專利名稱：脂環(huán)族單體，包含該單體的聚合物以及包含所述聚合物的光致抗蝕劑組合物的制作方法
脂環(huán)族單體，包含該單體的聚合物以及包含所述聚合物的光致抗蝕劑組合物
背景技術(shù)：
基于短波輻射(例如在193nm處運(yùn)行ArF準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生)或其它類似的短波源的改進(jìn)的光刻技術(shù)能用于通過增加集成電路的器件密度得到更快且更高效的半導(dǎo)體器件?？捎糜谶@種短波應(yīng)用的光致抗蝕劑材料包括化學(xué)擴(kuò)增型輻射敏感樹脂組合物，它依賴于包含酸不穩(wěn)定官能團(tuán)的樹脂組分和通過輻照產(chǎn)生酸的光致生酸劑的有效相互作用。用于ArF準(zhǔn)分子激光器光刻技術(shù)的光致抗蝕劑材料的必需性質(zhì)包括在193nm處的透明度(即低光學(xué)密度)，以及高抗蝕性，具有高碳密度和多環(huán)結(jié)構(gòu)。可用的光致抗蝕劑平臺(tái)樹脂包括基于聚(甲基)丙烯 酸酯骨架和由大的叔烷基保護(hù)的羧酸部分的樹脂，它在193nm處是高度透明的。對(duì)羧酸脫保護(hù)(本文中也稱為“解封閉”)的效率與對(duì)比度和分辨率直接相關(guān)。已知多種不同的基于(甲基)丙烯酸酯的單體，具有對(duì)酸敏感的叔酯基團(tuán)。例如，美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2007/0275324A1號(hào)公開了基于包含叔中心的環(huán)烷基部分的(甲基)丙烯酸酯，其中酯氧與叔烷基環(huán)碳原子相連，所述叔烷基環(huán)碳原子在同一中心處具有另一烷基或環(huán)烷基取代基(即得到季中心)。使用這些單體制備的聚合物可以在光致抗蝕劑中提供對(duì)比度。但是，隨著半導(dǎo)體器件臨界尺寸(CD)的縮小，制備器件設(shè)計(jì)結(jié)點(diǎn)等于或小于45nm的器件仍需要能提供窄CD控制的較高分辨率光致抗蝕劑。

發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)有技術(shù)的上述或其它問題可以通過具有式I結(jié)構(gòu)的單體來克服:
權(quán)利要求
1.一種單體，具有式I的結(jié)構(gòu):
2.如權(quán)利要求1所述的單體，其中R4是H、F、甲基或三氟甲基。
3.如權(quán)利要求1或2所述的單體，其中R1，R2和R3各自獨(dú)立地是C1,烷基，C1,氟代燒基，C1^0燒氧基，C1^0氣代燒氧基，C1^0鏈燒醇基，或者包括至少一種上述基團(tuán)的組合。
4.如權(quán)利要求1或2所述的單體，其中R1，R2和R3各自獨(dú)立地是H、甲基、乙基、三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、2-羥乙基或包括至少一種上述基團(tuán)的組合。
5.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的單體，其中m和η獨(dú)立地是3或4，χ和y獨(dú)立地是0-2的整數(shù)。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的單體，其中R1是甲基或乙基，m和η各自是3，χ和y各自是O。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的單體，其中A是-O-CH2(C=O) _。
8.一種聚合物,其包含權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的單體。
9.一種光致抗蝕劑組合物，其包含權(quán)利要求8所述的聚合物和光致生酸劑。
10.一種涂覆的基材，其包括:(a)基材，其包括位于其表面上的將被圖案化的一個(gè)層或多個(gè)層；和(b)權(quán)利要求9所述的光致抗蝕劑組合物層，其位于所述將被圖案化的一個(gè)層或多個(gè)層上。
11.一種圖案化的層，所述層通過使用193nm的光化輻照對(duì)權(quán)利要求10所述的涂覆的基材以圖案化方式成像形成。
全文摘要
具有式I結(jié)構(gòu)的單體式中，R1,R2和R3各自獨(dú)立地是C1-30單價(jià)有機(jī)基團(tuán)，R1,R2和R3各自獨(dú)立地是未取代的，或包括鹵素、腈、醚、酯、酮、醇，或者是包括至少一種上述官能團(tuán)的組合；R4包括H,F,C1-4烷基，或C1-4氟代烷基；A是單鍵或二價(jià)連接基團(tuán)，其中是A未取代的，或被取代而包括鹵素、腈、醚、酯、酮、醇，或者包括至少一種上述官能團(tuán)的組合；m和n各自獨(dú)立地是1-8的整數(shù)；以及x是0至2n+2，y是0至2m+2。
文檔編號(hào)C08F220/28GK103183613SQ20121058556
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者劉聰, 李明琦, C-B·徐 申請(qǐng)人:羅門哈斯電子材料有限公司