聚合物可以是例如含氮或含硫的雜環(huán)聚合物。另一實施方式包括制造該組合物的方法，其包括將含有(i)至少一個有機取代基的可溶性立體規(guī)則性聚噻吩與磺化劑反應(yīng)，使所述聚噻吩含有至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連接。另一實施方式提供了一種涂料組合物(coatingcomposition),其包括-(A)水，(B)水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連，和(C)不同于(B)的合成聚合物。該組合物可進(jìn)一步含有能與水混溶的溶劑。此外，還提供了制造該涂料組合物的方法，其包括(A)提供水，(B)提供水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連，(C)提供不同于(B)的合成聚合物，(D)以任何順序組合(A)、(B)和(C)以形成涂料組合物。該涂料組合物還可以進(jìn)一步含有能與水混溶的溶劑。在附加步驟中，可將水除去以提供涂覆的表面或基板。另一實施方式是涂覆的基板，其包括固體表面、設(shè)置在固體表面的涂料，其中所述涂料包括一種組合物，所述組合物包括水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。另外，另一實施方式是涂覆的基板，其包括(B)水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，(C)不同于(B)的合成聚合物，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。膜可具有優(yōu)異的穩(wěn)定性，包括7天期間UV-vis-NIR基本沒有變化。UV-vis-NIR圖譜還可對應(yīng)用中的pH具敏感性。本發(fā)明還提供了器件。例如，本文提供包括含有所述組合物的層的器件，所述組合物包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩含有(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。在一個實施方式中，所述層是空穴注入層或空穴傳輸層。器件可以是例如OLED器件、PLED器件、SMOLED器件或光電器件。所述器件可包括至少兩個電極和至少一層發(fā)光層或光敏層。另一實施方式是一種器件，其包括靜電消散(ESD)材料，所述ESD材料包括至少一種水溶性或水分散性聚合物，所述聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基；和(ii)至少一個磺酸酯取代基，該磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。另一實施方式提供了一種減少器件上的靜電荷的方法，其包括用包含聚噻吩的涂料涂覆所述器件，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基；和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其包含的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。這些實施方式中的一個或多個重要方面包括摻雜物離子存在于聚合物骨架上，因而消除了其向器件中其它組件的遷移。組合物可以完全不含或基本不含單獨添加的小分子或聚合物摻雜物。此外，通過僅改變聚合物骨架的磺化度，此技術(shù)有助于改變聚合物的能級。另外，提供了給體和受體型聚合物，其在相同的重復(fù)單元上具有給體和受體官能性。另一特征是聚合物結(jié)構(gòu)是明確的，其具有交替的給體受體。同樣重要的是提供了將水不溶性聚合物轉(zhuǎn)化成水溶性或水分散性聚合物的方法。還提供用以純化物質(zhì)使不含硫酸的方法，其通過強堿型陰離子交換樹脂(OH形式)而進(jìn)行。此方法的另一優(yōu)點在于所得的磺化聚合物水溶性高，使得易于清洗反應(yīng)器。其它優(yōu)點包括聚合物可加工、易于制造且與有機溶劑具有優(yōu)異的正交相容性(orthogonalcompatibility)。應(yīng)用包括例如作為OLEDs、PLEDs、光電電池用的空穴注入層，靜電消散、超級電容器，陽離子傳感器(cationtransducer^藥物釋放、電致變色器件、傳感器、FETs、致動器和膜。圖1示出了磺化共軛聚合物的有代表性的合成。圖2示出了使用發(fā)煙硫酸進(jìn)行聚(3-甲氧基乙氧基乙氧基噻吩)的磺化。圖3示出了從磺酸到磺酸鹽(或磺酸酯)形式的轉(zhuǎn)化。圖4示出了具有二聚噻吩單體的另一實施方式。圖5示出了基于UV-Vis-NIR數(shù)據(jù)的7天穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。圖6示出了二個不同pH值下的吸光率圖譜。圖7示出了典型的有機光電器件。圖8提供了OPV數(shù)據(jù)。圖9示出了典型的OLED器件。圖IO示出了表示OCICIO中HIL性能的器件數(shù)據(jù)。圖11示出了表示市售發(fā)光器l(CommercialEmitterl)中HIL性能的器件數(shù)據(jù)。圖12示出了表示市售發(fā)光器2中HIL性能的器件數(shù)據(jù)。圖13示出了表示SMOLED型混合器件(SMOLEDbasedhybriddevice)中HIL性能的器件數(shù)據(jù)。.圖14示出了SMOLED型混合器件中PEDOT和HIL壽命的比較數(shù)據(jù)。圖15示出了聚合物的其它實施方式。圖16示出了有機光電池功率輸出的退化。圖17示出了電流電壓亮度性能。圖18示出了電流電壓亮度性能。圖19示出了無源矩陣測試條件下的亮度衰減。圖20示出了電流電壓亮度性能。圖21示出了無源矩陣測試條件下的亮度衰減。圖22示出了SMOLED器件的電流電壓亮度性能。圖23示出了SMOLED器件的亮度衰減的比較。具體實施例方式序言/導(dǎo)電聚合物和聚噻吩在此通過引用的方式并入Seshadri等人于2006年7月21日提交的US臨時專利申請序號60/832,095的"SulfonationofConductingpolymersandOLEDandPhotovoltaicDevices"的全部內(nèi)容包括其附圖、實施例和權(quán)利要求。此外，在此通過引用的方式并入Seshadri等人于2006年9月18日提交的US臨時專利申請序號60/845,172的"SulfonationofConductingpolymersandOLED，Photovoltaic,andESDDevices"的全部內(nèi)容包括其附圖、實施例和權(quán)利要求。這些申請描述了下面的97個實施方式實施方式1.一種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩含有(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺化取代基，該取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。實施方式2.根據(jù)實施方式l所述的組合物，其中所述磺化取代基是酸的形式。實施方式3.根據(jù)實施方式l所述的組合物，其中所述磺化取代基是含有抗衡離子的鹽形式。實施方式4.根據(jù)實施方式l所述的組合物，其中所述磺化取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有有機基團(tuán)。實施方式5.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述磺化取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有有機陽離子且不含金屬。實施方式6.根據(jù)實施方式l所述的組合物，其中所述磺化取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有金屬陽離子。實施方式7.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是立體規(guī)則性頭尾偶聯(lián)的聚(3-取代噻吩)，除磺化之外，其立體規(guī)則度為至少約90%。實施方式8.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是立體規(guī)則性頭尾偶聯(lián)的聚(3-取代噻吩)，除磺化之外，其立體規(guī)則度為至少約98%。實施方式9.根據(jù)實施方式l所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的。實施方式10.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩被摻雜實施方式11.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述有機取代基包括至少一個雜原子。實施方式12.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述有機取代基是烷氧基取代基或烷基取代基。實施方式13.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是交替共聚物。實施方式14.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩由聯(lián)噻吩單體制備。實施方式15.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是噻吩均聚物、含有噻吩單元的共聚物或含有至少一個聚噻吩嵌段的嵌段共聚物。實施方式16.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩是交聯(lián)形式的。實施方式17.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩的特征在于磺化度為約50%-約90%。實施方式18.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的，所述聚噻吩是均聚物，其中有機取代基為垸氧基或垸基取代基。實施方式19.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的，其中聚噻吩是含有抗衡離子的鹽形式，其中抗衡離子包括有機基團(tuán)。實施方式20.根據(jù)實施方式1所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性且被摻雜，其中聚噻吩是立體規(guī)則性聚噻吩，其立體規(guī)則度為至少約90%，且其中聚噻吩為酸形式。實施方式21.實施方式1所述組合物的制備方法，其包括將含有(i)至少一個有機取代基的可溶性立體規(guī)則性聚噻吩與磺化劑反應(yīng)，使所述聚噻吩含有至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。實施方式22.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述磺化劑是硫酸。實施方式23.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述磺化劑是硫酸鹽化合物。實施方式24.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中反應(yīng)的聚噻吩被摻雜。實施方式25.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少10%。實施方式26.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少50%。實施方式327.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少75%。實施方式28.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述磺化劑為硫酸，所述反應(yīng)使獲得的磺化度為至少75%。實施方式29.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述磺化劑為硫酸，所述反應(yīng)使獲得的磺化度為至少75%，且其中所述聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約90%的立體規(guī)則性聚噻吩。實施方式30.根據(jù)實施方式21所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少50%，且其中所述聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約98%的立體規(guī)則性聚噻吩。實施方式31.—種涂料組合物，其包括(A)水，(B)水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，(C)不同于(B)的合成聚合物。實施方式32.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括有機助溶劑。實施方式33.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括有機助溶劑，其中水的重量大于有機助溶劑的重量。實施方式34.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括不同于(B)和(C)的第二合成聚合物。實施方式35.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物是水溶性聚合物。實施方式36.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物具有側(cè)基帶極性基團(tuán)的碳骨架。實施方式37.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物(C)的量為所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量的至少三倍。實施方式38.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物(C)的量為所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量的至少五倍。實施方式39.根據(jù)權(quán)利要求31所述的涂料組合物，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量為(B)和(C)總量的約5wt.M-約25wt.%。實施方式40.根據(jù)實施方式31所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括有機助溶劑，其中水的重量大于有機助溶劑的重量，其中所述合成聚合物(C)的量為所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量的至少三倍，且所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量為(B)和(C)總量的約5wt,/。-約25wt.%。實施方式41.制造涂料組合物的方法，其包括(A)提供水，(B)提供水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，(C)提供不同于(B)的合成聚合物，(D)以任何順序組合(A)、(B)和(C)以形成涂料組合物。實施方式42.—種涂覆的基板，其包括固體表面，設(shè)置在固體表面的涂料，其中所述涂料包括一種組合物，所述組合物包括水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個含有與聚噻吩骨架直接連接的硫的磺化取代基。實施方式43.—種涂覆的基板，其包括(B)水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，(C)不同于(B)的合成聚合物，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。實施方式44.一種器件，其包括含有實施方式l所述的組合物的層。實施方式45.根據(jù)實施方式44所述的器件，其中所述層是空穴注入層或空穴傳輸層。實施方式46.根據(jù)實施方式44所述的器件，其中所述器件是OLED器件。實施方式47.根據(jù)實施方式44所述的器件，其中所述器件是PLED器件。實施方式48.根據(jù)實施方式44所述的器件，其中所述器件是SMOLED器件。實施方式49.根據(jù)實施方式44所述的器件，其中所述器件是光電器件。實施方式50.根據(jù)實施方式44所述的器件，其中所述器件包括至少兩個電極和至少一層發(fā)光層或光敏層。實施方式51.—種器件，其包括實施方式1所述的組合物，其中所述器件是傳感器、超級電容器、陽離子傳感器、藥物釋放裝置、電致變色器件、晶體管、場效應(yīng)晶體管、致動器(actuator)或透明電極。實施方式52.包括空穴注入層或空穴傳輸層的器件，其中所述層包括磺化導(dǎo)電聚合物。實施方式53.根據(jù)實施方式52所述的器件，其中所述導(dǎo)電聚合物是雜環(huán)導(dǎo)電聚合物。實施方式54.根據(jù)實施方式52所述的器件，其中所述導(dǎo)電聚合物是聚噻吩。實施方式55.根據(jù)實施方式52所述的器件，其中所述導(dǎo)電聚合物是立體規(guī)則性聚噻吩。實施方式56.—種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性雜環(huán)聚合物，所述聚合物包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚合物骨架直接相連。實施方式57.—種組合物，其包括水溶性、水分散性或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。-實施方式58.—種組合物，其包括水溶性、水分散性或吸水膨脹的聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，其中所述聚噻吩骨架含有交替結(jié)構(gòu)。實施方式59.—種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，其中除了磺化取代基(ii)之外，所述有機取代基(i)提供立體規(guī)則性。實施方式60.—種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，所述磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，其中除了磺化之外，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括立體規(guī)則性HH-TT或TT-HH聚(3-取代噻吩)。實施方式61.—種器件，其包括靜電消散(ESD)材料，所述ESD材料包括至少一種水溶性或水分散性聚合物，所述聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基；和(ii)至少一個含有與聚噻吩骨架直接連接的硫的磺化取代基。實施方式62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的器件，其中所述ESD材料進(jìn)一步包括至少一種不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物。實施方式63.根據(jù)實施方式62所述的器件，其中所述聚合物的數(shù)均分子量為約5，000-約50,000。實施方式64.根據(jù)實施方式62所述的器件，其中至少一種聚合物是交聯(lián)的。實施方式65.根據(jù)實施方式62所述的器件，其中含有立體規(guī)則性聚噻吩，和不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物形成能相容的混合物。實施方式66.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中含有立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物是均聚物。實施方式67.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中包括立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物的是共聚物。實施方式68.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中包括立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物是嵌段共聚物，且所述嵌段共聚物的其中一段(segment)含有立體規(guī)則性聚噻吩。實施方式69.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩的立體規(guī)則度為至少85%。實施方式70.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩的立體規(guī)則度為至少95%。實施方式71.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩的立體規(guī)則度為至少50%。實施方式72.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中涂料中所述立體規(guī)則性聚噻吩的量約少于30wt%。實施方式74.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物是合成聚合物。實施方式74.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料是有機摻雜、無機摻雜或環(huán)境摻雜(ambientdoped)的。實施方式75.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩是被氧化了的。實施方式76.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料摻雜有Br、I、Cl或其任意組合。實施方式77.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料摻雜有三氯化鐵、三氯化金、五氟化砷、堿金屬次氯酸鹽、質(zhì)子酸、苯磺酸及其衍生物、丙酸、有機羧酸和磺酸、亞硝鹽(nitrosoniumsalts)、NOPF6、NOBF4、有機氧化劑、四氰基酉昆(tetracyanoquinone)、二氯二氰基醌(dichlorodicyanoquinone)、高價碘氧化齊廿、亞碘酰苯(iodosylbenzene)、二乙酸碘苯(iodobenzenediacetate)或它們的組合。實施方式78.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料進(jìn)一步包括具有氧化官能團(tuán)、酸性官能團(tuán)、聚(苯乙烯磺酸)或其組合的聚合實施方式79.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料進(jìn)一步包括路易斯酸、三氯化鐵、三氯化金、五氟化砷或其組合。實施方式80.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料進(jìn)一歩包括有機質(zhì)子酸、無機酸、苯磺酸及其衍生物、丙酸、有機羧酸、磺酸、礦物酸、硝酸、硫酸和鹽酸。實施方式81.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料進(jìn)一步包括四氰基醌、二氯二氰基醌、高價碘、亞碘酰苯、二乙酸碘苯或它們的組合。實施方式82.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料摻雜有氧、二氧化碳、水汽或它們的組合。實施方式83.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料通過旋涂、噴墨、輥涂(rollcoating)、凹印(gravureprinting)、浸涂(dipcoating)或區(qū)土或澆鑄(zonecasting)施用。實施方式84.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料為厚度大于10nm的形式。實施方式85.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中含有立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物充分地?fù)诫s，以提供導(dǎo)電性為至少約1(T"西門子/cm的材料。實施方式86.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料的導(dǎo)電性為約10—u西門子/cm-約10's西門子/cm。實施方式87.根據(jù)實施方式86所述的器件，其中所述材料能夠在至少1000小時內(nèi)保持至少為10—13的導(dǎo)電性。實施方式88.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料施加到所述器件的絕緣表面。實施方式89.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料施加到所述器件表面，所述表面包括玻璃、石英、聚合物或它們的組合。實施方式90.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中含有立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物摻雜有有機摻雜物且被雜原子取代。實施方式91.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩摻雜有醌化合物且涂料厚約lOnm-約100mn，其中不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物包括聚苯乙烯、聚苯乙烯衍生物、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚吡啶或聚乙烯酚。實施方式92.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料在300nm-800nm波長區(qū)域內(nèi)的透明度為至少90%。實施方式93.根據(jù)實施方式61或62所述的器件，其中所述材料摻雜有固體、液體、氣體或它們的組合。實施方式94.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述器件是半導(dǎo)體器件的組件、顯示屏、放映機、航行器寬屏、車載寬屏或CRT屏。實施方式95.根據(jù)實施方式61所述的器件，其中所述材料是涂覆材料或包裝材料。實施方式96.減少器件上的靜電荷的方法，其包括用包含聚噻吩的涂料涂覆所述器件，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基；和(ii)至少一個磺化取代基，其含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。實施方式97.根據(jù)實施方式96所述的方法，其中所述涂料進(jìn)一步包括至少一種不含聚噻吩的聚合物。下面對各種術(shù)語作進(jìn)一步說明"垸基"可以是例如具有1-20個碳原子或1-15個碳原子或1-10個或1-5個或1-3個碳原子的直鏈和支鏈單價垸基。作為該術(shù)語的實例的基團(tuán)例如是甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、n-戊基、乙基己基和異戊基等。"任選取代的"基團(tuán)可以是例如被其它官能團(tuán)取代的或未被取代的官能團(tuán)。例如，當(dāng)一個基團(tuán)沒有被其它基團(tuán)取代時，該基團(tuán)所指代的可以是該基團(tuán)的名稱，例如垸基或芳基。當(dāng)一個基團(tuán)被其它基團(tuán)取代時，該基團(tuán)所指代的為一般統(tǒng)稱的取代的垸基或取代的芳基。"取代的烷基"可以是例如具有1-3，優(yōu)選l-2個取代基的垸基，所述取代基選自如下組成的組烷基、取代的烷基、烷氧基、取代的烷氧基、芳基、取代的芳基、芳氧基、取代的芳氧基、羥基。"芳基"可以是例如具有6-14個碳原子的單價芳香族碳環(huán)，其具有單環(huán)(如苯基)或多稠環(huán)(如萘基或蒽基)，其中稠環(huán)可以是或不是芳香環(huán)，只要連接點在碳原子。優(yōu)選的芳基包括苯基和萘基等。"取代的芳基"可以是例如具有1-5個取代基或任選1-3個取代基或任選l-2個取代基的芳基，所述取代基選自如下組成的組羥基、垸基、取代的垸基、烷氧基、取代的垸氧基、烯基、取代的烯基、取代的芳基、芳氧基、取代的芳氧基和磺酸酯基。"垸氧基"可以是例如"烷基-O-"基團(tuán)，作為實例其包括甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、n-乙基己氧基、十二烷氧基和異戊氧基等。"取代的烷氧基"可以是例如"取代的垸基-O-"基團(tuán)。"垸撐(alkylene)"可以是例如具有1-20個碳原子或1-15個碳原子或1-10個或1-5個或1-3個碳原子的直鏈和支鏈二價烷基。作為該術(shù)語的實例的基團(tuán)例如是甲撐、乙撐、n-丙撐、異丙撐、n-丁撐、t-丁撐、n-戊撐、乙基己撐、十二烯撐和異戊撐等。"烯基"可以是例如優(yōu)選具有2-6個碳原子且更優(yōu)選具有2-4個碳原子的烯基，且其具有至少1個，優(yōu)選1-2個烯基不飽和(alkenylunsaturation)位點。這些基團(tuán)的實例有乙烯基、烯丙基和3-丁烯基等。"取代的烯基"可以是例如具有1-3個取代基，優(yōu)選l-2個取代基的烯基，所述烯基選自如下組成的組烷氧基、取代的垸氧基、?；?、酰氨基、酰氧基、氨基、取代的氨基、氨酰基、芳基、取代的芳基、芳氧基、取代的芳氧基、氰基、鹵素、羥基、硝基、羧基、羧基酯、環(huán)烷基、取代的環(huán)烷基、雜芳基、取代的雜芳基、雜環(huán)基和取代的雜環(huán)基，條件是任何羥基取代都不與乙烯基(不飽和的)碳原子連接。"芳氧基"可以是例如芳基-O-基團(tuán)，其實例包括苯氧基和萘氧基等。"取代的芳氧基"可以是例如取代的芳基-O-基團(tuán)。"環(huán)氧烷烴(Alkyleneoxide)"可以是例如-(Ra-0)n-Rb基團(tuán)，其中Ra是垸撐且Rb是烷基或任選取代的芳基，n是l-6或1-3的整數(shù)。環(huán)氧烷烴可以是例如基于環(huán)氧乙烷或環(huán)氧丙垸的基團(tuán)。"鹽"可以是例如衍生自本領(lǐng)域已知的各種有機和無機抗衡離子，示例性實例包括鈉鹽、鉀鹽、鈣鹽、鎂鹽、銨鹽和四烷基銨鹽等，當(dāng)分子中含有堿性官能團(tuán)時，有機或無機酸的鹽為例如鹽酸鹽、氫溴酸鹽、鹽酸鹽、甲磺酸鹽、醋酸鹽、馬來酸鹽和草酸鹽等。在上述取代的基團(tuán)中，不包括用進(jìn)一步被取代的取代基描述的聚合物(如具有取代的芳基(其本身被取代的芳基所取代)作為取代基的取代的芳基等)。在此情況下，這些取代基的最大數(shù)目是3。也就是說，上述說明可被以下限定所限制例如將取代的芳基限定為-取代的芳基-(取代的芳基)-取代的芳基。類似地，上述說明不包括不允許的取代模式(impermissiblesubstitutionpatterns)(如以5個氟基團(tuán)取代的甲基或位于乙烯不飽和(ethenylicunsaturation)或乙炔不飽禾口(acetylenicunsaturation)a位的羥基)。此不允許的取代模式是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。通過引用的方式并入本文所述的參考文件的全部內(nèi)容。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠使用以下參考文件實施本文所述的各種實施方式。特別是，有幾份參考文件說明導(dǎo)電聚合物、聚噻吩、立體規(guī)則性聚噻吩、取代的聚噻吩以及由其制備的OLED、PLED和PV器件，其能夠用于實施本發(fā)明的一個或多個實施方式。在命名導(dǎo)電聚合物時，導(dǎo)電聚合物名稱包括它們的衍生物。例如，聚噻吩可包括聚噻吩衍生物。在T7ze五wc;;c/oped/(3o/Sc/ewceowt/_Ewg7>een>7g，Wiley,1990,pages298-300中說明了導(dǎo)電聚合物，包括聚乙炔、聚(對苯撐)、聚對苯撐硫醚、聚吡咯和聚噻吩，通過引用的方式并入其全部內(nèi)容。該參考文件還說明聚合物的混合和共聚，包括嵌段共聚物的形成。另外，在此通過引用的方式并入Williams等人于2005年9月24日提交的臨時申請序號60/612,64l("HETEROATOMICREGIOREGULARPOLY(3-SUBSTITUTEDTHIOPHENES)FORELECTROLUMINESCENTDEVICES")以及于2005年9月26日提交的US正規(guī)申請序號11/234,374的全部內(nèi)容，包括對聚合物的說明、附圖和權(quán)利要求。在此通過引用的方式并入Williams等人于2005年9月24日提交的臨時申請序號60/612,64l("HETEROATOMIC述POLY(3-SUBSTITUTEDTHIOPHENES)FORELECTROLUMINESCENTDEVICES")以及于2005年9月26日提交的US常規(guī)申請序號11/234,374的全部內(nèi)容，包括對聚合物的說明、附圖和權(quán)利要求。Williams等人的US常規(guī)申請序號11/234,374也能夠用于實施本發(fā)明有關(guān)空穴注入層和空穴傳輸層的各種實施方式("HOLEINJECTION/TRANSPORTLAYERCOMPOSITIONSANDDEVICES")。另一可以使用的參考文件是Williams等人于2006年3月16日提交的11/376,550，COPOLMERSOFSOLUBLEPOLYTHIOPHENEWITHIMPROVEDELECTRONICPERFORMANCE。聚噻吩可以是均聚物、共聚物或嵌段共聚物。合成方法、摻雜和聚合物的表征，包括具有側(cè)基的立體規(guī)則性聚噻吩，在例如McCullough等人的美國專利6,602,974和McCullough等人的6,166,172中有說明，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容。可在以下文章，"TheChemistryofConductingpolythiophene，"byRichardD.McCullough,M"/.,10，No.2,pages93-116，以及其引用的參考文件中找到附加的說明，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容。本技術(shù)人員可使用的另一參考文件為//aw<i6ooA:o/Ccw^/wcdwg/o/少wers，五d"1998,Chapter9，byMcCulloughetal""Regioregular，Head-to-TailCoupledPoly(3-alkylthiophene)anditsDerivatives,"pages225-258，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容。所述參考文件在第29章中還描述了"ElectroluminescenceinConjugatedpolymers，，(第823-846頁)，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容。聚噻吩在例如Roncali，J"Chem.Rev.1992,92,711;Schopf等人的聚噻吩ElectricallyConductive聚合物s,Springer:Berlin,1997中有說明。也可參見例如美國專利第4,737,557號和第4,卯9，959號。聚合的半導(dǎo)體在例如Katz等人的"OrganicTransistorSemiconductors"AccountsofChemicalResearch,vol.34,no.5,2001,page359(以及第365-367頁)中有說明，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容。嵌段共聚物在例如Noshay和McGrath的Copolymers,OverviewandCriticalSurvey,by,AcademicPress,1977中有說明。例如該文描述了A-B二嵌段共聚物(第5章)、A-B-A三嵌段共聚物(第6章)、和-(AB)n-多嵌段共聚物(第7章)，其能夠形成本發(fā)明的基本嵌段共聚物類型。包括聚噻吩的其它嵌段共聚物在例如Francois等人的Synth.Met.1995,69,463-466中有說明，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容；Yang等人的Macromolecules1993,26,1188-1190;Widawski等人的Nature(London),vol.369,June2,1994,387-389;Jenekhe等人的Science,279,March20,1998，1903-1907;Wang等人的J.Am.Chem.Soc.2000，122，6855-6861;Li等人的Macromolecules1999,32,3034-3044;Hempenius等人的J.Am.Chem.Soc.1998,120,2798-2804;以下文章說明了幾種立體規(guī)則性體系RichardD的"TheChemistryofConductingPolythiophenes,"(第97頁起和文中引用的參考文件)。McCullough的Adv.Mater.1998,10,No.2,pages93-116。在立體規(guī)則性聚合物(包括聚噻吩)中，立體規(guī)則度可以是例如約90%或以上，或約95%或以上，或約98%或以上，或約99%或以上。本領(lǐng)域已知的方法例如NMR可用于測量立體規(guī)則度。能夠通過多種方法提高立體規(guī)則度。例如，其能夠通過不對稱單體如3-烷基噻吩聚合提供頭尾(HT)聚(3-取代)噻吩而提高。另選地，其能夠通過單體兩部分之間具有對稱面的單體例如聯(lián)噻吩的聚合獲得例如立體規(guī)則性HH-TT和TT-HH聚(3-取代噻吩)而提高。特別是，能夠用于溶解具有側(cè)基的導(dǎo)電聚合物的取代基包括烷氧基和烷基(包括如C1-C25基團(tuán))以及雜原子體系(其包括例如氧和氮)。特別是，可以使用具有至少三個碳原子或至少五個碳原子的取代基。能夠使用混合取代基。取代基可以是非極性、極性或具官能性的有機取代基。側(cè)基可以稱作取代基R，其可以是例如垸基、全鹵代烷基、乙烯基、乙炔基、烷氧基、芳氧基、乙烯基氧基、硫代垸基、硫代芳基、羰游基(ketyl)、硫代羰游基，且任選被氫以外的原子取代。噻吩聚合物可以是支鏈數(shù)例如大于3并具有噻吩單元的星形聚合物。噻吩聚合物可以是樹枝狀化合物。見例如Anthopoulos等人的AppliedPhysicsLetters,82，26，June30,2003，4824-4826，和以下對樹枝狀化合物的進(jìn)一歩說明。雜環(huán)聚合物是特別優(yōu)選的。特別優(yōu)選的體系是聚噻吩體系和立體規(guī)則性聚噻吩體系。聚合物可自Plextronics,Inc.,Pittsburgh,PA獲得，包括例如聚噻吩基聚合物例如Plexcore、Plexcoat和類似材料。另一實施方式包括具有一定立體規(guī)則性的雜環(huán)共軛聚合物。例如立體規(guī)則度可以是約90%或以下，或約80%或以下，或約70%或以下，或約60%或以下或約50%或以下?；腔突腔酆衔锟梢詫η笆鼍酆衔镞M(jìn)行磺化。圖1示出了不同的導(dǎo)電聚合物和雜環(huán)型導(dǎo)電聚合物的總的磺化路線圖，所述雜環(huán)型導(dǎo)電聚合物包括具有雜環(huán)原子如S、N、Se、Te和Si的那些。對于R沒有特別限制，但其可以是例如可提供溶解功能的基團(tuán)如烷基或烷氧基。圖2示出了聚噻吩體系。例如，一些實施方式提供了含有水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩的組合物，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺化取代基，其含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。當(dāng)立體規(guī)則性聚合物經(jīng)受磺化時，聚合物組合物也可稱為本發(fā)明所謂的立體規(guī)則性聚合物?；腔潜绢I(lǐng)域已知的，其中向有機分子引入磺酸基或其鹽，-S03H，其中硫原子與有機分子的碳連接。專利文獻(xiàn)實例包括例如Allcock等人的美國專利第5,548,060號；Pintauro等人的6,365,294;Epstein等人的5,137,991;和Ito等人的5,993,694。其它的磺化方法在例如(l)Sotzing,G.A.的US2005/0124784Al中的Substitutedthieno[3，4-b]thiophenepolymers:methodofmakingandusethereof;(2)Lee,B.;Seshadri,V.;Sotzing,G.A.的Ringsulfonatedpoly(thieno[3，4誦b]thiophene),Adv.Mater.2005,17,1792中有說明?；腔〈梢允歉鞣N形式。例如，磺化取代基可以是酸形式；或者磺化取代基可以是含有抗衡離子的鹽形式；或者磺化取代基可以是含有抗衡離子的鹽形式，其中抗衡離子含有有機基團(tuán)；或者磺化取代基可以是含有抗衡離子的鹽形式，其中抗衡離子含有有機陽離子但不含金屬，有機陽離子包括例如烷基；或者磺化取代基可以是含有抗衡離子的鹽形式，其中抗衡離子包括金屬陽離子。聚合物磺化可以通過本領(lǐng)域已知的方法利用磺化劑進(jìn)行。在許多情況下，減少磺化劑所需的量和溶劑所需的量是有利的。在許多情況下，減少后處理所需的量包括后處理溶劑(如用以去除例如過量酸的水)的量是有利的。圖1和2表示的是一般導(dǎo)電聚合物和具體為聚噻吩的磺化。固體聚合物可以以膜形式或粉末形式添加到磺化劑中。如果需要，可以使用專門的工藝如微射流均質(zhì)機(micro-fluidizer)或超濾包括使用超濾膜濾器和連續(xù)工藝。例如，聚噻吩可以在例如約O-約100°C，或約22-約100°C，或約50-約100°C，或約80-85°C的溫度下用發(fā)煙硫酸進(jìn)行處理。磺化度可以控制在例如約5%-約95%，或約10%-約90%，或約25%-約75%范圍內(nèi)。隨著磺化的進(jìn)行，磺化聚噻吩溶解和/或分散在強酸中。如果需要，聚合物可以用離子交換樹脂處理或進(jìn)行超濾處理。磺化后，磺化聚合物可如圖3所示地進(jìn)行修飾?？梢允褂酶鞣N堿；可以替換各種抗衡離子。其結(jié)果是例如(i)中和酸，和/或(ii)調(diào)整能級和改變空穴注入能力。圖3示出例如金屬離子、銨離子(包括烷基和芳基取代的)、鱗離子(也是烷基或芳基取代的)、咪唑啉鹽、噻唑啉鹽和噁唑啉鹽。修飾可以提供較好的溶解性包括例如在有機溶劑(例如非質(zhì)子溶劑如N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基吡咯垸酮(NMP)和二甲基亞砜(DMSO)等)中較好的溶解性。修飾的另一實施例是從磺酸至垸基/芳基磺酸酯的轉(zhuǎn)化，所述磺酸酯能夠被進(jìn)一步取代。聚合物能夠通過加入適量的各種合適的堿被去摻雜(dedoped)。在一些情況中，其可以從共軛聚合物的吸光藍(lán)移觀察到此現(xiàn)象。待磺化的聚合物類型可如圖4所示地變?yōu)槁?lián)噻吩單體。二聚物可用于制造聚合物。可以使用對稱的二聚物。實例包括HH或TT(分別為頭頭、尾尾)偶聯(lián)，但應(yīng)具有至少一個磺化用的開放位點。在一個優(yōu)選的實施方式中，聚合物提供一個磺化用位點。聚合物微結(jié)構(gòu)和立體規(guī)則度可為聚合物提供交替的給體和受體?？梢詫χ行怨曹椌酆衔镞M(jìn)行磺化。吸收光譜可用于確定聚合物為自摻雜型的。例如，吸收可延伸至近紅外。如圖5所示聚合物在自摻雜狀態(tài)下可以是非常穩(wěn)定的。對于pH，如圖6所示，聚合物特性受pH和酸含量控制。提高pH是一個尤其重要的制備方案(formulationstrategy)?？梢赃M(jìn)行滴定和中和。酸含量的實例包括至少10mgNaOH/g固體、或至少50mgNaOH/g固體，至少100mgNaOH/g固體，或至少200mgNaOH/g固體，包括例如10mgNaOH/g固體至約250mgNaOH/g固體。pH值可以是例如1.8-3.0、或1.9-5、或2.0-7.0。在許多情況中，比PEDOT/PSS酸性低的材料是想要的。pH可以隨固體百分比變化。磺酸酯的硫原子與聚噻吩直接相連能夠為帶隙(bandgap)結(jié)構(gòu)提供可調(diào)性。在許多情況下，良好的分散性是有利的。水溶性和水分散性聚合物兩者都可使用，在許多情況中，聚合物是否形成真溶液對于其性能并不重要。優(yōu)選的實施方式包括例如聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約90%的立體規(guī)則性聚噻吩；聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約98%的立體規(guī)則性聚噻吩；聚噻吩是水溶性的；聚噻吩是被摻雜的；有機取代基包括至少一個雜原子；有機取代基是烷氧基取代基或烷基取代基；聚噻吩是交替共聚物；聚噻吩由聯(lián)噻吩單體制備；其中聚噻吩是噻吩均聚物，共聚物包括噻吩單元，或嵌段共聚物含有至少一個聚噻吩嵌段；聚噻吩的特征在于磺化度為10%-約90%;聚噻吩的特征在于磺化度為約50%-約90%;聚噻吩是水溶性的，聚噻吩是均聚物，其中有機取代基是烷氧基取代基或烷基取代基；聚噻吩是水溶性的，其中聚噻吩是含有抗衡離子的鹽形式，其中抗衡離子含有有機基團(tuán)；以及聚噻吩是水溶性的，且被摻雜，其中聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約90%的立體規(guī)則性聚噻吩，其中聚噻吩是酸的形式。水溶性或水分散性聚噻吩可以是交聯(lián)形式的，因此其可以是吸水膨脹的。聚合物可以通過本領(lǐng)域已知的方法轉(zhuǎn)化成膜形式，用以對其如UV-Vis-NIR特性和電化學(xué)進(jìn)行表征，以調(diào)整其能級包括HOMO和LUMO?？梢詸z測其穩(wěn)定性。在一些實施方式中，磺化還可以使取代基或側(cè)基包含磺酸酯基團(tuán)。例如，取代基中的芳香族基團(tuán)或苯基可以被磺化。聚合物的其它實施方式另外，能夠進(jìn)行磺化使在聚合物骨架上生成磺化取代基的聚合物的--個實施方式可由式(I)表示，其中R可以是任選取代的烷基、任選取代的垸氧基和任選取代的芳氧基。任選取代的取代基的實例包括羥基、苯基和其它任選取代的烷氧基。另外，垸氧基可被羥基、苯基或烷氧基任選取代；或者其中R可以是任選取代的環(huán)氧烷烴。取代基可以是例如羥基、苯基或烷氧基；或者其中R可以是任選取代的環(huán)氧乙垸或任選取代的環(huán)氧丙烷或其它低級烷撐氧基單元。取代基可以是例如羥基、苯基或烷氧基；或者R可以是任選取代的垸撐例如甲撐或乙撐，取代基為例如任選取代的垸撐氧基如乙撐氧基或丙撐氧基；取代基可以是例如羥基、苯基或烷氧基。I的實例在圖15中示出。此外，(I)中的取代基R可以作為垸氧基或苯氧基通過氧原子與噻吩連接，其中取代基可分別以相應(yīng)的醇或苯酚表示。醇例如可以是直鏈或支鏈，且可具有C2-C20、或C4-C18、或C6-C14個碳原子。醇可以是例如垸基醇或乙二醇、或丙二醇、或二乙二醇、或二丙二醇、或三丙二醇。其它的實例可以是單乙二醇醚和單乙二醇乙酸酯、二乙二醇醚和二乙二醇乙酸酯和三乙二醇醚和三乙二醇乙酸酯等。通過氧原子與噻吩連接的醇的實例包括己基溶纖劑、DowanolPnB、乙基卡必醇、DowanolDPnB、苯基卡必醇、丁基溶纖劑、丁基卡必醇、DowanolDPM、二異丁基卡必醇、2-乙基己基醇、甲基異可基卡必醇、DowanolEph、DowanolPnP、DowanolPPh、丙基卡必醇、己基卡必醇、2-乙基己基卡必醇、DowanolDPnP、DowanolTPM、甲基卡必醇、DowanolTPnB。商品名是本領(lǐng)域已知的，見例如DOWP-系列和E-系列乙二醇醚。(I)示出的結(jié)構(gòu)可獨立為聚合物或者可以是作為具有其它鏈段的嵌段共聚物的一部分。在圖15中，聚合物Ia、Ib、Ic和Id的n值可反映本領(lǐng)域已知的和本文引用的參考文件中的分子量，例如25-5,000或50-1,000;在圖15中，1a-ld的p值可以是例如0、l或2。在圖15中，聚合物Ia、Ib、Ic和Id的m值可以是例如0、1、2、3或4或更高，如例如6、11或16(如CarbowaxPEG350、550、750中的m值)。在圖15中，聚合物Ia、Ib、Ic和Id的Y可以是例如氫、Cl-C8烷基、任選取代的Cl-C6烯基、和芳基。此外，Y可以是例如氫、任選取代的乙烯基、任選取代的烯丙基、甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基或苯基。另選地，Y可以是例如氫、甲基、乙基、丙-l-基、己-l-基、己國2-基、己畫3-基、辛-l-基、辛畫2-基、辛-3-基、辛-4-基。在圖15中，聚合物Ia、Ib、Ic和Id的Rl和R2獨立地選自氫和甲基，條件是只有R1和R2中的一個是甲基。R1和R2可各自為氫。Rl可以是甲基且R2可以是氫。R1可以是氫且R2可以是甲基。制造磺化聚合物的方法本文還描述了制備組合物的方法和使用該組合物的方法。例如，一個實施方式提供了制造權(quán)利要求1所述的組合物的方法，其包括將含有至少一個有機取代基的可溶性立體規(guī)則性聚噻吩與磺化劑反應(yīng)，從而使聚噻吩包括至少一個含有與聚噻吩骨架直接連接的硫的磺化取代基。在優(yōu)選的實施方式中，磺化劑是硫酸；磺化劑是硫酸鹽/酯化合物；反應(yīng)的聚噻吩是被摻雜的；反應(yīng)獲得的磺化度為至少10%;反應(yīng)獲得的磺化度為至少50%;反應(yīng)獲得的磺化度為至少75%;磺化劑為硫酸，且反應(yīng)獲得的磺化度為至少75%;磺化劑為硫酸，反應(yīng)使獲得的磺化度為至少75%，且其中聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約90%的立體規(guī)則性聚噻吩；所述反應(yīng)使獲得的磺化度為至少50%,且其中聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約98%的立體規(guī)則性聚噻吩?；腔瓤梢允抢缂s10%-約100%、或約30%-約90%、或約50%-90%?？舍槍τ猛菊{(diào)整酸值(acidvalue或acidnumber)(mgKOH/g聚合物)，其可以是例如約250mgKOH/g聚合物、或約50-約250mgKOH/g聚合物、或約75-約200mgKOH/g聚合物或約100-約150mgKOH/g聚合物。其可以小于比較例的聚合物例如CH8000(CH8000的酸值為651mgKOH/g固體)。例如所配制的用于HIL應(yīng)用的溶液的酸值可以是例如約0.1-約0.8mgKOH/gHIL溶液或約0.2mg-約0.6mgKOH/gHIL溶液。配方(formulation)的pH可以是例如大于約2，或為約2.0-約3.0，或約2.3-約2.7。其酸性可低于各種比較例的材料，例如BaytronAI4083(pH約1.7)和CH8000(pH約1.3)。酉己制和混合(formulationandblending)上述進(jìn)行磺化的導(dǎo)電聚合物和聚噻吩組合物可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法配制和混合，包括例如改變組分的量、改變不同結(jié)構(gòu)類型的組合、使用不同的混合條件、使用不同的溶劑、采用不同的膜制備條件和使用不同的純化方法等。空穴注入技術(shù)的特定用途中所用的配方是尤其重要的。當(dāng)混合物(blend)沒有過度相分離且形成具功能性和機械性穩(wěn)定的膜時，該混合物是相容性的，其能夠作為空穴注入層使用。相容性混合物是本領(lǐng)域已知的。見例如美國專利4，387，187;4,415,706;4,485,031;4,898,912;4,929,388;4,935,164;和4,990,557。相容性混合物不一定是混溶性混合物，但被充分地混合且是穩(wěn)定的，以提供有用的功能，特別是薄膜形式例如約2nm-約100nm的薄膜?；旌戏椒砂ㄍㄟ^超聲波震蕩(sonricating)、攪拌(agitation)或剪切，將預(yù)先溶解的中性或氧化形式的導(dǎo)電聚合物(已分解成納米顆粒(一般為數(shù)十至數(shù)百納米))溶液與常規(guī)的聚合物(如聚苯乙烯(PS)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚(乙酸乙烯酯)(PVA))混合。此混合物提供成膜亞微米顆粒的微分散體(fmedispersion)的穩(wěn)定聚合物基質(zhì)溶液。可通過旋涂制備并分析膜的相容性。在本發(fā)明中，可以使用基質(zhì)組分(matrixcomponent),其有助于提供空穴注入層或空穴傳輸層的所需特性如平面化。當(dāng)基質(zhì)組分(包括平面化劑)與空穴注入組分混合時，有利于器件(如OLED或PV器件)中HIL或HTL層的形成。而且，其可溶于HIL體系中使用的溶劑中。平面化劑可由例如聚合物或低聚物如有機聚合物(如聚(苯乙烯)或聚(苯乙烯)衍生物、聚乙酸乙烯酯或其衍生物、聚(乙二醇)或其衍生物、聚(乙烯-共-乙酸乙烯酯)、聚(吡咯烷酮)或其衍生物(如聚(l-乙烯吡咯烷酮-共-乙酸乙烯酯))、聚(乙烯吡啶)或其衍生物、聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物、聚(丙烯酸丁酯)或其衍生物)組成。更一般而言，其可以是由聚合物或低聚物組成的，所述聚合物或低聚物由單體如CH2CHAr(其中Ar=任何芳基或官能化芳基、異氰酸酯、環(huán)氧乙烷、共軛二烯)、CH2CHR!R(其中=垸基、芳基或垸基/芳基官能團(tuán)且R=H、垸基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)、內(nèi)酰胺、內(nèi)酯、硅氧烷和ATRP大分子引發(fā)劑構(gòu)成?？梢栽谂浞街惺褂枚嘤谝环N的非導(dǎo)電性聚合物。在本發(fā)明中，平面化劑和空穴注入組分可由包含ICP鏈段和非共軛鏈段與類似于本發(fā)明所述的組合物的共聚物表示。在本發(fā)明中，平面化劑可以是"不揮發(fā)性"小分子，其能夠溶解在所使用的溶劑中，但不會在移除溶劑時被蒸發(fā)。而且，其可具有烷基、芳基、或官能性烷基或芳基特性。除了有利于賦予HIL層平滑表面外，基質(zhì)組分或平面化劑還能夠提供其它有用的功能，如電阻率控制(resistivitycontrol)和透明度的控制(transparencycontrol)。平面性能夠通過本領(lǐng)域已知的方法包括AFM測量而領(lǐng)!j定。溶劑體系或用于分散聚合物的溶劑可以是水和有機溶劑的混合物，所述有機溶劑包括能與水混溶的溶劑和含有氧、碳和氫的溶劑，例如醇或醚醇。能與水混溶的溶劑的其它實例包括醇(如異丙醇、乙醇和甲醇)、乙二醇和丙二醇(如DowChemicalandEastmanChemical生產(chǎn))。見，例如纖溶劑、卡必醇、丙二醇甲基卡必醇、丁基纖溶劑、DowanolPM。在一些實施方式中，水的量可大于有機溶劑的量?？梢允褂枚喾N溶劑組合，其包括非水性溶劑(non-aqueous)，如包括醇和其它極性溶劑。組合物可以包括第一溶劑和不同于第一溶劑的第二溶劑。特別是，可以使用水溶性樹脂和水性分散體(aqueousdispersion)。水性分散體可以是例如聚(苯乙烯磺酸)(即PSS分散體)、Nafion分散體(如磺化的氟化聚合物)、乳膠和聚氨酯分散體。水溶性聚合物的實例包括聚乙烯吡咯垸酮和聚乙烯醇。樹脂的其它實例包括醋酸纖維樹脂(CA、CAB、CAP-Eastman)。配方可以調(diào)節(jié)表面能、導(dǎo)電性、成膜性、溶解性、交聯(lián)性、形態(tài)、膜質(zhì)量、特定的施用方式(如旋涂、噴墨印刷和網(wǎng)印等)?？梢允褂帽砻婊钚詣┌ɡ珉x子和非離子表面活性劑，以及聚合物表面活性劑、氟化表面活性劑和離子聚合物。樹脂和HIL油墨可以通過本領(lǐng)域已知的方法包括例如超聲波降解(sonication)進(jìn)行分散和/或溶解。如果需要，配方可以配制成包括提供交聯(lián)結(jié)構(gòu)的交聯(lián)劑，交聯(lián)時可使其膨脹而不溶解。優(yōu)選的實施方式包括例如涂料組合物，其包括(A)水、(B)水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，其含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，和(C)不同于(B)的合成聚合物；且任選進(jìn)一步包括有機助溶劑；或進(jìn)一步包括有機助溶劑，其中水的重量大于有機助溶劑的重量；或進(jìn)一歩包括不同于(B)和(C)的第二合成聚合物；其中合成聚合物是水溶性聚合物；或其中合成聚合物具有側(cè)基含有極性基團(tuán)的碳骨架；或其中合成聚合物(C)的量為立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量的至少三倍；其中合成聚合物(C)的量為立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量的至少五倍；或其中立體規(guī)則性聚噻吩聚合物(B)的量為(B)和(C)總量的約5wt.。/。-約25wt.%;或進(jìn)一步包括有機助溶劑，其中水的重量大于有機助溶劑的重量，其中合成聚合物(C)的量為立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量的至少三倍，且其中立體規(guī)則性聚噻吩聚合物(B)的量為(B)和(C)總量的約5wt.Q/。-約25wt.%?？杉尤氲脚浞街械牟牧虾途酆衔锏钠渌鼘嵤┓绞桨ɡ缇?乙烯醇)(包括88%水解的聚(乙烯醇))、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-l-丙磺酸)、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-l-丙磺酸-共-苯乙烯)、聚(l-乙烯基吡咯烷酮-共-乙酸乙烯酯)、聚(丙烯酰胺-共-丙烯酸)、聚氨酯分散體、丙烯酸膠乳分散體、聚(苯乙烯-無規(guī)-乙撐)磺化溶液、聚(4-乙烯苯酚)-共-PMMA、聚(乙酸乙烯酯-共-馬來酸丁酯-共-丙烯酸異冰片酯)、聚-4-乙烯吡啶以及它們的組合。在一些情況中，聚-4-乙烯吡啶的結(jié)果不如其它材料好。在其它實施方式中，磺化聚合物溶解或分散在水、或水和水溶性有機溶劑的混合物或有機溶劑中。任選地，也可混入其它成分，包括例如第二類聚合物。組合物可包括第一溶劑和第二溶劑。例如，第一溶劑可以是水，第二溶劑可以是能與水混溶的有機溶劑。這兩種溶劑可根據(jù)特定用途以各種比例混合。在一些情況中，能夠除去或基本除去第一溶劑，或除去或基本除去第二溶劑。第一溶劑與第二溶劑的相對量(以重量或體積計)可以是例如100份第一溶劑和0份第二溶劑0份第一溶劑和100份第二溶劑、或90份第一溶劑和10份第二溶劑10份第一溶劑和90份第二溶劑、80份第一溶劑和20份第二溶劑20份第一溶劑和80份第二溶劑、30份第一溶劑和70份第二溶劑70份第一溶劑和30份第二溶劑、60份第一溶劑和40份第二溶劑40份第一溶劑和60份第二溶劑。對于許多配方，磺化聚合物的量為固含量的至少約4wt.%。在一些實施方式中，磺化聚合物的量為總固含量的約1wt.。/。-約10wt.%、或約4wt.。/。-約8wt.%。涂覆的基板還提供了涂覆的基板，其包括固體表面、設(shè)置在固體表面的涂料，其中所述涂料包括一種組合物，所述組合物包括水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，其含有的硫與聚噻吩骨架直接相連?？梢允褂迷贠LED和OPV應(yīng)用中使用的表面。例如，所述固體表面可以是例如電極(包括透明電極)如氧化銦錫。所述表面可以是發(fā)光聚合物層或空穴傳輸層。涂料厚度可以是例如5nm-5微米、10nm-l微米、25nm-500nm或50nm-250nm?？梢源嬖跉埩舻娜軇Ｍ繉涌梢允墙宦?lián)的或圖案化的。還提供了以下涂覆的基板，其包括(A)其上設(shè)有涂料的固體表面，其包括(B)水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺化取代基，該磺化取代基含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，和(C)不同于(B)的一種合成聚合物?？梢允褂迷贠LED和OPV應(yīng)用中使用的表面。例如，所述固體表面可以是例如電極(包括透明電極)如氧化銦錫。所述表面可以是發(fā)光聚合物層或空穴傳輸層。涂料厚度可以是例如5nm-5微米、10nm-l微米、25nm-500nm或50nm-250nm?？梢源嬖跉埩舻娜軇?。涂層可以是交聯(lián)的或圖案化的?？梢允褂帽绢I(lǐng)域已知的任何涂覆或圖案化方法?？梢赃M(jìn)行微米尺度或納米尺度圖案化在表面上形成納米結(jié)構(gòu)或微米結(jié)構(gòu)。印刷工藝可以包括例如苯胺印刷、凸印、軟刻蝕、凹印、移印、膠版印刷、網(wǎng)印和噴墨印刷。表面可以是均勻表面、非均勻表面或多層基板。表面可以是印刷電子中使用的基板?；蹇梢允抢缢芰稀⒉Ａ?、金屬包括銀和金。膜、涂料和特性在本發(fā)明中，HIL體系是優(yōu)選的，且可以通過旋涂、滴涂、浸涂、噴涂或印刷方法如噴墨印刷、膠版印刷或轉(zhuǎn)移工藝(transferprocess)來施用。例如，噴墨印刷在Otsuka的美國專利6,682,175和Hebner等人的AppliedPhysicsLetters,72,no.5,February2,1998,pages519-521中有說明。在本發(fā)明中，可提供以HIL作為HIL系統(tǒng)的膜，其厚度為約lOnm-約50pm，一般厚度為約50nm-約lpm。在其它實施方式中，厚度可以是約10nm-約500跳更優(yōu)選約10rnn畫約100nm。良好的表面平滑性和界面特性是重要的。器件的制造和測試許多情況下，能夠使用多層結(jié)構(gòu)制造各種器件，所述多層結(jié)構(gòu)可通過例如溶液或真空工藝以及印刷和圖案化工藝制得。特別是，能夠有效進(jìn)行本文所述的空穴注入和空穴傳輸所用的實施方式(空穴注入層和空穴傳輸層分別使用的HILs和HTLs)。特別是，應(yīng)用包括OLEDs、PLEDs、光電電池的空穴注入層、超級電容器、陽離子傳感器、藥物釋放裝置、電致變色器件、傳感器、FETs、致動器和膜用。另一應(yīng)用是作為修飾電極(electrodemodifier)包括有機效應(yīng)晶體管(OFETS)用修飾電極。其它應(yīng)用包括在印刷電子、印刷電子器件和滾動條式(roll-to-roll)生產(chǎn)工藝領(lǐng)域中的應(yīng)用。例如，如圖7所示的光電池是本領(lǐng)域已知的。器件可包括例如多層結(jié)構(gòu)包括例如陽極(如玻璃或PET上的ITO);空穴注入層；P/N本體異質(zhì)結(jié)層；導(dǎo)電層如LiF;和陰極例如Ca、Al或Ba。器件能夠使適于電流密度對電壓的測量。同樣地，如圖9所示的OLED器件是本領(lǐng)域已知的。器件可包括例如多層結(jié)構(gòu)包括例如陽極(如玻璃或PET或PEN上的ITO);空穴注入層；電致發(fā)光層如聚合物層；導(dǎo)電層如LiF和和陰極例如Ca、Al或Ba。本領(lǐng)域已知能夠用于制造這些器件的方法包括例如OLED和OPV器件。本領(lǐng)域已知的方法能夠用于測量亮度、效率和壽命。OLED專利包括例如美國專利4,356,429和4,539,507(Kodak)。發(fā)光導(dǎo)電聚合物在例如美國專利5,247,190和5，401,827(CambridgeDisplayTechnologies)中有說明。還有見Kraft等人的"ElectroluminescentConjugatedpolymers-SeeingpolymersinaNewLight,"Angew.Chem.Int.Ed.,1998,37，402-428，包括器件構(gòu)造、物理原理、溶液處理、多層化、混合以及材料合成和配制，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容?？梢允褂帽绢I(lǐng)域已知的市售的發(fā)光體(Lightemitters),其包括各種導(dǎo)電聚合物以及有機分子如來自Sumation,MerckYellow,MerckBlue,AmericanDyeSources(ADS),Kodak的材料(如A1Q3等)，和來自Aldrich的如BEHP-PPV。這些有機電致發(fā)光材料的實例包括(i)聚(對苯撐乙炔)(poly(phenylenevinylene))及其于苯撐部分的任何位置有取代的衍生物；(ii)聚(對苯撐乙炔)及其于乙烯撐(vinylene)部分的任何位置有取代的衍生物；(iii)聚(對苯撐乙炔)及其于苯撐部分和乙烯撐部分的任何位置有取代的衍生物；(iv)聚(芳撐乙炔)(poly(arylenevinylene))，其中芳撐可以是如萘、蒽、呋喃撐(furylene)、噻吩撐(thienylene)和噁二唑等結(jié)構(gòu)；(v)聚(芳撐乙炔)衍生物，其中芳撐可以是如(iv)所述的結(jié)構(gòu)，而且在芳撐的任何位置上具有取代基；(vi)聚(芳撐乙炔)衍生物，其中芳撐可以是如(iv)所述的結(jié)構(gòu)，而且在乙烯撐的任何位置上具有取代基；(vii)聚(芳撐乙炔)衍生物，其中芳撐可以是如(iv)所述的結(jié)構(gòu)，而且在芳撐和乙烯撐的任何位置上具有取代基；(viii)芳撐乙炔低聚物的共聚物，所述芳撐乙炔低聚物例如為(iv)、(v)、(vi)和(vii)所述的結(jié)構(gòu)，且為非共軛低聚物；和(ix)聚對苯撐及其于苯撐部分的任何位置上被取代的衍生物，包括梯形聚合物衍生物如聚(9,9-二烷基芴)等；(X)聚(芳撐)，其中芳撐可以是如萘、蒽、呋喃撐、噻吩撐和噁二唑等結(jié)構(gòu)；和在芳撐部分的任何位置上有取代的衍生物；(xi)寡聚芳撐(oligoarylenes)的共聚合物，所述聚芳撐例如為(x)中所述，且為非共軛低聚物；(xii)聚喹啉及其衍生物；(xiii)聚喹啉的共聚物，其中對苯撐上被例如烷基或烷氧基取代以提供溶解性；和(xiv)剛棒型(rigidrod)聚合物，如聚(對苯撐-2,6-苯并雙噻唑)、聚(對苯撐-2，6-苯并雙噁唑)、聚(對苯撐-2，6-苯并咪唑)及它們的衍生物。優(yōu)選的有機發(fā)光聚合物包括發(fā)綠光、紅光、藍(lán)光、或白光的SUMATION發(fā)光聚合物("LEPs")或其家族、共聚合物、衍生物或其混合物；SUMATIONLEPs來自SumationKK。其它聚合物包括來自CovionOrganicSemiconductorsGmbH,Frankfurt,Germany(現(xiàn)為Merck擁有)的聚螺芴類(polyspirofluorene-like)聚合物。另選地，除了聚合物，發(fā)熒光或磷光的有機小分子可用于有機電致發(fā)光層。有機小分子電致發(fā)光材料的實例包括(i)三(8-羥基喹啉)鋁(AIq);(ii)l,3-二(N,N-二甲基氨基苯基)-l，3,4-噁二唑(OXD-8);(iii)-氧代-二(2-甲基-8-喹啉)鋁；(iv)二(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁；(v)二(羥基苯并喹啉)鈹(BeQ.sub.2);(vi)二(二苯基乙烯基)聯(lián)苯撐(DPVBI)和(vii)芳胺取代的二苯乙烯基芳撐(DSA胺)。這些聚合物和小分子材料是本領(lǐng)域已知的且在例如授予VanSlyke的U.S.Pat.No.5,047,687;禾口Bredas,J.國L.，Silbey,R.,eds.的Conjugatedpolymers,KluwerAcademicPress,Dordrecht(1991)中有說明。器件中的HIL的實例包括1)OLEDs(包括PLEDs和SMOLEDs)中的空穴注入；例如，PLED中的HIL，可以使用所有類型的共軛聚合物發(fā)光體(其中涉及碳或硅原子的共軛)。對于SMOLED中的HIL，下列為其實例含熒光發(fā)光體的SMOLED;含磷光發(fā)光體的SMOLED;除HIL層以外，還含有一個或多個有機層的SMOLEDs;和小分子層經(jīng)由溶液或氣溶膠噴霧或其它加工方法加工的SMOLEDs。另外，其它實例包括樹枝狀化合物(dendrimer)或低聚有機半導(dǎo)體類OLEDs中的HIL;雙極性發(fā)光FET's中的HIL，其中使用HIL以修飾電荷注入或作為以下物件中的電極2)OPV中的空穴提取層3)晶體管中的通道材料(channelmaterial)4)電路中的通道材料，所述電路包括晶體管組合(如邏輯門)5)晶體管中的電極材料6)電容器中的柵極層(gatelayer)7)化學(xué)傳感器，其中由于待感應(yīng)物質(zhì)與導(dǎo)電聚合物之間的作用，而實現(xiàn)了摻雜性的修飾(modificationofdopinglevel)。OPV器件中可以使用各種光敏層。光電器件可通過混合含有富勒烯衍生物與例如USPatentNos.5,454,880(Univ.CaL);6,812,399和6,933,436中說明的導(dǎo)電聚合物制得的光敏層來制備。可使用公知的電極材料和基板，以及密封材料。OLED的測量可使用本領(lǐng)域已知的方法測量OLED參數(shù)。例如可以在10mA/cm2下進(jìn)行測量。電壓可以是例如約2-約8、或約3-約7，包括例如約2-約5。亮度可以是例如為至少250cd/m2、或至少500cd/m2、或至少750cd/m2或至少1,000cd/m2。效率可以是例如至少0.25Cd/A、或至少0.45Cd/A、或至少0.60Cd/A、或至少0.70Cd/A、或至少1.00Cd/A、或至少2.5Cd/A、或至少5.00Cd/A、或至少7.50Cd/A或至少10.00Cd/A?？稍?0mA/cn^下測量壽命(以小時計)，壽命可以是例如至少50小時、或至少100小時、或至少約900小時、或至少1,000小時、或至少1100小時、或至少2,000小時或至少5,000小時?？梢詫崿F(xiàn)亮度、效率和壽命的組合。例如亮度可以是至少i，ooocd/m2，效率可以是至少1.00Cd/A且壽命可以是至少1,000小時、至少2,500小時或至少5,000小時。OPV的測量可使用本領(lǐng)域已知的方法測量OPV參數(shù)。Jsc值(mA/cm、可以是例如至少6、或至少7、或至少8、或至少9、或至少10、或至少11或至少12。所述值可以是例如約5-約12、或約5-約15、或約5-約20。Voc值(V)可以是例如至少約0.5、或至少約0.6、或至少約0.7、或至少約0.8、或至少約0.9或至少約1.0，包括例如約0.5-約1.0或約0.55-約0.65。FF值可以是例如至少約0.2、或至少約0.3、或至少約0.4、或至少約0.5、或至少約0.6、或至少約0.7，還包括例如約0.5-約0.8或約0.5-約0.73。E(。/。)值可以是例如至少約1%、或至少約2%、或至少約3%、或至少約4%、或至少約5%、或至少約6%、或至少約7%，包括例如約1%-約8%、或約1%-約7%、或約1%-約6%、或約1%-約5%、或約1%-約3.4°/?；蚣s2%-約3.4%。本文所述的磺化聚合物及其配方可以制成油墨，用于生產(chǎn)有機光電器件用的高效空穴提取層。例如，實施例中效率為3.38%的與同一生產(chǎn)工序下的BaytronAI4083對照器件基本相同。HIL層可傳導(dǎo)空穴以及介導(dǎo)空穴提取和當(dāng)前的材料(currentincumbentmaterial)。對照材料可以制成如Jonas等人在USPatentNo.4,959,430中描述的PEDOT材料。Baytron材料可從H.C.Stark獲得。咔唑化合物在例如Bmnner等人的WO2004/072205中有說明。還可以檢測衰退率(見如圖16)。在類似條件下，基本上類似于圖16所示的電池，直至額定功率輸出(normalizedpoweroutput)為0的衰退時間可以是例如至少250小時、或至少30小時、或至少400小時或至少500小時?？梢灾瞥膳c光和或電/電場相互作用的其它類型的器件，包括傳感器和晶體管(包括場效應(yīng)晶體管(如作為電極或作為活性通道材料，如在邏輯電路和其它電路中使用))。特別是，可以制成pH傳感器、或?qū)δ軌蚺c酸結(jié)合的官能性化合物的檢測具敏感性的傳感器，且在例如光傳感器(opticalsensingtool)中使用。器件的其它應(yīng)用包括例如超級電容器(如具有良好充電容量用作儲存介質(zhì)的輕質(zhì)電源)、陽離子傳感器(如特征在于陽離子結(jié)合(cationbindingevent)而產(chǎn)生光或電信號的器件)、藥物釋放(如具有離子官能性的藥物能夠與聚合物結(jié)合，且還原氧化化學(xué)能夠啟動藥物至體內(nèi)的釋放；或用聚合物包埋的微芯片(embeddedmicrochip)通過改變摻雜而有助于啟動藥物至體內(nèi)的釋放)、電致變色器件(如電化學(xué)摻雜/去摻雜也能夠改變聚合物的體積，其為致動的基本機理?；谶@些的應(yīng)用涉及通過電脈沖而活化的人造肌肉，或純化溶劑用的具可調(diào)孔徑的智能膜)、致動器、透明電極以替代例如ITO、以及膜。還提供了應(yīng)用的其它說明對于電致變色器件的應(yīng)用及器件，包括鏡子，見例如Argun等人的Adv.Mater.2003，15,1338-1341(均為聚合物電致變色器件)。例如，氧化形式的磺化聚合物具有非常良好的穩(wěn)定性(即在可見光區(qū)域無色透明(clear))?？梢垣@得無色透明狀態(tài)下具有良好穩(wěn)定性的鏡子。僅當(dāng)具有強照明器的車輛靠近時，鏡子才被活化變成深色。如果聚合物自身能夠回復(fù)其氧化形式是非常有利的，這是因為其將不需要能源而回復(fù)其正常狀態(tài)。由于其吸收強烈，通過NIR(熱輻射)，涂覆有該聚合物的窗口能夠潛在地保持房間的涼爽，同時容許光進(jìn)入建筑物、太空船內(nèi)等，潛在地將ACs和燈的負(fù)荷減至最少。對于傳感器，能夠改變導(dǎo)電性、電荷傳輸特性和/或光特性，這歸因于待感應(yīng)的材料與HIL配方之間特定的相互作用；能夠在傳感器中檢測到信號。對于光電器件，見例如Zhang等人的(具有導(dǎo)電聚合物陽極的聚合物光電池(polymerphotovoltaiccellswithconductingpolymeranodes))Adv.Mater.2002,14,662-665。對于揚聲器見例如Lee等人的(使用高導(dǎo)電性PEDOT/PSS作為電極的撓性和透明有機膜揚聲器(Flexibleandtransparentorganicfilmspeakerbyusinghighlyconducting)),Synth.Met.2003，139,457-461。靜電消散應(yīng)用靜電消散涂料在例如Greco等人于2006年1月20日提交的美國臨時申請序號60/760,386(見2007年1月18日提交的PCT申請PCT/US2007/001245)中有說明，在此通過引用的方式并入其全部內(nèi)容包括其附圖、權(quán)利要求和實施例。在一個實施方式中，本文所述的和要求保護(hù)的立體規(guī)則性聚噻吩組合物應(yīng)用在或作為靜電消散(ESD)涂料、包裝材料和其它形式。靜電放電是許多應(yīng)用(包括趨于精細(xì)化和復(fù)雜化的電子器件)中常見的一種問題。為了克服這些問題，導(dǎo)電涂料(也稱作ESD涂料)可用于涂覆多種器件和器件組件。導(dǎo)電材料還可以與其它材料如聚合物混合形成混合物和包裝材料。本文所述的立體規(guī)則性聚噻吩或包含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物可用作ESD涂料中的唯一聚合物組分或與另一種或多種不包含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物組合(即混合)。另外，立體規(guī)則性聚噻吩可以是均聚物、共聚物或嵌段共聚物。此實施方式的非限定性實例涉及包含靜電消散(ESD)涂料的器件，所述ESD涂料包括至少一種包含立體規(guī)則性聚噻吩的水溶性或水分散性聚合物，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括至少一個有機取代基；和至少一個磺化取代基，其含有的硫與聚噻吩骨架直接相連。在另一實施方式中，提供了ESD包裝材料。在另一實施方式中，涂料可以與一種或多種聚合物混合，其中至少一種聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩。此外，除了一種包含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物外，ESD涂料可包括至少一種不包含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物。在這些ESD涂料中，使用聚合物混合物，聚合物優(yōu)選是相容性的。涂料中的聚合物的分子量可變化。一般而言，例如，含有立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物、不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物、或其兩者的數(shù)均分子量可以是約5,000-約50,000。如果需要，不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物的數(shù)均分子量可以是例如約5,000-約IO,OOO，OOO、或約5，000-約1,000,000。在上述任何ESD涂料中，出于各種原因如改善化學(xué)、機械或電特性，至少一種聚合物可以是交聯(lián)的。聚噻吩的立體規(guī)則度可以是例如至少約85%、或至少約95%、或至少約98%。在一些實施方式中，立體規(guī)則度可以是至少約70%或至少約80%。例如，在一些情況中，包括某些ESD應(yīng)用，成本可能是很重要的，不一定需要高立體規(guī)則度以實現(xiàn)其性能。ESD涂料還優(yōu)選含有少于約50wt.%、或少于約30wt.。/。的立體規(guī)則性聚噻吩聚合物。聚合物的最小量可以是例如約0.1wt.。/?；蚣s1w"/?；蚣s10wt.%。不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物可以是合成聚合物，且對其沒有特別限制。其可以是例如熱塑性的。其可以是水溶性聚合物或可以是水性聚合物分散體。實例包括有機聚合物、合成聚合物或低聚物，如具有聚合物側(cè)基的聚乙烯聚合物、聚(苯乙烯)或其衍生物、聚(乙酸乙烯酯)或其衍生物、聚(乙二醇)或其衍生物如聚(乙烯-共-乙酸乙烯酯)、聚(吡咯烷酮)或其衍生物如聚(l-乙烯吡咯垸酮-共-乙酸乙烯酯)、聚(乙烯吡啶)或其衍生物、聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物、聚(丙烯酸丁酯)或其衍生物。更一般而言，其可以是由聚合物或低聚物組成的，所述聚合物或低聚物由單體如CH2CHAr(其中Ar=任何芳基或官能化芳基、異氰酸酯、環(huán)氧乙垸、共軛二烯)、CH2CHI^R(其中&=烷基、芳基或烷基/芳基官能團(tuán)且R-H、烷基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)、內(nèi)酰胺、內(nèi)酯、硅氧垸和ATRP大分子引發(fā)劑構(gòu)成。優(yōu)選的實例包括聚(苯乙烯)和聚(4-乙烯吡啶)。另一實例是水溶性的或水分散性的聚氨酯。為了適當(dāng)?shù)叵o電，可以調(diào)整涂料的導(dǎo)電性。例如，可以增加或減少導(dǎo)電材料的量。另外，在一些情況中，盡管磺化聚合物的自摻雜特性可提供摻雜，但仍可以進(jìn)行摻雜。進(jìn)一步摻雜可以通過固體、液體、氣體或其組合形式的有機、無機或環(huán)境物質(zhì)(ambientspecies)來實現(xiàn)。氧化是一種提高聚噻吩導(dǎo)電性的有效方法。有用的鹵摻雜物包括Br、I、Cl。無機摻雜物包括以下物質(zhì)三氯化鐵、三氯化金、五氟化砷、堿金屬次氯酸鹽、質(zhì)子酸如苯磺酸及其衍生物、丙酸、有機羧酸和磺酸、亞硝鹽、NOPF6或NOBF4、有機氧化劑、四氰基醌、二氯二氰基醌、高價碘氧化劑、亞碘酰苯、二乙酸碘苯或它們的組合。在混合物中包含某些聚合物可導(dǎo)致聚噻吩中的摻雜效果。例如，涂料中還可以包括含有氧化官能團(tuán)、酸性官能團(tuán)、聚(苯乙烯磺酸)或其組合的聚合物的聚合物。提供摻雜效果的其它化合物包括某些路易斯酸、三氯化鐵、三氯化金和五氟化砷、有機質(zhì)子酸、無機酸、苯磺酸及其衍生物、丙酸、有機羧酸、磺酸、礦物酸、硝酸、硫酸、鹽酸、四氰基醌、二氯二氰基醌、高價碘氧化劑、亞碘酰苯、二乙酸碘苯。環(huán)境摻雜一般通過環(huán)境空氣如氧氣、二氧化碳和水氣中的物質(zhì)進(jìn)行。含有立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物優(yōu)選充分地?fù)诫s，為材料提供至少約10,西門子/cm(S/cm)或約10"西門子/cm-10's西門子/cm的導(dǎo)電性。ESD涂料優(yōu)選應(yīng)在器件的壽命中保持效用。粗略地，在某些情況中，涂料的導(dǎo)電性在至少1000hrs內(nèi)保持至少10—13是有利的。在一個實施例中，立體規(guī)則性聚噻吩摻雜有醌化合物，且涂料厚度為約10nm-約100nm，其中不含立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物包括聚苯乙烯、聚苯乙烯衍生物、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚吡啶或聚乙烯酚。ESD涂料可通過旋涂、噴墨、輥涂、凹印、浸涂、區(qū)域澆鑄(zonecasting)或其組合施用。一般，涂覆涂料的厚度大于10nm。通常，向絕緣表面如玻璃、石英、聚合物或任何帶靜電荷的表面施加涂料。另外，可在材料中混合導(dǎo)電聚合物制成保護(hù)例如敏感電子設(shè)備用的包裝膜?？赏ㄟ^一般的加工方法例如吹膜擠塑(blownfilmextmsion)來進(jìn)行。制得的涂料的光學(xué)特性可能會有很大的不同，取決于混合物的類型和聚噻吩聚合物的百分比率。優(yōu)選地，涂料在波長300nm-800nm范圍內(nèi)的透明度為至少90%。ESD涂料可施用到多種需要消除靜電荷的不同器件中。非限定性實例包括半導(dǎo)體器件和組件、集成電路、顯示屏、放映機、航行器寬屏、汽車寬屏或CRT屏。在一個實施方式中，ESD涂料由磺化導(dǎo)電聚合物的水溶液制成。可用堿性化合物如胺將pH調(diào)整成約中性?？商砑铀偷诙酆衔锏乃芤骸？墒褂梅撬軇┮蕴岣叻稚⑿?。見下面實施例。在最終的固體中導(dǎo)電聚合物如磺化聚噻吩的重量百分比可以是例如約2wt.。/。-約30wt.%、或約5wt.n/。-約20wt.%。去除溶劑前溶液中的含水量可以是例如溶液的約40wt.。/。-約80wt.%。此外，本文所述的磺化聚合物可用于透明電極應(yīng)用。實施例通過以下的非限定性實施例作進(jìn)一步說明。實施例1-通過硫酸的合成制備磺化聚(3-(甲氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2，5-二基)(P3MEET-S或MPX)在80-85°C下于180mL發(fā)煙硫酸(Acros)中攪拌6.02g中性聚(3-(甲氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)(Mw=15,000;PDI=1.4)24小時，并加入6L去離子水。攪拌該水性分散體1小時，并進(jìn)行離心。去除澄清的上清液，向離心物加入800mL新鮮的去離子水，猛烈搖動，并再次離心。去除澄清的上清液，再重復(fù)上述工序兩次。用去離子水將濕的聚合物稀釋使總固體含量為0.5-1%，進(jìn)行超聲波降解30min。然后使懸浮液分2批使每一批通過裝有30g新鮮的Amberjet4400(OH形式，Aldrich)離子交換樹脂的玻璃柱(直徑l")。此工序除去殘留的游離硫酸。所得的磺化聚合物水性懸浮液在此濃度下即使在環(huán)境條件下存放數(shù)天后也沒有觀察到任何聚集或沉淀的出現(xiàn)。酸當(dāng)量測定為每克磺化聚合物74.4mgNaOH。聚合物的元素分析(CHS)在GalbraithLaboratoriesInc.完成，CHS含量分別測定為43.22wt%、3.37wt。/。和23.44wt%?；贑/S比例，磺化度測定為83%。見圖1和2。實施例2-另一聚噻吩的合成聚(3-(乙基氧基乙氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)的磺化。使用實施例2所述的類似工序制備磺化的聚(3-(乙基氧基乙氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)。UV-Vis-NIR圖譜類似于實施例1的聚合物，其特征為NIR區(qū)域具有強吸收，表明具有雙極性(bipolaronic)特征。實施例3-通過另一試劑的合成聚(3-(甲基氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)的磺化。另選地，如MakoskiH.S.和Lundberg，R.的US專利3,870,841,1975所報導(dǎo)，磺化還可以通過將聚(3-(甲基氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)溶解在氯仿中并加入硫酸乙酰酯(acetylsulfate)試劑(由干燥的1，2-二氯乙烷就地制得)而進(jìn)行。將1.0gm聚(3-(甲基氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)與50mL氯仿加熱至回流。向此溶液加入3.4mL硫酸乙酰酯(l叫)試劑。使反應(yīng)混合物回流27h并加入200mL甲醇，隨后將其過濾，用去離子水沖洗使pH達(dá)至中性，最后用甲醇進(jìn)行沖洗，然后干燥獲得微粉。實施例4-通過離子交換的合成通過向5.027g0.6%水性P3MEET-S加入42.3mgn-Bu4NOH.30H2O制備P3MEET-S的四正丁基銨鹽?；谙惹暗牡味ńY(jié)果(見實施例1)，這表示0.95eq的游離酸。加入n-Bii4NOH.3H20(稱作Tl)后，溶液的pH測定為4.30。制得的P3MEET-S的pH為3.165。類似地，向5.002g0.6%水性P3MEET-S加入88.8mgn-Bu4NOH.30H2O制備另一溶液。該溶液的pH測定為11.2(稱作T2)。見圖3。實施例5-雙噻吩聚合物的合成聚(3,3'-雙-[2-(2-甲氧基-乙氧基)乙氧基]-[2,2']聯(lián)噻吩-5,5'-二基)的磺化。使用實施例1所述的類似工序制備聚(3,3'-雙-[2-(2-甲氧基-乙氧基)乙氧基]-[2，2']聯(lián)噻吩-5，5'-二基)。見圖4。3，3'-雙-[2-(2-甲氧基-乙氧基)-乙氧基]-[2,2']聯(lián)噻吩的合成。利用如Sotzing等人在(Adv.Mater.1997,9,795)中所報導(dǎo)的2，2'-雙(3，4-乙撐二氧基噻吩)(BiEDOT)的制備方法制備3，3'-雙-[2-(2-甲氧基-乙氧基)-乙氧基]-[2,2']聯(lián)噻吩。在-78。C下，將3-[2-(2-甲氧基-乙氧基)-乙氧基]-噻吩鋰化，隨后通過使用干燥的CuCl2進(jìn)行偶聯(lián)。通過柱色譜使用1:1(v/v)乙酸乙酯/己烷作為洗脫劑分離最終產(chǎn)物。1H-麗R(CDC13，Sppm):聚(3,3'-雙-[2-(2-甲氧基-乙氧基)乙氧基]-[2,2']聯(lián)噻吩-5，5'-二基)的合成。向1L三頸RBF加入25mL溶解了2.5g3,3'-雙-[2-(2-甲氧基-乙氧基)-乙氧基]-[2，2']聯(lián)噻吩的氯仿。在2.5hrs內(nèi)向此溶液滴加350mL溶解有2.5gFeCl3(2.5eq)的氯仿。在室溫下攪拌該反應(yīng)混合物14小時。過濾氧化的聚合物固體，在200mL9:1(v/v)MeOH+Conc.HCl中攪拌1h。接著，進(jìn)行過濾，并重覆上述步驟以除去任何鐵鹽。將固體(~2g)加入到100mL氯仿中，隨后加入15mL肼水溶液(35wt%)?；亓?0min。加入肼使聚合物溶解在氯仿。將溶液倒入IL甲醇+100mL水中，攪拌1小時，將其過濾。在50。C的150mL水中攪拌濾出的固體lh，然后過濾。向固體加入180mL水和10mL濃HCl，在50°C下加熱1h，將其過濾，在烘箱中室溫下干燥2天。摻雜有碘的337nm厚的滴鑄膜(dropcastfilms)的導(dǎo)電性測定為1Scm—1。使用氯仿作為洗脫劑和通過UV-vis檢測器(入420nm)的GPC分析給出Mn=12707(PDI=5)。實施例6-膜的表征6A.圖5示出了旋涂在玻璃板上的磺化聚(3-(甲氧基乙氧基乙氧基)噻吩-2,5-二基)的摻雜膜的Vis-NIR圖譜。旋涂后，在150。C下，對膜進(jìn)行退火處理15min。這些膜在擴(kuò)展到NIR區(qū)域內(nèi)具有非常強的吸收，為氧化共軛聚合物的特征。即使在環(huán)境條件下存放7天后，圖譜只有極少變化/沒有變化，證明氧化形式具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。6B.圖6示出了將上述TI和T2溶液(來自實施例4)旋涂在玻璃板上制得的薄膜的圖譜。獲得圖譜前，在150°C下，對膜進(jìn)行退火處理15min。實施例7-11-配制實施例7:如實施例1所述制備PlexcoreMPX水溶液(約0.61wt%)。將此溶液(4.92g)加入到小瓶中，并加入水(4.81g)，將小瓶放置在超聲波浴中30分鐘。將聚(4-乙烯苯酚)(0.27g)溶解在2-丁氧基乙醇(6.00g)中，攪拌下加熱，直到聚合物完全溶解。然后合并這兩種溶液，將其充分混合。然后，使溶液通過0.22微米的PVDF注射器過濾器(Millipore)。實施例8和9:類似于實施例7的工序，不同的是在加入聚(4-乙烯苯酚)后加入聚苯乙烯磺酸(PSS)水性分散體。實施例10:類似于實施例7的工序，不同的是加入PSS替代聚(4-乙烯苯酚)。實施例11A:類似于實施例7的工序，不同的是加入NeoRezR-966水性分散體(來自Avecia的脂肪族聚氨酯分散體)替代聚(4-乙烯苯酚)(PUD是聚氨酯分散體)。實施例11B:類似于實施例7的工序，不同的是在加入聚(4-乙烯苯酚)后，加入Nafion⑧全氟化的離子交換樹脂(10。/。分散體)。見實施例11C有關(guān)Nafion⑧的使用。<table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>實施例12-14-光電器件下面所述的器件制造僅作為實例，而并非將所述制造工藝、器件構(gòu)造(層順序、層數(shù)目等)或本發(fā)明要求保護(hù)的HIL材料以外的材料局限于此。本文所述的OPV器件是在沉積在玻璃基板上的氧化銦錫(ITO)表面制成。ITO表面預(yù)先圖案化將像素面積限定為0.9cm2。通過在稀釋的皂液中超聲降解和隨后的蒸餾水清洗(各20分鐘)將器件基板洗凈。接著在異丙醇中超聲降解。在氮氣流下干燥基板，然后在300W下操作的UV-臭氧器中處理20分鐘。然后以空穴收集層涂覆洗凈的基板。利用旋涂器進(jìn)行涂覆工藝，但可通過噴涂、噴墨、接觸印刷或任何其它能夠獲得所需HCL膜厚度的沉積方法進(jìn)行類似涂覆。旋涂HIL油墨(來自實施例7、8或9)，然后在175°C下干燥30分鐘，使獲得厚170nm的層。在氮氣氛下通過旋涂涂覆活性層(P3HT/PCBM(亞甲基富勒烯[6，6]-苯基C61-丁酸甲酯)按2:1重量比混合))，在175。C下進(jìn)行退火處理30分鐘，獲得200nm厚的層。將該膜旋涂在HIL膜上，對HIL沒有明顯的形態(tài)損害(獨立地通過原子力顯微鏡，AFM得到驗證)。然后將基板轉(zhuǎn)移至真空箱，其中，通過物理氣相沉積，沉積陰極層。在此實施例中，陰極層通過依次沉積兩層金屬層而制得，第一層為5nm的Ca層(O.lnm/sec)，接著是200nm的Al層(0.5nm/sec)，基壓(basepressure)為5x10國7托。通過UV光固化環(huán)氧樹脂(80W/cm2UV曝光4分鐘)用蓋玻片密封所得器件避免其曝露在環(huán)境條件中。實施例15-OPV測試在此實施例中制得的OPVs代表實際應(yīng)用中使用的形式，本發(fā)明涵蓋其全部，只是限定了在器件堆疊(devicestack)中存在本文所述的HIL。下面所述的測試實施例僅用于評價OPV性能，而不是唯一用于電尋址(electricallyaddress)OPV的方法。OPVs包括玻璃基板上的像素，其電極延伸至器件的密封區(qū)域以外，該器件包含像素的捕光部分。每像素的一般區(qū)域為0.09cm2。電極與電流源表如Keithley2400源表接觸，其中對氧化銦錫電極施加偏壓，同時將鋁電極接地。然后使電極保持在Orid300W太陽光模擬器的平面波前下，所述太陽光模擬器配備了氙燈，其與太陽光模擬器的光學(xué)裝置距離20cm。像素上的入射光的光功率(opticalpower)為100mW/cm2，而太陽光模擬器產(chǎn)生的光的實際光譜近似于太陽產(chǎn)生的光的光譜，其對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)AirMass1.5GlobalFilter或AM1.5G光譜。由此照射的像素吸收了光并產(chǎn)生光電流。光電流包括正電荷(空穴)和負(fù)電荷(電子)，其取決于施加的偏電壓，并通過電極而收集。光電流通過Keithley2400源表讀取。這樣，產(chǎn)生的光電流作為向像素施加的電壓的函數(shù)而測量。短路電流(在零伏特偏壓照射下產(chǎn)生的電流)表示空穴被空穴提取層提取的效率。此外，開路電壓和填充系數(shù)與短路電流一起測定器件的整體效率。圖7示出了一般的導(dǎo)電聚合物光電池。圖8示出了代表性數(shù)據(jù)。下表I提供其它的數(shù)據(jù)表I<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>圖8中示出的效率(3.38%)基本與同一生產(chǎn)工序下的BaytronAI4083對照器件基本相同(當(dāng)前材料)。圖16示出了以CH8000和實施例IIB作為空穴提取層制成的有機光電池的功率輸出的衰退。器件放置在產(chǎn)生2suns光輸出(2sunsoflightoutput)的燈下，其在85。C的溫度下操作。實施例-OLED器件的制造下面所述的器件制造僅作為實例，而并非將所述制造工藝、器件構(gòu)造(層順序、層數(shù)目等)或本發(fā)明要求保護(hù)的HIL材料以外的材料局限于此。本文所述的OLED器件是在沉積在玻璃基板上的氧化銦錫(ITO)表面制成。ITO表面預(yù)先圖案化將像素面積限定為0.9cm2。通過在稀釋的皂液中超聲降解和隨后的蒸餾水清洗(各20分鐘)將器件基板洗凈。接著在異丙醇中超聲降解。在氮氣流下干燥基板，然后在300W下操作的UV-臭氧器中處理20分鐘。然后用空穴注入層涂覆洗凈的基板，在200°C下干燥15分鐘(60nm干膜厚度)。利用旋涂器完成涂覆，但可通過噴涂、噴墨、接觸印刷或任何其它能夠獲得所需HIL膜厚度的沉積方法進(jìn)行類似涂覆。然后旋涂發(fā)光聚合物(LEP)層，發(fā)光聚合物層再在170°C下干燥15分鐘(75nm干膜厚度)。然后將基板轉(zhuǎn)移至真空箱，其中，通過物理氣相沉積，沉積陰極層。在此實施例中，陰極層通過依次沉積兩層金屬層而制得，第一層為5nm的Ca(或Ba)層(O.lnm/sec)，接著是200nm的Al層(0.5nm/sec)，基壓為5x10-7托。通過UV光固化環(huán)氧樹脂(80W/cm2UV曝光4分鐘)用蓋玻片密封所得器件避免其曝露在環(huán)境條件中?；旌蟂MOLED器件的制造下面所述的器件制造僅作為實例，而并非將所述制造工藝、器件構(gòu)造(層順序、層數(shù)目等)或本發(fā)明要求保護(hù)的HIL材料以外的材料局限于此。代表性的器件是混合器件構(gòu)造的實例，其涉及溶液加工的(solutionprocessed)空穴注入層(HIL)和氣相沉積的N,N，-二(亞萘-l-基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)空穴傳輸層和三(8-羥基喹啉)鋁(ALQ3)電子傳輸層(ETL)和發(fā)光層，其中以預(yù)先圖案化的ITO作為陽極并以LiF和Al作為陰極。本文所述的混合SMOLED器件是在沉積在玻璃基板上的氧化銦錫(ITO)表面制成。ITO表面預(yù)先圖案化將像素面積限定為0.9cm2。通過在稀釋的皂液中超聲降解和隨后的蒸餾水清洗(各20分鐘)將器件基板洗凈。接著在異丙醇中超聲降解。在氮氣流下干燥基板，然后在300W下操作的UV-臭氧器中處理20分鐘。然后用空穴注入層(HIL)涂覆洗凈的基板。利用旋涂器完成涂覆，但可通過噴涂、噴墨、接觸印刷或任何其它能夠獲得所需HIL膜厚度的沉積方法進(jìn)行類似涂覆。然后在惰性手套箱環(huán)境中200°C下對旋涂的HIL進(jìn)行退火處理15分鐘，獲得膜的厚度為60nm。然后將基板轉(zhuǎn)移至真空沉積室中，其中，通過物理熱沉積(physicalthermaldeposition),沉積作為空穴傳輸層的有機材料-NPB和作為電子傳輸和發(fā)光層的ALQ3。分別獲得各70nm厚的NPB層和ALQ3層。然后沉積陰極，所述陰極是依次沉積兩層金屬層而得，第一層為0.5nm厚的LiF層，接著是200nm的Al層。下表總結(jié)了器件制造的沉積參數(shù)。操作開始時的一般基壓為5.0xl0^托。<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>*一般范圍通過UV光固化環(huán)氧樹脂(80W/cm2UV曝光4分鐘)用蓋玻片密封所得器件避免其曝露在環(huán)境條件中。器件的測試(OLED/SMOLED):在此實施例中制得的OLED代表實際應(yīng)用中使用的形式，本發(fā)明涵蓋其全部，只是限定了在器件堆疊中存在本文所述的HIL。下面所述的測試實施例僅用于評價OLED性能，而不是唯一用于電尋址OLED的方法。OLEDs包括玻璃基板上的像素，其電極延伸至器件的密封區(qū)域以外，該器件包含像素的發(fā)光部分。每像素的一般區(qū)域為0.09cm2。電極與電流源表如Keithley2400源表接觸，其中對氧化銦錫電極施用偏壓，同時將鋁電極接地。其結(jié)果是，正電荷載體(空穴)和負(fù)電荷載體注入器件中，形成激子(excitons)并產(chǎn)生光。在此實施例中，HIL有助于電荷載體注入發(fā)光層中。這使得器件的操作電壓低(定義為在給定的電流密度下通過像素所需的電壓)。同時，使用另一Keithley2400源表對大面積的硅光電二極管定址(address)。該光電二極管通過2400源表維持在零伏特偏壓。將其置于OLED像素發(fā)光區(qū)域的下方使之與玻璃基板直接接觸。光電二極管收集由OLED產(chǎn)生的光，并將其轉(zhuǎn)換成光電流，然后通過源表讀取。通過MinoltaCS-200色度儀進(jìn)行校準(zhǔn)將產(chǎn)生的光電二極管電流被量化成光學(xué)單位(坎德拉/平方米)。測試器件期間，Keithley2400對定址的OLED像素施加電壓掃描。測量通過該像素的電流。此時，通過OLED像素的電流產(chǎn)生光，然后以光電流的形式被與光電二極管連接的另一Keithley2400讀取。這樣，產(chǎn)生了像素的電壓-電流-光或IVL數(shù)據(jù)。這反過來能夠測量器件的其它特性如對像素的每輸入功率的流明和每安培像素電流的坎德拉。圖9示出有機發(fā)光二極管(OLED)的示意圖。表II和圖10-14提供器件的測試數(shù)據(jù)。說明了不同OLED類型的實施例中不同的HILs的性能。值得注意的是，一般的性能通過組合不同的參數(shù)如操作電壓(應(yīng)該低)、亮度(單位為尼特)(應(yīng)該明亮，發(fā)光效單位為cd/A(反映出所需用以從器件獲得光的電荷)和操作壽命(達(dá)至測試開始時初始亮度一半的所需時間)而量化。這樣，整體性能對于于HIL性能的比較性評價是非常重要的。以下，將根據(jù)待評價的器件類型，進(jìn)行分門的說明。1)OC1C10:從圖10的數(shù)據(jù)得知，根據(jù)HILs的組成，能夠獲得等同于PEDOT的電壓性能，且甚至獲得大于PEDOT的效率。值得注意的是，在這些器件中，效率受發(fā)光體而不是受所用的HIL的限制。在實施例8中，7V下，器件的亮度高達(dá)1200尼特。2)市售發(fā)光器h由于這些器件中使用的發(fā)光層具有高量子效率，其捕捉來自電荷載體的光的固有能力高。其結(jié)果是，如圖11所示，這些情況中的效率高達(dá)8-11cd/A。圖12還示出了根據(jù)組成，本文所述的HILs實施例的電壓和效率兩者可以調(diào)整到與PEDOT相等。3)市售發(fā)光器2:在市售發(fā)光器2(圖12)的情況中，三層器件構(gòu)造(其中在HIL和發(fā)光層之間使用附加的緩沖層)作為測試的器件構(gòu)造。觀察到，實施例7的操作電壓、亮度和效率與PEDOT相當(dāng)。4)SMOLED器件圖13提供了混合器件中不同HILs的性能的概述。HILs實施例的操作電壓與PEDOT所獲得的相比很好。此外，效率數(shù)據(jù)證明所有HILs實施例的性能超越了PEDOT。圖14清楚地展示了HILs實施例的優(yōu)越性能的這一最重要結(jié)果。該圖示出了當(dāng)器件在恒定DC電流下受壓時，亮度從1000尼特的初始高度隨時間的衰減。觀察到，作為HIL時，實施例7的壽命性能與PEDOT有很大不同。PEDOT的半衰期不大于50-60hrs，然而以實施例7作為HIL的器件在此時間下沒有顯示出亮度的衰減。隨器件測試時間的增加，預(yù)料亮度最終會衰減。然而，即使僅收集了50小時的數(shù)據(jù)，也足以看出實施例7的性能遠(yuǎn)高于PEDOT。圖17示出了基于OC1C10的OLED器件的電流電壓亮度性能，比較PEDOT和本文所述的HIL384.1。觀察到相對PEDOT而言，本發(fā)明的ttttt^tt/*h本nrt丄Lt平1守到促同。圖18示出了基于市售發(fā)光器1的OLED器件的電流電壓亮度性能，比較CH8000和實施例IIC。數(shù)據(jù)顯示，該HIL的性能與CH8000相當(dāng)。圖19示出了包含市售發(fā)光器1的器件在70°C下、無源矩陣測試條件下的亮度衰減。觀察到含有該器件的實施例11C的壽命優(yōu)于CH8000。圖20示出了基于市售發(fā)光器2的OLED器件的電流電壓亮度性能，比較CH8000和實施例IIC。數(shù)據(jù)顯示，該HIL的性能與CH8000相當(dāng)。圖21示出了包含市售發(fā)光器2的器件在無源矩陣測試條件下的亮度衰減。觀察到室溫下HIL665器件的壽命優(yōu)于PEDOT。在高溫下，壽命性能會有很大的變化。盡管PEDOT性能在高溫下退化，但HIL665的性能在85。C依然保持與室溫下的性能相當(dāng)。圖22示出了基于SMOLED器件的電流電壓亮度性能，比較CH8000和實施例7。獲得改善的操作電壓，效率僅有少許損失。圖23示出了在室溫和DC電流下，1,000尼特的初始亮度下，比較包含CH8000和實施例7的SMOLED器件的亮度衰減。表II<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>ESD涂料配方的實施例:向20mL小瓶加入0.57%磺化ICP水溶液(4.93g)，用二甲基乙醇胺將pH調(diào)整至中性。恒定攪拌下，向此溶液加入DI水(3.78g)和聚氨酯分散體(0.84g，WitcobondW國240)。然后加入丁基溶纖劑(5.45g)，在75°C的加熱板上加熱10分鐘，并猛烈攪拌該溶液。<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>權(quán)利要求1.一種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩含有(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基為酸形式。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有有機基團(tuán)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有有機陽離子且不含金屬。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有金屬陽離子。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩是立體規(guī)則性頭尾偶聯(lián)的聚(3-取代噻吩)，除磺化之外，其立體規(guī)則度為至少約90%。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩是立體規(guī)則性頭尾偶聯(lián)的聚(3-取代噻吩)，除磺化之外，其立體規(guī)則度為至少約98%。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩是被摻雜的。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基包括至少一個雜原子。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基是烷氧基取代基或烷基取代基。13.根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其中所述聚噻吩是交替共聚物。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩由聯(lián)噻吩單體制備。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其中所述聚噻吩是噻吩均聚物、含有噻吩單元的共聚物或含有至少一個聚噻吩嵌段的嵌段共聚物。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩為交聯(lián)形式。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩的特征在于其酸值為約250mg或以下的KOH/g聚合物。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩的特征在于磺化度為約25%-約75%。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩的特征在于磺化度為約50%-約90%。20.根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的，所述聚噻吩是均聚物，其中有機取代基為垸氧基取代基或烷基取代基，且其中聚噻吩的酸值為約50mg-約250mgKOH/g聚合物。21.根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的，其中聚噻吩是含有抗衡離子的鹽形式，其中抗衡離子含有有機基團(tuán)。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性和被摻雜的，其中聚噻吩是立體規(guī)則性聚噻吩，其立體規(guī)則度為至少約90%，且其中聚噻吩為酸形式。23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基包括至少一個烷撐二醇單元。24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基包括多個垸撐二醇單元。25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基包括至少一個乙撐氧基單元。26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基包括至少三個氧原子。27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述有機取代基包括甲氧基乙氧基乙氧基單元。28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩包括聚合的聯(lián)噻吩單體，且所述有機取代基包含烷撐氧基單元。29.根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其中所述聚噻吩包括均聚物，且所述有機取代基包含烷撐氧基單元。30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述聚噻吩由式(I)表示，且R基團(tuán)包括至少兩個烷撐氧基單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>31.權(quán)利要求1所述組合物的制備方法，其包括將含有(i)至少一個有機取代基的可溶性立體規(guī)則性聚噻吩與磺化劑反應(yīng)，使所述聚噻吩含有至少一個磺酸酯取代基，所述磺酸酯取代基含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述磺化劑是硫酸。33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述磺化劑是硫酸鹽/酯化合物。34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中反應(yīng)的聚噻吩是摻雜的。35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少10%。36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少50%。37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少75%。38.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述磺化劑為硫酸，且所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少75%。39.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述磺化劑為硫酸，所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少75%，且其中所述聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約90%的立體規(guī)則性聚噻吩。40.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述反應(yīng)獲得的磺化度為至少50%,且其中所述聚噻吩是立體規(guī)則度為至少約98%的立體規(guī)則性聚噻吩。41.一種涂料組合物，其包括(A)水，(B)水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連，(C)不同于(B)的合成聚合物。42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括有機助溶劑。43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括有機助溶劑，其中水的重量大于有機助溶劑的重量。44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括不同于(B)和(C)的第二合成聚合物。45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物是水溶性聚合物。46.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物具有的碳骨架是側(cè)基上具有極性基團(tuán)的碳骨架。47.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物(C)的重量為所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的重量的至少三倍。48.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其中所述合成聚合物(C)的重量為所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的重量的至少五倍。49.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量為(B)和(C)總量的約5wt.n/。-約25wt.%。50.根據(jù)權(quán)利要求41所述的涂料組合物，其進(jìn)一步包括有機助溶劑，其中水的重量大于有機助溶劑的重量，其中所述合成聚合物(C)的重量為所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的重量的至少三倍，且所述立體規(guī)則性聚噻吩(B)的量為(B)和(C)總量的約5wt。/。-約25wt.%。51.制造涂料組合物的方法，其包括(A)提供水，(B)提供水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的硫與聚噻吩骨架直接相連，(C)提供不同于(B)的合成聚合物，(D)以任何順序組合(A)、(B)和(C)以形成涂料組合物。52.—種涂覆的基板，其包括固體表面，設(shè)置在固體表面的涂料，其中所述涂料包括一種組合物，所述組合物包括水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。53.—種涂覆的基板，其包括(B)水溶性、水分散性、或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，(C)不同于(B)的合成聚合物，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯硫與聚噻吩骨架直接相連。54.一種器件，其包括含有權(quán)利要求1所述組合物的層。55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其中所述層是空穴注入層或空穴傳輸層。56.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其中所述器件是OLED器件。57.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其中所述器件是PLED器件。58.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其中所述器件是SMOLED器件。59.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其中所述器件是光電器件。60.根據(jù)權(quán)利要求54所述的器件，其中所述器件包括至少兩個電極和至少--層發(fā)光層或光敏層。61.一種器件，其包括權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述器件是傳感器、超級電容器、陽離子傳感器、藥物釋放裝置、電致變色器件、晶體管、場效應(yīng)晶體管、修飾電極、用于有機場效應(yīng)晶體管的修飾電極、致動器或透明電極。62.包括權(quán)利要求1所述組合物的器件，其中所述組合物是電極上的涂料。63.包括權(quán)利要求1所述組合物的器件，其中所述組合物是金電極上的涂料。64.包括空穴注入層或空穴傳輸層的器件，其中所述層包括磺化的導(dǎo)電聚合物。65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的器件，其中所述導(dǎo)電聚合物是雜環(huán)導(dǎo)電聚合物。66.根據(jù)權(quán)利要求64所述的器件，其中所述導(dǎo)電聚合物是聚噻吩。67.根據(jù)權(quán)利要求64所述的器件，其中所述導(dǎo)電聚合物是立體規(guī)則性聚噻吩。68.—種組合物，其包括水溶性或水分散性立體規(guī)則性雜環(huán)聚合物，所述聚合物包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚合物骨架直接相連。69.—種組合物，其包括水溶性、水分散性或吸水膨脹的立體規(guī)則性聚噻吩，所述立體規(guī)則性聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。70.—種組合物，其包括水溶性、水分散性或吸水膨脹的聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連，其中所述聚噻吩骨架包含交替結(jié)構(gòu)。71.—種組合物，其包括水溶性或水分散性聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。72.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基為酸形式。73.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式。74.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有有機基團(tuán)。75.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有有機陽離子且不含金屬。76.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述磺酸酯取代基是含有抗衡離子的鹽形式，其中所述抗衡離子含有金屬陽離子。77.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述聚噻吩是水溶性的。78.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述有機取代基包括至少一個雜原子。79.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述有機取代基是垸氧基取代基或垸基取代基。80.根據(jù)權(quán)利要求71所述的組合物，其中所述聚噻吩是交替共聚物。81.—種組合物，其包括水溶性或水分散性雜環(huán)聚合物，所述聚合物包括(i)至少一個有機取代基和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚合物骨架直接相連。82.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物包括聚噻吩。83.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩。84.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物包括立體規(guī)則度為至少90%的立體規(guī)則性聚噻吩。85.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物是第一聚合物，且所述組合物進(jìn)一步包括至少一種不同的第二聚合物。86.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物是第一聚合物，且所述組合物進(jìn)一步包括至少一種不同的第二聚合物，和至少一種不同于第一和第二聚合物的第三聚合物。87.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述組合物是在水性溶劑體系中配制的，所述水性溶劑體系任選含有至少一種有機溶劑。88.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述有機取代基含有垸撐氧基單元。89.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩，且所述組合物是在水性溶劑體系中配制的，所述水性溶劑體系任選含有至少一種有機溶劑，所述有機取代基含有烷撐氧基單元。90.根據(jù)權(quán)利要求81所述的組合物，其中所述聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩，且磺化度為至少30%，其有機取代基含有烷撐氧基單元。91.一種器件，其包含靜電消散(ESD)材料，所述ESD材料包括至少一種水溶性或水分散性聚合物，所述聚合物包括立體規(guī)則性聚噻吩，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基；和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其含有的磺酸酯的硫與聚噻吩骨架直接相連。92.根據(jù)權(quán)利要求91所述的器件，其中所述ESD材料進(jìn)一步包括至少一種聚合物，所述聚合物不是立體規(guī)則性聚噻吩。93.根據(jù)權(quán)利要求91所述的器件，其中包括立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物的數(shù)均分子量為約5,000-約50,000。94.根據(jù)權(quán)利要求91所述的器件，其中包括立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物是均聚物。95.根據(jù)權(quán)利要求91所述的器件，其中包括立體規(guī)則性聚噻吩的聚合物的是共聚物。96.根據(jù)權(quán)利要求91所述的器件，其中所述立體規(guī)則性聚噻吩的立體規(guī)則度為至少85%。97.減少器件上的靜電荷的方法，其包括用包含聚噻吩的涂料涂覆所述器件，所述聚噻吩包括(i)至少一個有機取代基；和(ii)至少一個磺酸酯取代基，其包含的硫與聚噻吩骨架直接相連。98.根據(jù)權(quán)利要求96所述的方法，其中所述涂料進(jìn)一步包括至少一種不包括聚噻吩的聚合物。全文摘要空穴注入或傳輸層用導(dǎo)電聚合物系統(tǒng)包括含有水溶性或水分散性立體規(guī)則性聚噻吩的組合物，所述立體規(guī)則性聚噻吩含有(i)至少一個有機取代基，和(ii)至少一個磺酸酯取代基，所述磺酸酯取代基含有的磺酸酯硫與聚噻吩骨架直接相連。聚噻吩可以是水溶性、水分散性或吸水膨脹性。它們可以自摻雜。有機取代基可以是烷氧基取代基或是烷基取代基。可應(yīng)用在OLED、PLED、SMOLED、PV和ESD中。文檔編號C08G61/12GK101563388SQ200780034724公開日2009年10月21日申請日期2007年7月13日優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日發(fā)明者克里斯托弗·格雷科,布賴恩·伍德沃斯,文卡塔拉曼南·塞沙德里,達(dá)林·萊爾德,馬修·馬塔伊申請人:普萊克斯托尼克斯公司