相關(guān)申請(qǐng)資料

本申請(qǐng)要求以下各項(xiàng)的權(quán)益：2014年11月20日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/082,232；2015年5月6日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/157,531；以及2015年11月5日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)?zhí)?2/251,405；所有這些臨時(shí)申請(qǐng)以其全文通過引用結(jié)合在此。

背景信息

發(fā)明領(lǐng)域

本披露涉及新穎的空穴傳輸化合物。本披露進(jìn)一步涉及具有至少一個(gè)包含這種空穴傳輸化合物的層的電子裝置。

相關(guān)領(lǐng)域的描述

在組成oled顯示器的諸如有機(jī)發(fā)光二極管(“oled”)的有機(jī)電子裝置中，一個(gè)或多個(gè)有機(jī)電活性層被夾在兩個(gè)電接觸層之間。在oled中，當(dāng)橫跨這些電接觸層施加電壓時(shí)，至少一個(gè)有機(jī)電活性層穿過透光的電接觸層發(fā)射光。

眾所周知在發(fā)光二極管中將有機(jī)電致發(fā)光化合物用作發(fā)光組分。簡(jiǎn)單的有機(jī)分子、共軛聚合物、以及有機(jī)金屬配合物已經(jīng)被使用。

采用電致發(fā)光材料的裝置通常包括一個(gè)或多個(gè)電荷傳輸層，這些電荷傳輸層被定位在光活性(例如發(fā)光)層與接觸層(空穴注入接觸層)之間。裝置可包含兩個(gè)或更多個(gè)接觸層?？昭▊鬏攲涌啥ㄎ辉诠饣钚詫优c空穴注入接觸層之間。空穴注入接觸層也可被稱為陽極。電子傳輸層可定位在光活性層與電子注入接觸層之間。電子注入接觸層也可被稱為陰極。

持續(xù)需要用于電子裝置中的電活性材料。

概述

提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物，其中所述聚合物具有式i

其中：

ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代酯、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

a是從0-4的整數(shù)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

n是大于或等于1的整數(shù)。

還提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的單體，其中所述單體具有式ia

其中：

ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、酯、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代酯、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

a是從0-4的整數(shù)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

#是與其他單體單元的附接點(diǎn)。

還提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物，其中所述聚合物具有式ii

其中：

ar¹、ar²、ar^2a、ar⁴和ar^4a是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³和ar^3a是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代酯、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

n是大于或等于1的整數(shù)。

還提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的單體，其中所述單體具有式iia

其中：

ar¹、ar²、ar^2a、ar⁴和ar^4a是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³和ar^3a是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代酯、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

#是與其他單體單元的附接點(diǎn)。

還提供了一種具有式iii的空穴傳輸共聚物

其中：

a是具有式ia或式iia的單體單元；

b是在該共聚物中具有至少三個(gè)附接點(diǎn)的單體單元；

c是芳族單體單元或其氘代類似物；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、芳基氨基、硅氧烷、酯、可交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代芳基、氘代芳基氨基、氘代硅氧烷、氘代酯、和氘代可交聯(lián)基團(tuán)；

x、y和z是相同或不同的并且是摩爾分?jǐn)?shù)，使得x+y+z＝1，并且x和y不為零。

還提供了一種具有至少一個(gè)層的電子裝置，該層包含式i、式ii的聚合物或式iii的共聚物。

前述總體描述和下文詳細(xì)描述僅為示例性和說明性的，并不限制如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明。

附圖的簡(jiǎn)要說明

附圖中示出了實(shí)施例，以提高對(duì)如在此提出的概念的理解。

圖1包括有機(jī)電子裝置的一個(gè)實(shí)例的圖示，該有機(jī)電子裝置包括在此所述的新的空穴傳輸聚合物或共聚物。

圖2包括有機(jī)電子裝置的另一個(gè)實(shí)例的圖示，該有機(jī)電子裝置包括在此所述的新的空穴傳輸聚合物或共聚物。

熟練的技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到，圖中的物體是以簡(jiǎn)潔和清楚的方式示出的，并且不一定按比例繪制。例如，圖中的一些物體的尺寸相對(duì)于其他物體可能有所放大，以幫助提高對(duì)實(shí)施例的理解。

詳細(xì)說明

提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物，其中所述聚合物具有式i

其中：

ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

a是從0-4的整數(shù)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

n是大于或等于1的整數(shù)。

還提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的單體，其中所述單體具有式ia

其中：

ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代酯、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

a是從0-4的整數(shù)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

#是與其他單體單元的附接點(diǎn)。

還提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物，其中所述聚合物具有式ii

其中：

ar¹、ar²、ar^2a、ar⁴和ar^4a是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³和ar^3a是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、酯、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

n是大于或等于1的整數(shù)。

還提供了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的單體，其中所述單體具有式iia

其中：

ar¹、ar²、ar^2a、ar⁴和ar^4a是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³和ar^3a是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代酯、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

#是與其他單體單元的附接點(diǎn)。

還提供了一種具有式iii的空穴傳輸共聚物

其中：

a是具有式ia或式iia的單體單元；

b是在該共聚物中具有至少三個(gè)附接點(diǎn)的單體單元；

c是芳族單體單元或其氘代類似物；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、芳基氨基、硅氧烷、酯、可交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代芳基、氘代芳基氨基、氘代硅氧烷、氘代酯、和氘代可交聯(lián)基團(tuán)；

x、y和z是相同或不同的并且是摩爾分?jǐn)?shù)，使得x+y+z＝1，并且x和y不為零。

還提供了一種具有至少一個(gè)層的電子裝置，該層包含式i、式ii的聚合物或式iii的共聚物。

許多方面和實(shí)施例已在以上進(jìn)行描述并且僅是示例性且非限制性的。在閱讀本說明書后，熟練的技術(shù)人員應(yīng)理解在不脫離本發(fā)明范圍的情況下其他方面和實(shí)施例是可能的。

從以下詳細(xì)說明并且從權(quán)利要求書中，任何一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的其他特征和益處將是明顯的。詳細(xì)說明首先提出術(shù)語的定義和闡明，接著是化合物、電子裝置，并且最后是實(shí)例。

1.術(shù)語的定義和闡明

在提出下述實(shí)施例的詳情之前，定義或闡明一些術(shù)語。

如在此所用，在涉及取代基時(shí)術(shù)語“相鄰”是指鍵合到用單鍵或多鍵連接在一起的碳上的基團(tuán)。示例性的相鄰r基團(tuán)如下所示：

術(shù)語“烷氧基”旨在是指基團(tuán)ro—x，其中r是烷基。

術(shù)語“烷基”包括支鏈和直鏈的飽和脂肪族烴基。除非另外指明，該術(shù)語還旨在包括環(huán)狀基團(tuán)。烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基、環(huán)戊基、己基、環(huán)己基、異己基等。術(shù)語“烷基”進(jìn)一步包括取代和未取代的烴基二者。在一些實(shí)施例中，烷基可以是單-、二-和三-取代的。取代的烷基的一個(gè)實(shí)例是三氟甲基。其他取代的烷基由在此所述的取代基中的一個(gè)或多個(gè)形成。在某些實(shí)施例中，烷基具有1至20個(gè)碳原子。在其他實(shí)施例中，該基團(tuán)具有1至6個(gè)碳原子。該術(shù)語旨在包括雜烷基。雜烷基可以具有從1-20個(gè)碳原子。

術(shù)語“氨基”旨在是指基團(tuán)-nr2，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且可以是烷基、芳基或其氘代類似物。

術(shù)語“芳族化合物”旨在是指包含至少一個(gè)具有離域π電子的不飽和環(huán)狀基團(tuán)的有機(jī)化合物。該術(shù)語旨在涵蓋芳族化合物和雜芳族化合物兩者，所述芳族化合物僅具有碳和氫原子，所述雜芳族化合物中的環(huán)狀基團(tuán)內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)碳原子已被另一個(gè)原子如氮、氧、硫等替換。

術(shù)語“芳基”或“芳基基團(tuán)”是指衍生自芳族化合物的部分。“衍生自”化合物的基團(tuán)表示通過除去一個(gè)或多個(gè)h或d形成的基團(tuán)。芳基基團(tuán)可以是單個(gè)環(huán)(單環(huán))或稠合在一起或共價(jià)連接的多個(gè)環(huán)(二環(huán)、或更多)。芳基部分的實(shí)例包括但不限于苯基、1-萘基、2-萘基、二氫萘基、四氫萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、茚滿基、聯(lián)苯基、苊基、苊烯基等。在一些實(shí)施例中，芳基基團(tuán)具有6至60個(gè)環(huán)碳原子；在一些實(shí)施例中，6至30個(gè)環(huán)碳原子。該術(shù)語旨在包括僅具有碳原子和氫原子的烴芳基；和在一個(gè)或多個(gè)環(huán)中具有至少一個(gè)雜原子的雜芳基。雜芳基可以具有從4-50個(gè)環(huán)碳原子；在一些實(shí)施例中，4-30個(gè)環(huán)碳原子。

術(shù)語“芳氧基”旨在是指基團(tuán)-or，其中r是芳基。

當(dāng)涉及層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)時(shí)，術(shù)語“電荷傳輸”旨在是指此類層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)促進(jìn)此類電荷以相對(duì)效率和小的電荷損失穿過此類層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)的厚度的遷移?？昭▊鬏敳牧嫌欣谡姾?；電子傳輸材料有利于負(fù)電荷。雖然發(fā)光材料也可以具有一些電荷傳輸特性，但是術(shù)語“電荷傳輸層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)”不旨在包括其主要功能是發(fā)光的層、材料、構(gòu)件、或結(jié)構(gòu)。

術(shù)語“化合物”旨在是指由分子組成的不帶電物質(zhì)，所述分子進(jìn)一步包括原子，其中原子不能通過不破壞化學(xué)鍵的物理手段與其對(duì)應(yīng)的分子分離。該術(shù)語旨在包括低聚物和聚合物。

術(shù)語“可交聯(lián)基團(tuán)”或“交聯(lián)基團(tuán)”旨在是指可經(jīng)由熱處理、使用引發(fā)劑、或暴露于輻射連接到另一種化合物或聚合物鏈的化合物或聚合物鏈上的基團(tuán)，其中該連接是共價(jià)鍵。在一些實(shí)施例中，該輻射是uv或可見的?？山宦?lián)基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于乙烯基、丙烯酸酯、全氟乙烯基醚、1-苯并-3,4-環(huán)丁烷、鄰醌二甲烷基團(tuán)、硅氧烷、氰酸酯基團(tuán)、環(huán)醚(環(huán)氧化物)、內(nèi)烯烴(例如，芪)、環(huán)烯烴、以及炔基團(tuán)。

當(dāng)涉及層或材料時(shí)，術(shù)語“電活性”旨在表示電子地促進(jìn)裝置的運(yùn)行的層或材料。電活性材料的實(shí)例包括但不限于傳導(dǎo)、注入、傳輸或阻斷電荷的材料，其中電荷可為電子或空穴，或者在接受輻射時(shí)發(fā)射輻射或表現(xiàn)出電子-空穴對(duì)濃度變化的材料。非活性材料的實(shí)例包括但不限于平面化材料、絕緣材料和環(huán)境阻擋材料。

前綴“氟”旨在表示基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)氫已經(jīng)被氟替換。

前綴“雜”表示一個(gè)或多個(gè)碳原子已經(jīng)被一個(gè)不同原子替換。在一些實(shí)施例中，雜原子為o、n、s、或它們的組合。

術(shù)語“液體組合物”旨在是指其中材料溶解以形成溶液的液體介質(zhì)、其中材料分散以形成分散體的液體介質(zhì)、或其中材料懸浮以形成懸浮液或乳液的液體介質(zhì)。

術(shù)語(具有“n”個(gè)重復(fù)單元的聚合物的)的“分子量”旨在是指聚合物分子的總質(zhì)量并且計(jì)算為每個(gè)組成原子的質(zhì)量總和乘以聚合物式中該元素的原子數(shù)。n的實(shí)際上限部分地通過化合物在特定溶劑或特定種類的溶劑中的期望溶解度來測(cè)定。隨著n值的增加，化合物的分子量增加。

術(shù)語“單體單元”旨在是指聚合物中的重復(fù)單元。它代表由單個(gè)單體對(duì)聚合物結(jié)構(gòu)貢獻(xiàn)的最大結(jié)構(gòu)單元。

術(shù)語“光活性”是指當(dāng)通過所施加的電壓激活時(shí)發(fā)射光(諸如在發(fā)光二極管或化學(xué)電池中)、在吸收光子之后發(fā)射光(諸如在下變頻磷光體裝置中)、或者響應(yīng)于輻射能并且在或不在所施加的偏壓下生成信號(hào)(諸如在光電檢測(cè)器或光伏電池中)的材料或?qū)印?/p>

術(shù)語“聚合物”旨在是指具有至少一個(gè)重復(fù)的單體單元的材料。該術(shù)語包括僅具有一種單體單元的均聚物和具有兩種或更多種不同的單體單元的共聚物。共聚物是聚合物的子集。

術(shù)語“硅氧烷”是指基團(tuán)r3sior2si-，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是h、d、c1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。在一些實(shí)施例中，r烷基中的一個(gè)或多個(gè)碳被si替換。

術(shù)語“甲硅烷氧基”是指基團(tuán)r3sio-，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是h、d、c1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。

術(shù)語“甲硅烷基”是指基團(tuán)r3si-，其中r在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是h、d、c1-20烷基、氘代烷基、氟烷基、芳基或氘代芳基。在一些實(shí)施例中，r烷基中的一個(gè)或多個(gè)碳被si替換。

除非另外指明，所有基團(tuán)可以是取代的或未取代的。任選取代的基團(tuán)，例如但不限于烷基或芳基，可以被一個(gè)或多個(gè)可以是相同或不同的取代基取代。合適的取代基包括d、烷基、芳基、硝基、氰基、-n(r’)(r”)、鹵素、羥基、羧基、烯基、炔基、環(huán)烷基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜芳氧基、烷氧基羰基、全氟烷基、全氟烷氧基、芳基烷基、甲硅烷基、硅氧烷、硫代烷氧基、-s(o)2-n(r’)(r”)、-c(＝o)-n(r’)(r”)、(r’)(r”)n-烷基、(r’)(r”)n-烷氧基烷基、(r’)(r”)n-烷基芳氧基烷基、-s(o)s-芳基(其中s＝0-2)、或-s(o)s-雜芳基(其中s＝0-2)。每個(gè)r’和r”獨(dú)立地是任選取代的烷基、環(huán)烷基或芳基。r’和r”，與它們所結(jié)合的氮原子一起，在某些實(shí)施例中可以形成環(huán)體系。取代基還可以是交聯(lián)基團(tuán)。

在其中如下所示取代基鍵穿過一個(gè)或多個(gè)環(huán)的結(jié)構(gòu)中，

這意味著取代基r可在一個(gè)或多個(gè)環(huán)上的任何可用位置處鍵合。

在本說明書中，除非在使用背景下另外明確指明或相反指示，在本發(fā)明主題的實(shí)施例被陳述或描述為包含、包括、含有、具有某些特征或要素、由某些特征或要素組成或由某些特征或要素構(gòu)成時(shí)，除了明確論述或描述的那些以外的一個(gè)或多個(gè)特征或要素也可存在于該實(shí)施例中。所披露的本發(fā)明主題的替代實(shí)施例被描述為基本上由某些特征或要素組成，其中將實(shí)質(zhì)性改變操作原理或?qū)嵤├膮^(qū)別特性的實(shí)施例特征或要素在此不存在。所描述的本發(fā)明主題的另一個(gè)替代實(shí)施例被描述為由某些特征或要素組成，在該實(shí)施例中或在其非本質(zhì)變型中，僅存在所具體陳述或描述的特征或要素。

此外，除非有相反的明確說明，“或”是指包含性的“或”，而不是指排他性的“或”。例如，條件a或b滿足下列任一項(xiàng)：a是真(或存在)和b是假(或不存在)，a是假(或不存在)和b是真(或存在)，和a和b二者都是真(或存在)。

而且，使用“一個(gè)或一種”來描述在此所描述的要素和組分。這樣做只是為了方便并給出本發(fā)明范圍的一般意義。該描述應(yīng)被解讀為包括一個(gè)或至少一個(gè)，并且單數(shù)形式也包括復(fù)數(shù)形式，除非其明顯地另有所指。

對(duì)應(yīng)于元素周期表內(nèi)的列的族編號(hào)使用如在crc化學(xué)與物理手冊(cè)，第81版(2000-2001)中所見的“新命名法”慣例。

在本說明書中，除非在使用背景下另外明確指明或相反指示，化學(xué)式和結(jié)構(gòu)式可使用線鍵式慣例來描繪。在線鍵式中，鍵由線來表示，并且碳原子被假設(shè)存在于兩條線相遇或一條線開始或結(jié)束之處。示出了氮、氧、鹵素和其他雜原子；但當(dāng)鍵合到碳上時(shí)，氫原子通常不被畫出。假設(shè)每個(gè)sp³碳原子具有足夠鍵合的氫原子以便使其具有總共四個(gè)鍵；每個(gè)sp²碳，三個(gè)鍵；每個(gè)sp碳，兩個(gè)鍵。在此的式i的描述是使用線鍵式慣例的一個(gè)實(shí)例。

除非另有定義，否則在此所使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語均具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所通常理解的相同含義。盡管與在此所述的那些類似或等同的方法和材料可用于本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)踐或測(cè)試中，但在下面描述合適的方法和材料。除非引用具體段落，在此提及的所有出版物、專利申請(qǐng)、專利以及其他參考文獻(xiàn)以其全文通過引用結(jié)合。在沖突的情況下，則以本說明書，包括定義為準(zhǔn)。另外，材料、方法和實(shí)例僅為說明性的并且不旨在是限制性的。

在此未描述的有關(guān)特定材料、加工行為和電路的許多細(xì)節(jié)均是常規(guī)的并且可以在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、光電檢測(cè)器、光伏和半導(dǎo)體構(gòu)件領(lǐng)域的教科書和其他來源中找到。

2a.具有式i的空穴傳輸聚合物

在此所述的具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物具有式i

其中：

ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、酯、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代酯、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

a是從0-4的整數(shù)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

n是大于或等于1的整數(shù)。

如在此所用，術(shù)語“具有式i的具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物”旨在表示基于如由式i定義的重復(fù)單元或單體的聚合物。聚合位點(diǎn)是在每個(gè)單體內(nèi)附接到氮中心(胺和咔唑)的芳基鹵基團(tuán)。這類材料導(dǎo)致ab型單體并產(chǎn)生在整個(gè)聚合物中具有aa、bb和ab鏈段的隨機(jī)分布的聚合物空穴傳輸膜。這可能導(dǎo)致最終決定相關(guān)成膜特性的不同程度的非締合堆積。在一些實(shí)施例中，可以操縱單體鏈段的分布以優(yōu)化用于電子裝置中的具有式i的化合物的特性。

在一些實(shí)施例中，具有式i的化合物是氘代的。術(shù)語“氘代的”旨在是指至少一個(gè)h已被氘(“d”)替換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或多種可用氫已被氘替換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代化合物或氘代類似物中，氘以天然豐度水平的至少100倍存在。在一些實(shí)施例中，該化合物是至少10％氘代的。通過“％氘代的”或“％氘化”是指氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。在一些實(shí)施例中，該化合物是至少10％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少20％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少30％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少40％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少50％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少60％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少70％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少80％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少90％氘代的；在一些實(shí)施例中，100％氘代的。

氘代材料可能不太易于被空穴、電子、激子或其組合降解。氘化可以潛在地抑制化合物在裝置操作期間的降解，這進(jìn)而可以導(dǎo)致改善的裝置壽命。一般來說，這種改善是在不犧牲其他裝置特性的情況下完成的。此外，氘代化合物通常具有比非氘代類似物更大的空氣耐受性。這可以導(dǎo)致制備和純化材料以及使用這些材料形成電子裝置二者的更大的加工公差。

在式i的一些實(shí)施例中，n＝1。

在式i的一些實(shí)施例中，n＝2-5。

在式i的一些實(shí)施例中，n>5。

在式i的一些實(shí)施例中，n＝6-10。

在式i的一些實(shí)施例中，該化合物是具有n>10的聚合物。在式i的一些實(shí)施例中，該化合物是具有n>100的聚合物。在一些實(shí)施例中，該化合物是具有mn>20,000的聚合物；在一些實(shí)施例中，mn>50,000；在一些實(shí)施例中，mn>100,000；在一些實(shí)施例中，mn>150,000。

在式i的一些實(shí)施例中，e是h或d。

在式i的一些實(shí)施例中，e是d。

在式i的一些實(shí)施例中，e是鹵素。在一些實(shí)施例中，該鹵素是cl或br；在一些實(shí)施例中，br。

在式i的一些實(shí)施例中，e是芳基或氘代芳基基團(tuán)；在一些實(shí)施例中，芳基基團(tuán)是取代的；在一些實(shí)施例中，芳基基團(tuán)是未取代的。

在式i的一些實(shí)施例中，e是單環(huán)芳基基團(tuán)或氘代單環(huán)芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，e是具有稠合在一起的多個(gè)環(huán)的芳基基團(tuán)。在一些實(shí)施例中，稠合在一起的多個(gè)環(huán)包括氘。

在式i的一些實(shí)施例中，e是雜芳基基團(tuán)或氘代雜芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，e是硅氧烷基團(tuán)或氘代硅氧烷基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，e是酯或氘代酯。

在式i的一些實(shí)施例中，e進(jìn)一步被可以包括或可以不包括氘的另外的基團(tuán)取代。

在式i的一些實(shí)施例中，e是交聯(lián)基團(tuán)。

在一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴中的一個(gè)或多個(gè)是具有至少一個(gè)稠環(huán)的芳基基團(tuán)。

在一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴中的一個(gè)或多個(gè)選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：萘基、蒽基、萘基苯基、苯基萘基、芴基、其取代的衍生物、以及其氘代類似物。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴是沒有稠環(huán)的芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴是進(jìn)一步被可以包括或可以不包括氘的另外的基團(tuán)取代的芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴是烴芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴是雜芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴均為烴芳基基團(tuán)和雜芳基基團(tuán)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹具有式a

其中：

r⁹在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、烷氧基、硅氧烷和甲硅烷基，其中相鄰的r⁹基團(tuán)可連接在一起以形成稠環(huán)；

p在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0-4的整數(shù)；

r是從1至5的整數(shù)；并且

*表示與e的附接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，ar¹具有式b

其中r⁹、p、r和*如式a中。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹具有式c

其中r⁹、p、r和*如式a中。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在式i的一些實(shí)施例中，ar⁴具有式a。

在式i的一些實(shí)施例中，ar⁴具有式b。

在式i的一些實(shí)施例中，ar⁴具有式c。

在式i的一些實(shí)施例中，ar⁴選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在式a-c的一些實(shí)施例中，至少一個(gè)p不為零。

在式a-c的一些實(shí)施例中，r＝1-3。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹＝ar⁴。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹和ar⁴選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在式i的一些實(shí)施例中，ar²具有式a’

其中：

r⁹在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、烷氧基、硅氧烷和甲硅烷基，其中相鄰的r⁹基團(tuán)可連接在一起以形成稠環(huán)；

p在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0-4的整數(shù)；

r是從1至5的整數(shù)；并且

*表示與氨基氮原子的附接點(diǎn)；

**表示與咔唑的芳香環(huán)的附接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，ar²具有式b’

其中r⁹、p、r、*和**如式a’中。

在式i的一些實(shí)施例中，ar²具有式c’

其中r⁹、p、r、*和**如式a’中。

在式i的一些實(shí)施例中，ar²選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在式a’-c’的一些實(shí)施例中，至少一個(gè)p不為零。

在式a’-c’的一些實(shí)施例中，r＝1-3。

在式i的一些實(shí)施例中，ar³具有式d

其中：

r⁹在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、烷氧基、硅氧烷和甲硅烷基，其中相鄰的r⁹基團(tuán)可連接在一起以形成稠環(huán)；

p在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0-4的整數(shù)；

q是從0-5的整數(shù)；并且

r是從1至5的整數(shù)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar³具有式e

其中r⁹、p和r如式d中。

在式i的一些實(shí)施例中，ar³具有式f

其中r⁹、p和r如式d中。

在式i的一些實(shí)施例中，ar³選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在式i的一些實(shí)施例中，a＝0。

在式i的一些實(shí)施例中，a＝1。

在式i的一些實(shí)施例中，a＝2。

在式i的一些實(shí)施例中，a＝3。

在式i的一些實(shí)施例中，a＝4。

在式i的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是d或c1-10烷基。在一些實(shí)施例中，該烷基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是c1-10甲硅烷基。在一些實(shí)施例中，該甲硅烷基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是甲鍺烷基基團(tuán)。在一些實(shí)施例中，該甲鍺烷基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是酯基基團(tuán)。在一些實(shí)施例中，該酯基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是c6-20芳基或c6-20氘代芳基。在一些實(shí)施例中，該芳基基團(tuán)是烴芳基。在一些實(shí)施例中，該芳基是雜芳基。

在式i的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是氨基基團(tuán)。在一些實(shí)施例中，該氨基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，a＝4且r¹＝d。

在式i的一些實(shí)施例中，r¹和r²是相同的。

在式i的一些實(shí)施例中，r¹和r²是不同的。

在式i的一些實(shí)施例中，b＝0。

在式i的一些實(shí)施例中，b＝1。

在式i的一些實(shí)施例中，b＝2。

在式i的一些實(shí)施例中，b＝3。

在式i的一些實(shí)施例中，b>0且r²是d或c1-10烷基。在一些實(shí)施例中，該烷基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，b>0且r²是c1-10甲硅烷基。在一些實(shí)施例中，該甲硅烷基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，b>0且r²是甲鍺烷基基團(tuán)。在一些實(shí)施例中，該甲鍺烷基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，b>0且r²是酯基基團(tuán)。在一些實(shí)施例中，該酯基基團(tuán)是氘代的。

在式i的一些實(shí)施例中，b>0且r²是c6-20芳基或c6-20氘代芳基。在一些實(shí)施例中，該芳基基團(tuán)是烴芳基。在一些實(shí)施例中，該芳基是雜芳基。

在式i的一些實(shí)施例中，b＝3且r¹＝d。

式i的上述實(shí)施例中的任一個(gè)可與其他實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不是互相排斥的。例如，其中ar¹＝ar⁴的實(shí)施例可以與其中e＝d的實(shí)施例組合。對(duì)于以上討論的其他非相互排斥的實(shí)施例同樣如此。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施例是相互排斥的并且因此將容易地能夠確定本申請(qǐng)所考慮的實(shí)施例的組合。

在下面示出了具有式i的化合物的一些非限制性實(shí)例。

化合物h1

化合物h2

化合物h3

化合物h4

化合物h5

化合物h6：

化合物h7

化合物h8

化合物h9

化合物h10

化合物h11

化合物h12

化合物h13

化合物h14

化合物h15

2b.具有式ia的單體

在此所述的單體具有式ia

其中：

ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、酯、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代酯、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

a是從0-4的整數(shù)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

#是與其他單體單元的附接點(diǎn)。

如在此所用，術(shù)語“具有式ia的單體”旨在表示如由式ia定義的聚合物重復(fù)單元或單體。聚合位點(diǎn)在式ia中指定為“#”。由這種類型的單體產(chǎn)生的這類聚合物材料產(chǎn)生在整個(gè)聚合物中具有aa、bb和ab鏈段的隨機(jī)分布的聚合物空穴傳輸膜。這可能導(dǎo)致最終決定相關(guān)成膜特性的不同程度的非締合堆積。在一些實(shí)施例中，可以操縱單體鏈段的分布以優(yōu)化用于電子裝置中的由具有式ia的單體制成的聚合物的特性。

在一些實(shí)施例中，具有式ia的單體是氘代的。術(shù)語“氘代的”旨在是指至少一個(gè)h已被氘(“d”)替換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或多種可用氫已被氘替換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代化合物或氘代類似物中，氘以天然豐度水平的至少100倍存在。在一些實(shí)施例中，該化合物是至少10％氘代的。通過“％氘代的”或“％氘化”是指氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。在一些實(shí)施例中，該單體是至少10％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少20％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少30％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少40％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少50％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少60％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少70％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少80％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少90％氘代的；在一些實(shí)施例中，100％氘代的。

氘代材料可能不太易于被空穴、電子、激子或其組合降解。氘化可以潛在地抑制化合物在裝置操作期間的降解，這進(jìn)而可以導(dǎo)致改善的裝置壽命。一般來說，這種改善是在不犧牲其他裝置特性的情況下完成的。此外，氘代化合物通常具有比非氘代類似物更大的空氣耐受性。這可以導(dǎo)致制備和純化材料以及使用這些材料形成電子裝置二者的更大的加工公差。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的ar¹-ar⁴的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ia的單體中的ar¹-ar⁴。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ia的單體中的a。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的r¹的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ia的單體中的r¹。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的b的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ia的單體中的b。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的r²的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ia的單體中的r²。

式ia的上述實(shí)施例中的任一個(gè)可與其他實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不是互相排斥的。例如，其中ar¹＝ar⁴的實(shí)施例可以與其中r¹＝d的實(shí)施例組合。對(duì)于以上討論的其他非相互排斥的實(shí)施例同樣如此。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施例是相互排斥的并且因此將容易地能夠確定本申請(qǐng)所考慮的實(shí)施例的組合。

在下面示出了具有式ia的化合物的一些非限制性實(shí)例。

單體ia

單體ib

單體ic

單體id

單體ie

2c.具有式ii的空穴傳輸聚合物

在此所述的具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物具有式ii

其中：

ar¹、ar²、ar^2a、ar⁴和ar^4a是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³和ar^3a是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、烷氧基、酯、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代烷氧基、氘代酯、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

n是大于或等于1的整數(shù)。

如在此所用，術(shù)語“具有式ii的具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物”旨在表示基于如由式ii定義的重復(fù)單元或單體的聚合物。聚合位點(diǎn)是在每個(gè)單體內(nèi)附接到氮中心(胺和咔唑)的芳基鹵基團(tuán)。這類材料導(dǎo)致abc型單體并產(chǎn)生在整個(gè)聚合物中具有aaa、bbb、ccc和混合鏈段的隨機(jī)分布的聚合物空穴傳輸膜。這可能導(dǎo)致最終決定相關(guān)成膜特性的不同程度的非締合堆積。在一些實(shí)施例中，可以操縱單體鏈段的分布以優(yōu)化用于電子裝置中的具有式ii的化合物的特性。

在一些實(shí)施例中，具有式ii的化合物是氘代的。術(shù)語“氘代的”旨在是指至少一個(gè)h已被氘(“d”)替換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或多種可用氫已被氘替換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代化合物或氘代類似物中，氘以天然豐度水平的至少100倍存在。在一些實(shí)施例中，該化合物是至少10％氘代的。通過“％氘代的”或“％氘化”是指氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。在一些實(shí)施例中，該化合物是至少10％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少20％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少30％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少40％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少50％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少60％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少70％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少80％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少90％氘代的；在一些實(shí)施例中，100％氘代的。

氘代材料可能不太易于被空穴、電子、激子或其組合降解。氘化可以潛在地抑制化合物在裝置操作期間的降解，這進(jìn)而可以導(dǎo)致改善的裝置壽命。一般來說，這種改善是在不犧牲其他裝置特性的情況下完成的。此外，氘代化合物通常具有比非氘代類似物更大的空氣耐受性。這可以導(dǎo)致制備和純化材料以及使用這些材料形成電子裝置二者的更大的加工公差。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的ar¹-ar⁴的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的ar¹-ar⁴。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的ar²的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的ar^2a。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的ar³的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的ar^3a。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的ar⁴的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的ar^4a。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的r¹的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的r¹。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的b的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的b。

關(guān)于具有式i的空穴傳輸聚合物的r²的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式ii的空穴傳輸聚合物中的r²。

式ii的上述實(shí)施例中的任一個(gè)可與其他實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不是互相排斥的。例如，其中ar¹＝ar⁴的實(shí)施例可以與其中r¹＝d的實(shí)施例組合。對(duì)于以上討論的其他非相互排斥的實(shí)施例同樣如此。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施例是相互排斥的并且因此將容易地能夠確定本申請(qǐng)所考慮的實(shí)施例的組合。

在下面示出了具有式ii的化合物的一些非限制性實(shí)例。

化合物hii-1

化合物hii-2

化合物hii-3

化合物hii-4

2d.具有式iia的單體

在此所述的單體具有式iia

其中：

ar¹、ar²、ar^2a、ar⁴和ar^4a是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

ar³和ar^3a是取代或未取代的芳基或氘代芳基；

r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、甲鍺烷基、酯、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代甲鍺烷基、氘代酯、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)；

b是從0-3的整數(shù)；并且

#是與其他單體單元的附接點(diǎn)。

如在此所用，術(shù)語“具有式iia的單體”旨在表示如由式iia定義的聚合物重復(fù)單元或單體。聚合位點(diǎn)在式iia中指定為“#”。由這種類型的單體產(chǎn)生的這類聚合物材料產(chǎn)生在整個(gè)聚合物中具有aa、bb和ab鏈段的隨機(jī)分布的聚合物空穴傳輸膜。這可能導(dǎo)致最終決定相關(guān)成膜特性的不同程度的非締合堆積。在一些實(shí)施例中，可以操縱單體鏈段的分布以優(yōu)化用于電子裝置的由具有式iia的單體制成的聚合物的特性。

在一些實(shí)施例中，具有式iia的單體是氘代的。術(shù)語“氘代的”旨在是指至少一個(gè)h已被氘(“d”)替換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或多種可用氫已被氘替換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代化合物或氘代類似物中，氘以天然豐度水平的至少100倍存在。在一些實(shí)施例中，該化合物是至少10％氘代的。通過“％氘代的”或“％氘化”是指氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。在一些實(shí)施例中，該單體是至少10％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少20％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少30％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少40％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少50％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少60％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少70％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少80％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少90％氘代的；在一些實(shí)施例中，100％氘代的。

氘代材料可能不太易于被空穴、電子、激子或其組合降解。氘化可以潛在地抑制化合物在裝置操作期間的降解，這進(jìn)而可以導(dǎo)致改善的裝置壽命。一般來說，這種改善是在不犧牲其他裝置特性的情況下完成的。此外，氘代化合物通常具有比非氘代類似物更大的空氣耐受性。這可以導(dǎo)致制備和純化材料以及使用這些材料形成電子裝置二者的更大的加工公差。

關(guān)于具有式ii的空穴傳輸聚合物的ar¹-ar⁴的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式iia的單體中的ar¹-ar⁴。

關(guān)于具有式ii的空穴傳輸聚合物的r¹的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式iia的單體中的r¹。

關(guān)于具有式ii的空穴傳輸聚合物的b的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式iia的單體中的b。

關(guān)于具有式ii的空穴傳輸聚合物的r²的所有上述實(shí)施例同樣適用于具有式iia的單體中的r²。

式iia的上述實(shí)施例中的任一個(gè)可與其他實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不是互相排斥的。例如，其中ar¹＝ar⁴的實(shí)施例可以與其中r¹＝d的實(shí)施例組合。對(duì)于以上討論的其他非相互排斥的實(shí)施例同樣如此。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施例是相互排斥的并且因此將容易地能夠確定本申請(qǐng)所考慮的實(shí)施例的組合。

在下面示出了具有式iia的化合物的一些非限制性實(shí)例。

單體iia

單體iib

單體iid

2e.具有式iii的空穴傳輸共聚物

在此所述的空穴傳輸共聚物具有式iii

其中：

a是具有式ia或式iia的單體單元；

b是在該共聚物中具有至少三個(gè)附接點(diǎn)的單體單元；

c是芳族單體單元或其氘代類似物；

e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、芳基氨基、硅氧烷、酯、可交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代芳基、氘代芳基氨基、氘代硅氧烷、氘代酯、和氘代可交聯(lián)基團(tuán)；

x、y和z是相同或不同的并且是摩爾分?jǐn)?shù)，使得x+y+z＝1，并且x和y不為零。

“a”、“b”或“c”單體單元中的任一個(gè)可以具有選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和氘代交聯(lián)基團(tuán)。

在式iii的一些實(shí)施例中，“a”、“b”和“c”單元以規(guī)則交替模式排列。

在式iii的一些實(shí)施例中，“a”、“b”和任選的“c”單元以相同單體的嵌段排列。

在式iii的一些實(shí)施例中，“a”、“b”和任選的“c”單元隨機(jī)地排列。

在一些實(shí)施例中，可以操縱單體鏈段的分布以優(yōu)化用于電子裝置中的具有式iii的化合物的特性。在一些實(shí)施例中，不同的分布可能導(dǎo)致最終決定相關(guān)成膜特性的不同程度的非締合堆積。

在一些實(shí)施例中，具有式iii的共聚物是氘代的。術(shù)語“氘代的”旨在是指至少一個(gè)h已被氘(“d”)替換。術(shù)語“氘代類似物”是指其中一種或多種可用氫已被氘替換的化合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)類似物。在氘代共聚物或氘代類似物中，氘以天然豐度水平的至少100倍存在。在一些實(shí)施例中，該共聚物是至少10％氘代的。通過“％氘代的”或“％氘化”是指氘核與質(zhì)子加氘核的總和的比率，以百分比表示。在一些實(shí)施例中，該共聚物是至少10％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少20％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少30％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少40％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少50％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少60％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少70％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少80％氘代的；在一些實(shí)施例中，至少90％氘代的；在一些實(shí)施例中，100％氘代的。

氘化可以存在于單體單元a、b和c中的一個(gè)或多個(gè)上。氘化可以存在于共聚物主鏈上、側(cè)基上或兩者上。

在式iii的一些實(shí)施例中，該共聚物具有mn>10,000。在一些實(shí)施例中，該共聚物具有mn>20,000；在一些實(shí)施例中，mn>50,000；在一些實(shí)施例中，mn>100,000；在一些實(shí)施例中，mn>150,000。

在一些實(shí)施例中，單體單元a具有如上述在2b部分中所述的式ia，其中鑒定了其中所有相關(guān)實(shí)施例。

在一些實(shí)施例中，單體單元a具有如上述在部分2d中所述的式iia，其中鑒定了其中所有相關(guān)實(shí)施例。

單體單元b是在共聚物中具有至少三個(gè)附接點(diǎn)的支鏈單體單元。

在一些實(shí)施例中，單體單元b是芳族的。

在一些實(shí)施例中，單體單元b是芳族的，具有烷基支鏈基團(tuán)。

在一些實(shí)施例中，單體單元b是芳族的，具有芳族支鏈基團(tuán)。

在一些實(shí)施例中，單體單元b是三芳基胺基團(tuán)。

在一些實(shí)施例中，單體單元b具有式vi

其中：

z選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：具有至少三個(gè)鍵合位置的c、si、ge、n、環(huán)狀脂肪族部分、芳族部分、氘代環(huán)狀脂肪族部分、或氘代芳族部分；

y是單鍵、烷基、芳族部分、氘代烷基、或氘代芳族部分，前體是當(dāng)y是單鍵、烷基或氘代烷基時(shí)，a是芳族或氘代芳族部分；

p是從3至在ar上可用的鍵合位置的最大數(shù)的整數(shù)；并且

*表示共聚物中的附接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，單體單元b具有式vii、式viii、式ix和式x之一

其中：

ar⁵是具有至少三個(gè)鍵合位置的芳族部分或氘代芳族部分；

r⁶在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、烷基、芳基、烷氧基、酯、芳氧基、甲硅烷基、交聯(lián)基團(tuán)、氘代烷基、氘代芳基、氘代烷氧基、氘代酯、氘代芳氧基、氘代甲硅烷基和氘代交聯(lián)基團(tuán)，其中相鄰的r⁶基團(tuán)可以連接在一起以形成稠合的5-或6-元芳環(huán)；

k在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0至4的整數(shù)；

*表示共聚物中的附接點(diǎn)。

在式vi的一些實(shí)施例中，z為衍生自化合物的芳族部分，該化合物選自苯、萘、蒽、菲、其取代衍生物、以及其氘代類似物。

在下面示出了單體單元b的一些非限制性實(shí)例。

單體單元c是芳族的任選的單體單元。

在一些實(shí)施例中，c具有以下給出的式之一。

在m1至m19中：

r¹²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、甲硅烷基、芳基、氘代烷基、氘代甲硅烷基和氘代芳基；

r¹³在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、烷基和氘代烷基；

r¹⁴在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：烷基、芳基和其氘代類似物；

r¹⁵在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：芳基和氘代芳基；

f在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0至可用于取代基的位置的最大數(shù)的整數(shù)；

g是0-20的整數(shù)；并且

**表示共聚物中的附接點(diǎn)。

在m1至m19的一些實(shí)施例中，f是0-2。

在下面示出了任選的單體單元c的一些非限制性實(shí)例。

單元e是共聚物的封端單元。

在式iii的一些實(shí)施例中，e是交聯(lián)基團(tuán)或氘代交聯(lián)基團(tuán)。

在式iii的一些實(shí)施例中，e選自芳基、酯、芳基氨基、可交聯(lián)基團(tuán)、以及其氘代類似物。

在式iii的一些實(shí)施例中，e選自苯基、聯(lián)苯基、二苯基氨基、以及其氘代類似物。

在式iii的一些實(shí)施例中，e是h或d。

在下面示出了e的一些非限制性實(shí)例。

在式iii的一些實(shí)施例中，x≥0.50。

在式iii的一些實(shí)施例中，y≥0.05；在一些實(shí)施例中，b≥0.10。

在式iii的一些實(shí)施例中，z＝0。

在式iii的一些實(shí)施例中，z＝0.01-0.05。

在式i的一些實(shí)施例中，a+b與e的摩爾比在50:50至90:10的范圍內(nèi)；在一些實(shí)施例中，60:40至80:20。

式iii的上述實(shí)施例中的任一個(gè)可與其他實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合，只要它們不是互相排斥的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解哪些實(shí)施例是相互排斥的并且因此將容易地能夠確定本申請(qǐng)所考慮的實(shí)施例的組合。

在下面示出了具有式iii的化合物的一些非限制性實(shí)例。

化合物hiii-1

在共聚物hiii-1中，該封端單元e是交聯(lián)基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施例中，x:y:e的比率＝58:12:30。

化合物hiii-2

在共聚物hiii-2中，該封端單元e是交聯(lián)基團(tuán)。在一個(gè)實(shí)施例中，x:y:e的比率＝65:15:20。

新單體、聚合物和共聚物可以使用將產(chǎn)生c-c或c-n鍵的任何技術(shù)制造。許多這樣的技術(shù)是已知的，例如suzuki、yamamoto、stille和pd-或ni-催化的c-n偶聯(lián)。氘代化合物以類似的方式使用氘代前體材料，或更通常通過在路易斯酸h/d交換催化劑(諸如三氯化鋁或二氯化乙基鋁)的存在下，用氘代溶劑(諸如d6-苯)處理未氘代化合物制備。示例性制備在實(shí)例中給出。

化合物可以使用溶液處理技術(shù)形成層。術(shù)語“層”與術(shù)語“膜”可互換地使用并且是指覆蓋所希望區(qū)域的涂層。該術(shù)語不受尺寸的限制。該區(qū)域可如整個(gè)裝置一樣大，或者如例如實(shí)際視覺顯示器的特定功能區(qū)一樣小，或者如單個(gè)子像素一樣小。層和膜可由任何常規(guī)的沉積技術(shù)形成，包括氣相沉積、液相沉積(連續(xù)和不連續(xù)技術(shù))和熱轉(zhuǎn)移。連續(xù)沉積技術(shù)包括但不限于旋涂、凹版涂布、簾式涂布、浸涂、狹縫式模具涂布、噴涂、以及連續(xù)噴嘴涂布。不連續(xù)的沉積技術(shù)包括，但不限于，噴墨印刷、凹版印刷和絲網(wǎng)印刷。

具有式i、式ii和式iii的新化合物可用作空穴傳輸材料和電致發(fā)光材料的主體。新化合物也可以在空穴注入層與空穴傳輸層之間的一個(gè)或多個(gè)層中具有效用。

3.電子裝置

得益于具有一個(gè)或多個(gè)包括至少一種如在此所述的化合物的層的有機(jī)電子裝置包括但不限于：(1)將電能轉(zhuǎn)換為輻射的裝置(例如發(fā)光二極管、發(fā)光二極管顯示器、照明裝置、光源、或二極管激光器)，(2)通過電子方法檢測(cè)信號(hào)的裝置(例如光電檢測(cè)器、光導(dǎo)電池、光敏電阻器、光控繼電器、光電晶體管、光電管、ir檢測(cè)器、生物傳感器)，(3)將輻射轉(zhuǎn)換為電能的裝置(例如光伏裝置或太陽能電池)，(4)將一個(gè)波長(zhǎng)的光轉(zhuǎn)換成更長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的裝置(例如，下變頻磷光體裝置)；以及(5)包括一個(gè)或多個(gè)包括一個(gè)或多個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體層的電子元件的裝置(例如，晶體管或二極管)。根據(jù)本發(fā)明的組合物的其他用途包括用于記憶存儲(chǔ)裝置的涂覆材料、抗靜電膜、生物傳感器、電致變色裝置、固體電解電容器、儲(chǔ)能裝置(諸如可再充電電池)和電磁屏蔽應(yīng)用。

有機(jī)電子裝置結(jié)構(gòu)的一個(gè)示例示于圖1中。裝置100具有第一電接觸層，陽極層110和第二電接觸層，陰極層160，以及介于它們之間的光活性層140?？梢匀芜x地存在附加層。與陽極相鄰的可以是空穴注入層120，有時(shí)稱為緩沖層。鄰近該空穴注入層的可以是包含空穴傳輸材料的空穴傳輸層130。鄰近該陰極的可以是包含電子傳輸材料的電子傳輸層150。作為一種選擇，裝置可以使用一個(gè)或多個(gè)緊鄰陽極110的附加的空穴注入層或空穴傳輸層(未示出)和/或一個(gè)或多個(gè)緊鄰陰極160的附加的電子注入層或電子傳輸層(未示出)。層120至150單獨(dú)地且統(tǒng)稱為有機(jī)活性層。

在一些實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)全色，發(fā)光層被像素化，每種不同顏色具有子像素單元。像素化裝置的圖示在圖2中示出。裝置200具有陽極110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、電致發(fā)光層140、電子傳輸層150和陰極160。電致發(fā)光層被分成子像素141、142、143，它們橫越該層重復(fù)。在一些實(shí)施例中，這些子像素表示紅色、藍(lán)色和綠色發(fā)射。盡管圖2中描繪了三個(gè)不同的子像素單元，可以使用兩個(gè)或三個(gè)以上的子像素單元。

這里將參照?qǐng)D1進(jìn)一步討論這些不同的層。然而，該討論同樣適用于圖2和其他構(gòu)型。

在一些實(shí)施例中，這些不同的層具有以下厚度范圍：陽極110，在一些實(shí)施例中，空穴注入層120，在一些實(shí)施例中，空穴傳輸層130，在一些實(shí)施例中，光活性層140，在一些實(shí)施例中，電子傳輸層150，在一些實(shí)施例中，陰極160，在一些實(shí)施例中，所期望的層厚度的比率將取決于所用材料的確切性質(zhì)。

在此所述的具有式i的新化合物中的一種或多種可存在于裝置的一個(gè)或多個(gè)電活性層中。在一些實(shí)施例中，新化合物可用作層130中的電子傳輸材料。在一些實(shí)施例中，新化合物可用作光活性層140中的光活性摻雜劑材料的主體材料。術(shù)語“摻雜劑”旨在是指包括主體材料的層內(nèi)的材料，與在沒有這種材料的情況下該層的輻射發(fā)射、接收、或過濾的一種或多種電子特性或一種或多種波長(zhǎng)相比，該材料改變?cè)搶拥妮椛浒l(fā)射、接收、或過濾的一種或多種電子特性或一種或多種目標(biāo)波長(zhǎng)。術(shù)語“主體材料”旨在是指向其中添加摻雜劑的材料。主體材料可以或可以不具有發(fā)射、接收、或過濾輻射的一種或多種電子特性或能力。在一些實(shí)施例中，主體材料以更高的濃度存在。

在一些實(shí)施例中，有機(jī)電子裝置包括陽極、陰極和其間的至少一個(gè)有機(jī)活性層，其中該有機(jī)活性層包含式i的化合物。

在一些實(shí)施例中，有機(jī)電子裝置包括陽極、陰極和其間的光活性層，并且進(jìn)一步包括附加的有機(jī)活性層，該有機(jī)活性層包含式i的化合物。在一些實(shí)施例中，該附加的有機(jī)活性層是空穴傳輸層。

陽極110是對(duì)于注入正電荷載體尤其有效的電極。其可由例如包含金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物的材料制成，或者其可為導(dǎo)電聚合物、以及它們的混合物。合適的金屬包括第11族金屬、第4、5和6族中的金屬和第8-10族的過渡金屬。如果陽極是要透光的，則一般使用第12、13和14族金屬的混合金屬氧化物，例如氧化銦錫。該陽極還可包含有機(jī)材料諸如聚苯胺，如在“由可溶性導(dǎo)電聚合物制成的柔性發(fā)光二極管(flexiblelight-emittingdiodesmadefromsolubleconductingpolymer)”，自然(nature)，第357卷，第477-479頁(yè)(1992年6月11日)中所述。陽極和陰極中的至少一個(gè)應(yīng)是至少部分透明的以允許產(chǎn)生的光被觀察到。

任選的空穴注入層120包括空穴注入材料。術(shù)語“空穴注入層”或“空穴注入材料”旨在是指導(dǎo)電或半導(dǎo)電材料，并且在有機(jī)電子裝置中可具有一種或多種功能，包括但不限于下層的平面化、電荷傳輸和/或電荷注入特性、雜質(zhì)諸如氧或金屬離子的清除、以及有利于或改善有機(jī)電子裝置的性能的其他方面?？昭ㄗ⑷氩牧峡梢允蔷酆衔铩⒌途畚锘蛐》肿?，并且可以是呈溶液、分散體、懸浮液、乳液、膠體混合物或其他組合物的形式。

空穴注入層可由聚合物材料形成，如聚苯胺(pani)或聚乙烯二氧噻吩(pedot)，所述聚合材料通常摻雜有質(zhì)子酸。質(zhì)子酸可為例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)等?？昭ㄗ⑷雽?20可包含電荷轉(zhuǎn)移化合物等，如酞菁銅和四硫富瓦烯-四氰基對(duì)苯二醌二甲烷體系(ttf-tcnq)。在一些實(shí)施例中，空穴注入層120由導(dǎo)電聚合物和膠體形成聚合物酸的分散體制成。此類材料已經(jīng)在例如公布的美國(guó)專利申請(qǐng)2004-0102577、2004-0127637和2005-0205860中進(jìn)行了描述。

層130包括空穴傳輸材料。在一些實(shí)施例中，空穴傳輸層包括具有式i的化合物。

在一些實(shí)施例中，空穴傳輸層僅包含具有式i的化合物，其中將實(shí)質(zhì)上改變?cè)搶拥墓ぷ髟砘騾^(qū)別特性的附加材料不會(huì)存在于其中。

在一些實(shí)施例中，層130包括其他空穴傳輸材料。用于空穴傳輸層的空穴傳輸材料的實(shí)例已概述于例如y.wang的柯克·奧思默化工百科全書(kirk-othmerencyclopediaofchemicaltechnology)，第四版，第18卷，第837-860頁(yè)，1996中?？昭▊鬏斝》肿雍途酆衔锒呔墒褂谩ＭǔＪ褂玫目昭▊鬏敺肿影ǖ幌抻冢?,4’,4”-三(n,n-二苯基-氨基)-三苯胺(tdata)；4,4’,4”-三(n-3-甲基苯基-n-苯基-氨基)-三苯胺(mtdata)；n,n’-二苯基-n,n’-雙(3-甲基苯基)-[1,1’-聯(lián)苯基]-4,4’-二胺(tpd)；4,4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(cbp)；1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mcp)；1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(tapc)；n,n’-雙(4-甲基苯基)-n,n’-雙(4-乙基苯基)-[1,1’-(3,3’-二甲基)聯(lián)苯基]-4,4’-二胺(etpd)；四-(3-甲基苯基)-n,n,n’,n’-2,5-苯二胺(pda)；α-苯基-4-n,n-二苯基氨基苯乙烯(tps)；對(duì)-(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(deh)；三苯胺(tpa)；雙[4-(n,n-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(mpmp)；1-苯基-3-[對(duì)-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對(duì)-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(ppr或deasp)；1,2-反式-雙(9h-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(dczb)；n,n,n’,n’-四(4-甲基苯基)-(1,1’-聯(lián)苯基)-4,4’-二胺(ttb)；n,n’-雙(萘-1-基)-n,n’-雙-(苯基)聯(lián)苯胺(α-npb)；以及卟啉化合物，例如酞菁銅。

常用的空穴傳輸聚合物包括但不限于聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚(二氧噻吩)、聚苯胺、以及聚吡咯。還有可能通過將空穴傳輸分子諸如上述那些摻入聚合物諸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中來獲得空穴傳輸聚合物。在一些情況下，所述聚合物和共聚物是可交聯(lián)的?？山宦?lián)空穴傳輸聚合物的實(shí)例可見于例如公布的美國(guó)專利申請(qǐng)2005-0184287和公布的pct申請(qǐng)wo2005/052027中。在一些實(shí)施例中，空穴傳輸層摻雜有p型摻雜劑，如四氟-四氰基對(duì)苯二醌二甲烷和茈-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐。

根據(jù)裝置的應(yīng)用，光活性層140可以是由所施加的電壓激活的發(fā)光層(例如在發(fā)光二極管或發(fā)光電化學(xué)電池中)、吸收光并且發(fā)射具有更長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的材料層(例如在下變頻磷光體裝置中)、或響應(yīng)于輻射能并且在或不在所施加的偏壓下生成信號(hào)的材料層(諸如在光電檢測(cè)器或光伏裝置中)。

在一些實(shí)施例中，該光活性層包括有機(jī)電致發(fā)光(“el”)材料。任何el材料可用于這些裝置中，所述材料包括但不限于小分子有機(jī)熒光化合物、熒光和磷光金屬絡(luò)合物、共軛聚合物、以及它們的混合物。熒光化合物的實(shí)例包括但不限于芘、苝、紅熒烯、香豆素、蒽、噻二唑、它們的衍生物、以及它們的混合物。金屬絡(luò)合物的實(shí)例包括但不限于金屬螯合的喔星化合物，如三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)；環(huán)金屬化的銥和鉑電致發(fā)光化合物，如在petrov等人的美國(guó)專利6,670,645以及已公布的pct申請(qǐng)wo03/063555和wo2004/016710中所披露的銥與苯基吡啶、苯基喹啉、或苯基嘧啶配體的絡(luò)合物，以及在例如已公布的pct申請(qǐng)wo03/008424、wo03/091688、和wo03/040257中所述的有機(jī)金屬絡(luò)合物、以及它們的混合物。在一些情況下，小分子熒光或有機(jī)金屬材料作為摻雜劑與主體材料一起沉積以改善加工特性和/或電子特性。共軛聚合物的實(shí)例包括但不限于聚(苯撐乙烯)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(對(duì)亞苯基)、它們的共聚物、以及它們的混合物。

在一些實(shí)施例中，光活性層140包括在具有式i的主體材料中的電致發(fā)光材料。在一些實(shí)施例中，還存在第二主體材料。在一些實(shí)施例中，光活性層140僅包括電致發(fā)光材料和具有式i的主體材料。在一些實(shí)施例中，光活性層140僅包括電致發(fā)光材料、具有式i的第一主體材料和第二主體材料。第二主體材料的實(shí)例包括但不限于菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、異喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和金屬喹啉絡(luò)合物。

任選層150可以同時(shí)起到促進(jìn)電子傳輸?shù)淖饔?，并且還用作空穴注入層或約束層以防止激子在層界面處猝滅。優(yōu)選地，該層促進(jìn)電子移動(dòng)性并減少激子淬滅?？捎糜谌芜x電子傳輸層150中的電子傳輸材料的實(shí)例包括金屬螯合的喔星化合物，包括金屬喹啉鹽衍生物如三(8-羥基喹啉)鋁(alq)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)(對(duì)苯基苯酚)鋁(balq)、四-(8-羥基喹啉)鉿(hfq)和四-(8-羥基喹啉)鋯(zrq)；以及唑化合物，諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(taz)和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(tpbi)；喹喔啉衍生物，如2,3-二(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉，諸如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(dpa)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(ddpa)；三嗪；富勒烯；以及它們的混合物。

在一些實(shí)施例中，該電子傳輸材料選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：金屬喹啉鹽和菲咯啉衍生物。在一些實(shí)施例中，該電子傳輸層進(jìn)一步包含n型摻雜劑。n型摻雜劑材料是眾所周知的。n型摻雜劑包括但不限于第1族和第2族金屬；第1族和第2族金屬鹽，如lif、csf和cs2co3；第1族和第2族金屬有機(jī)化合物，如喹啉鋰；以及分子n型摻雜劑，諸如無色染料、金屬絡(luò)合物，諸如w2(hpp)4(其中hpp＝1,3,4,6,7,8-六氫-2h-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶)和二茂鈷、四硫雜并四苯、雙(亞乙基二硫代)四硫富瓦烯、雜環(huán)基團(tuán)或二價(jià)基團(tuán)、以及雜環(huán)基團(tuán)或二價(jià)基團(tuán)的二聚體、低聚物、聚合物、二螺化合物和多環(huán)化物。

可以在電子傳輸層上沉積任選的電子注入層。電子注入材料的實(shí)例包括但不限于含li的有機(jī)金屬化合物、lif、li2o、喹啉鋰、含cs的有機(jī)金屬化合物、csf、cs2o和cs2co3。該層可與下面的電子傳輸層、上面覆蓋的陰極或兩者反應(yīng)。當(dāng)存在電子注入層時(shí)，沉積的材料的量通常在的范圍內(nèi)，在一些實(shí)施例中

陰極160是對(duì)于注入電子或負(fù)電荷載體尤其有效的電極。陰極可為具有低于陽極的功函數(shù)的任何金屬或非金屬。用于陰極的材料可選自第1族的堿金屬(例如，li、cs)、第2族(堿土)金屬、第12族金屬，包括稀土元素和鑭系元素、以及錒系元素?？墒褂弥T如鋁、銦、鈣、鋇、釤和鎂、以及組合的材料。

已知在有機(jī)電子裝置中具有其他層。例如，在陽極110與空穴注入層120之間可存在層(未示出)以控制注入的正電荷的量和/或提供層的帶隙匹配，或用作保護(hù)層。可以使用本領(lǐng)域中已知的層，例如酞菁銅、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或金屬(如pt)的超薄層?？商娲?，可以對(duì)陽極層110、活性層120、130、140和150或陰極層160中的一些或全部進(jìn)行表面處理以增加電荷載流子傳輸效率。優(yōu)選通過平衡發(fā)射極層中的正電荷和負(fù)電荷來確定每個(gè)組件層的材料的選擇，以提供具有高電致發(fā)光效率的裝置。

應(yīng)當(dāng)理解，每個(gè)功能層可由多于一個(gè)層構(gòu)成。

裝置層可以通過任何沉積技術(shù)或技術(shù)的組合形成，包括氣相沉積、液相沉積和熱轉(zhuǎn)移?？墒褂弥T如玻璃、塑料和金屬的基板。基板可為柔性的或非柔性的。可使用常規(guī)的氣相沉積技術(shù)，諸如熱蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積等?？墒褂贸Ｒ?guī)的涂布或印刷技術(shù)，包括但不限于旋涂、浸涂、卷對(duì)卷技術(shù)、噴墨印刷、連續(xù)噴嘴印刷、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷等，由合適溶劑中的溶液或分散體來施用有機(jī)層。

對(duì)于液相沉積方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地確定用于特定化合物或相關(guān)類別化合物的合適溶劑。對(duì)于一些應(yīng)用，期望這些化合物溶解于非水溶劑中。此類非水溶劑可以是相對(duì)極性的，諸如c1至c20醇、醚和酸酯，或可以是相對(duì)非極性的，諸如c1至c12烷烴或芳族化合物諸如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。其他合適的用于制造包括新化合物的液體組合物的液體(如在此所述的作為溶液或分散體)包括但不限于氯化烴(諸如二氯甲烷、氯仿、氯苯)、芳烴(諸如取代的和未取代的甲苯和二甲苯，包括三氟甲苯)、極性溶劑(諸如四氫呋喃(thp)、n-甲基吡咯烷酮)、酯(諸如乙酸乙酯)、醇(異丙醇)、酮(環(huán)戊酮)、以及它們的混合物。用于電致發(fā)光材料的合適溶劑已經(jīng)在例如公布的pct申請(qǐng)wo2007/145979中進(jìn)行了描述。

在一些實(shí)施例中，該裝置由空穴注入層、空穴傳輸層和光活性層的液相沉積以及陽極、電子傳輸層、電子注入層和陰極的氣相沉積制成。

應(yīng)當(dāng)理解，可通過優(yōu)化裝置中的其他層來進(jìn)一步改善由在此所述的新組合物制得的裝置的效率。例如，可使用更有效的陰極例如ca、ba或lif。導(dǎo)致操作電壓降低或增加量子效率的成型基板和新型空穴傳輸材料也是可應(yīng)用的。還可添加附加層以定制各種層的能級(jí)并且促進(jìn)電致發(fā)光。

在一些實(shí)施例中，該裝置具有按順序的如下結(jié)構(gòu)：陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、光活性層、電子傳輸層、電子注入層、陰極。

盡管與在此所述的方法和材料類似或等同的方法和材料可用于本發(fā)明的實(shí)踐或測(cè)試中，但是在下面描述了合適的方法和材料。另外，材料、方法和實(shí)例僅為說明性的并且不旨在是限制性的。所有的公開物、專利申請(qǐng)、專利、以及在此提及的其他參考文獻(xiàn)以其全文通過引用結(jié)合。

實(shí)例

在此所述的概念將在以下實(shí)例中進(jìn)一步描述，這些實(shí)例不限制權(quán)利要求中所述的本發(fā)明的范圍。

合成實(shí)例1

該實(shí)例示出了聚合物h1的合成。

化合物h1a的合成：

向三頸1l燒瓶中加入1-溴-2,5-二己基-4-碘代苯(4.00g，8.86mmmol)、3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)-9h-咔唑(2.73g，9.31mmol)、碳酸鈉(2.82g，26mmol)和50ml鄰二甲苯:水(1:1)。將該溶液通過用氮?dú)夤呐荽┻^其來脫氣15分鐘。加入四(三苯基膦)pd(0)(0.41g，0.355mmol)，并將該溶液進(jìn)一步脫氣5分鐘。將反應(yīng)加熱至120℃持續(xù)24小時(shí)。一旦將反應(yīng)冷卻至室溫，分離反應(yīng)混合物的有機(jī)和水性部分，并將有機(jī)物濃縮并用硅膠色譜法(己烷)純化。分離產(chǎn)物，產(chǎn)率為51％。

化合物h1b的合成：

向三頸1l燒瓶中加入h1a(2.2g，4.49mmmol)、4-氯苯硼酸(0.771g，9.31mmol)、碳酸銫(3.65g，11.2mmol)、60mldem、30mletoh和10ml水。將所得溶液通過用氮?dú)夤呐荽┻^其來脫氣15分鐘。加入pd(dppf)cl2(0.11g，0.224mmol)，并將該溶液進(jìn)一步脫氣5分鐘。將反應(yīng)加熱至65℃過夜。一旦將反應(yīng)冷卻至室溫，分離反應(yīng)混合物的有機(jī)和水性部分，并將有機(jī)部分濃縮并用硅膠色譜法(己烷)純化。分離產(chǎn)物，產(chǎn)率為68％。

化合物h1c的合成：

在氮?dú)鈿夥障拢?00ml圓底裝載h1b(1.50g，2.87mmol)、丙基聯(lián)苯胺(0.667g，3.16mmol)、pd2(dba)3(0.132g，0.144mmol)、三-叔丁基膦(0.058g，0.287mmol)和甲苯(30ml)。攪拌混合物并加入叔丁醇鈉(0.304，2.87mmol)。將反應(yīng)加熱至97℃持續(xù)16小時(shí)。將反應(yīng)冷卻至室溫；加入水(100ml)和甲苯(100ml)。將水層分離并加入100ml甲苯反萃取。將有機(jī)層用硫酸鈉干燥并在硅藻土上濃縮進(jìn)行純化。將溶液通過硅膠色譜法(二氯甲烷:己烷0-30％)純化，并將產(chǎn)物級(jí)分濃縮以得到作為白色結(jié)晶固體的所希望的產(chǎn)物，產(chǎn)率為46％。

化合物h1d的合成：

向手套箱中的200ml圓底中加入化合物h1c(0.900g，1.29mmol)、4-溴-4’碘聯(lián)苯(1.39g，3.87mmol)、pd2(dba)3(0.095g，0.10mmol)、dppf(0.115g，0.21mmol)和甲苯(20ml)。攪拌混合物并加入叔丁醇鈉(0.372，3.87mmol)。將反應(yīng)加熱至100℃。22小時(shí)后，完成到所希望產(chǎn)物的轉(zhuǎn)換。將反應(yīng)冷卻至室溫；加入水(100ml)和甲苯(100ml)。將水層分離并加入100ml甲苯反萃取。將有機(jī)層用硫酸鈉干燥并在硅藻土上濃縮進(jìn)行純化。通過快速色譜法(0-10％己烷:dcm)進(jìn)行純化。一旦產(chǎn)物分離，將其用etoh洗滌以產(chǎn)生白色固體，將該白色固體過濾。將固體干燥以產(chǎn)生白色結(jié)晶固體(0.700g，47％產(chǎn)率)。

h1的合成：

將化合物h1d(0.561mmol)和4-溴聯(lián)苯(0.036mmol)加入到閃爍小瓶中并溶解在15ml甲苯中。向干凈的、干燥的50ml的施蘭克(schlenk)管裝入雙(1,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)(1.21mmol)。將2,2’-聯(lián)吡啶(1.21mmol)和1,5-環(huán)辛二烯(1.21mmol)稱重到閃爍小瓶中并溶解于4.0mln,n’-二甲基甲酰胺中。將溶液加入到施蘭克管中，然后將該管插入鋁塊中并加熱至60℃的內(nèi)部溫度。將催化劑體系在60℃下保持30分鐘。將甲苯中的單體溶液加入到施蘭克管中并將該管密封。將聚合混合物在60℃下攪拌三小時(shí)。然后將施蘭克管從該塊中移出并使其冷卻至室溫。將內(nèi)容物倒入hcl/甲醇(5％v/v，濃hcl)中。攪拌45分鐘后，將聚合物通過真空過濾收集并在高真空下干燥。將聚合物溶解在甲苯(1％wt/v)中并穿過含有堿性氧化鋁(6克)的柱，在硅膠(6克)上分層。將聚合物/甲苯濾液濃縮(2.5％wt/v甲苯)并用3-戊酮磨碎。將甲苯/3-戊酮溶液從半固體聚合物中傾出，然后將該半固體聚合物在倒入攪拌的甲醇中之前用15ml甲苯溶解，以產(chǎn)生化合物h1，產(chǎn)率為50％。用聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)物的gpc分析mn＝76,133；mw＝134,698；pdi＝1.8。

合成實(shí)例2

該實(shí)例示出了聚合物h2的合成。

化合物h2a的合成：

向三頸1l燒瓶中加入1-溴-2,5-二己基-4-碘代苯(3.00g，6.65mmmol)、4-氯-2-甲基苯基硼酸(1.07g，6.26mmol)、碳酸鈉(1.68g，26.59mmol)和50ml鄰二甲苯:水(1:1)。將該溶液通過用氮?dú)夤呐荽┻^其來脫氣15分鐘。加入四(三苯基膦)pd(0)(0.38g，0.332mmol)，并將該溶液進(jìn)一步脫氣5分鐘。將反應(yīng)加熱至120℃持續(xù)16小時(shí)。一旦將反應(yīng)冷卻至室溫，分離反應(yīng)混合物的有機(jī)和水性部分，并將有機(jī)部分濃縮并用硅膠色譜法(己烷)純化。分離產(chǎn)物，產(chǎn)率為48％。

化合物h2b的合成：

向三頸1l燒瓶中加入化合物h2a(2.600g，5.78mmmol)、3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)-9h-咔唑(1.78g，6.07mmol)、碳酸鈉(1.84g，17.34mmol)和200ml間二甲苯:水(1:1)。將所得溶液通過用氮?dú)夤呐荽┻^其來脫氣15分鐘。加入四(三苯基膦)pd(0)(0.267g，0.231mmol)，并將該溶液進(jìn)一步脫氣5分鐘。然后將反應(yīng)攪拌并加熱至100℃持續(xù)28小時(shí)。通過加入100ml甲苯和50ml的h2o分離所得物質(zhì)。分離有機(jī)層并將水層用另外的100ml水反萃取。將有機(jī)層用硫酸鈉干燥、通過硅藻土墊過濾并濃縮，以得到4g粗固體。將該物質(zhì)使用二氧化硅和二氯甲烷:己烷-0-30％純化，作為透明油狀物，產(chǎn)率為44％。

化合物h2c的合成：

在氮?dú)鈿夥障?，?00ml圓底燒瓶裝載h2b(1.375g，2.56mmol)、丙基聯(lián)苯胺(0.596g，2.82mmol)、pd2(dba)3(0.117g，0.128mmol)、三-叔丁基膦(0.0519g，0.256mmol)和甲苯(30ml)。攪拌混合物并加入叔丁醇鈉(0.271，2.82mmol)。將反應(yīng)混合物加熱至97℃持續(xù)16小時(shí)。然后將反應(yīng)混合物冷卻至室溫；加入水(100ml)和甲苯(100ml)。將水層分離并加入100ml甲苯反萃取。將有機(jī)層用硫酸鈉干燥并在硅藻土上濃縮進(jìn)行純化。將溶液通過硅膠色譜法(二氯甲烷:己烷0-30％)純化，并將產(chǎn)物級(jí)分濃縮以得到作為白色結(jié)晶固體的所希望的產(chǎn)物，產(chǎn)率為39％。

化合物h2d的合成：

向手套箱中的200ml圓底中加入化合物h2c(0.700g，0.984mmol)、4-溴-4’碘聯(lián)苯(1.06g，2.95mmol)、pd2(dba)3(0.072g，0.079mmol)、dppf(0.087g，0.158mmol)和甲苯(20ml)。攪拌混合物并加入叔丁醇鈉(0.284，2.95mmol)。將反應(yīng)加熱至100℃。22小時(shí)后，完成到所希望產(chǎn)物的轉(zhuǎn)換。將反應(yīng)冷卻至室溫；加入水(100ml)和甲苯(100ml)。將水層分離并用另外的100ml甲苯反萃取。將有機(jī)層用硫酸鈉干燥并在硅藻土上濃縮進(jìn)行純化。通過快速色譜法(0-10％己烷:dcm)進(jìn)行純化。一旦產(chǎn)物分離，將其用etoh洗滌以產(chǎn)生白色固體，將該白色固體過濾。將固體干燥以產(chǎn)生白色結(jié)晶固體(0.743g，64.6％產(chǎn)率)。

h2的合成：

將h2d(0.597mmol)和4-溴聯(lián)苯(0.038mmol)加入到閃爍小瓶中并溶解在15ml甲苯中。向干凈的、干燥的50ml施蘭克管裝入雙(1,5-環(huán)辛二烯)鎳(0)(1.28mmol)，將2,2’-聯(lián)吡啶(1.28mmol)和1,5-環(huán)辛二烯(1.28mmol)稱重到閃爍小瓶中并溶于4.25mln,n’-二甲基甲酰胺中。將溶液加入到施蘭克管中，然后將該管插入鋁塊中并加熱至60℃的內(nèi)部溫度。將催化劑體系在60℃下保持30分鐘。將甲苯中的單體溶液加入到施蘭克管中并將該管密封。將聚合混合物在60℃下攪拌三小時(shí)。然后將施蘭克管從該塊中移出并使其冷卻至室溫。將內(nèi)容物倒入hcl/甲醇(5％v/v，濃hcl)中。攪拌45分鐘后，將聚合物通過真空過濾收集并在高真空下干燥。將聚合物溶解在甲苯(1％wt/v)中并穿過含有堿性氧化鋁(6克)的柱，在硅膠(6克)上分層。將聚合物/甲苯濾液濃縮(2.5％wt/v甲苯)并用3-戊酮磨碎。將甲苯/3-戊酮溶液從半固體聚合物中傾出，然后將該半固體聚合物在倒入攪拌的甲醇中之前用16ml甲苯溶解，以產(chǎn)生化合物h2，產(chǎn)率為59％。用聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)物的gpc分析mn＝80,612；mw＝128,801；pdi＝1.6。

合成實(shí)例3

該實(shí)例示出了聚合物h12的合成。

單體12的合成：

該單體通過用聯(lián)苯-2-胺代替丙基聯(lián)苯胺如對(duì)于h2c所例示的進(jìn)行合成。

h12的合成：

如對(duì)于h2所述的合成聚合物h12，以得到聚合物h12，產(chǎn)率為50％。用聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)物的gpc分析mn＝86,898；mw＝148,345；pdi＝1.7。

裝置實(shí)例：

(1)材料

et-1如下所示。

et-2是芳基氧化膦。

et-3是喹啉鋰(liq)。

hij-i為空穴注入材料，其由導(dǎo)電聚合物和聚合氟化磺酸的水性分散體制成。此類材料已經(jīng)描述于例如公布的美國(guó)專利申請(qǐng)us2004/0102577、us2004/0127637和us2005/0205860和公布的pct申請(qǐng)wo2009/018009中。

htm-1是三芳基胺聚合物。該聚合物可以使用已知的c-c和c-n偶聯(lián)技術(shù)制造。此類材料已經(jīng)描述于例如公布的pct申請(qǐng)wo2011159872中。

主體h-1是氘代二芳基蒽。該化合物可以使用已知的c-c和c-n偶聯(lián)技術(shù)制造。此類材料已經(jīng)描述于公布的pct申請(qǐng)wo2011028216中。

d-1是藍(lán)色苯并芴摻雜劑。此類材料已經(jīng)描述于例如us8,465,848中。

d-2是藍(lán)色苯并芴摻雜劑。此類材料已經(jīng)描述于例如us8,465,848中。

空穴傳輸化合物在下面的實(shí)例裝置實(shí)例中詳細(xì)說明。

(2)裝置制造

通過溶液加工和熱蒸發(fā)技術(shù)的組合來制造oled裝置。使用來自薄膜裝置公司(thinfilmdevices,inc)的圖案化的氧化銦錫(ito)涂覆的玻璃基板。這些ito基板基于涂覆有ito的corningl737玻璃，所述ito具有30歐/平方的薄層電阻和80％的透光率。在水性洗滌劑溶液中超聲清潔圖案化的ito基板并用蒸餾水漂洗。隨后在丙酮中超聲清潔圖案化的ito，用異丙醇漂洗并且在氮?dú)饬髦懈稍铩?/p>

裝置類型1：在即將制造裝置之前，將清潔的、圖案化的ito基板用紫外臭氧處理10分鐘。在冷卻后立即在ito表面之上旋涂空穴注入材料的水性分散體并且加熱以去除溶劑。冷卻后，然后用空穴傳輸材料的苯甲醚:甲苯溶液旋涂這些基板，并且然后加熱以除去溶劑。冷卻后，將這些基板用主體和摻雜劑的苯甲酸甲酯溶液旋涂，并且加熱以除去溶劑。將這些基板掩蔽并且放置于真空室中。通過熱蒸發(fā)沉積電子傳輸材料層，接著是電子注入材料層。然后在真空下更換掩模并通過熱蒸發(fā)沉積al層。將室排氣，并且使用玻璃蓋、干燥劑和紫外可固化環(huán)氧化物來封裝這些裝置。

裝置類型2：在即將制造裝置之前，將清潔的、圖案化的ito基板用紫外臭氧處理10分鐘。在冷卻后立即在ito表面之上旋涂空穴注入材料的水性分散體并且加熱以去除溶劑。冷卻后，然后用空穴傳輸材料的苯甲醚:甲苯溶液旋涂這些基板，并且然后加熱以除去溶劑。然后將工件放置在真空室中。然后使用適當(dāng)?shù)难谀Ｍㄟ^熱蒸發(fā)順序地沉積光活性和主體材料、電子傳輸材料和al陰極的層。將室排氣，并且使用玻璃蓋、干燥劑和紫外可固化環(huán)氧化物來封裝這些裝置。

(3)裝置表征

oled樣品通過測(cè)量它們的(1)電流-電壓(i-v)曲線、(2)相對(duì)于電壓的電致發(fā)光輻射和(3)相對(duì)于電壓的電致發(fā)光光譜來表征。所有三個(gè)測(cè)量同時(shí)進(jìn)行并且由計(jì)算機(jī)控制。通過將led的電致發(fā)光輻射除以運(yùn)行裝置所需的電流密度來確定某一電壓下裝置的電流效率。單位為cd/a。功率效率是電流效率除以工作電壓。單位為lm/w。使用minoltacs-100色度計(jì)或photoresearchpr-705色度計(jì)確定色坐標(biāo)。

(4)裝置實(shí)例1、2和對(duì)比實(shí)例a

這些實(shí)例證明了包括具有式i的空穴傳輸聚合物的裝置的制造和性能。這些裝置如以上對(duì)于裝置類型1所述的進(jìn)行制造并具有以下層：

陽極＝ito(50nm)

hil＝hij-1(100nm)

htl＝見表(105nm)

eml＝7wt％d-1:93wt％h-1(40nm)

etl＝et-1(20nm)

eil＝et-3(3nm)

陰極＝al(100nm)

結(jié)果在以下表1中給出。

表1.裝置結(jié)果

所有數(shù)據(jù)在1000尼特下。電壓在15ma/cm²下測(cè)量。e.q.e.是外量子效率；cie(x,y)是根據(jù)c.i.e.色度標(biāo)度(國(guó)際照明委員會(huì)(commissioninternationaledeleclairage)，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。

(5)裝置實(shí)例3、4和對(duì)比實(shí)例b

這些實(shí)例證明了包括具有式i的空穴傳輸聚合物的裝置的制造和性能。這些裝置如以上對(duì)于裝置類型1所述的進(jìn)行制造并具有以下層：

陽極＝ito(50nm)

hil＝hij-1(100nm)

htl＝見表(100nm)

eml＝7wt％d-1:93wt％h-1(40nm)

etl＝60wt％et-2:40wt％et-3(20nm)

eil＝et-3(3nm)

陰極＝al(100nm)

結(jié)果在以下表2中給出。

表2.裝置結(jié)果

所有數(shù)據(jù)在1000尼特下。電壓在15ma/cm²下測(cè)量。e.q.e.是外量子效率；cie(x,y)是根據(jù)c.i.e.色度標(biāo)度(國(guó)際照明委員會(huì)，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。

(6)裝置實(shí)例5、6和對(duì)比實(shí)例c

這些實(shí)例證明了包括具有式i的空穴傳輸聚合物的裝置的制造和性能。這些裝置如以上對(duì)于裝置類型2所述的進(jìn)行制造并具有以下層：

陽極＝ito(50nm)

hil＝hij-1(100nm)

htl＝見表(105nm)

eml＝20wt％d-2:80wt％h-1(33nm)

etl＝et-1(20nm)

eil＝et-3(3nm)

陰極＝al(100nm)

結(jié)果在以下表3中給出。

表3.裝置結(jié)果

所有數(shù)據(jù)在1000尼特下。電壓在15ma/cm²下測(cè)量。e.q.e.是外量子效率；cie(x,y)是根據(jù)c.i.e.色度標(biāo)度(國(guó)際照明委員會(huì)，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。

(7)裝置實(shí)例7和對(duì)比實(shí)例d

這些實(shí)例證明了包括具有式i的空穴傳輸聚合物的裝置的制造和性能。這些裝置如以上對(duì)于裝置類型2所述的進(jìn)行制造并具有以下層：

陽極＝ito(50nm)

hil＝hij-1(60nm)

htl＝見表(20nm)

eml＝7wt％d-2:93wt％h-1(20nm)

etl＝60wt％et-2:40wt％et-3(20nm)

eil＝et-3(3nm)

陰極＝al(100nm)

結(jié)果在以下表4中給出。

表4.裝置結(jié)果

所有數(shù)據(jù)在1000尼特下。電壓在15ma/cm²下測(cè)量。e.q.e.是外量子效率；cie(x,y)是根據(jù)c.i.e.色度標(biāo)度(國(guó)際照明委員會(huì)，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。

(8)裝置實(shí)例8、9和對(duì)比實(shí)例e

這些實(shí)例證明了包括具有式i的空穴傳輸聚合物的裝置的制造和性能。這些裝置如以上對(duì)于裝置類型2所述的進(jìn)行制造并具有以下層：

陽極＝ito(50nm)

hil＝hij-1(60nm)

htl＝見表(19nm)

eml＝7wt％d-2:93wt％h-1(20nm)

etl＝60wt％et-2:40wt％et-3(20nm)

eil＝et-3(3.8nm)

陰極＝al(100nm)

結(jié)果在以下表5中給出。

表5.裝置結(jié)果

所有數(shù)據(jù)在1000尼特下。電壓在15ma/cm²下測(cè)量。e.q.e.是外量子效率；cie(x,y)是根據(jù)c.i.e.色度標(biāo)度(國(guó)際照明委員會(huì)，1931)的x和y顏色坐標(biāo)。

在此描述了一種具有咔唑基團(tuán)和氨基氮的空穴傳輸聚合物，其中所述聚合物具有式i。

在式i中；ar¹、ar²和ar⁴是相同或不同的并且是取代或未取代的芳基或氘代芳基，并且ar³是取代或未取代的芳基或氘代芳基。此外，e在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：h、d、鹵化物、烷基、芳基、硅氧烷、酯、氘代烷基、氘代芳基、氘代硅氧烷、氘代酯和交聯(lián)基團(tuán)。此外，r¹-r²在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、f、cn、烷基、氟烷基、芳基、雜芳基、氨基、甲硅烷基、烷氧基、酯、芳氧基、氟烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代部分氟化烷基、氘代芳基、氘代雜芳基、氘代氨基、氘代甲硅烷基、氘代烷氧基、氘代酯、氘代芳氧基、氘代氟烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基和交聯(lián)基團(tuán)，其中選自r¹和r²的相鄰基團(tuán)可以連接在一起以形成稠環(huán)。最后，a是從0-4的整數(shù)，b是從0-3的整數(shù)，并且n是大于或等于1的整數(shù)。

在式i的一些實(shí)施例中，ar¹-ar⁴是沒有稠環(huán)的芳基基團(tuán)。還有式i的實(shí)施例，其中ar¹和ar⁴中的一個(gè)或兩個(gè)具有式a：

在此；r⁹在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、烷氧基、硅氧烷、酯和甲硅烷基，其中相鄰的r⁹基團(tuán)可連接在一起以形成稠環(huán)。而且；p在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0-4的整數(shù)，

r是從1至5的整數(shù)，并且*表示與e的附接點(diǎn)。

在具有式i的空穴傳輸?shù)囊恍?shí)施例中；ar¹和ar⁴選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在具有式i的空穴傳輸聚合物的一些實(shí)施例中，ar²具有式a’

在此；r⁹在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、烷氧基、酯、硅氧烷、甲硅烷基、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷基，其中相鄰的r⁹基團(tuán)可連接在一起以形成稠環(huán)。而且；p在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0-4的整數(shù)，r是從1至5的整數(shù)，*表示與氨基氮原子的附接點(diǎn)，并且**表示與咔唑基團(tuán)的附接點(diǎn)。

在具有式i的空穴傳輸聚合物的一些實(shí)施例中；ar²選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：1-萘基、2-萘基、蒽基、芴基、其氘代類似物、以及其衍生物，這些衍生物具有一個(gè)或多個(gè)選自下組的取代基，該組由以下各項(xiàng)組成：氟、烷基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、具有交聯(lián)基團(tuán)的取代基、以及其氘代類似物。

在具有式i的空穴傳輸聚合物的一些實(shí)施例中，ar³具有式d

在此；r⁹在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且選自下組，該組由以下各項(xiàng)組成：d、烷基、烷氧基、硅氧烷、甲硅烷基、酯、氘代烷基、氘代烷氧基、氘代硅氧烷、氘代酯、和氘代甲硅烷基，其中相鄰的r⁹基團(tuán)可連接在一起以形成稠環(huán)。而且；p在每次出現(xiàn)時(shí)是相同或不同的并且是從0-4的整數(shù)，q是從0-5的整數(shù)，并且r是從1至5的整數(shù)。r⁹還可以是其中p＝0并且q＝r＝1的烷基或氘代烷基基團(tuán)。

在具有式i的空穴傳輸聚合物的一些實(shí)施例中，a>0且r¹是d或c1-10烷基。c1-10烷基基團(tuán)也可以是氘代的?？商娲兀琣>0且r¹是d或c6-20芳基，并且該芳基基團(tuán)可以是氘代的。

在具有式i的空穴傳輸聚合物的一些實(shí)施例中，n>5。具有式i的空穴傳輸聚合物的一些具體實(shí)施例是

化合物h1

化合物h2

化合物h3

化合物h4

化合物h5

化合物h6：

化合物h7

化合物h8

化合物h9

化合物h10

本披露還包括一種有機(jī)電子裝置，該有機(jī)電子裝置包括陽極、陰極和其間的至少一個(gè)有機(jī)活性層，其中該有機(jī)活性層包含具有式i的空穴傳輸聚合物。

應(yīng)注意的是，并不是所有的以上在一般性描述或?qū)嵗兴枋龅幕顒?dòng)都是必需的，一部分具體活動(dòng)可能不是必需的，并且除了所描述的那些以外，還可進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)其他活動(dòng)。此外，所列舉的活動(dòng)的順序不必是它們實(shí)施的順序。

在前述說明書中，已參考具體實(shí)施例描述了概念。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解，在不脫離以下權(quán)利要求中所規(guī)定的本發(fā)明范圍的情況下可作出各種修改和改變。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是示例性的而非限制意義，并且所有的此類修改均旨在包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。

上面已經(jīng)關(guān)于具體實(shí)施例描述了益處、其他優(yōu)點(diǎn)和問題的解決方案。然而，益處、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決方案、以及可能引起任何益處、優(yōu)點(diǎn)、或解決方案出現(xiàn)或使其變得更明顯的一個(gè)或多個(gè)任何特征不會(huì)被解釋為任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必要的或基本的特征。

要理解的是，為清楚起見，此處在單獨(dú)實(shí)施例的背景下所述的某些特征還可以以組合形式在單個(gè)實(shí)施例中提供。相反地，為了簡(jiǎn)潔起見，在單個(gè)實(shí)施例的背景下所述的各個(gè)特征也可以單獨(dú)地或以任何子組合提供。在此處指定的各個(gè)范圍內(nèi)的數(shù)值的使用表述為近似值，就像所述范圍內(nèi)的最小值和最大值二者前面都有單詞“約”。以此方式，在所述范圍之上或之下的微小變化均可用于獲得與這些范圍內(nèi)的值基本上相同的結(jié)果。

而且，這些范圍的披露還旨在作為包括在最小與最大平均值之間的每個(gè)值的連續(xù)范圍，包括當(dāng)一個(gè)值的一些分量與不同值的分量混合時(shí)可產(chǎn)生的分?jǐn)?shù)值。此外，當(dāng)披露更寬和更窄的范圍時(shí)，在本發(fā)明的期望內(nèi)，使來自一個(gè)范圍的最小值與來自另一個(gè)范圍的最大值匹配，并且反之亦然。