本發(fā)明屬于電子封裝材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鉬酸鋰納米棒電子封裝材料。

背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的的小型化、多功能化及高性能化，對(duì)電子封裝材料的要求越來(lái)越高。作為理想的電子封裝材料，要求具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、絕緣性好、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工等特點(diǎn)，可以起到固定密封、使電子設(shè)備免受外界環(huán)境的干擾、提高電子設(shè)備的壽命和增強(qiáng)環(huán)境適應(yīng)的能力。國(guó)家發(fā)明專利“電子元器件封裝材料用陶瓷粉及其生產(chǎn)方法”(國(guó)家發(fā)明專利號(hào)：ZL201210396718.8)以含有氧化鋇、氧化硼、氧化硅、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦的復(fù)合氧化物作為原料，在800-1000℃燒結(jié)得到了陶瓷電子封裝材料。國(guó)家發(fā)明專利“一種導(dǎo)熱耐候的太陽(yáng)能電池封裝材料”(國(guó)家發(fā)明專利號(hào)：ZL201210089355.3)公開了以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯基共聚物、丙烯酸酯改性硅酸鹽類填充劑、過(guò)氧化物類交聯(lián)劑、酚類或亞磷酸酯類抗氧劑和受阻胺類光穩(wěn)定劑作為原料，經(jīng)過(guò)混料、熔融擠出、流延成膜和分切收卷四個(gè)工藝過(guò)程制備出了一種導(dǎo)熱耐候的電池封裝材料。國(guó)家發(fā)明專利“一種高功率LED封裝用環(huán)氧樹脂復(fù)合物及其制備方法”(國(guó)家發(fā)明專利號(hào)：ZL201310180484.8)公開了以有機(jī)硅改性環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A環(huán)氧樹脂、消泡劑、固化劑和多元醇等作為原料，在80-150℃固化0.5-3h，脫模后于90-160℃固化1-10h得到了環(huán)氧樹脂復(fù)合物封裝材料。無(wú)機(jī)非金屬電子封裝材料雖然具有強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、耐老化性能好等特點(diǎn)，但是存在難于加工、制備溫度高的缺點(diǎn)。高分子電子封裝材料具有易加工、絕緣性好、制備溫度低的特點(diǎn)，但也存在熱膨脹系數(shù)大、耐老化性能差等缺點(diǎn)。因此，單一材料難以滿足電子封裝材料性能的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是為了解決以上問(wèn)題，提供鉬酸鋰納米棒作為主要原料，引入聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸鈉、異丙醇鋁、微晶石蠟和水，以期得到具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、絕緣性好、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工及制備溫度低的鉬酸鋰納米棒電子封裝材料。本發(fā)明所提供的鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：鉬酸鋰納米棒65-80％、聚乙烯醇8-12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸鈉0.05-0.5％、異丙醇鋁4-8％、微晶石蠟4-8％、水3-7％。本發(fā)明所述鉬酸鋰納米棒的直徑為50-100nm、長(zhǎng)度為1-3μm。本發(fā)明所提供的鉬酸鋰納米棒的具體制備方法如下：以鉬酸鈉、乙酸鋰作為原料，水為溶劑，其中鉬酸鈉與乙酸鋰的摩爾比為1:1，將鉬酸鈉、乙酸鋰與水均勻混合后置于反應(yīng)容器內(nèi)并密封，于溫度120-180℃、保溫12-48h，其中鉬酸鈉與乙酸鋰的重量不大于水重量的50％。本發(fā)明所提供的鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的具體制備方法如下：按照質(zhì)量比例稱取鉬酸鋰納米棒、聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸鈉、異丙醇鋁、微晶石蠟和水，然后將聚乙烯醇溶于水中，再通過(guò)機(jī)械攪拌將其它原料與聚乙烯醇溶液混合均勻，并置于磨具中沖壓成型，在80-120℃、保溫24-72h，自然冷卻后得到了鉬酸鋰納米棒電子封裝材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果：1、本發(fā)明以鉬酸鋰納米棒、聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸鈉、異丙醇鋁、微晶石蠟和水作為原料，可以制備出無(wú)機(jī)非金屬納米材料與高分子材料復(fù)合形成的電子封裝材料，這種電子封裝材料具有熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高、耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工、絕緣性好等特點(diǎn)，在電子封裝領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。2、本發(fā)明鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的制備溫度為80-120℃，低于無(wú)機(jī)非金屬封裝材料的制備溫度，制備過(guò)程簡(jiǎn)單，減少了工藝步驟和能耗，降低了生產(chǎn)成本。附圖說(shuō)明圖1為實(shí)施例1制備的鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的SEM圖像；從圖可以看出鉬酸鋰納米棒電子封裝材料由納米棒和無(wú)規(guī)則顆粒構(gòu)成，納米棒的直徑為50-100nm、長(zhǎng)度為1-3μm。具體實(shí)施方式以下結(jié)合具體實(shí)施例詳述本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于下述實(shí)施例。實(shí)施例1確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例2確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例3確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例4確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例5確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例6確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例7確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：實(shí)施例8確定鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：本發(fā)明實(shí)施例1到實(shí)施例8所得鉬酸鋰納米棒電子封裝材料的特征參數(shù)如表1所示：表1