本發(fā)明屬于低介電材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磷腈化合物、預(yù)浸板及復(fù)合金屬基板。

背景技術(shù)：

以手機(jī)、電腦、攝像機(jī)、電子游戲機(jī)為代表的電子產(chǎn)品、以空調(diào)、冰箱、電視影像、音響用品等為代表的家用、辦公電器產(chǎn)品以及其他領(lǐng)域使用的各種產(chǎn)品，為了安全，很大部分的產(chǎn)品都要求其具備低介電性和耐熱性。

就電氣性質(zhì)而言，主要需考慮的因素還包括材料的介電常數(shù)以及介電損耗。一般而言，由于基板的訊號傳送速度與基板材料的介電常數(shù)的平方根成反比，故基板材料的介電常數(shù)通常越小越好；另一方面，由于介電損耗越小代表訊號傳遞的損失越少，故介電損耗較小的材料所能提供的傳輸質(zhì)量也較為良好。

因此，如何開發(fā)出具有低介電常數(shù)以及低介電損耗的材料，并將其應(yīng)用于高頻印刷電路板的制造，乃是現(xiàn)階段印刷電路板材料領(lǐng)域亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明第一方面提供一種磷腈化合物，該磷腈化合物具有低介電性，良好的耐熱性和機(jī)械性能，而且，該磷腈化合物具有成本低的優(yōu)勢。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：

一種磷腈化合物，其具有如式ⅰ所示的分子結(jié)構(gòu)：

式ⅰ中，r1為取代的或未取代的芳香烴基；r獨(dú)立地為取代的或未取代的脂肪烴基、或取代的或未取代的芳香烴基；r2、r3獨(dú)立地為取代的或未取代的脂肪烴基、或取代的或未取代的芳香烴基；r4、r5獨(dú)立地為任意親核基團(tuán)；r6、r7獨(dú)立地為滿足其化學(xué)環(huán)境的任意有機(jī)基團(tuán)；m為環(huán)三磷腈基m1、環(huán)四以上磷腈基m2或非環(huán)狀聚磷腈基m3中的任意一種或其至少兩種的組合。

n、q為大于等于零的整數(shù)且n和q不同時為零，m為大于等于零的整數(shù)；a、b為大于等于零的整數(shù)，且a+b+2等于m中磷原子數(shù)的2倍。

例如n可以為0、1、2、3、4、5、6、7等，m為大于等于零的整數(shù)，例如0、1、2、3、4、5、6、7等，但是n和q不同時為零。

在本發(fā)明中a、b用于表示r4、r5基團(tuán)的個數(shù)，r4、r5基團(tuán)與m基團(tuán)中的磷原子相連。在本發(fā)明中a+b+2等于m中磷原子數(shù)的2倍，即保證m上磷原子達(dá)到化合價(jià)為五價(jià)的飽和狀態(tài)。

在本發(fā)明中，所述滿足其化學(xué)環(huán)境是指能夠與其相鄰的原子相連，得到穩(wěn)定的化學(xué)連接鍵。

優(yōu)選地，r1為取代或未取代的芳基或取代的或?yàn)槿〈碾s芳基。所述的取代基為不含有鹵素的任意有機(jī)基團(tuán)，例如烷基、環(huán)烷基、烷氧基、換烷氧基、芳基、雜芳基、烷基芳基、雜芳基烷基、羧酸酯基、碳酸酯基、磺酸酯基或膦酸酯基等。

具體地，r1可以為但不限于中的任意一種。

優(yōu)選地，r獨(dú)立地為取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜芳基烷基中的任意一種。所述的取代基為不含有鹵素的任意有機(jī)基團(tuán)，例如烷基、環(huán)烷基、烷氧基、換烷氧基、芳基、雜芳基、烷基芳基、雜芳基烷基、羧酸酯基、碳酸酯基、磺酸酯基或膦酸酯基等。

優(yōu)選地，r2、r3獨(dú)立地為取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的雜芳基烷基中的任意一種或者至少兩種的組合。所述的取代基為不含有鹵素的任意有機(jī)基團(tuán)，例如烷基、環(huán)烷基、烷氧基、換烷氧基、芳基、雜芳基、烷基芳基、雜芳基烷基、羧酸酯基、碳酸酯基、磺酸酯基或膦酸酯基等。

優(yōu)選地，r4、r5獨(dú)立地為取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的環(huán)烷氧基、取代的或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳基烷氧基、取代或未取代的烷基芳氧基、取代或未取代的雜芳基烷氧基、取代或未取代的烷基雜芳氧基、取代或未取代的羧酸酯基、取代或未取代的碳酸酯基、取代或未取代的磺酸酯基或取代或未取代的膦酸酯基中的任意一種或至少兩種的組合。

本發(fā)明所提供的是一種無鹵磷腈化合物，因此，在本發(fā)明的式ⅰ結(jié)構(gòu)中，所有基團(tuán)以及基團(tuán)的取代基均不含有鹵素。

在本發(fā)明中，所述親核試劑即指，可以與鹵代磷腈發(fā)生親核取代反應(yīng)的親核試劑。在親核取代反應(yīng)過程中，親核試劑脫去離去基團(tuán)，親核基團(tuán)進(jìn)攻鹵代磷腈中的鹵素原子，親核基團(tuán)和m相連。例如，當(dāng)采用甲醇ch3oh作為親核試劑與鹵代磷腈發(fā)生親核取代反應(yīng)時，ch3oh脫去h⁺，親核基團(tuán)甲氧基ch3o-取代鹵代磷腈中的鹵素原子，與磷腈中的-p相連。

在本發(fā)明中，取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基優(yōu)選為取代或未取代的c1～c12(例如c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10或c11)直鏈烷基或支鏈烷基，進(jìn)一步優(yōu)選c1～c8直鏈烷基或支鏈烷基，當(dāng)碳原子數(shù)為1時即為甲基，碳原子數(shù)為2時，即為乙基。

取代或未取代的環(huán)烷基優(yōu)選為取代或未取代的c3～c12(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10或c11)的環(huán)烷基。

取代的或未取代的烷氧基優(yōu)選為取代或未取代的c1～c12(例如c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10或c11)的烷氧基。

取代的或未取代的環(huán)烷氧基優(yōu)選為取代或未取代的c3～c12(例如c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10或c11)的環(huán)烷氧基。

取代或未取代的芳基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)烷基芳基。優(yōu)選為苯基、萘基、等。苯基的實(shí)例包括聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、苯甲基、苯乙基或苯丙基等。

取代或未取代的雜芳烷基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)雜芳烷基，優(yōu)選為五元或六元雜芳基，進(jìn)一步優(yōu)選為取代的或未取代的呋喃基或吡啶基。

取代或未取代的芳烷基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)芳烷基。

取代或未取代的雜芳烷基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)雜芳烷基。

取代或未取代的芳氧基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)芳氧基。

取代或未取代的芳基烷氧基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)芳基烷氧基。

取代或未取代的烷基芳氧基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)烷基芳氧基。

取代或未取代的雜芳基烷氧基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)雜芳基烷氧基。

取代或未取代的烷基雜芳基氧基優(yōu)選為c7-c13(例如c8、c9、c10、c11或c12)烷基雜芳基氧基。

本發(fā)明所使用的術(shù)語“取代的”是指指定原子上的任何一個或多個氫原子被選自指定組的取代基取代，條件是所述指定原子不超過正常價(jià)態(tài)，并且取代的結(jié)果是產(chǎn)生穩(wěn)定的化合物。當(dāng)取代基是氧代基團(tuán)或酮基(即＝o)時，那么原子上的2個氫原子被取代。酮取代基在芳香環(huán)上不存在?！胺€(wěn)定的化合物”是指能夠足夠強(qiáng)健地從反應(yīng)混合物中分離至有效的純度并配制成有效的化合物。

在本發(fā)明中，優(yōu)選地，m1結(jié)構(gòu)為：

m2結(jié)構(gòu)為：

其中，x大于等于4；

m3結(jié)構(gòu)為：

其中，y大于等于3。

注意，m1、m2結(jié)構(gòu)式的表示中，所出現(xiàn)符號僅僅是對“環(huán)狀”結(jié)構(gòu)的一種示意。m1、m2和m3中中p原子上連接的鍵僅代表三者中取代基取代發(fā)生在p原子上，不可理解為甲基的表示。

優(yōu)選地，m表示主要由不飽和磷和氮原子構(gòu)成的磷氮骨架的基團(tuán)，即磷腈基團(tuán)，具體為：m包含至少50wt％的環(huán)三磷腈基m1、至多48wt％的環(huán)四以上磷腈基m2以及至多48wt％的非環(huán)狀聚磷腈基m3。

在本發(fā)明中，m1含量至少為50wt％，即m1含量可以為50wt～100wt％，m1為主體成分。當(dāng)m1含量為100wt％時，則不含有m2和m3。本發(fā)明典型但非限制性的m1的含量可以為50wt％、51wt％、55wt％、58wt％、60wt％、65wt％、70wt％、74wt％、75wt％、80wt％、85wt％、90wt％、92wt％、95wt％、98wt％或100wt％。

在本發(fā)明中，m2含量至多為30wt％，即指，m2含量可以為0～30wt％。當(dāng)m2含量為0wt％時，即指，不含有m2。本發(fā)明典型但非限制性的m2含量可以為0wt％、2wt％、5wt％、8wt％、11wt％、14wt％、16wt％、17wt％、19wt％、20wt％、22wt％、25wt％、27wt％、28wt％或29wt％。

在本發(fā)明中，m3含量至多為30wt％，即指，m3含量可以為0～30wt％。當(dāng)m3含量為0wt％時，即指，不含有m3。本發(fā)明典型但非限制性的m3含量可以為0wt％、2wt％、5wt％、8wt％、10wt％、12wt％、14wt％、16wt％、18wt％、20wt％、23wt％、25wt％、27wt％、28wt％、30wt％、32wt％、35wt％、38wt％、40wt％、43wt％或45wt％。

在本發(fā)明中，m1、m2和m3質(zhì)量百分比之和為100％。

在本發(fā)明中，若m1含量小于50wt％，或者m2多于30wt％，則與環(huán)氧樹脂反應(yīng)后的生成物在使用中均會損害耐熱性、耐水性和機(jī)械性能。若m3含量大于45％，則與環(huán)氧樹脂反應(yīng)后的生成物在使用中將有可能因粘度過大而導(dǎo)致使用不便，以及因分子量過大而使其性能受到損害等不良結(jié)果。

優(yōu)選地，本發(fā)明所述磷腈化合物為具有以下結(jié)構(gòu)的化合物中的一種或至少兩種的組合：

其中m為環(huán)三磷腈基。

在本發(fā)明的式i中，封端基團(tuán)r4、r5、r6、r7可以均為芳香類封端基團(tuán)，例如r4、r5可以為等基團(tuán)，r6、r7可以為苯基、聯(lián)苯基、芐基等，例如式ⅰ所示化合物可以為：

等等，其中m為環(huán)三磷腈基。

另一方面，本發(fā)明提供一種磷腈化合物的制備方法，由該方法制備的磷腈化合物具有良好耐熱性以及良好的機(jī)械性能，且介電常數(shù)低。

一種制備上述述磷腈化合物的方法，將磷腈氯化物與含羧酸酯化合物親核試劑進(jìn)行親核取代反應(yīng)所得到。

磷腈氯化物指m-cla+b+2，親核試劑是指式ⅰ中與m基團(tuán)連接的基團(tuán)所對應(yīng)的親核試劑，例如當(dāng)r1為時，可以實(shí)現(xiàn)與磷腈氯化物發(fā)生親核取代反應(yīng)將連接至m的磷原子上的親核試劑為當(dāng)；當(dāng)r3為-ch2ch2-時，可以實(shí)現(xiàn)與磷腈氯化物發(fā)生親核取代反應(yīng)將-o-ch2ch2-o-連接至m的磷原子上的親核試劑可以為ohch2ch2oh；同樣的方法可以實(shí)現(xiàn)r、r2、r5與m的磷原子的連接。

在所述親核取代反應(yīng)中，磷腈氯化物中的氯被取代。親核反應(yīng)可采用本領(lǐng)域公知的方法來完成，例如可參考“聚磷腈的研究進(jìn)展，張宏偉等，材料導(dǎo)報(bào)2010年第24卷第7期”。親核反應(yīng)中使用的催化劑的具體實(shí)例有氯化鋅、氯化鎂、氯化鋁等金屬氯化物、三氟化硼及其絡(luò)合物、氫氧化鈉等路易斯堿。這些催化劑可以一種或多種混合使用，本發(fā)明中并無特別的規(guī)定。這里“磷氰氯化物”指式(i)中m基團(tuán)與cl相連接而成的化合物。至于磷腈氯化物可以使用公知的溶劑、催化劑于公知的反應(yīng)路線合成，也可以使用五氯化磷與氯化銨按照公知的方法合成出來氯化磷氰化合物后，經(jīng)過物理方法處理提純或不提純直接制造，其pcl5+nh4cl→1/n(npcl2)n+4hcl，該反應(yīng)產(chǎn)物中為主要是三聚體(pncl2)3(亦即六氯環(huán)三磷腈)和四聚體(pncl2)4，反應(yīng)產(chǎn)物再通過通過60℃真空中緩慢升華可以得到純的六氯環(huán)三磷腈。氯代環(huán)四以上磷腈和氯代非環(huán)狀聚磷腈也可以通過已有技術(shù)制備得到。

在親核試劑與磷腈氯化物的反應(yīng)中，可以先采用一種親核試劑與磷腈氯化物反應(yīng)，部分取代磷腈氯化物中的氯，然后再用另一種親核試劑與磷腈氯化物反應(yīng)，以得到式(ⅰ)結(jié)構(gòu)的磷腈化合物。并且可以通過控制物質(zhì)之間的物質(zhì)量關(guān)系，來得到結(jié)構(gòu)中含有一個m基團(tuán)或含有多個m基團(tuán)的磷腈化合物。

另一方面，本發(fā)明提供一種具有低介電性，良好的耐熱性以及良好的機(jī)械性能的環(huán)氧樹脂組合物。

該環(huán)氧樹脂組合物包含本發(fā)明所述的磷腈化合物。

至于環(huán)氧樹脂組合物的環(huán)氧樹脂、固化劑、其它填料可采用公知的環(huán)氧樹脂。

所述環(huán)氧樹脂組合物除前述含磷腈的聚酯外，還可以包括其他聚酯。

另一方面，本發(fā)明提供了一種預(yù)浸板，其由如上述的磷腈化合物含浸或涂布于基材而成。

基材可以為玻璃纖維基材、聚酯基材、聚酰亞胺基材、陶瓷基材或碳纖維基材等。

這里，其含浸或涂布的具體工藝條件無特別限定?！邦A(yù)浸板”也為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的“粘結(jié)片”。

一種復(fù)合金屬基板，其包括一張以上如上述預(yù)浸板依次進(jìn)行表面覆金屬層重疊、壓合而成。

這里，表面覆金屬層的材質(zhì)為鋁、銅、鐵及其任意組合的合金。

復(fù)合金屬基板的具體實(shí)例有cem-1覆銅板、cem-3覆銅板、fr-4覆銅板、fr-5覆銅板、cem-1鋁基板、cem-3鋁基板、fr-4鋁基板或fr-5鋁基板。

一種柔性覆銅板，所述柔性覆銅板包含一張以上所述預(yù)浸板以及覆于疊合后的預(yù)浸板一側(cè)或兩側(cè)的銅箔。

一種線路板，于上述的復(fù)合金屬基板的表面加工線路而成。

環(huán)氧樹脂組合物的原料通過固化在復(fù)合金屬基板上形成具有良好低介電性能以及耐熱性的涂層，可提高線路板，例如電子產(chǎn)業(yè)、電氣、電器產(chǎn)業(yè)、交通運(yùn)輸、航空航天、玩具產(chǎn)業(yè)等需要線路板的機(jī)器、設(shè)備、儀器、儀表等產(chǎn)業(yè)的廣泛應(yīng)用。

上述術(shù)語“×××基或基團(tuán)”指×××化合物分子結(jié)構(gòu)中脫去一個或多個氫原子或其它原子或原子團(tuán)后剩余的部分。

本發(fā)明通過采用特定組成的m基團(tuán)得到所述磷腈化合物，使得由其組成的環(huán)氧樹脂組合物的固化物具有低介電性、良好的耐熱性、機(jī)械性能，是一種還具有較大的經(jīng)濟(jì)性及環(huán)保友好型的低介電材料。采用該樹脂組合物得到的覆銅板的介電常數(shù)(1ghz)為3.25-3.32，介電損耗(1ghz)為0.005-0.006，tg可達(dá)到170℃及以上，t-剝離強(qiáng)度可達(dá)到1.95kg/mm²及以上，層間剝離強(qiáng)度可達(dá)到1.63kg/mm²及以上，飽和吸水率可達(dá)到0.35％以下。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

在以下實(shí)施例中，所用原料磷腈氯化物(如六氯環(huán)三磷氰)可根據(jù)本發(fā)明所述的合成方法或本領(lǐng)域已知的合成方法合成得到，其余原料可通過商業(yè)購買得到。

實(shí)施例1

本實(shí)施例的磷腈化合物的結(jié)構(gòu)式如下：

其制備方法如下：

帶有攪拌裝置的三口2000ml玻璃反應(yīng)器里投入乙二醇1mol、乙酸1mol，丙酮200ml，滴加3ml98％的濃硫酸，進(jìn)行酯化反應(yīng)1h，而后加入六氯環(huán)三磷腈1mol、甲醇鈉4mol，一邊攪拌、一邊通氮?dú)狻⒁簧郎氐?0℃，用60min滴入20％氫氧化鈉溶液620g，保持60℃溫度，攪拌反應(yīng)15個小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入對苯二甲酸1mol，在40℃攪拌攪拌反應(yīng)3小時，而后加入乙二醇1mol，繼續(xù)攪拌反應(yīng)2小時，而后加入乙酸1mol，在40℃攪拌攪拌反應(yīng)3小時，反應(yīng)后，用物理方法去除體系中的雜質(zhì)和水分，蒸餾掉體系中溶劑，得到上述結(jié)構(gòu)的酯當(dāng)量為160g/eq的酯化物a1mol。

對得到的化合物a進(jìn)行核磁共振氫譜表征，結(jié)果如下：

¹hnmr(cdcl3,500mhz):δ8.16-8.22(m,4h,),4.53-4.54(m,2h,cooch2coo),4.32(m,2h,cooch2ch2o),3.83(m,2h,cooch2ch2o),3.42(s,12h,och3),2.0(m,6h,coch3)。

紅外譜圖特征峰的位置：酯羰基1730-1740cm^-1，酯基的c-o-c1200cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，甲基醚的吸收峰2995.3cm^-1，p-o-c鍵吸收峰1035cm^-1，ch2-o的吸收峰2983cm^-1，對位取代苯環(huán)860-790cm^-1。

以上述酯化物a80g作為固化劑加入環(huán)氧當(dāng)量為200g/eq的鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂100g，固化促進(jìn)劑2mi0.2g，制備環(huán)氧樹脂組合物。采用該環(huán)氧樹脂組合物按照通用的覆銅板制作程序制得符合國標(biāo)、ul等標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)覆銅板樣品，命名為a覆銅板，測試a覆銅板的性能，其結(jié)果在表-1中表示。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的磷腈化合物的結(jié)構(gòu)式如下：

其制備方法如下：

帶有攪拌裝置的三口2000ml玻璃反應(yīng)器里投入乙二醇1mol、乙酸1mol，丙酮200ml，滴加3ml98％的濃硫酸，進(jìn)行酯化反應(yīng)1h，而后加入六氯環(huán)三磷腈1mol、甲醇鈉4mol，一邊攪拌、一邊通氮?dú)狻⒁簧郎氐?0℃，用60min滴入20％氫氧化鈉溶液620g，保持60℃溫度，攪拌反應(yīng)15個小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入對苯二甲酸1mol，繼續(xù)保持60℃，攪拌反應(yīng)3小時，而后再加入1mol六氯環(huán)三磷腈，繼續(xù)反應(yīng)3小時，而后加入甲醇鈉4mol，繼續(xù)反應(yīng)5小時，加入對苯二酚1mol，繼續(xù)反應(yīng)4小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入乙酸1mol，反應(yīng)3小時。反應(yīng)后，用物理方法去除體系中雜質(zhì)和水分，蒸餾掉體系中溶劑，得到上述結(jié)構(gòu)的酯當(dāng)量為255g/eq的酯化物b1mol。

對得到的化合物b進(jìn)行核磁共振氫譜表征，結(jié)果如下：

¹hnmr(cdcl3,500mhz):δ8.28-8.32(m,4h,),6.7-6.9(m,4h,),4.32(m,2h,cooch2ch2o),3.83(m,2h,cooch2ch2o),3.42(s,24h,och3),2.1(m,6h,coch3)。

紅外譜圖特征峰的位置：酯羰基1730-1740cm^-1，酯基的c-o-c1200cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，甲基醚的吸收峰2995.3cm^-1，p-o-c鍵吸收峰1035cm^-1，ch2-o的吸收峰2983cm^-1，對位取代苯環(huán)860-790cm^-1。

以上述酯化物b128g作為固化劑加入環(huán)氧當(dāng)量1200g/eq的鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂100g，固化促進(jìn)劑2mi0.2g，制備環(huán)氧樹脂組合物，。采用該環(huán)氧樹脂組合物按照通用的覆銅板制作程序制得符合國標(biāo)、ul等標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)覆銅板樣品，命名為b覆銅板，測試b覆銅板的性能，其結(jié)果在表-1中表示。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的磷腈化合物的結(jié)構(gòu)式如下：

其制備方法如下：

帶有攪拌裝置的三口2000ml玻璃反應(yīng)器里投入對苯二酚1mol、苯甲酸1mol，丙酮200ml，滴加3ml98％的濃硫酸，進(jìn)行酯化反應(yīng)1h，而后加入六氯環(huán)三磷腈1mol、苯酚4mol，一邊攪拌、一邊通氮?dú)?、一升溫?0℃，用60min滴入20％氫氧化鈉溶液621g，保持60℃溫度，攪拌反應(yīng)10個小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入1mol對苯二甲酸，繼續(xù)反應(yīng)3小時，而后再加入六氯環(huán)三磷腈1mol，繼續(xù)反應(yīng)5小時后，加入苯酚4mol，對苯二酚1mol，繼續(xù)反應(yīng)8小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入苯甲酸1mol，反應(yīng)2小時。反應(yīng)后，用物理方法去除體系中的雜質(zhì)和水分，蒸餾掉體系中溶劑，得到上述結(jié)構(gòu)的酯當(dāng)量為410g/eq的酯化物c1mol。

對得到的化合物c進(jìn)行核磁共振氫譜表征，結(jié)果如下：

¹hnmr(cdcl3,500mhz):δ8.28-8.32(m,4h,),7.4-8.1(m,10h,),6.8-7.0(s,48h,中的氫)。

紅外譜圖特征峰的位置：酯羰基1730-1740cm^-1，酯基的c-o-c1200cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，p-o-c鍵吸收峰1035cm^-1，對位取代苯環(huán)860-790cm^-1。

以上述酯化物c205g作為固化劑加入環(huán)氧當(dāng)量200g/eq的鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂100g固化促進(jìn)劑2mi0.2g，制備環(huán)氧樹脂組合物。采用該環(huán)氧樹脂組合物按照通用的覆銅板制作程序制得符合國標(biāo)、ul等標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)覆銅板樣品，命名為c覆銅板，測試c覆銅板的性能，其結(jié)果在表-1中表示。

實(shí)施例4

本實(shí)施例的磷腈化合物的結(jié)構(gòu)式如下：

其制備方法如下：

帶有攪拌裝置的三口2000ml玻璃反應(yīng)器里投入對苯二酚1mol、乙酸1mol，丙酮200ml，滴加3ml98％的濃硫酸，進(jìn)行酯化反應(yīng)1h，而后加入六氯環(huán)三磷腈1mol、甲醇鈉4mol，一邊攪拌、一邊通氮?dú)?、一升溫?0℃，用60min滴入20％氫氧化鈉溶液621g，保持60℃溫度，攪拌反應(yīng)10個小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入1mol對苯二甲酸，在40℃攪拌反應(yīng)2，而后加入乙二醇1mol，反應(yīng)2小時，再加入六氯環(huán)三磷腈1mol，繼續(xù)反應(yīng)5小時后，加入甲醇鈉4mol，對苯二酚1mol，繼續(xù)反應(yīng)8小時，反應(yīng)完成后，用物理的方法去除體系中無機(jī)成分和水分，滴加3ml98％的濃硫酸，并加入乙酸1mol，反應(yīng)2小時。反應(yīng)后，用物理方法去除體系中雜質(zhì)和水分，蒸餾掉體系中溶劑，得到上述結(jié)構(gòu)的酯當(dāng)量為300g/eq的酯化物d1mol。

對得到的化合物d進(jìn)行核磁共振氫譜表征，結(jié)果如下：

¹hnmr(cdcl3,500mhz):δ8.28-8.32(m,4h,),6.7-6.9(m,4h,),4.42(m,2h,cooch2ch2o),3.93(m,2h,cooch2ch2o),3.42(s,24h,och3),2.1(m,6h,coch3)。

紅外譜圖特征峰的位置：酯羰基1730-1740cm^-1，酯基的c-o-c1200cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，磷腈骨架中p＝n鍵的特征吸收峰1217cm^-1，磷腈骨架中p-n874cm^-1，甲基醚的吸收峰2995.3cm^-1，p-o-c鍵吸收峰1035cm^-1，ch2-o的吸收峰2983cm^-1，對位取代苯環(huán)860-790cm^-1。

以上述酯化物d150g作為固化劑加入環(huán)氧當(dāng)量200g/eq的鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂100g，，固化促進(jìn)劑2mi0.2g，制備環(huán)氧樹脂組合物。采用該環(huán)氧樹脂組合物按照通用的覆銅板制作程序制得符合國標(biāo)、ul等標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)覆銅板樣品，命名為d覆銅板，測試d覆銅板的性能，其結(jié)果在表-1中表示。

比較例1

環(huán)氧當(dāng)量為200g/eq的鄰甲基酚醛環(huán)氧樹脂200g，加入酚羥基當(dāng)量為105g/eq的線型酚醛樹脂固化劑105g和作為阻燃劑的六苯氧基磷氰70g以及0.2g的2-甲基咪唑，用適量的丁酮溶解成溶液，用標(biāo)準(zhǔn)玻璃布，按照常規(guī)的制作方法，得到含樹脂量為50％的覆銅板e，覆銅e的各項(xiàng)性能在表-1中表示。

比較例2

環(huán)氧當(dāng)量為200g/eq的鄰甲基酚醛環(huán)氧樹脂200g，加入具有如式(1)結(jié)構(gòu)的樹脂化合物220g，酯當(dāng)量為220g/eq以及作為阻燃劑的六苯氧基磷氰70g和0.2g的吡啶唑，用適量的丁酮溶解成溶液，用標(biāo)準(zhǔn)玻璃布，按照常規(guī)的制作方法，得到含樹脂量為50％的覆銅板f。覆銅f的各項(xiàng)性能在表-1中表示。

實(shí)施例和比較例的測試結(jié)果如下表-1所示(鑒于具體測試方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此對方法不再詳述)：

表-1

由表1可以看出，本發(fā)明采用含有式ⅰ所示的分子結(jié)構(gòu)的化合物作為固化劑制備的樹脂組合物，使得由其制備得到的覆銅板的介電常數(shù)(1ghz)為3.25-3.32，介電損耗(1ghz)為0.005-0.006，tg可達(dá)到170℃及以上，t-剝離強(qiáng)度可達(dá)到1.95kg/mm²及以上，層間剝離強(qiáng)度可達(dá)到1.63kg/mm²及以上，飽和吸水率可達(dá)到0.35％以下，明顯優(yōu)于對比例覆銅板的性能。

申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的磷腈化合物、塑封料及復(fù)合金屬基板，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述實(shí)施例才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。