含有取代的低聚三芳胺單元的聚合物以及包含這些聚合物的電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及含有鄰位取代的低聚三芳胺重復(fù)單元的聚合物，其制備方法，以及其在電子器件中、特別是在有機(jī)電致發(fā)光器件，所謂OLED(OLED＝有機(jī)發(fā)光二極管)中的用途。另外，本發(fā)明還涉及包含這些聚合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專利說明】含有取代的低聚三芳胺單元的聚合物以及包含這些聚合物 的電致發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及含有取代的低聚三芳胺重復(fù)單元、優(yōu)選地雙三芳胺重復(fù)單元的聚合 物，其制備方法，以及其在電子或光電器件中、特別是在有機(jī)電致發(fā)光器件，所謂〇LED(OLED =有機(jī)發(fā)光二極管）中的用途。另外，本發(fā)明還涉及包含這些聚合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 在電子或光電器件中，特別是在有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)中，需要具有多種功能 的組分。在0LED中，不同功能通常存在于不同層中。在這種情況下，使用術(shù)語多層0LED系 統(tǒng)。這些多層0LED系統(tǒng)尤其具有電荷注入層例如電子和空穴注入層，電荷傳輸層例如電子 和空穴傳導(dǎo)層，以及包含發(fā)光組分的層。通常通過連續(xù)逐層施加來制造這些多層0LED系 統(tǒng)。
[0003] 如果從溶液施加多個(gè)層，那么必須確保已經(jīng)施加的層在其已經(jīng)干燥之后不會因后 續(xù)施加溶液以制造下一層而遭到破壞。這可例如通過例如交聯(lián)制備不溶層而實(shí)現(xiàn)。例如在 EP 0 637 899和W0 96/20253中公開了這樣的方法。
[0004] 然而，另外也有必要從材料側(cè)以實(shí)現(xiàn)例如在壽命、效率等方面可能的最好結(jié)果的 方式使單獨(dú)層的功能相互匹配。因此，特別地，與發(fā)光層直接相鄰的層，特別是空穴傳輸層 (HTL =空穴傳輸層），對相鄰發(fā)光層的性質(zhì)具有重大影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的之一因此是提供如下的化合物，其一方面可從溶液加工，并且另一 方面在用于電子或光電器件、優(yōu)選地用于0LED以及在此處特別地用于其空穴傳輸層時(shí)會 使得器件即特別是0LED的性質(zhì)得到改進(jìn)。
[0006] 令人預(yù)料不到地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如下的聚合物特別在用于0LED的空穴傳輸層中時(shí)會 使這些0LED的壽命顯著增加，所述聚合物含有低聚三芳胺重復(fù)單元，其中至少一個(gè)芳基基 團(tuán)被鄰位取代。
[0007] 因此本申請涉及含有至少一種下式（I)結(jié)構(gòu)單元的聚合物：

【權(quán)利要求】
1. 一種聚合物，其含有至少一種下式（I)的結(jié)構(gòu)單元：
其中 Ar1至Ar5在每次出現(xiàn)時(shí)在每種情況下都相同或不同地為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的 單環(huán)或多環(huán)芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代； i和j各自為〇或1，其中總和（i+j) = 1 ; R 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為 H，D，F(xiàn)，Cl, Br, I，N(R1)2, CN，NO2, Si(R1)3, B(OR1)2, C( = 0)#，Ρ( = 0) (R%，S( = 0)#，5( = OhRSOSC^R1，具有 1 至 40 個(gè) C 原子的直鏈烷基、 烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或者具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷 氧基基團(tuán)，其中的每個(gè)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 1取代，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可 以被 R1C = CR1、C E c、Si(R1)2' C = 0、C = S、C = NR\P( = 0) (R1)、SO、S02、NR1、0、S 或 CONR1代替，和其中一個(gè)或多個(gè)H原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN代替，或具有5至60個(gè)芳 族環(huán)原子的單環(huán)或多環(huán)的芳族或雜芳族環(huán)系，其在每種情況下可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 1取 代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R1取 代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 1取 代，或具有10至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基 基團(tuán)，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 1取代，或可交聯(lián)的基團(tuán)Q，其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R還可 以相互形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族和/或苯并稠合環(huán)系； R1在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地為H，D，F(xiàn)，或具有1至20個(gè)C原子的脂族烴基團(tuán)，具有 5至20個(gè)C原子的芳族和/或雜芳族烴基團(tuán)，其中，一個(gè)或多個(gè)H原子還可以被F代替；其 中兩個(gè)或更多個(gè)取代基R1還可以相互形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；和 η = 1、2 或 3, 其中虛線表示所述聚合物中與相鄰結(jié)構(gòu)單元鍵合的鍵， 其特征在于，在其中i = 0和j = 1的情況下，Ar2和/或Ar4各自在兩個(gè)鄰位中的至 少一處、優(yōu)選地在其中一處被Ar6取代，其中Ar6是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的單環(huán)或多環(huán) 的芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代，和 其特征在于，在其中i = 1和j = 0的情況下，Ar4和/或Ar5各自在兩個(gè)鄰位中的至 少一處、優(yōu)選地在其中一處被Ar6取代，其中Ar6為具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的單環(huán)或多環(huán) 的芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物，其特征在于所述至少一種式（I)的結(jié)構(gòu)單元選自下 式（1-1)的結(jié)構(gòu)單元：
其中41'1、41'2、41'3、41'4、41' 5和11可采用權(quán)利要求1中所示的含義。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物，其特征在于所述至少一種式（I)的結(jié)構(gòu)單元選自下 式（1-2)的結(jié)構(gòu)單元：
其中41'1、41'2、41'3、41'4、41' 5和11可采用權(quán)利要求1中所示的含義。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其特征在于所述至少一種式（I)或（I-I)的結(jié) 構(gòu)單元選自下式（I-Ia)、（I-Ib)、（I-Ic)和（I-Id)的結(jié)構(gòu)單元：
其中41'1、41'2、41'3、41'4、41' 5、41'6和1?可采用上述含義， m = 0、1、2、3 或 4， η = 0、1、2 或 3, X = CR2、NR、SiR2、0、S、C = O 或 P = 0,和 r = 0 或 1。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚合物，其特征在于所述至少一種式（I)或（I-I)的結(jié) 構(gòu)單元選自下式（II)、（III)、（IV)、（V)、（VI)、（VII)、（VIII)和（IX)的結(jié)構(gòu)單元：

其中Ar1、Ar3、Ar5、Ar6、R、m、η和X可采用權(quán)利要求1和2中所示的含義，和 P = 0、1、2、3、4 或 5。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物，其特征在于基于100摩爾％的 作為結(jié)構(gòu)單元存在于所述聚合物中的所有可共聚單體，所述聚合物中的所述式（I)、（Π )、 (III)、（IV)、（V)、（VI)、（VII)、（VIII)和/或（IX)的結(jié)構(gòu)單元的比例在50至95摩爾％ 的范圍內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物，其特征在于除所述式（I)、 (II)、（III)、（IV)、（V)、（VI)、（VII)、（VIII)或（IX)的結(jié)構(gòu)單元以外，所述聚合物還含有 不同于所述式（I)、（II)、（III)、（IV)、（V)、（VI)、（VII)、（VIII)或（IX)的結(jié)構(gòu)單元的另 外的結(jié)構(gòu)單元。
8. -種制備根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物的方法，其特征在于其 通過SUZUKI聚合、YAMAMOTO聚合、STILLE聚合或HARTWIG-BUCHWALD聚合進(jìn)行制備。
9. 一種聚合物摻合物，其包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的 含有至少一種式（I)結(jié)構(gòu)單元的聚合物，和一種或多種另外的聚合物、低聚物、樹枝狀大分 子和/或低分子量物質(zhì)。
10. -種溶液或制劑，其在一種或多種溶劑中包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至7中的 一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物或根據(jù)權(quán)利要求9所述的聚合物摻合物。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物的用途，其用于電子或光電器件 中，優(yōu)選地用于有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池（OLEC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體 管（OFET)、有機(jī)集成電路（O-IC)、有機(jī)薄膜晶體管（TFT)、有機(jī)太陽能電池（O-SC)、有機(jī)激 光二極管（Ο-laser)、有機(jī)光伏（OPV)元件或器件或有機(jī)光感受器（OPC)中，特別優(yōu)選地用 于有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED)中。
12. -種電子或光電器件，優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池 (OLEC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFET)、有機(jī)集成電路（O-IC)、有機(jī)薄膜晶體管（TFT)、有機(jī)太 陽能電池（O -SC)、有機(jī)激光二極管（ο-laser)、有機(jī)光伏（OPV)兀件或器件和有機(jī)光感受器 (OPC)，特別優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件，其具有一個(gè)或多個(gè)活性層，其中這些活性層中的至少 一個(gè)包含一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的聚合物。
【文檔編號】C08G61/12GK104245784SQ201380020590
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月17日
【發(fā)明者】霍爾格·海爾, 法布里斯·?？怂? 多米尼克·約斯滕, 安娜·阿耶, 卡特婭·斯蒂格邁耶 申請人:默克專利有限公司