專利名稱：高分子化合物、發(fā)光材料及發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高分子化合物及含有高分子化合物的發(fā)光材料以及發(fā)光元件。
技術(shù)背景
已知作為發(fā)光元件的發(fā)光層中所用的發(fā)光材料，在發(fā)光層中使用了顯示來自三重態(tài)激發(fā)態(tài)的發(fā)光的化合物(以下有時稱作磷光發(fā)光性化合物)的元件的發(fā)光效率高。在將磷光發(fā)光性化合物用于發(fā)光層中的情況下，通常來說，將向該化合物中添加基質(zhì)而成的組合物作為發(fā)光材料使用。作為基質(zhì)，已知可以合適地使用聚乙烯咔唑之類的高分子，因其可以利用涂布來形成薄膜(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
但是，此種元件具有驅(qū)動電壓高的問題。另一方面，如果將聚芴等共軛系高分子化合物作為基質(zhì)使用，則雖然可以實現(xiàn)低驅(qū)動電壓，但是由于此種共軛系高分子化合物一般來說最低三重態(tài)激發(fā)能量小，因此被認(rèn)為不適于作為基質(zhì)使用(例如參照專利文獻(xiàn)2)。實際上，例如由作為共軛系高分子化合物的聚芴和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的發(fā)光材料(非專利文獻(xiàn)1)是發(fā)光效率極低的材料。另外，已知此種性能降低一般來說會隨著來自磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光波長變短而變得明顯，特別是尚不知曉適于顯示比綠色更短波長的發(fā)光波長的磷光發(fā)光性化合物的共軛系高分子化合物。即，本發(fā)明的目的在于，提供可以用于含有顯示比綠色更短波長的發(fā)光波長的磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光材料的基質(zhì)中的共軛系高分子及含有它們的發(fā)光材料。
專利文獻(xiàn)1 特開2002-50483號公報
專利文獻(xiàn)2 特開2002-241455號公報
非專利文獻(xiàn)1 APPLIED PHYSICS LETTERS,80,13, 2308 (2002)
所以，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在有關(guān)高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量的特定的系數(shù)，尤其是表示高分子的重復(fù)單元之間的共軛的程度的系數(shù)(電子共軛鏈系數(shù)或共軛鏈系數(shù))與發(fā)光性能之間有明顯的相關(guān)性，在這些系數(shù)處于特定的范圍的高分子中可以獲得在包括藍(lán)色的寬廣波長區(qū)域中發(fā)光的發(fā)光材料，從而完成了本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容
S卩，本發(fā)明如下所示。
1. 一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物， 其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)4為以下的范圍。
0 < Ze ^ 2. 00 (1)
[這里，電子共軛鏈系數(shù)T^定義為利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm= Tffl (l/ne) 時的斜率，其中，表示重復(fù)最小單元中所含的共軛電子數(shù)，Tm表示在對將重復(fù)最小單元結(jié)合而得的m聚體使數(shù)m從1到3逐一變化時的各m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量。這里，共軛電子數(shù)僅考慮存在于重復(fù)最小單元的主鏈內(nèi)的共軛電子。但是，在可以看到多個主要的重復(fù)最小單元的情況下，使用最小的4。]。
2.根據(jù)1.所述的組合物，是由高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的發(fā)光性的組合物，該高分子的主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)&為(1)的范圍。
3.根據(jù)1.或2.所述的組合物，其特征是，高分子的主要的重復(fù)最小單元在主鏈上不會連續(xù)地具有2個以上可以斷開主鏈的單鍵。(這里，所謂可以斷開主鏈?zhǔn)侵冈趯⒃搯捂I切斷的情況下，該主鏈斷開。)。
4.根據(jù)1. 3.中任意一項所述的組合物，其中，高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1 在2. 7eV以上。(高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1使用利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm =Tffl (l/ne)時為⑴的外插值，其中所述Tm表示在對將重復(fù)最小單元結(jié)合而得的m聚體使數(shù)m從1到3逐一變化時各m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量)。
5.根據(jù)1. 4.中任意一項所述的組合物，其中，高分子的主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)&為0 < & < 2. 00，并且高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1在2. SeV以上。
6.根據(jù)1. 4.中任意一項所述的組合物，其中，高分子的主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)&為0 < & < 2. 00，并且高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1在2. 9eV以上。
7.根據(jù)1. 4.中任意一項所述的組合物，其中，高分子的主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)&為0 < & < 2. 00，并且高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1在3. OeV以上。
8.根據(jù)1. 4.中任意一項所述的組合物，其中，高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量 T1 (eV)為 2. 7 < T1 < 5. 0。
9.由高分子和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的8.所述的組合物，其特征是，所述高分子是含有由一種基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的片段的高分子，該基本結(jié)構(gòu)單元的最低三重態(tài)激發(fā)能量 Tmi為3. 6eV彡Tmi彡5. 5eV,該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1及該基本結(jié)構(gòu)單元的如下定義的共軛鏈系數(shù)Z為2. 7eV ≤ T1 ≤ 5. OeV,并且0. 00 < Z < 0. 50。(這里，基本結(jié)構(gòu)單元的共軛鏈系數(shù)Z定義為利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm = Tffl (1/m)時的斜率，其中，Tm表示在使基本結(jié)構(gòu)單元數(shù)m從1到3逐一變化時m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量。)。
10.根據(jù)9.所述的組合物，其中，構(gòu)成該組合物的高分子中所含的片段的基本結(jié)構(gòu)單元中所含的共軛電子數(shù)為< 6。
11.由高分子和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的8.所述的組合物，其特征是，所述高分子是含有由一種基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的片段的高分子，該基本結(jié)構(gòu)單元的最低三重態(tài)激發(fā)能量Tmi為3. 2eV ^ Tmi < 3. 6eV，該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1、最低未占分子軌道能量的絕對值Euisro及該基本結(jié)構(gòu)單元的共軛鏈系數(shù)Z為2. 7eV ≤T1 ≤5. OeVU. 4eV<Eliho ( 5. OeV,并且 0. 00 < Z ≤ 0. 25。
12.由高分子和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的8.所述的組合物，其特征是，所述高分子是含有由一種基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的片段的高分子，該基本結(jié)構(gòu)單元的最低三重態(tài)激發(fā)能量Tmi為2. 9eV ^ Tmi < 3. &V，該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1、最低未占分子軌道能量的絕對值Euisro及該基本結(jié)構(gòu)單元的共軛鏈系數(shù)Z為2. 7eV ≤T1 ≤5. OeVU. 4eV<Eliho ( 5. OeV,并且 0· 00 < Z ≤ 0· 13。
13.由高分子和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的8.所述的組合物，其特征是，所述高分子是含有由至少兩種基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的片段的高分子，該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1 及最低未占分子軌道能量的絕對值Euhq滿足2. 7eV ^ T1 ^ 5. OeV及1. 4eV < Elumo ^ 5. OeV 的條件，并且如下定義的共軛鏈系數(shù)Z滿足0. 00 < Z < 0. 40的條件。(這里，共軛鏈系數(shù) Z定義為利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm = Tffl (1/m)時的斜率，其中，Tm表示在假想具有與構(gòu)成該片段的各基本結(jié)構(gòu)單元的組成比相同的基本結(jié)構(gòu)單元組成比的最小單元的情況下，在使該最小單元的數(shù)m從1到3逐一變化時該最小單元的m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量° )
14. 一種發(fā)光性材料，其含有將發(fā)光性化合物作為局部結(jié)構(gòu)含在同一分子內(nèi)的發(fā)光性高分子，還含有主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)4在1. 8.的任意一項所述的范圍內(nèi)的高分子，或上述發(fā)光性高分子的&在1. 8.的任意一項所述的范圍內(nèi)。
15.根據(jù)1. 14.中任意一項所述的組合物，其中，高分子的上述重復(fù)最小單元含有芳香環(huán)、包含雜原子的五元環(huán)以上的雜環(huán)、芳香族胺或以下述式(1)表示的結(jié)構(gòu)的某種(這里，在該芳香環(huán)上或該雜環(huán)上，也可以帶有從由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、 甲硅烷基、取代甲硅烷基、商原子、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酸酰亞胺基、1價的雜環(huán)基、羧基、取代羧基及氰基構(gòu)成的組中選擇的取代基。)
[化1]
P環(huán)存在的情況下，分別存在于P環(huán)及/或Q環(huán)上，在P環(huán)不存在的情況下，分別存在于含有 Y的五元環(huán)或六元環(huán)上及/或Q環(huán)上。另外，在芳香環(huán)上及/或含有Y的五元環(huán)或六元環(huán)上也可以帶有從由烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、商原子、?；?酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酸酰亞胺基、1價的雜環(huán)基、羧基、取代羧基及氰基構(gòu)成的組中選擇的取代基；Y 表示-O-、-S-、-Se-, -B(R1)-, -Si(R2) (R3)-、-P(R4)_、-PR5 ( = 0)-、-C(R6) (R7)-、-N(R8)-, -C(R9) (R10) -C(R11) (R12)-、-O-C(R13) (R14) _、-S-C(R15) (R16)-、-N-C(R17) (R18)-、-Si (R19) (R20)-C(R21) (R22)-、-Si (R23) (R24)-Si(R25) (R26)-、C(R27) = C(R28)-, -N = C(R29)-或-Si (R30) = C(R31) _，R1 R31分別獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1價的雜環(huán)基或商原子。)。
16.根據(jù)15.所述的組合物，其中，高分子的上述重復(fù)最小單元由芳香環(huán)、包含雜原子的五元環(huán)以上的雜環(huán)、芳香族胺或以上述式(1)表示的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
17.根據(jù)1. 16.中任意一項所述的組合物，其中，在將組合物中所含的該磷光發(fā)光性化合物的最低三重態(tài)激發(fā)能量設(shè)為ETT的情況下，
ETT > T1-O. 2 (eV)。
18. 一種上述組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物，其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元以下述式( 表示。
[化2]
(這里，R表示烷基。)。
19. 一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物， 其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元以下述式(4)表示。
[化 3]
基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫基、芳基鏈烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、 甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1價的雜環(huán)基或商原子。)
20. 一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物， 其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元以下述式( 表示。
[化4]
(這里，R表示烷基。)。
21. 一種墨液組合物，其特征是，含有1. 20.中任意一項所述的組合物。
22.根據(jù)21.所述的墨液組合物，其粘度在25°C為1 IOOmPa · S。
23. 一種發(fā)光性薄膜，其特征是，含有1. 20.中任意一項所述的組合物。
24. 一種有機半導(dǎo)體薄膜，其特征是，含有1. 20.中任意一項所述的組合物。
25. 一種光電元件，其特征是，含有1. 20.中任意一項所述的組合物。
26. 一種光電元件，其特征是，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，具有含有1. 20.中任意一項所述的組合物的層。
27.根據(jù)26.所述的光電元件，其中，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，還含有電荷輸送層或電荷阻止層。
28.根據(jù)25. 27.所述的光電元件，其中，光電元件為發(fā)光元件。
29. 一種面狀光源，其特征是，使用了 28.中所述的發(fā)光元件。
30. 一種分段顯示裝置，其特征是，使用了觀.中所述的發(fā)光元件。
31. 一種點矩陣顯示裝置，其特征是，使用了觀.中所述的發(fā)光元件。
32. 一種液晶顯示裝置，其特征是，將觀.中所述的發(fā)光元件作為背光燈。
33. 一種照明，其特征是，使用了 28.中所述的發(fā)光元件。
這里，本發(fā)明的所謂共軛電子僅為一般來說在有機化學(xué)中被稱作π共軛電子的電子，本發(fā)明中，不包含孤立電子。例如，具體來說，吡咯、噻吩、呋喃在每一個結(jié)構(gòu)中具有4 個共軛電子，苯或吡啶在每一個結(jié)構(gòu)中具有6個共軛電子，萘、蒽、并四苯、并五苯分別在每一個結(jié)構(gòu)中具有10個、14個、18個、22個共軛電子，芴或咔唑在每一個結(jié)構(gòu)中具有12個共軛電子，三苯基胺在每一個結(jié)構(gòu)中具有18個共軛電子，
電子共軛鏈系數(shù)rLe優(yōu)選為0 < &彡2. 00，更優(yōu)選為0 < &彡2. 00，并且該高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1 (以下也稱作T1能量)在2. SeV以上，進(jìn)一步優(yōu)選0 < 4 < 2. 00， 并且T1在2. 9eV以上，特別優(yōu)選0 < &彡2. 00并且T1在3. OeV以上。
這里，高分子的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1使用利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm = Tffl(l/ne)時~為⑴的外插值，其中所述1表示在對將重復(fù)最小單元結(jié)合而得的m聚體使數(shù) m從1到3逐一變化時各m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量。
對本發(fā)明的主要的重復(fù)最小單元進(jìn)行說明。所謂主要的重復(fù)最小單元是指在高分子中可以看到的重復(fù)單元當(dāng)中具有最大的重量百分率的重復(fù)單元，并且是在具有相同的重量百分率的重復(fù)單元當(dāng)中具有最小的質(zhì)量的重復(fù)單元。作為重量百分率雖然沒有特別限制，但是從磷光發(fā)光的方面考慮，優(yōu)選在50 %以上，更優(yōu)選在70 %以上，進(jìn)一步優(yōu)選在80 % 以上，特別優(yōu)選在90%以上。此種主要的重復(fù)最小單元一般來說可以通過詳細(xì)地分析高分子的結(jié)構(gòu)來看出，然而一般來說在特定的合成方法的情況下，可以根據(jù)所用的單體的結(jié)構(gòu)和合成方法的公知的性質(zhì)來確定。
另外，本發(fā)明提供一種由上述高分子和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的組合物，其特征是，是含有由一種基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的片段的高分子，該基本結(jié)構(gòu)單元的最低三重態(tài)激發(fā)能量Tmi為3. 6eV彡Tmi彡5. 5eV,該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1及該基本結(jié)構(gòu)單元的如下定義的共軛鏈系數(shù)Z為2. 7eV ^ T1 ^ 5. OeV,并且0. 00 < Z彡0. 50。
(這里，基本結(jié)構(gòu)單元的共軛鏈系數(shù)Z定義為利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm =Tffl(1/m)時的斜率，其中，Tm表示在使基本結(jié)構(gòu)單元數(shù)m從1到3逐一變化時的m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量。)。
該高分子中所含的片段的基本結(jié)構(gòu)單元中所含的共軛電子數(shù)ne優(yōu)選為ne < 6。
另外，最好該基本結(jié)構(gòu)單元的最低三重態(tài)激發(fā)能量Tmi為3. 2eV ( Tmi < 3. 6eV, 該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1、最低未占分子軌道能量的絕對值Eum及該基本結(jié)構(gòu)單元的如下定義的共軛鏈系數(shù)Z為2. 7eV彡T1彡5. OeVU. 4eV < Elumo ( 5. OeV,并且0. 00<Z ^ 0. 25。
另外，最好該基本結(jié)構(gòu)單元的最低三重態(tài)激發(fā)能量Tmi為2. 9eV彡Tmi < 3. 2eV, 該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1、最低未占分子軌道能量的絕對值Eum及該基本結(jié)構(gòu)單元的如下定義的共軛鏈系數(shù)Z為2. 7eV彡T1彡5. OeVU. 4eV < Elumo ( 5. OeV,并且0. 00<Z ^ 0. 13。
另外，本發(fā)明提供一種由高分子和磷光發(fā)光性化合物構(gòu)成的組合物，其特征是，是含有由至少兩種基本結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的片段的高分子，該片段的最低三重態(tài)激發(fā)能量T1及最低未占分子軌道能量的絕對值Eliimq滿足2. 7eV ^ T1 ^ 5. OeV及1. 4eV < Eliho ^ 5. OeV的條件，并且如下定義的共軛鏈系數(shù)Z滿足0. 00 < Z < 0. 40的條件。
(這里，共軛鏈系數(shù)Z定義為利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm= Tffl (1/m)時的斜率，其中，Tm是表示在設(shè)想具有與構(gòu)成該片段的各基本結(jié)構(gòu)單元的組成比相同的基本結(jié)構(gòu)單元組成比的最小單元的情況下，在使該最小單元的數(shù)m從1到3逐一變化時該最小單元的m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量。)
構(gòu)成本發(fā)明的高分子中所含的片段的基本結(jié)構(gòu)單元可以如下所示的指定。
例如，對在主鏈中具有亞芳基及/或2價的雜環(huán)的片段的情況進(jìn)行說明。這里，在亞芳基中，包括具有苯環(huán)、稠環(huán)的亞芳基；將2個獨立的苯環(huán)或稠環(huán)直接或像以芴例示的那樣利用跨環(huán)結(jié)合了的亞芳基。所謂2價的雜環(huán)是指從雜環(huán)化合物中去除了 2個氫原子的剩下的原子團。這里，所謂雜環(huán)化合物是指，具有環(huán)式結(jié)構(gòu)的有機化合物當(dāng)中的構(gòu)成環(huán)的元素不僅是碳原子，還在環(huán)內(nèi)包含氧、硫、氮、磷、硼等雜原子。
1)在存在有將片段的主鏈內(nèi)存在的亞芳基及/或2價的雜環(huán)之間直接連結(jié)的單鍵的情況下，在該全部單鍵的位置上將片段切斷。將如此得到的各個部分稱為「結(jié)構(gòu)單元」。
2)將上述結(jié)構(gòu)單元中的、在主鏈部分不含有以-X_[X表示2價的雜原子 (-O-、-S-、)、-(co)-、-CR = CR-、-cec-等。這里，R表示取代基。]表示的基的結(jié)構(gòu)單元直接作為基本結(jié)構(gòu)單元。
3)對于上述結(jié)構(gòu)單元中的、在主鏈部分含有以上述-X-表示的基的結(jié)構(gòu)單元，將通過在屬于該-X-的2個結(jié)合手中的任意一個結(jié)合手處切斷而生成的結(jié)構(gòu)(分割單元結(jié)構(gòu))作為基本結(jié)構(gòu)單元。但是，所切斷的結(jié)合手以使分割單元結(jié)構(gòu)的種類達(dá)到最少的方式來選擇。
在并非如此的情況下，將上述結(jié)構(gòu)單元作為基本結(jié)構(gòu)單元。
以下將舉例進(jìn)行具體說明。
[例1]片段由
[化5]
權(quán)利要求
1. 一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物，其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元以下述式( 表示， [化2]
2. 一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物，其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元以下述式(4)表示， [化3]
3. 一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物，其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元以下述式( 表示， [化4]
4.一種墨液組合物，其特征是，含有權(quán)利要求1 3中任意一項所述的組合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的墨液組合物，其粘度在25°C為1 IOOmPa· S。
6.一種發(fā)光性薄膜，其特征是，含有權(quán)利要求1 3中任意一項所述的組合物。
7.一種有機半導(dǎo)體薄膜，其特征是，含有權(quán)利要求1 3中任意一項所述的組合物。
8.一種光電元件，其特征是，含有權(quán)利要求1 3中任意一項所述的組合物。
9.一種光電元件，其特征是，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，具有含有權(quán)利要求1 3中任意一項所述的組合物的層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電元件，其中，在由陽極及陰極構(gòu)成的電極之間，還含有電荷輸送層或電荷阻止層。
11.根據(jù)權(quán)利要求8 10中任意一項所述的光電元件，其中，光電元件為發(fā)光元件。
12.—種面狀光源，其特征是，使用了權(quán)利要求11中所述的發(fā)光元件。
13.一種分段顯示裝置，其特征是，使用了權(quán)利要求11中所述的發(fā)光元件。
14.一種點矩陣顯示裝置，其特征是，使用了權(quán)利要求11中所述的發(fā)光元件。
15.一種液晶顯示裝置，其特征是，將權(quán)利要求11中所述的發(fā)光元件作為背光燈。
16.一種照明，其特征是，使用了權(quán)利要求11中所述的發(fā)光元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種組合物，是含有高分子和至少一種磷光發(fā)光性化合物的發(fā)光性的組合物，其特征是，該高分子的主要的重復(fù)最小單元的電子共軛鏈系數(shù)Ze為以下的范圍。0＜Ze≤2.00(1)(這里，電子共軛鏈系數(shù)Ze定義為利用最小二乘法來線性近似函數(shù)Tm＝Tm(1/ne)時的斜率，其中，ne表示重復(fù)最小單元中所含的共軛電子數(shù)，Tm表示在對將重復(fù)最小單元結(jié)合而得的m聚體使數(shù)m從1到3逐一變化時各m聚體的最低三重態(tài)激發(fā)能量。這里，共軛電子數(shù)僅考慮存在于重復(fù)最小單元的主鏈內(nèi)的共軛電子。但是，在可以看到多個主要的重復(fù)最小單元的情況下，使用最小的Ze。)。
文檔編號C08G61/02GK102532811SQ201110414420
公開日2012年7月4日 申請日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月14日
發(fā)明者三上智司, 中谷智也, 關(guān)根千津, 秋野喜彥 申請人:住友化學(xué)株式會社