技術(shù)特征：
1.一種用下述式(F)表示的光學(xué)活性(2S,5R)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸衍生物的制備方法，式(F)中，R1表示CO2R，R表示甲基、叔丁基或者2,5-二氧代吡咯烷-1-基，R2表示芐基或者烯丙基；該方法包括：將用下述式(E)表示的化合物分子內(nèi)脲化后，對(duì)所得到的用下述式(F1)表示的化合物實(shí)施至少一個(gè)以上的下述工序；式(E)中，Bn表示芐基，tBu表示叔丁基；式(F1)中，Bn表示芐基，tBu表示叔丁基；工序a：切斷酯的工序；工序b：形成無(wú)機(jī)陽(yáng)離子或者有機(jī)陽(yáng)離子的鹽形態(tài)的工序；工序c：酸處理以形成游離酸的工序；工序d：將羧酸氨基甲?；墓ば颍还ば騟：將羧酸酯化的工序；工序f：除去6位芐氧基的芐基的工序；工序g：將6位烯丙氧基化的工序。2.權(quán)利要求1中定義的用式(E)表示的化合物的制備方法，其特征在于，該方法包括：除去下式(A)表示的化合物的芐氧基羰基，得到式(B)所示的化合物，將用下述式(B)表示的化合物三氟乙?；?，使所得到的用下述式(C)表示的化合物在羥基活化劑的存在下與芐氧基胺反應(yīng)，將所得到的用下述式(D)表示的化合物脫三氟乙?；?；式(A)中，Cbz表示芐氧基羰基，t-Bu表示叔丁基；式(B)中，tBu表示叔丁基；式(C)中，tBu表示叔丁基，TFA表示三氟乙?；?；式(D)中，Bn表示芐基，tBu表示叔丁基，TFA表示三氟乙?；?.一種用式(E)表示的化合物，式(E)中，Bn表示芐基，t-Bu表示叔丁基。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，式(F)表示的化合物為下述的任意一種化合物，(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸叔丁基酯、(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸甲基酯、(2S,5R)-2,5-二氧代吡咯烷-1-基6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸酯、(2S,5R)-6-(烯丙氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸叔丁基酯。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸叔丁基酯為晶體，其中，該晶體在粉末X射線衍射圖中，在晶面間距(d)為11.56、10.96、6.55、6.00、5.79、5.56、5.47、5.25、4.90、4.35、4.23以及處具有特征峰。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸甲基酯為晶體，其中，該晶體在粉末X射線衍射圖中，在晶面間距(d)為10.39、5.86、5.69、5.34、4.81、4.44、3.98、3.78、3.11、3.03、2.93以及處具有特征峰。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，式(F)表示的化合物為(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸烯丙基酯的晶體，其中，該晶體在粉末X射線衍射圖中，在晶面間距(d)為14.72、4.91、4.46、4.24以及處具有特征峰。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，式(F)表示的化合物為(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸環(huán)己基銨鹽的晶體，其中，該晶體在粉末X射線衍射圖中，在晶面間距(d)為9.95、8.45、6.26、5.87、5.52、5.22、5.10、4.96、4.73、4.54、4.16、3.93以及處具有特征峰。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，式(F)表示的化合物為(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-羧酸的晶體，其中，該晶體在粉末X射線衍射圖中，在晶面間距(d)為8.19、7.14、6.64、6.29、5.60、5.21、4.91、4.60、4.21、3.69、3.45以及處具有特征峰。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，式(F)表示的化合物為(2S,5R)-6-(芐氧基)-7-氧代-1,6-二氮雜環(huán)[3.2.1]辛烷-2-甲酰胺的晶體，其中，該晶體在粉末X射線衍射圖中，在晶面間距(d)為13.06、6.52、5.14、4.74、4.63、4.34、3.85以及處具有特征峰。