專利名稱：吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
主鏈骨架中包含具有作為取代基的烷基的吩噁嗪二基的高分子化合物由于在溶 劑中可溶而可以利用涂布法形成發(fā)光元件中的有機(jī)層，因此作為發(fā)光材料一直被研究(日 本特開2004-137456號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述高分子化合物的色純度未必充分。本發(fā)明的目的在于提供色純度優(yōu)良的高分子化合物。本發(fā)明的第一方面，提供含下述式(0)所表示的化合物的殘基的高分子化合物。
權(quán)利要求
1.一種含有下述式(0)所表示的化合物的殘基的高分子化合物，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(0)所表示的化合物為下述式 (0-1)所表示的化合物，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高分子化合物，其中，所述式(0-1)所表示的化合物為下述式 (1)所表示的化合物，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分子化合物，其中，所述式(I)所表示的化合物的殘基是下 述式( 所表示的2價(jià)基團(tuán)，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高分子化合物，其中，所述式( 所表示的2價(jià)基團(tuán)為重復(fù)單兀。
6.根據(jù)權(quán)利要求3 5中的任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中，所述A1S-C(Ra)=， 且所述R1為芳基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其還含有下述式C3)所表示 的重復(fù)單元，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高分子化合物，其中，所述式C3)所表示的重復(fù)單元為下述式(4)所表示的重復(fù)單元，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高分子化合物，其中，所述式(4)所表示的重復(fù)單元為下述式(5)所表示的重復(fù)單元，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5為烷基。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5為芳基。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中的任一項(xiàng)所述的高分子化合物，其中，還含有下述式(6)所 表示的重復(fù)單元，
13. 一種下述式(9-0)所表示的化合物，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的化合物，其中所述式(9-0)所表示的化合物為下述式(9) 所表示的化合物，
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的化合物，其中，所述式(9)所表示的化合物為下述式(10) 所表示的化合物，
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的化合物，其中，所述式(9-0)所表示的化合物為下述式 (10-0)所表示的化合物，
17. 一種含有下述式(0’)所表示的重復(fù)單元的高分子化合物的制造方法，其包括在過 渡金屬催化劑的存在下，將下述式(10-0)所表示的化合物進(jìn)行聚合的工序，
18. 一種含有下述式0’)所表示的重復(fù)單元的高分子化合物的制造方法，其包括在過 渡金屬催化劑的存在下，將下述式(10)所表示的化合物聚合的工序，
19. 一種下述式(11)所表示的化合物，
20. 一種下述式(1 所表示的化合物，
21.一種含有權(quán)利要求1 12中的任一項(xiàng)所述的高分子化合物的組合物。
22.—種含有權(quán)利要求1 12中的任一項(xiàng)所述的高分子化合物的薄膜。
23.一種具有權(quán)利要求22所述的薄膜的有機(jī)晶體管。
24.一種發(fā)光元件，其具備包含陽極和陰極的電極、以及在該電極間設(shè)置的含有權(quán)利要 求1 12中的任一項(xiàng)所述的高分子化合物的層。
25.一種使用了權(quán)利要求M所述的發(fā)光元件的面狀光源。
26.一種使用了權(quán)利要求M所述的發(fā)光元件的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的發(fā)光元件，提供一種含有下述式(0)所表示的化合物的殘基的高分子化合物，式中，Ar0表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基或下述式(A)所表示的基團(tuán)，Ar0的至少2個(gè)為下述式(A)所表示的基團(tuán)，R0表示烷基、烷氧基、芳基等取代基，l和m表示0～3的整數(shù)，式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基。
文檔編號(hào)C08G61/12GK102131843SQ200980133479
公開日2011年7月20日 申請日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日
發(fā)明者小林諭 申請人:住友化學(xué)株式會(huì)社, 薩美甚株式會(huì)社