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光散射組合物的制作方法

文檔序號:3617961閱讀:205來源:國知局
專利名稱:光散射組合物的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及光散射組合物及其制備和使用方法。具體來說,本發(fā)明涉及包含漫射體聚合物顆粒的光散射組合物。
背景技術
光散射聚合物對可見光經常是“半透明的”或半透徹的,也就是說,它們會對透射的光進行散射,優(yōu)選不會顯著減小其強度。它們可以是無色的或有色的,可以結合入無色的或有色的熱塑性或熱固性聚合物基質中,形成光散射熱塑性或熱固性聚合物組合物,該組合物可形成具有各種厚度的片材或膜,或者形成更復雜的形狀。該組合物可在以下用途中用作光漫射體,例如光源、用于電視或電影的背投影屏,裝飾,照明標志(特別是背光半透明信號),天窗,照明裝置(特別是用于熒光或白熾光照明),溫室裝配玻璃,光盒,繪圖桌, 汽車遮陽篷,藝術用途(例如顯示陳列柜部件),用于CRT裝置的防輝光屏幕,用于汽車燈的雙層壁玻璃窗和罩子。日本專利公開第64-10515號揭示了一種用來制造半透明樹脂的方法,該方法包括將橋連聚合物的細小顆?;旌显诨|材料的透明樹脂中,所述橋連聚合物顆粒的平均直徑為0. 5-5微米,折射率與基質相差0. 05-0. 3單位。但是,此文獻中講述的制備所述顆粒的生長工藝說明,會制得相當含量的小顆粒。該參考文獻需要作為交聯(lián)單體的橋連單體。Wu等人在美國專利第5,237,004號中揭示了一種具有改良的光學性質的熱塑性組合物。mi等人揭示了一種具有改良的光學性質的熱塑性組合物,其包含熱塑性基質聚合物,以及分散在所述基質聚合物中的約占組合物總重量約0. 1-40重量%的核/殼球形聚合物顆粒,其平均直徑約為2-15微米,其粒度分布使得至少90重量%的聚合物顆粒與平均粒徑相差士20%以內,具有橡膠狀的丙烯酸烷基酯聚合物核和一個或多個殼,其外部殼能夠與基質聚合物相容。然而,人們仍然需要開發(fā)具有能夠用于要求甚至更嚴格的用途(包括顯示屏和光漫射體)的改良的光學性質的新的聚合物組合物。

發(fā)明內容
在本發(fā)明的一個方面,提供了一種光散射組合物,其包含漫射體聚合物顆粒;所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 3-1. 9微米;所述漫射體聚合物顆粒包含> 4重量%的交聯(lián)密度;所述漫射體聚合物顆粒在其中心的折射率(RI ^心)不同于在其表面處的折射率 (RIwb);其中RI +心< RIwb ;所述漫射體聚合物顆粒是單相顆粒。在本發(fā)明的另一個方面,提供了一種光散射組合物,該組合物包含基質聚合物和漫射體聚合物顆粒;所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 3-1. 9微米;所述漫射體聚合CN 102532791 A
物顆粒包含> 4重量%的交聯(lián)密度;所述漫射體聚合物顆粒在其中心的折射率(RI ψ心)不同于在其表面處的折射率(RIsb);其中肌+心< RI <Β ;所述漫射體聚合物顆粒是單相顆粒;所述漫射體聚合物顆粒分布在基質聚合物中,所述漫射體聚合物顆粒占所述光散射組合物的0. 1-10重量%。在本發(fā)明的另一個方面,提供了一種平板顯示器,其具有包含本發(fā)明的光散射組合物的漫射層,所述漫射層的厚度為0. 45-4毫米。在本發(fā)明的另一個方面,提供了一種光漫射體,其包含本發(fā)明的光散射組合物。
具體實施例方式在本文中和所附權利要求書中,術語“共聚物”表示由至少兩種不同的單體聚合的聚合物。在本文中和所附權利要求書中,術語“平均粒度”是在馬文設備粒度分析儀馬斯特粒度儀 2000 (Malvern Instruments particle size analyzer Mastersizer 2000)上測得的d5°的值。在本文中和所附權利要求書中,術語“RI ψ心”表示使用蔡司杰納沃因特非科干涉顯微鏡(Zeiss Jenaval Interphako Interference Microscope)在甘油中、在漫身寸體聚合物顆粒的中心測得的折射率。在本文中和所附權利要求書中,術語“RI <B”表示使用蔡司杰納沃因特非科干涉顯微鏡(Zeiss Jenaval Interphako Interference Microscope)在甘油中、在漫身寸體聚合物顆粒的表面測得的折射率。在本文中和所附權利要求書中,將術語“單相”用于漫射體聚合物顆粒表示目標顆粒從中心到表面,RI逐漸增大。術語單相表示“依此制備的(as made)”漫射體聚合物顆粒。本領域技術人員將會認識到,在某些情況下,漫射體聚合物顆??梢栽谂c基質聚合物組合的時候被改良。例如,在某些情況下,所述漫射體聚合物顆粒和基質聚合物可以相互作用,在漫射體聚合物顆粒和基質聚合物之間的界面處形成殼狀結構。在本文中和所附權利要求書中,術語“單乙烯基芳烴”包括單烯鍵式不飽和芳族單體,其包括苯乙烯、烷基苯乙烯(例如甲基苯乙烯和乙基苯乙烯),其它取代的苯乙烯,所述取代基不會影響聚合,以及乙烯基多環(huán)芳族單體。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物選自熱塑性聚合物,熱固性聚合物及其組合。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物選自半透明聚合物和透明聚合物。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物選自玻璃化轉變溫度> 50°C的透明聚合物。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物選自這樣一種聚合物,該聚合物在結合本發(fā)明的漫射體聚合物顆粒之后是無定形的,而且在進行處理以形成本發(fā)明的光散射組合物之后仍保持無定形態(tài)。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物的彈性模量為1,400-3,500兆帕 (MPa)。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物能夠通過模塑、澆鑄、擠出或對于本領域普通技術人員來說顯而易見的其它方法形成具有一定形狀的制品。在本發(fā)明的一些實施方式中,將所述光散射組合物成形為膜或片材。在這些實施方式的一些方面中,所述膜的平均厚度為21-250微米。在這些實施方式的一些方面中,所
述膜的平均厚度為70-125微米。在這些實施方式的一些方面中,所述片材的厚度為0. 45-4
毫米。在這些實施方式的一些方面中,所述片材的厚度為0. 5-3毫米。 在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物由鏈增長聚合或逐步增長聚合制備的。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物使用選自以下的材料制備,或者包含選自以下的材料丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABQ,聚烯烴,聚碳酸酯,聚碳酸酯-聚酯共混物,聚酰胺,聚(對苯二甲酸烷基二酯),聚苯乙烯,環(huán)烯烴,聚苯乙烯/甲基丙烯酸酯共混物,以及它們的組合。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物使用選自以下的材料制備,或者包含選自以下的材料丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABQ,聚烯烴,聚碳酸酯,聚碳酸酯-聚酯共混物,聚酰胺,聚(對苯二甲酸烷基二酯),聚苯乙烯,環(huán)烯烴和聚苯乙烯/甲基丙烯酸酯共混物。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物選自聚甲基丙烯酸甲酯,聚苯乙烯, 苯乙烯-丙烯腈共聚物,聚苯乙烯甲基丙烯酸酯共聚物,苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物, 烯烴-乙酸乙烯酯共聚物,聚甲基戊烯,聚乙烯,聚丙烯,聚乙烯和聚丙烯的共聚物,聚戊二酰亞胺,苯乙烯-馬來酸酐共聚物,環(huán)烯烴共聚物以及它們的組合。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物使用選自以下的材料制備(烷基) 丙烯酸烷基酯,乙烯基芳族化合物,氯乙烯,乙酸丁酸纖維素,聚(對苯二甲酸乙二酯),聚 (對苯二甲酸環(huán)己烷二甲醇酯),它們的衍生物、它們的共聚物、以及它們的折射率匹配的共混物。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物是使用選自以下的材料制備的 甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸烷基酯的共聚物、苯乙烯與最高達40重量%丙烯腈的共聚物,苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯的共聚物,α -甲基苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸烷基酯的共聚物,氯乙烯和乙酸乙烯酯的共聚物,氯乙烯和丙烯的共聚物。在這些實施方式的一些方面中,所述丙烯酸烷基酯選自丙烯酸C"烷基酯及其衍生物。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物是使用選自甲基丙烯酸甲酯和1-15 重量%的丙烯酸C"烷基酯的共聚物的材料制備的。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物是使用選自以下的材料制備的聚 (乙酸乙烯酯),增塑的氯乙烯均聚物,增塑的氯乙烯共聚物以及增塑的纖維素酯。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物使用選自熱固性聚合物的材料制備。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物制備時即為熱固性的(例如澆鑄聚 (甲基丙烯酸甲酯)片材,其中包含足量的多官能單體以使制得的片材固定和變得具有不溶性)。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物在隨后的處理過程中變成熱固性的 (例如,在初始的聚合完成之后,通過加熱初始聚合的片材,活化固化反應)。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物使用選自以下的材料制備甲基丙烯酸甲酯,苯乙烯,氯乙烯,甲基丙烯酸甲酯的酰亞胺化(imidized)聚合物(被稱為戊二酰亞胺),甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸烷基酯的共聚物,苯乙烯與最高達40%丙烯腈的共聚物,苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯的共聚物,α -甲基苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸烷基酯的共聚物;氯乙烯與乙酸乙烯酯的共聚物和氯乙烯與丙烯的共聚物。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物使用相容性的或折射率匹配的聚合物共混物制備。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物使用選自甲基丙烯酸甲酯與1-15重量%丙烯酸烷基酯的共聚物的材料制備,在這些實施方式的一些方面中,所述丙烯酸烷基酯選自丙烯酸C"烷基酯。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物還源自多官能二甲基丙烯酸酯或使用多官能二甲基丙烯酸酯制備。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物還源自0.05-2重量%的多官能二甲基丙烯酸酯、或使用其制備。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物還源自丙烯酰胺和N-甲基丙烯酰胺,或使用其制備。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物還源自0. 05-5重量%的丙烯酰胺和 N-羥甲基丙烯酰胺,或使用其制備。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物選自通過縮合反應和/或開環(huán)反應形成的聚合物。在這些實施方式的一些方面中,所述基質聚合物通過在多官能二醇的存在下進行的聚酯化反應制備,或者通過在三官能環(huán)氧化物的存在下進行的環(huán)氧聚合反應 (epoxide polymerization)制備。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物是光學級(optical grade)材料。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物的折射率為1. 49-1. 59。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物的黃度指數(shù)< 1。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物的霾系數(shù)(haze) <1%。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物的黃度指數(shù)< 1,霾系數(shù)< 1%。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒使用逐步反應或鏈增長聚合反應制備。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒使用一種或多種乙烯基單體制備。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒包含橡膠狀聚合物。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒包含玻璃狀聚合物。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒通過自由基引發(fā)的聚合反應制備。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒通過選自以下單體的聚合或共聚反應制備二烯烴 (例如丁二烯,異戊二烯);乙烯基芳族單體(例如苯乙烯,氯代苯乙烯);乙烯基酯(例如乙酸乙烯酯,苯甲酸乙烯酯);丙烯腈;甲基丙烯腈;(甲基)丙烯酸酯(例如甲基丙烯酸甲酯,甲基丙烯酸丁酯,甲基丙烯酸苯基酯,丙烯酸乙酯,丙烯酸丁酯,丙烯酸2-乙基己酯,丙烯酸芐酯);以及氯乙烯。在這些實施方式的一些方面中,所述丙烯酸烷基酯衍生物包括鹵代物質,例如氯代物質和氟代物質。0035在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒選自橡膠狀丙烯酸烷基酯聚合物。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒使用與> 4重量%至99 重量%交聯(lián)單體共聚的丙烯酸C2_8烷基酯單體制備。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒使用與> 4重量%至50重量%交聯(lián)單體共聚的丙烯酸C2_8烷基酯單體制備。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒使用與5-10重量%交聯(lián)單體共聚的丙烯酸C2_8烷基酯單體制備。在這些實施方式的一些方面中,漫射體聚合物顆粒使用0-50重量%的其它可共聚的乙烯基單體制備。在這些實施方式的一些方面中,所述丙烯酸C2_8烷基酯單體是丙烯酸丁酯。在這些實施方式的一些方面中,所述其它可共聚的乙烯基單體選自甲基丙烯酸烷基酯和單乙烯基芳烴。在這些實施方式的一些方面中,所述其它的可共聚的乙烯基單體是苯乙烯。適用于制備本發(fā)明的漫射體聚合物顆粒的交聯(lián)單體包括本領域技術人員眾所周知的交聯(lián)單體,這些單體要與用來制備所述漫射體聚合物顆粒的其它材料相容。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述交聯(lián)單體選自其中烯鍵式不飽和基團具有近似相等的活性的多烯鍵式不飽和單體;包含兩個或更多個活性不同的非共軛雙鍵的多烯鍵式不飽和單體;以及它們的組合。在這些實施方式的一些方面中,其中烯鍵式不飽和基團具有近似相等的活性的多烯鍵式不飽和單體選自二乙烯基苯;二醇的二甲基丙烯酸酯和三甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯;以及三醇的三丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。在這些實施方式的一些方面中,所述交聯(lián)單體選自丁二醇二丙烯酸酯。在這些實施方式的一些方面中,所述具有兩個或更多個活性不同的非共軛雙鍵的多烯鍵式不飽和單體選自甲基丙烯酸烯丙酯;馬來酸二烯丙酯和丙烯酰氧基丙酸烯丙酯。在這些實施方式的一些方面中,所述交聯(lián)單體是甲基丙烯酸烯丙酯。在這些實施方式的一些方面中,所述交聯(lián)單體包括其中烯鍵式不飽和基團活性近似相等的多烯鍵式不飽和單體與包含兩個或更多個活性不同的非共軛雙鍵的多烯鍵式不飽和單體的組合。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒使用后固化反應(post-cure reaction)制備。在這些實施方式的一些方面中,后固化反應在由具有過氧側基的單體形成共聚物的時候發(fā)生,然后通過將其加熱至高于聚合溫度的溫度下使其活化。然后所述活化的過氧基團將促進所述漫射體聚合物顆粒的交聯(lián)。在這些實施方式的一些方面中,可將第二自由基引發(fā)劑加入所述聚合反應中;對該第二引發(fā)劑進行選擇,使其在初始聚合條件下穩(wěn)定,但是會在初始的聚合反應之后,通過例如暴光或升溫而活化。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒使用任意已知的適合用于所選的起始材料的聚合技術制備。在這些實施方式的一些方面中,盡管可以采用用于制備具有所述粒度、粒度分布和球形結構的顆粒的其它技術,但是漫射體聚合物顆粒的制備包括 通過使得漫射體聚合物顆粒的至少一種組分乳液聚合制備均勻尺度的晶種顆粒,用所述漫射體聚合物顆粒的一種或多種單體組分溶脹所述晶種顆粒,使所述單體在所述溶脹的晶種顆粒內聚合。所述溶脹和聚合步驟可以根據(jù)需要重復,以提供具有所需尺寸的漫射體聚合物顆粒。在這些實施方式的一些方面中,用來制備漫射體聚合物顆粒的步驟包括使用限制形成的聚合物的分子量的條件來乳液聚合晶種顆粒,例如在聚合混合物中摻混鏈轉移調節(jié)劑(例如硫醇),使得所得的晶種顆粒包含容易溶脹的低聚物??赏ㄟ^以下方式改變該工藝在不存在對聚合物分子量進行限制的條件下制備初始的乳液聚合物顆粒,但是隨后使用限制聚合物分子量的條件進行一步或多步溶脹和聚合步驟。在此改變形式中,初始的乳液聚合物顆粒不像隨后的具有較低總體分子量的較大顆粒那么容易溶脹。 在本發(fā)明的一些實施方式中,所述光散射組合物包含其中分散有漫射體聚合物顆粒的基質聚合物,所述漫射體聚合物顆粒占光散射組合物的0. 1-40重量%。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒占光散射組合物的0. 1-10重量%。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒占光散射組合物的0. 3-5重量%。
在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0.3-1. 9微米。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 4-1. 5微米。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 5-1. 3微米。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 5-1. 2微米。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 5-1. 0微米。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 6-0. 9微米。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 8-0. 9微米。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒的粒度分布使得至少90重量%的漫射體聚合物顆粒在平均粒度的士 40%以內。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的粒度分布使得至少90重量%的漫射體聚合物顆粒在平均粒度的士 35 %以內。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的粒度分布使得至少 90重量%的漫射體聚合物顆粒在平均粒度的士32%以內。0043在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒的交聯(lián)密度為> 4至 99重量%。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的交聯(lián)密度為5-50重量%。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的交聯(lián)密度為5-10重量%。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒中心的折射率0 1+心)小于其表面的折射率(RI b)。在這些實施方式的一些方面中,所述RI+心比RI<a/j、0.003-0. 4 單位。在這些實施方式的一些方面中,所述RI+心比RI<a/j、0.008-0.1單位。在這些實施方式的一些方面中,所述RI +心比RI <31小0. 01-0. 05單位。在這些實施方式的一些方面中, 所述RI中心比RI表面小0. 01-0. 03單位。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒的RI Φ心為1. 2-1. 6。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的RI ^心為1. 4-1. 5。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒的RI ψ心與基質聚合物的折射率相差在士0.003至士0.6單位之內。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的RI+心與基質聚合物的折射率相差在士0.003至< 士0.05單位之內。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的RI Φ心與基質聚合物的折射率相差在士0. 003 至士0.04單位之內。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒的RIt心與基質聚合物的折射率相差在士0.02至士0.04單位之內。通過本申請的具體教導,本領域普通技術人員能夠選擇用于制備漫射體聚合物顆粒的材料,以使得所述顆粒具有與特定基質聚合物結合使用的所需的折射率性質。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述漫射體聚合物顆粒通過任意合適的常規(guī)技術與基質聚合物組合。在這些實施方式的一些方面中,所述漫射體聚合物顆粒通過熔融共混與基質聚合物組合。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述光散射組合物還包含任選的添加劑。在這些實施方式的一些方面中,所述任選的添加劑選自常規(guī)的添加劑,其包括例如紫外光穩(wěn)定劑、紫外光吸收劑、可溶性阻燃劑、染料、熱穩(wěn)定劑、抗沖改性劑、加工助劑、流動助劑、顏料和熒光增白劑。在這些實施方式的一些方面中,所述光散射組合物還包含一種或多種抗沖改性劑。 在這些實施方式的一些方面中,對所述抗沖改性劑進行選擇,以與基質聚合物形成透明的無光散射的共混物(blend)。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物,漫射體聚合物顆粒和任選的添加劑共混起來,擠出形成球粒,然后該球粒再進行模塑或擠出。在本發(fā)明的一些實施方式中,所述基質聚合物,漫射體聚合物顆粒和任選的添加劑加工成片材或膜。本發(fā)明的光散射組合物可用于各種應用,包括燈具的光漫射體,電視或電影的背投影屏,裝飾,照明標志(特別是背光的半透明標志),天窗,照明裝置(特別是用于熒光或白熾光照明),溫室裝配玻璃,光盒,繪圖桌,汽車遮陽篷,藝術用途(例如顯示陳列柜部件),用于CRT裝置的防輝光屏幕,雙層壁玻璃窗、液晶顯示器、等離子顯示器、秘密窗、用于汽車燈的罩子和涂層。在以下實施例中將詳細描述本發(fā)明的一些實施方式。除非另外說明,下面的實施例中所有的份數(shù)和百分數(shù)都是以重量為基準計。表格中的術語擴散率(“Diff. ”)是通過測角光度計(Goniophotometer)測得的輸出強度-擴散角的積分的倒數(shù)得到的,表示為百分數(shù)的形式。關于該度量,完美的漫射體的擴散率值將為100%。實施例實施例1該實施例說明了用來在水分散體中制備大晶種顆粒的直徑為0. 25微米的交聯(lián)聚合物顆粒的制備。表1的混合物用去離子水制備表 權利要求
1.一種光散射組合物,其包含基質聚合物,其中,所述基質聚合物選自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS),聚烯烴,聚碳酸酯,聚碳酸酯-聚酯共混物,聚酰胺,聚(對苯二甲酸烷基二酯),聚苯乙烯,環(huán)烯烴,聚苯乙烯/甲基丙烯酸酯共混物,以及它們的組合; 漫射體聚合物顆粒;所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 3-1. 9微米,其中,所述平均粒度是在馬文設備粒度分析儀馬斯特粒度儀2000上測得的d5°的值;所述漫射體聚合物顆粒包含> 4重量%到99重量%的作為共聚單元的交聯(lián)單體; 所述漫射體聚合物顆粒中心的折射率RI Φ心不同于其表面的折射率RI <Β ; 其中,RI ^心表示使用蔡司杰納沃因特非科干涉顯微鏡在甘油中、在漫射體聚合物顆粒的中心測得的折射率;RI Β表示使用蔡司杰納沃因特非科干涉顯微鏡在甘油中、在漫射體聚合物顆粒的表面測得的折射率;RI中心< RI表面;所述漫射體聚合物顆粒是單相顆粒,該單相顆粒呈從中心到表面RI逐漸增大; 其中,所述漫射體聚合物顆粒分布在整個基質聚合物中;和所述光散射組合物包含0. 1-10重量%的漫射體聚合物顆粒。
2.如權利要求1所述的光散射組合物,其特征在于,所述基質聚合物選自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS),聚烯烴,聚碳酸酯,聚碳酸酯-聚酯共混物,聚酰胺,聚(對苯二甲酸烷基二酯),聚苯乙烯,環(huán)烯烴和聚苯乙烯/甲基丙烯酸酯共混物。
3.如權利要求1所述的光散射組合物,其特征在于,所述漫射體聚合物顆粒的粒度分布使得至少90重量%的漫射體聚合物顆粒在平均粒度的士40%以內。
4.如權利要求1所述的光散射組合物,該組合物還包含抗沖改性劑。
5.如權利要求1所述的光散射組合物,其特征在于,所述漫射體聚合物顆粒的RI^心與所述基質聚合物的折射率相差為< 士0. 05至士0. 003單位。
6.如權利要求1所述的光散射組合物,其特征在于,所述漫射體聚合物顆粒的RI^心與所述基質聚合物的折射率相差為士0. 04至士0. 003單位。
7.如權利要求1所述的光散射組合物,其特征在于,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 6-0. 9微米。
8.如權利要求1所述的光散射組合物,其特征在于,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0. 8-0. 9微米。
9.一種平板顯示器,其具有包含如權利要求1所述的光散射組合物的漫射層,所述漫射層的厚度為0. 45-4毫米。
10.一種光漫射體,其包含如權利要求1所述的光散射組合物。
全文摘要
揭示了包含漫射體聚合物顆粒的光散射組合物,所述漫射體聚合物顆粒的平均粒度為0.3-1.9微米;所述漫射體聚合物顆粒包含>4重量%的交聯(lián)密度;所述漫射體聚合物顆粒中心的折射率RI中心不同于其表面的折射率RI表面;RI中心<RI表面;所述漫射體聚合物顆粒是單相顆粒。還揭示了所述光散射組合物的制備和使用方法。
文檔編號C08L45/00GK102532791SQ201110366159
公開日2012年7月4日 申請日期2008年1月25日 優(yōu)先權日2007年1月26日
發(fā)明者E·E·拉弗勒, 吳俊成 申請人:羅門哈斯公司
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