專利名稱：：用于塑料容器的picvd涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及塑料容器以及用于在塑料容器上施加涂層的方法。
背景技術(shù)：
：諸如塑料瓶的塑料空心容器大多具有對(duì)于所考慮的應(yīng)用目的尚不足的氣體阻擋作用。諸如二氧化碳的氣體例如可以從容器擴(kuò)散出來或者進(jìn)入其中。該效應(yīng)大多是非期望的。該效應(yīng)特別是縮短在這些容器中所盛放的飲料的儲(chǔ)存耐久性。為了通過塑料容器在其他許多方面的優(yōu)點(diǎn)克服這些缺點(diǎn)，開發(fā)了用于施加阻擋層或擴(kuò)散阻擋層的技術(shù)。為了減少氣體和液體的滲透以及保護(hù)塑料材料免受化學(xué)侵蝕或uv輻射，諸如三維空心體的基材優(yōu)選具有阻擋涂層。通過涂層可以用廉價(jià)的普通塑料達(dá)到與昂貴的特殊塑料相同的性能，并且在藥物包裝領(lǐng)域通過此類普通塑料例如代替玻璃。用于施加該層的特別有效且廉價(jià)的技術(shù)是化學(xué)氣相沉積(CVD)。在CVD法中通過化學(xué)反應(yīng)性氣體混合物沉積層，該氣體混合物包圍待涂覆的表面。特別是氧化物層，如SKX層，也稱作擴(kuò)散阻擋層?？梢酝ㄟ^加熱或者通過引入能量電離工藝氣體而產(chǎn)生用于CVD涂覆的化學(xué)反應(yīng)性氣體混合物。因?yàn)樗芰贤ǔ岱€(wěn)定性不足，或者具有低的軟化點(diǎn)，所以CVD涂覆在溫度作用下不合適于涂覆塑料表面。但是在此，提供了等離子體輔助的CVD涂覆(PECVD)的可能性。因?yàn)樵诖送ㄟ^等離子體也加熱了待涂覆的表面，所以等離子體脈沖誘導(dǎo)的CVD涂覆(PICVD)特別適合于在諸如塑料的溫度敏感性材料上施加涂層。然而目前通過PECVD在塑料上施加的SiOj且擋層通常具有小的耐堿性。如檢測(cè)所示，已經(jīng)從大于或等于5的pH值開始連同特定的離子濃度或特定的液體電導(dǎo)一起以平面方式完全腐蝕掉阻擋層。在此已證明，與通過滲透過濾器壓制的水或完全脫鹽水相比，靜止的礦泉水和自來水對(duì)于層穩(wěn)定性更加關(guān)鍵。pH值和/或灌裝的產(chǎn)品的填充溫度或儲(chǔ)存溫度越高，則侵蝕過程進(jìn)行得越快。所以此類層的缺點(diǎn)在于，在塑料和液體之間具有該阻擋層的塑料容器中儲(chǔ)存相應(yīng)的液體之后，涂層的阻擋作用嚴(yán)重降低，這取決于pH值和儲(chǔ)存條件或填充條件。阻擋作用甚至可能根本不再存在。一些飲料，如綠茶、咖啡和牛奶制品，以及特別是靜止的或僅弱碳化的礦泉水，它們的pH值為6.5至7.5。在此，為了在塑料包裝中達(dá)到典型的儲(chǔ)存耐久性，需要在室溫(23°C)下的儲(chǔ)存耐久性為6至12個(gè)月的耐受pH的阻擋層。在一些國(guó)家，諸如綠茶或咖啡的某些產(chǎn)品在熱的情況下，即在最高95i:的溫度下進(jìn)行灌裝，隨后在室溫下儲(chǔ)存最多6個(gè)月，從而在銷售之后于6(TC下儲(chǔ)存最多14天。開發(fā)了將這些產(chǎn)品在喝掉之前的短時(shí)間內(nèi)才利用微波進(jìn)行加熱。這例如用于飲料自動(dòng)售貨機(jī)中。在這些條件下也需要提供耐受pH的阻擋層。對(duì)于藥物的包裝材料，需要對(duì)于相應(yīng)的阻擋層在室溫下通常儲(chǔ)存3至5年時(shí)pH值最高為10的pH穩(wěn)定性。加速的測(cè)試模擬在60'C下存儲(chǔ)超過6個(gè)月的情況。對(duì)于用于包裝例如精細(xì)化學(xué)品、制動(dòng)液、清潔劑等的技術(shù)包裝材料的要求想到對(duì)藥物包裝材料的要求。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是，以如下方式進(jìn)一步形成阻擋層，當(dāng)其與pH值大于5，特別是大于6.5的介質(zhì)接觸時(shí)，在室溫下保持其阻擋作用至少6個(gè)月。本發(fā)明的另一個(gè)目的是，提供具有阻擋作用的層，其阻擋作用即使在與pH值最高為10的介質(zhì)接觸時(shí)于室溫下仍然保持其阻擋作用至少3年。此外，本發(fā)明的一個(gè)目的是，在6(TC的溫度下于具有阻擋層的塑料容器中可以儲(chǔ)存pH值為6.5至7.5的產(chǎn)品最多14天，而不會(huì)明顯損壞阻擋層。該目的是通過復(fù)合材料令人吃驚地以簡(jiǎn)單的方式由本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的。此外，本發(fā)明還提供用于制備該復(fù)合材料的方法。本發(fā)明提供一種復(fù)合材料，其包括基材和該基材上的涂層。在此，該涂層具有至少一個(gè)朝向基材的第一區(qū)域和至少一個(gè)背向基材的第二區(qū)域。第一區(qū)域包括阻擋層，而第二區(qū)域包括鈍化層。根據(jù)本發(fā)明，鈍化層優(yōu)選為所謂的"頂涂層"，即從基材看是涂層的最后層。通過鈍化層提供阻擋層的保護(hù)層，其用于防護(hù)特別是通過腐蝕的侵蝕。所以，與涂層不具有鈍化層的材料相比，根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合材料對(duì)于有效的阻擋具有明顯延長(zhǎng)的壽命。通過施加鈍化層，連接類型與阻擋層相比發(fā)生如下影響，至少延遲了阻擋層的分解，在大多數(shù)情況下甚至基本上避免了分解。對(duì)于未使用的復(fù)合材料已經(jīng)可以確定特殊的尺寸，其與在使用過程中顯示的本發(fā)明涂層提高的壽命相關(guān)，該尺寸由本發(fā)明以O(shè)參數(shù)和N參數(shù)的形式發(fā)現(xiàn)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，鈍化層利用ATR(衰減全反射)測(cè)得的O參數(shù)在0.4至0.9的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.45至0.55的范圍內(nèi)，其中1253cm"時(shí)的強(qiáng)度O參數(shù)=-^-^-。1000cm"至1100cm"時(shí)的強(qiáng)度1000cm'1至1100cm"范圍內(nèi)的強(qiáng)度值以如下方式求得強(qiáng)度(IOOOcm"至1100cm")=max[強(qiáng)度(1000cm"，強(qiáng)度(IIOOcm-1)]這意味著，取強(qiáng)度在1000cm"至1100cm"范圍內(nèi)出現(xiàn)的最大值。所感興趣的峰的波數(shù)取決于試樣各自特殊的結(jié)構(gòu)。該強(qiáng)度在ATR測(cè)量中以任意的單位(a.u.)作為"吸收率"加以測(cè)定。優(yōu)選地，鈍化層利用ATR(衰減全反射)測(cè)得的N參數(shù)在0.7至1.6的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.83至1.01的范圍內(nèi)，其中840cm—'時(shí)的強(qiáng)度N參數(shù)=-o799cm—'時(shí)的強(qiáng)度在制備鈍化層時(shí)，根據(jù)本發(fā)明釆用CVD，優(yōu)選PICVD法，其中使用有機(jī)硅或有機(jī)金屬化合物作為前體。優(yōu)選使用HMDSO作為前體，以在阻擋涂層上產(chǎn)生作為鈍化層的未極化的有機(jī)覆蓋層。己表明，根據(jù)本發(fā)明的鈍化層具有其有利的作用，其條件是存在特征性物質(zhì)用SIMS測(cè)得的信號(hào)的特定強(qiáng)度比。根據(jù)本發(fā)明，復(fù)合材料的鈍化層利用SIMS(二次離子質(zhì)譜)測(cè)得的C3和Si的強(qiáng)度I信號(hào)的強(qiáng)度比Ic3/si在2.5至7的范圍內(nèi)。此外優(yōu)選地，利用SIMS(二次離子質(zhì)譜)測(cè)得的Si02和Si的強(qiáng)度I信號(hào)的強(qiáng)度比Isi02/si在40至3的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明，利用SIMS(二次離子質(zhì)譜)測(cè)得的SiH和Si的強(qiáng)度I信號(hào)的強(qiáng)度比IsiH/si為15至10。在本發(fā)明的范疇內(nèi)，已經(jīng)證明包含SixOzCy的鈍化層是特別穩(wěn)定的。在此，x為18至23。對(duì)于優(yōu)選的鈍化層，x等于21。y的值為41至58，優(yōu)選為44至55。特別優(yōu)選地y等于48。z的值為23至38，優(yōu)選為25至36，特別優(yōu)選地z等于31。x、y與z之和為100。x、y和z的數(shù)值是以原子X再次給出，并通過MCs+分析加以確定。該分析方法是一種用于定量SIMS檢驗(yàn)的技術(shù)，其中檢測(cè)在用銫一次離子進(jìn)攻待測(cè)試的材料后生成的MCs+二次離子。在此，M代表待驗(yàn)證的元素。MCs+離子通過將濺射的中性M離子與注入并再次濺射的Cs+離子相結(jié)合而形成。本發(fā)明特別是能夠通過采用PICVD法而在溫度敏感性基材或阻擋層上施加鈍化層。所以，優(yōu)選通過本發(fā)明提供復(fù)合材料，其具有包括至少一種塑料的基材，特別是至少一種聚酯和/或至少一種聚烯烴和/或至少一種可堆肥(kompostierbar，生物可降解)的溫度敏感性塑料。該基材例如可以包括PE禾口/或PP和/或PET禾口/或PEN和/或LDPE禾口/或HDPE和/或PC和/或COC/COP和/或PLA。但是在本發(fā)明的范疇內(nèi)，該基材也可以包括紙張和/或至少一種復(fù)合材料。通?？梢允褂肨e低于25(TC的材料作為該基材。根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合材料，優(yōu)選使用鈍化層，以保護(hù)阻擋涂層在容器中，如瓶子或塑料杯，例如特別是在飲料自動(dòng)售貨機(jī)中所提供的，避受侵蝕，而對(duì)于傳統(tǒng)的容器由于與在容器中灌裝的液體相接觸而侵蝕容器材料。因此，本發(fā)明提供一種包括空心體的容器，其中該空心體確定內(nèi)部空間，并具有至少一個(gè)將內(nèi)部空間與空心體周圍相連通的開口。開口例如可以位于飲料瓶的瓶頸中或者在杯子的上開口側(cè)?？招捏w包括至少一種如上所述的復(fù)合材料。鈍化層優(yōu)選朝向空心體的內(nèi)部空間。此外，為了制備根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合材料，本發(fā)明提供包括下列步驟的方法a)在處理空間中提供至少一個(gè)具有阻擋層的基材，b)將處理空間抽真空，c)通過等離子體脈沖誘導(dǎo)的CVD涂覆(PICVD涂覆)產(chǎn)生鈍化層。在本發(fā)明的范疇內(nèi)，該基材例如可以其內(nèi)部具有阻擋涂層的容器的形式提供。DE10253512.4-45描述了采用PICVD涂覆此類容器。將該用于實(shí)施內(nèi)部涂覆容器的PICVD法的文獻(xiàn)的內(nèi)容并入本申請(qǐng)作為參考。在產(chǎn)生鈍化層時(shí)，優(yōu)選主要使用HMDSO作為前體，以實(shí)現(xiàn)在阻擋層上基本上非極性的有機(jī)覆蓋層。通過背向基材的阻擋層區(qū)域在其結(jié)構(gòu)中變得密實(shí)，從而也可以額外地或者選擇性地產(chǎn)生鈍化層。為此根據(jù)本發(fā)明，在產(chǎn)生鈍化層時(shí)將處理空間接地(geerdet)，并在氣體噴管與接地的處理空間之間設(shè)置高頻偏磁(HF-Bias)。由此將在實(shí)施PICVD法時(shí)沉積的顆粒以如下方式排出氣體噴管，并因此移動(dòng)至位于氣體噴管與處理空間的壁之間的基材上，在沖擊存在于基材上的阻擋層時(shí)它們由于"打入(Einschlage)"而使沉積的顆粒變得密實(shí)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在產(chǎn)生鈍化層時(shí)將重離子，特別是惰性氣體離子，如Ar和域Xe，混入前體氣體中，以使鈍化層變得密實(shí)。在產(chǎn)生鈍化層時(shí)，優(yōu)選使用MW范圍內(nèi)的頻率，特別是2.45GHz，或者使用高頻HF以激發(fā)等離子體，因?yàn)橐呀?jīng)表明使阻擋層所涉及的區(qū)域變得密實(shí)是特別有效的。下面根據(jù)實(shí)施例參考附圖更詳細(xì)地闡述本發(fā)明。同樣的組件在所有附圖中均采用相同的標(biāo)記。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的復(fù)合材料的縱截面示意圖；圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的復(fù)合材料的縱截面示意圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的具有復(fù)合材料的容器的縱截面示意圖4所示為在不同的前體濃度下制備的4種根據(jù)本發(fā)明的鈍化層的ATR分析結(jié)果的曲線圖5所示為在前體濃度為45%的HMDSO時(shí)制備的鈍化層的ATR測(cè)量結(jié)果的曲線圖6所示為本發(fā)明復(fù)合材料的2個(gè)SIMS強(qiáng)度-濺射時(shí)間曲線圖；圖7所示為用于測(cè)定靈敏系數(shù)以分析結(jié)果的示意圖；層的組成(上圖)和相對(duì)的SIMS-靈敏系數(shù)(下圖)；圖8所示為用于根據(jù)第一實(shí)施方案實(shí)施本發(fā)明方法的示意圖；圖9所示為用于根據(jù)第二實(shí)施方案實(shí)施本發(fā)明方法的示意圖；圖IO所示為用于根據(jù)第三實(shí)施方案實(shí)施本發(fā)明方法的示意圖。具體實(shí)施例方式根據(jù)圖1所示，復(fù)合材料1包括基材2和涂層3。涂層3具有朝向基材2的第一區(qū)域31以及背向基材2的第二區(qū)域32。涂層3包括阻擋層4和鈍化層5作為頂涂層。阻擋層阻擋在基材2周圍與同復(fù)合材料1相接觸的介質(zhì)之間的物質(zhì)交換，該基材2周圍如圖1所示對(duì)應(yīng)于與基材2下方相鄰接的區(qū)域，而該介質(zhì)的位置如圖1所示與鈍化層5相接觸。鈍化層5保護(hù)阻擋層4免受此類介質(zhì)的侵蝕。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，涂層3除了阻擋層4和鈍化層5以外還包括粘結(jié)劑層8以改善涂層在基材2上的粘著性。圖2中顯示了此類復(fù)合材料。該復(fù)合材料特別適合于容器的內(nèi)涂層。圖3中顯示了該容器6。容器6包括具有內(nèi)部空間15的空心體10。通過開口12可以將諸如飲料的介質(zhì)裝入內(nèi)部空間中，或者從內(nèi)部空間15取出。內(nèi)部空間15通過鈍化層5與阻擋層4分離。為了改善層體系的粘著性，在阻擋層4與基材之間施加粘結(jié)劑層8。對(duì)于圖1至3中所示的實(shí)施例，利用SIMS分析所涉及的涂層。此外還實(shí)施ATR測(cè)量。在制備層時(shí)，對(duì)于鈍化層使用前體HMDSO，對(duì)于阻擋層使用前體HMDSN。對(duì)于鈍化層，前體在氣體混合物中的濃度從17%經(jīng)過45%和73%直至100%而改變。對(duì)于HMDSN，從1.2%經(jīng)過45%直至100%而改變。圖4所示為具有可變的前體濃度的鈍化層在其制備時(shí)的ATR譜圖。在特征波數(shù)時(shí)可以證明特定的連接類型。圖5單獨(dú)所示為使用在涂覆氣體混合物中45。％的HMDSO作為前體制造的鈍化層的ATR譜圖。由在波數(shù)為840cm"、799cm"、1253cm"、1000cm"和1100cm"時(shí)測(cè)得的強(qiáng)度值，確定有機(jī)組份和層內(nèi)交聯(lián)的由ATR測(cè)量表征的特征值作為O參數(shù)和N參數(shù)。結(jié)果匯總于表l中。在實(shí)驗(yàn)中改變前體濃度，從小值上升至100%。提供N參數(shù)或O參數(shù)的最佳結(jié)果的前體濃度值取決于各自使用的PICVD裝置。所以，在更換裝置時(shí)可以進(jìn)行相應(yīng)的最優(yōu)化。在目前的情況下，HMDSO濃度從17%經(jīng)由45%禾口73%上升至100%，而HMDSN濃度從1.2%經(jīng)由45%上升至100%。表l:基于HMDSO和HMDSN的層的N參數(shù)和O參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合材料的SIMS強(qiáng)度-濺射時(shí)間曲線圖。圖6的左圖是對(duì)復(fù)合材料測(cè)得的，該復(fù)合材料具有鈍化層5，該鈍化層是在前體濃度為45%的HMDSO時(shí)制得的，并且具有在前體濃度為1.2%的HMDSN時(shí)沉積的阻擋層4，以及在PET基材2上具有在前體濃度為17%的HMDSO時(shí)制得的粘結(jié)劑層8。圖6的右圖所示為復(fù)合材料的SIMS-濺射時(shí)間曲線圖，在制備鈍化層時(shí)前體濃度為73%的HMDSO。其余的參數(shù)不變。此類SIMS分析的結(jié)果得出表2中匯總的強(qiáng)度比。在此與表1相關(guān)的描述也適用于改變前體濃度。表2:基于HMDSO和HMDSN的層的SIMS強(qiáng)度比<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>通過"C3/Si"形式的數(shù)據(jù)給出C3由SIMS測(cè)得的信號(hào)強(qiáng)度與Si由SIMS測(cè)得的信號(hào)強(qiáng)度之比。HMDSO或HMDSN濃度以體積％給出在制備所分析的層時(shí)使用的在涂覆氣體中的濃度，其中其余是氧。隨著HMDSO和HMDSN濃度的增漲，層的有機(jī)特性也增大，如SIMS-C3/Si比例和由ATR分析得到的O參數(shù)所具有的?；贛Cs+深度分布分析表征在PICVD法中使用不同的前體濃度沉積在PET上的SixC^Cy層的組成。對(duì)于分析結(jié)果，存在分析與基體相似的試樣的相對(duì)靈敏系數(shù)。為了定量測(cè)定該層的組成，在5keV的激發(fā)能量下進(jìn)行WDX分析(只有來自該層的信號(hào))。在將取決于方法不加以考慮的氫含量忽略掉的情況下，將C-Astimex標(biāo)準(zhǔn)(100%C)和Herasil(=100%SiO2)用于分析結(jié)果。所屬的結(jié)果如圖7(上圖)所示。由于信息深度，將定量的WDX或EDX分析限制在最小厚度為幾個(gè)100nm的層上。對(duì)于更薄的層，提供SIMS的半定量MCs+變化方案。圖7所示為來自對(duì)應(yīng)的深度分布的強(qiáng)度比CsC+ZCsSi+和Cs20+ZCsSi+對(duì)濃度比的曲線圖(來自WDX分析)。對(duì)于CsC+ZCsSi+，獲得線性相關(guān)性，即對(duì)于SiOxCy層可以確定允許量化C/Si含量的相對(duì)靈敏系數(shù)。在測(cè)定O/Si比例時(shí)，與此相反地考慮MCs+強(qiáng)度與組成的非線性相關(guān)性(參見圖7)。表3:MCs+測(cè)量的結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表3中縮寫"Int"代表強(qiáng)度，"Int.CsC/CSi"代表CsC信號(hào)與CSi信號(hào)的強(qiáng)度比，"Int.Cs20/CsSi"代表Cs20信號(hào)與CsSi信號(hào)的強(qiáng)度比。HMDSO濃度給出在制備所分析的鈍化層時(shí)使用的在涂覆氣體中的濃度，其中其余是氧。在此與表1相關(guān)的描述也適用于改變前體濃度。圖8至IO所示為制備具有以上更詳細(xì)地描述的鈍化層的復(fù)合材料。在處理空間20中提供具有阻擋層4的基材2。如圖所示，這是通過將基材2保持在基材支架23上。借助于真空泵(未示出)將處理空間抽真空。涂覆氣體經(jīng)由氣體噴管22導(dǎo)入處理空間中。在此借助于等離子體源25激發(fā)等離子體。在此根據(jù)本發(fā)明，顆粒50沉積在阻擋層4的表面上而形成鈍化層5(參見圖8)。在該方法的另一個(gè)實(shí)施方案中，如圖9所示，在接地的處理空間20與氣體噴管22之間設(shè)置高頻偏磁9。將諸如惰性氣體離子的重離子混入涂覆氣體51。這些離子在等離子體與容器20之間的電場(chǎng)的邊緣層中加速，并以高的能量沖擊在所形成的復(fù)合材料的表面上或者沖擊在涂層上。這在足夠的離子能量的情況下使涂層變得密實(shí)，并減少結(jié)構(gòu)中的干擾，如"針孔"。選擇高頻偏磁的能量，從而不會(huì)導(dǎo)致過于強(qiáng)烈的加熱和/或甚至涂層的濺射。該方法的一個(gè)特別的優(yōu)點(diǎn)在于，塑料基材上的涂層的改善的粘著性。此外，可以使用產(chǎn)生比微波激發(fā)更高的等離子體邊緣層電壓(Plasmarandschichtspannung)的頻率作為等離子體在處理空間中的激發(fā)頻率。根據(jù)該方法的另一個(gè)實(shí)施方案，如圖10所示，高頻偏磁也可以設(shè)置在基材與氣體噴管之間。在此，基材支架23與基材隔離。然后將電場(chǎng)集中在其中形成鈍化層的區(qū)域上，從而特別有效地沉積形成層的顆粒及混入重離子。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以看出，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，還可以許多方式加以改變。特別地，各個(gè)實(shí)施方案的特征還可以互相組合。附圖標(biāo)記1復(fù)合材料2基材3涂層31涂層的第一區(qū)域32涂層的第二區(qū)域4阻擋層5鈍化層50作為PICVD涂層沉積的顆粒51其作為PICVD涂層沉積并含有重離子的顆粒6容器8粘結(jié)劑層9高頻偏磁，電壓源10空心體15空心體的內(nèi)部空間20處理空間22氣體噴管23處理空間中的基材支架25等離子體源權(quán)利要求1、一種復(fù)合材料(1)，其包括基材(2)和該基材(2)上的涂層(3)，其中該涂層(3)具有至少一個(gè)朝向該基材(2)的第一區(qū)域(31)和至少一個(gè)背向該基材的第二區(qū)域(32)，該第一區(qū)域包括阻擋層(4)，其特征在于，該第二區(qū)域包括鈍化層(5)。2、根據(jù)權(quán)利要求1的復(fù)合材料(1)，其特征在于，所述鈍化層(5)利用ATR(衰減全反射)測(cè)得的O參數(shù)在0.4至0.9的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.45至0.55的范圍內(nèi)，其中1253cm—'時(shí)的強(qiáng)度O參數(shù)=-^-^-。1000cm"至1100cm"時(shí)的強(qiáng)度3、根據(jù)前述權(quán)利要求之一的復(fù)合材料(1)，其特征在于，所述鈍化層(5)利用ATR(衰減全反射)測(cè)得的N參數(shù)在0.7至1.6的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.83至1.01的范圍內(nèi)，其中840cm—4寸的強(qiáng)度N參數(shù)=-;-。799cm—4寸的強(qiáng)度4、根據(jù)前述權(quán)利要求之一的復(fù)合材料(1)，其特征在于，所述鈍化層(5)包含SixOzCy，其中x為18至23，x優(yōu)選等于21，y為41至58，優(yōu)選為44至55，y特別優(yōu)選等于48，而z為23至38，優(yōu)選為25至36，z特別優(yōu)選等于31。5、根據(jù)前述權(quán)利要求之一的復(fù)合材料(1)，其特征在于，所述基材(2)包括至少一種塑料，特別是至少一種聚酯和/或至少一種聚烯烴和/或至少一種可堆肥的溫度敏感性塑料。6、根據(jù)前述權(quán)利要求之一的復(fù)合材料(1)，其特征在于，所述基材(2)包括PE和/或PP和/或PET禾口/或PEN禾口/或LDPE和/或HDPE和/或PC禾口/或COC/COP禾口/或PLA。7、根據(jù)前述權(quán)利要求之一的復(fù)合材料(1)，其特征在于，所述基材(2)包括紙張和/或至少一種復(fù)合材料。8、一種包括空心體(IO)的容器(6)，該空心體確定內(nèi)部空間(15)，并具有至少一個(gè)將該內(nèi)部空間(15)與該空心體(10)的周圍相連通的開口(12)，其中該空心體包括至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的復(fù)合材料(1)。9、根據(jù)權(quán)利要求8的容器(6)，其特征在于，所述鈍化層(5)朝向所述空心體(10)的內(nèi)部空間(15)。10、用于制備根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的復(fù)合材料(1)的方法，其包括下列步驟a)在處理空間(20)中提供至少一個(gè)具有阻擋層(4)的基材(2)，b)將該處理空間(20)抽真空，c)通過等離子體脈沖誘導(dǎo)的CVD涂覆產(chǎn)生鈍化層(5)。11、根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，在產(chǎn)生所述鈍化層(5)時(shí)，主要使用HMDSO作為前體。12、根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，其特征在于，在產(chǎn)生所述鈍化層(5)吋，將所述處理空間(20)接地，并在氣體噴管(22)與接地的處理空間(20)之間設(shè)置高頻偏磁(9)。13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，在產(chǎn)生所述鈍化層(5)時(shí)，將重離子，特別是惰性氣體離子，混入前體氣體中。14、根據(jù)權(quán)利要求10至13之一的方法，其特征在于，在產(chǎn)生所述鈍化層(5)時(shí)，使用MW范圍內(nèi)的頻率或者高頻以激發(fā)等離子體。全文摘要本發(fā)明涉及容器的復(fù)合材料(1)以及用于制備復(fù)合材料(1)的方法，該復(fù)合材料包括基材(2)和該基材(2)上的涂層(3)，其中該涂層(3)具有至少一個(gè)朝向該基材(2)的第一區(qū)域(31)和至少一個(gè)背向該基材(2)的第二區(qū)域(32)，該第一區(qū)域(31)包括阻擋層(4)。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步形成涂層，當(dāng)其與pH值大于5，特別是大于6.5的介質(zhì)接觸時(shí)，在室溫下保持其阻擋作用至少6個(gè)月。為此本發(fā)明建議，該第二區(qū)域(32)包括鈍化層(5)。文檔編號(hào)C08J7/04GK101522766SQ200780036664公開日2009年9月2日申請(qǐng)日期2007年8月30日優(yōu)先權(quán)日2006年10月14日發(fā)明者J·克萊因,S·貝勒,T·沃耶沃德,U·羅特哈申請(qǐng)人:Khs科波普拉斯特兩合公司