專利名稱：生產(chǎn)能夠傳導(dǎo)質(zhì)子的結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生產(chǎn)特別是用于燃料電池的、能夠傳導(dǎo)質(zhì)子的、結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜的 方法。
背景技術(shù)：
電池和蓄電池可由燃料電池替代。其通常具有氫存儲器、用作陽極的第一電極、用 作陰極的第二電極以及與氫存儲器相連且位于電極之間的薄膜。質(zhì)子可通過薄膜，而氫不 能通過。在微型燃料電池中通常使用商標(biāo)為DuPont Nafion PFSA膜的可商購獲得的膜 作為電解質(zhì)膜。電解質(zhì)膜含有化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的、能夠?qū)崿F(xiàn)高的離子傳導(dǎo)能力的磺酸基。在從實踐得知的方法中，在生產(chǎn)燃料電池時，薄膜是通過切割成型而結(jié)構(gòu)化的，并 做成所需的形狀。然后將薄膜布置在電極之間。通常將多個此類燃料電池相互堆疊并按順 序連接。但是該薄膜的缺點在于，其只能使燃料電池有限地小型化，因為若其尺寸小，則仍 然僅難以操作結(jié)構(gòu)化的薄膜。此外不利的是，在薄膜切割成型時產(chǎn)生的誤差使燃料電池的 小型化變得困難。此 夕卜，在 T. Pinochat 等 人 的"A new proton-conducting porous Siliconmembrane for small fuel cells，，，Chemical Engineering Journal 101(2004), 第107-111頁中公開了一種用于生產(chǎn)結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜的方法，其中硅晶片兩面涂覆有通 過濺射施加的金屬層。然后在這些層上施加由光刻膠組成的掩模，然后在沒有布置光刻膠 的位置上通過雙面蝕刻硅而減小晶片的壁厚度，以形成面積約為3mmX3mm的開孔硅膜。然 后用Nafion 溶液填充硅膜，然后蒸發(fā)掉其中含有的溶劑，從而在孔中僅保留Nafion 。該 方法也僅能使薄膜有限地小型化，因為在薄膜尺寸小的情況下難以用Nafion 溶液裝載硅 膜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供上述類型的方法，其能夠以簡單的方式實現(xiàn)電解質(zhì)膜 的高度小型化。該目的是通過生產(chǎn)特別是用于燃料電池的、能夠傳導(dǎo)質(zhì)子的、結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜 的方法實現(xiàn)的，其中在固體表面上施加涂層，_其中該涂層包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至 少一種與之共同作用的光敏物質(zhì)；通過照射至少一個應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的涂層區(qū)域以使交聯(lián) 組分與光敏物質(zhì)交聯(lián)形成附著在固體表面上的聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而對涂層 進行光學(xué)掩模；然后去除至少一個未經(jīng)照射的涂層區(qū)域以使電解質(zhì)膜結(jié)構(gòu)化；和 / 或_其中該涂層包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至 少一種與之共同作用的光敏物質(zhì)，其在被施加在固體表面上之后交聯(lián)形成附著在固體表面 上的疏水性聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通過照射至少一個不應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的涂層區(qū)域以使其通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)橛H水性，從而對涂層進行光學(xué)掩模；然后去除至少一個經(jīng)照射 的涂層區(qū)域以使電解質(zhì)膜結(jié)構(gòu)化；禾口/ 或 -其中該涂層包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至 少一種與之共同作用的光敏物質(zhì)，其在被施加在固體表面上之后交聯(lián)形成附著在固體表面 上的親水性聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通過照射至少一個應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的涂層區(qū)域 以使其通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)槭杷裕瑥亩鴮ν繉舆M行光學(xué)掩模；然后去除至少一個未經(jīng)照射 的涂層區(qū)域以使電解質(zhì)膜結(jié)構(gòu)化；禾口/ 或_其中該涂層包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分，其在 被施加在固體表面上之后交聯(lián)形成附著在固體表面上的聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通 過照射至少一個不應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的涂層區(qū)域以使聚合物和/或共聚物鏈斷裂，從而對涂 層進行光學(xué)掩模；然后去除至少一個經(jīng)照射的涂層區(qū)域以使電解質(zhì)膜結(jié)構(gòu)化。在本發(fā)明方法中，有利的是通過標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝使施加在固體表面上的涂層結(jié)構(gòu) 化。在此，優(yōu)選在光學(xué)照射如紫外線在涂層上的位置上使光敏物質(zhì)活化，并由此引發(fā)交聯(lián)。 但是也可以首先在固體表面上以平面方式施加親水性聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，然后 照射應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的位置(正光刻膠)，以使經(jīng)照射的位置上的涂層通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)?疏水性。隨后例如通過使涂層與顯像劑進行面接觸而去除未經(jīng)照射的涂層區(qū)域，未交聯(lián)的 交聯(lián)組分和可能存在的光敏物質(zhì)或親水性位置可溶解在該顯像劑中。此外可以首先在固體表面上施加疏水性聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，然后照射 不應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的位置(負光刻膠)，以使經(jīng)照射的位置上的涂層通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)橛H 水性。隨后優(yōu)選通過使涂層與顯像劑進行面接觸而去除涂層經(jīng)照射的親水性區(qū)域。選擇性地還可以在固體表面上以平面方式施加聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。然 后在不應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜的位置上，通過以高能輻射進行照射而使涂層中所含的聚合物和/ 或共聚物鏈斷裂，從而使其隨后通過與顯像劑進行接觸而溶解在顯像劑中，并從固體表面 去除。借助該方法能夠生產(chǎn)具有非常緊湊的尺寸的精細結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜。在該方法的一個有利的實施方案中，將交聯(lián)組分和至少一種光敏物質(zhì)溶解在溶劑 中，優(yōu)選通過旋涂施加在固體表面上，然后蒸發(fā)掉溶劑以形成涂層。因此，該涂層是通過在 半導(dǎo)體工業(yè)中建立并經(jīng)受考驗的工藝步驟，即旋涂施加的。因此，該方法可以良好地集成在 標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝中。該交聯(lián)組分優(yōu)選具有至少一個酸基，特別是磺酸基、磷酸基和/或羧酸基。根據(jù)該 方法制得的電解質(zhì)膜具有高的質(zhì)子傳導(dǎo)能力。有利的是，交聯(lián)組分含有磺化聚醚酮和/或磺化聚醚醚酮。磺化聚醚醚酮可以具 有如下結(jié)構(gòu)式O
0nSO3HοΠ該電解質(zhì)膜具有更高的質(zhì)子傳導(dǎo)能力。在該方法的一個有利的實 施方案中，光敏物質(zhì)包含光引發(fā)劑，特別是2，4，6_三甲 基苯甲酰二苯基膦氧化物。該光引發(fā)劑可以Ludrin TPO-L的商品名商購獲得，并具有如
下結(jié)構(gòu)式
9
O ‘ I ρ==\光敏物質(zhì)針對性地包含共聚物，特別是三羥甲基丙烷三乙酸酯。該共聚物可以 Laromer TMPTA的商品名商購獲得，并具有如下結(jié)構(gòu)式
(CH2= CH-C-O- CH2)3C - CH2 - CH3 11 O有利的是，該涂層含有粘接促進劑成分，優(yōu)選為聚苯并咪唑。由此可以改善電解質(zhì) 膜特別是在集成于硅基板上的金屬氫化物氫存儲器上的粘著性。聚苯并咪唑的結(jié)構(gòu)式是([NH-C = CH-C = CH-CH = C-N = C-J2-[C = CH-C = CH-CH = CH-] )n或
1I
η本發(fā)明方法可以集成在用于生產(chǎn)至少一個燃料電池的方法中，其中提供半導(dǎo)體基 板，在該半導(dǎo)體基板上形成氫存儲層，在氫存儲層上形成電解質(zhì)膜，及在電解質(zhì)膜的相對面 上形成空氣和/或氧氣可通過的陰極。因此，通過該方法可以將燃料電池以單片形式集成 于半導(dǎo)體基板中。在此，甚至可以將多個燃料電池彼此相鄰地集成于半導(dǎo)體基板中，并串聯(lián)電接通。半導(dǎo)體基板優(yōu)選為硅基板。氫存儲層優(yōu)選包含鈀，其是通過常用的電鍍法、絲網(wǎng)印 刷和/或薄膜法如濺射或蒸鍍而施加在半導(dǎo)體基板上的。本發(fā)明方法尤其是可以應(yīng)用于 CMOS工藝中。 在本發(fā)明的一個實施方案中，涂層在照射之前作為薄膜從固體表面脫離，然后放 置在至少由半導(dǎo)體基板和氫存儲層形成的結(jié)構(gòu)上，以使薄膜以平面方式覆蓋氫存儲層。在 本發(fā)明的該實施方案中，還直接在氫存儲層或半導(dǎo)體基板上使涂層結(jié)構(gòu)化。但是由于更簡 單地集成到半導(dǎo)體制造工藝中，優(yōu)選通過旋涂將涂層施加在至少由半導(dǎo)體基板和氫存儲層 形成的結(jié)構(gòu)上。有利的是，在半導(dǎo)體基板中形成空腔或小坑，并且小坑填充有氫存儲層。從而可將 至少一個燃料電池以平面方式集成到半導(dǎo)體基板中。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方案中，在小坑中形成由延展性金屬組成的應(yīng)力補償 層，其中將氫存儲層施加在應(yīng)力補償層上。由此避免了若在加載和/或卸載氫時氫存儲層 體積變化而在以單片形式集成于半導(dǎo)體基板中的燃料電池中尤其是在氫存儲層比較厚的 情況下出現(xiàn)裂縫。延展性金屬尤其是可以包括錫、金、銀、鉛、鎘和/或銦。錫由于其環(huán)境相 容性而是特別優(yōu)選的。有利的是，在小坑中形成擴散障礙物以阻礙或阻擋氫通過，其中在擴散障礙物上 形成氫存儲層和可能出現(xiàn)的應(yīng)力補償層。該燃料電池可以長時間基本上無損耗地存儲氫。下面依照附圖更詳細地闡述本發(fā)明的實施例。


圖IA至II所示為用于生產(chǎn)具有多個燃料電池的半導(dǎo)體芯片的工藝步驟；及圖2所示為燃料電池的側(cè)剖視圖以及在各個燃料電池區(qū)域內(nèi)的反應(yīng)式，用于說明 放電過程中進行的化學(xué)反應(yīng)。
具體實施例方式在生產(chǎn)燃料電池1的方法中，提供由硅組成的半導(dǎo)體基板2，在其表面內(nèi)形成與 待生產(chǎn)的燃料電池1的數(shù)量相對應(yīng)的數(shù)量的空腔或小坑3，它們在側(cè)向上彼此間隔開(圖 1A)。例如通過用KOH的濕化學(xué)蝕刻或者通過干式蝕刻而將小坑引入半導(dǎo)體基板2中。 在此，首先在半導(dǎo)體基板2的表面上施加抗腐蝕掩模，掩模在應(yīng)當(dāng)為小坑3的位置上均具有 開口。然后將由半導(dǎo)體基板2和蝕刻掩模構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的表面的整個表面與腐蝕劑接觸，其 中在開口的位置上通過腐蝕劑與半導(dǎo)體基板2之間的化學(xué)反應(yīng)從半導(dǎo)體基板2去除材料。 在半導(dǎo)體基板2中蝕刻引入具有所需尺寸的小坑3之后，從半導(dǎo)體基板2去除腐蝕劑和抗 腐蝕掩模。在另一個工藝步驟中，在小坑3中均形成擴散障礙物4以阻礙或阻擋氫通過。在 圖IB中可以看出，擴散障礙物4完全覆蓋小坑3的底部和側(cè)壁。隨后在擴散障礙物4上形成由諸如錫的延展性金屬組成的應(yīng)力補償層5 (圖1C)。 各個小坑3所屬的應(yīng)力補償層5均完全覆蓋小坑3的底部和側(cè)壁。但是也可以首先在半導(dǎo)體基板2上形成擴散障礙物4，然后在擴散障礙物4上形成應(yīng)力補償層5。 在圖ID所示的另一個工藝步驟中，例如通過常用的電鍍法，用由鈀組成的氫存儲 層6填充剩余的小坑3。隨后利用拋光機使表面平坦化，以在半導(dǎo)體基板2、氫存儲層6以 及應(yīng)力補償層5和擴散障礙物4突出于表面的邊緣上得到貫穿的平面。然后將作為燃料電池1陽極的第一電極7施加在表面上，以使其分別與一個氫存 儲層6導(dǎo)電連接。為此，首先在不應(yīng)當(dāng)是第一電極7的位置上通過光刻工藝用掩模覆蓋表 面，然后以平面方式在表面上蒸鍍電接觸層，例如金層。通過去除掩模使其結(jié)構(gòu)化，以形成 第一電極7 (圖1E)。在另一個工藝步驟中，提供包含以下組分的溶液a)能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分，即磺化聚醚醚酮，b)光敏物質(zhì)，其包含光引發(fā)劑，即2，4，6_三甲基苯甲酰二苯基膦氧化物，以及共 聚物，即三羥甲基丙烷三乙酸酯，c)可能存在的粘接促進劑成分，即聚苯并咪唑，以及d)溶劑。優(yōu)選通過以下方式獲得該溶液，將各組分相互混合，并攪拌混合物直至組分a)、b) 和可能存在的c)完全溶解在溶劑中。通過旋涂將所得到的溶液施加在由半導(dǎo)體基板2、擴散障礙物4、應(yīng)力補償層5、氫 存儲層6和第一電極7組成的結(jié)構(gòu)的固體表面的整個表面上。然后使溶劑在熱效應(yīng)下蒸發(fā)， 從而只有組分a)、b)和可能存在的c)作為涂層8留在固體表面上(圖1F)。在另一個工藝步驟中，通過光刻工藝在涂層8上施加光掩模9，其覆蓋不應(yīng)當(dāng)是電 解質(zhì)膜的位置(圖1G)。然后，用紫外線10穿過光掩模9照射涂層8。在照射時，在沒有被光掩模9覆蓋的 位置上，交聯(lián)組分a)和光敏物質(zhì)b)發(fā)生交聯(lián)，以形成電解質(zhì)膜11，該電解質(zhì)膜附著在擴散 障礙物4、應(yīng)力補償層5、氫存儲層6和第一電極7的交界區(qū)域。不同的是，在被光掩膜9覆 蓋的涂層8的區(qū)域內(nèi)，不發(fā)生交聯(lián)?，F(xiàn)在，通過與顯像劑接觸，將光掩模9和未交聯(lián)的涂層區(qū)域從固體表面去除。圖IH 表明，現(xiàn)在每個氫存儲層6均涂覆有電解質(zhì)膜11，而各個氫存儲層6所屬的電解質(zhì)膜11彼 此側(cè)向間隔開。電解質(zhì)膜11允許質(zhì)子通過，但是不允許氫分子通過。在另一個工藝步驟中，在電解質(zhì)膜11與氫存儲層6相背離的面上形成允許空氣和 /或氧氣通過的用作燃料電池陰極的第二電極12。第二電極12優(yōu)選由用于電回流至半導(dǎo)體 基板2上的電流集電極以及在電解質(zhì)膜11上的精細鉬催化劑層組成。由此，第二電極12允 許空氣和/或氧氣通過，以使其可以從大氣到達第二電極12。為了使第二電極12結(jié)構(gòu)化，可 以使用微結(jié)構(gòu)化的濺鍍掩模，其可采用高級硅蝕刻深加工(AdvancedSlicon-Etching-Tief enprozess)由例如300微米厚的硅晶片制得。所形成的層疊結(jié)構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)寬度(Stegweite) 可以約為100微米。圖II表明，多個集成在半導(dǎo)體基板2中的燃料電池1串聯(lián)電接通。為此，第一個 燃料電池1的第二電極12與第二個燃料電池1的第一電極7導(dǎo)電連接。該燃料電池1的 第二電極12又與另一個燃料電池1的第一電極7連接等等。根據(jù)圖2可知燃料電池的運作過程。處于氫存儲層6中的氫氣在與電解質(zhì)膜11的界面上分裂為質(zhì)子H+和電子e_。 電子經(jīng)過第一電極和與之相連的電力負載13到達第二 電極12。質(zhì)子擴散通過電解質(zhì)膜11到達允許氧氣O2通過的第二電極12，并在此與電子和 空氣氧發(fā)生反應(yīng)釋放出水H20。電流在電極7，12之間流經(jīng)負載13。
權(quán)利要求
1.生產(chǎn)特別是用于燃料電池⑴的、能夠傳導(dǎo)質(zhì)子的、結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜(11)的方法， 其中在固體表面上施加涂層(8)，-其中該涂層(8)包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至 少一種與之共同作用的光敏物質(zhì)；通過照射至少一個應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜(11)的涂層區(qū)域以 使交聯(lián)組分與光敏物質(zhì)交聯(lián)形成附著在固體表面上的聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而 對涂層(8)進行光學(xué)掩模；然后去除至少一個未經(jīng)照射的涂層(8)的區(qū)域以使電解質(zhì)膜 (11)結(jié)構(gòu)化；和/或-其中該涂層(8)包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至 少一種與之共同作用的光敏物質(zhì)，其在被施加在固體表面上之后交聯(lián)形成附著在固體表面 上的疏水性聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通過照射至少一個不應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜(11)的涂 層區(qū)域以使其通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)橛H水性，從而對涂層(8)進行光學(xué)掩模；然后去除至少一 個經(jīng)照射的涂層(8)的區(qū)域以使電解質(zhì)膜(11)結(jié)構(gòu)化；和/或-其中該涂層(8)包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至 少一種與之共同作用的光敏物質(zhì)，其在被施加在固體表面上之后交聯(lián)形成附著在固體表面 上的親水性聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通過照射至少一個應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜(11)的涂層 區(qū)域以使其通過化學(xué)反應(yīng)變?yōu)槭杷裕瑥亩鴮ν繉?8)進行光學(xué)掩模；然后去除至少一個 未經(jīng)照射的涂層(8)的區(qū)域以使電解質(zhì)膜(11)結(jié)構(gòu)化；和/或-其中該涂層(8)包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分，其在 被施加在固體表面上之后交聯(lián)形成附著在固體表面上的聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；通 過照射至少一個不應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜(11)的涂層區(qū)域以使聚合物和/或共聚物鏈斷裂，從而 對涂層(8)進行光學(xué)掩模；然后去除至少一個經(jīng)照射的涂層(8)的區(qū)域以使電解質(zhì)膜(11) 結(jié)構(gòu)化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將交聯(lián)組分和至少一種光敏物質(zhì)溶解在溶劑中，優(yōu)選 通過旋涂施加在固體表面上，然后蒸發(fā)掉溶劑以形成涂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述交聯(lián)組分具有至少一個酸基，特別是磺酸基、 磷酸基和/或羧酸基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的方法，其中所述交聯(lián)組分含有磺化聚醚酮和/或磺化聚 醚醚酮。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一的方法，其中所述光敏物質(zhì)包含光引發(fā)劑，特別是2，4， 6-三甲基苯甲酰二苯基膦氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一的方法，其中所述光敏物質(zhì)包含共聚物，特別是三羥甲基丙烷三乙酸酯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一的方法，其中所述涂層含有粘接促進劑成分，優(yōu)選為聚苯并 咪唑。
8.生產(chǎn)至少一個具有根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的電解質(zhì)膜的燃料電池(1)的方法，其 中提供半導(dǎo)體基板O)，在該半導(dǎo)體基板上形成氫存儲層(6)，其中在氫存儲層(6)上形成電解質(zhì)膜(11)，及在電解質(zhì)膜(11)的相對面上形成空氣和/或氧氣可通過的陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述涂層在照射之前作為薄膜從固體表面脫離，然后 放置在至少由半導(dǎo)體基板(2)和氫存儲層(6)形成的結(jié)構(gòu)上，以使薄膜以平面方式覆蓋氫 存儲層(6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的方法，其中在所述半導(dǎo)體基板O)中形成空腔或小坑，并且 小坑(3)填充有氫存儲層(6)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，在所述小坑(3)中形成由延展性金屬組成的應(yīng)力補償層 (5)，并將氫存儲層(6)施加在應(yīng)力補償層(5)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，其中在所述小坑C3)中形成擴散障礙物(4)以阻礙 或阻擋氫通過，并在擴散障礙物(4)上形成氫存儲層(6)和可能出現(xiàn)的應(yīng)力補償層。
全文摘要
生產(chǎn)特別是用于燃料電池(1)的、能夠傳導(dǎo)質(zhì)子的、結(jié)構(gòu)化的電解質(zhì)膜(11)的方法，其中在固體表面施加涂層(8)，該涂層包含至少一種能夠傳導(dǎo)離子的、具有至少一個酸基的交聯(lián)組分和至少一種與之相互作用的光敏物質(zhì)。通過照射至少一個應(yīng)當(dāng)是電解質(zhì)膜(11)的涂層區(qū)域以使交聯(lián)組分與光敏物質(zhì)交聯(lián)形成附著在固體表面上的聚合物和/或共聚物網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而對涂層(8)進行光學(xué)掩模。去除至少一個未經(jīng)照射的涂層(8)的區(qū)域以使電解質(zhì)膜(11)結(jié)構(gòu)化。
文檔編號C08J5/22GK102138243SQ200880130295
公開日2011年7月27日 申請日期2008年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月9日
發(fā)明者C·米勒, G·埃德勒, H·賴內(nèi)克, J·克雷斯, M·弗蘭克 申請人:邁克納斯公司