用于電沉積的添加劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及由式（I）表示的一種新化合物。該新化合物用作銅電鍍的添加劑。本發(fā)明披露了整平劑的化學結(jié)構(gòu)、一種含有同一整平劑的電鍍液、一種制備添加劑的方法和一種使用含有所述添加劑的電鍍液對基板進行電鍍的方法。本發(fā)明的添加劑化合物/分子提供了每個端部的分支結(jié)構(gòu)，其中每個分支包括一個帶正電荷的氮基。通過將帶有正電荷氮基的分支連接到添加劑化合物/分子的主鏈上，形成所述添加劑化合物/分子。這會產(chǎn)生高電荷密度的新的添加劑化合物/分子。
【專利說明】用于電沉積的添加劑
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種新的化合物，特別是，這種新的化合物可作為用于電鍍的添加劑。【【背景技術(shù)】】
[0002]在電鍍期間，在基板的不規(guī)則表面上通常存在電壓降變化，這會導(dǎo)致在基板上形成不均勻的金屬沉積。基板的某些部分會被過度電鍍(overplated),而其它部分則未被充分電鍍(underplated)。當基板的表面上有一個孔時,這個問題尤其嚴重。例如，圖1顯示一個掃描電子顯微照片(“SEM”)，其中一個基板上有一個孔20，通過常規(guī)的電鍍方法在其上電鍍有銅22(即將基板浸入不含任何添加劑的電鍍液中，對基板進行電鍍)。如圖1所示，孔20的邊緣被過度電鍍有銅22，而孔20的內(nèi)壁則未充分電鍍。結(jié)果是，孔20的內(nèi)容量沒有充分填充，導(dǎo)致鍍有銅22的基板的導(dǎo)電性將受到很大的影響。
[0003]為了在基板表面上形成均勻的金屬沉積物，會在電鍍液中加入整平劑。雖然傳統(tǒng)的整平劑會改良基板表面上電鍍的金屬沉積質(zhì)量，但是質(zhì)量仍不理想。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]在上述背景情況下，本發(fā)明的一個目的是提供一種新的和替代的添加劑，特別是一種可替代的整平劑，用于銅電鍍。
[0005]因此，在一個方面，本發(fā)明是由下述通式(I)表示的化合物
【權(quán)利要求】
1.一種由式⑴表示的化合物
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中所述連接基團的所述主鏈中的碳原子的數(shù)量介于I至100之間，所述主鏈包括至少一個不飽和鍵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中R1進一步由式(II)表示
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化合物，其中所述第一和第二鏈組的所述主鏈中的碳原子的所述預(yù)定數(shù)量介于I至20之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化合物，其中所述第一和第二鏈組的所述主鏈共同形成C3-C8的環(huán)烷基。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化合物，其中Y1和Y2還包括一個氧原子和/或一個硫原子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其中X選自以下式(VI)- (IX)
8.一種電鍍基板的方法，包括步驟: a)將所述基板接觸電鍍液，所述電鍍液包括由式(I)表示的化合物
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電鍍液中所述化合物的濃度介于0.1至1000mg/L 之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電鍍液還包括銅離子，所述基板上的所述電鍍層是銅，其中所述電鍍液中所述銅離子的濃度介于10至80g/L之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電鍍液還包括一種有機酸或一種無機酸，所述有機酸或所述無機酸的濃度介于5至200g/L之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電鍍液還包括鹵素離子，所述鹵素離子的濃度介于10至100mg/L之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電鍍液還包括以下一種或多種化合物:磺基烷基磺酸或其鹽、雙磺基有機化合物、和二硫代氨基甲酸衍生物；所述化合物濃度介于0.1至200mg/L之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述電鍍液還包括以下一種抑制劑:PEG、PPG或其共聚物，所述抑制劑濃度介于10至2000mg/L之間。
15.一種用于電鍍的整平劑的制作過程，包括步驟:將胺與由式(XX)表示的含環(huán)氧化物的試劑接觸
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作過程，還包括步驟:添加一種由式(XXIV)表示的含鹵素的試劑
V-Z (XXIV) 其中V表示鹵素，Z是氫或C1-C2tl烴，其有不飽和鍵或羥基。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作過程，還包括步驟:通過將過氧酸與由式(XXI)表示的第一試劑接觸，形成所述含環(huán)氧化物的試劑
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作過程，還包括步驟:通過將由式(XXI)表示的第一試劑與由式(XI)表示的第二試劑接觸，形成所述含環(huán)氧化物的試劑
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制作過程，其中所述過氧酸是間氯過氧苯甲酸。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制作過程，其中所述第二試劑是環(huán)氧氯丙烷(epichlorohydrin)。
【文檔編號】C08G65/00GK103992235SQ201410119878
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】羅繼業(yè), 孫耀峰, 丘樹堅 申請人:香港應(yīng)用科技研究院有限公司