本發(fā)明涉及一種聚酰亞胺聚合物、聚酰亞胺膜以及軟性銅箔基板，尤其涉及一種與銅箔具有良好接著力的聚酰亞胺聚合物、包括上述聚酰亞胺聚合物的聚酰亞胺膜以及包括上述聚酰亞胺膜的軟性銅箔基板。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品逐漸朝向輕薄的趨勢(shì)發(fā)展，軟性電路板的使用需求量也大幅提升。軟性電路板的主要上游材料為軟性銅箔基板。目前，由于聚酰亞胺膜與銅箔(尤其是低表面粗糙度且厚度較薄的壓延銅箔)之間的接著力偏低，故通常需在兩者之間設(shè)置一層接著層來(lái)接合。然而，如此一來(lái)，軟性銅箔基板不但在薄型化上受到限制，還容易產(chǎn)生嚴(yán)重的卷曲問(wèn)題。因此，開(kāi)發(fā)無(wú)須設(shè)置接著層且具有良好平坦性的軟性銅箔基板仍是目前此領(lǐng)域極欲發(fā)展的目標(biāo)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種聚酰亞胺聚合物，其具有新穎的結(jié)構(gòu)，而包括上述聚酰亞胺聚合物的聚酰亞胺膜與銅箔具有良好接著力，且接合后的結(jié)構(gòu)具有良好平坦性，以及上述聚酰亞胺膜適合應(yīng)用于軟性銅箔基板中。
本發(fā)明的聚酰亞胺聚合物，包括以式1表示的重復(fù)單元：
其中
Ar為衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四價(jià)有機(jī)基；以及
A包括及其中R17為單鍵或碳數(shù)為1至18的二價(jià)連接基團(tuán)。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述的為衍生自二酰肼化合物的二價(jià)有機(jī)基，其中上述二酰肼化合物為己二酸二酰肼、1,3-雙(肼基羰乙基)-5-異丙基乙內(nèi)酰脲或7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述的R17為碳數(shù)為4至18的二價(jià)連接基團(tuán)。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述含有芳香族基的四羧酸二酐包括含有單一芳香族基的四羧酸二酐以及含有兩個(gè)芳香族基的四羧酸二酐。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述Ar包括以及
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述的聚醯亞胺聚合物包括大於0且小於0.2摩爾百分比的Ar為的以式1表示的重複單元。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，以上述的及的總摩爾數(shù)計(jì)，的摩爾百分比為3至15。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，以上述的及的總摩爾數(shù)計(jì)，的摩爾百分比為75至92。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，以上述的及的總摩爾數(shù)計(jì)，的摩爾百分比為5至10。
本發(fā)明的聚酰亞胺膜包括前述的聚酰亞胺聚合物。
本發(fā)明的軟性銅箔基板包括銅箔以及前述的聚酰亞胺膜。聚酰亞胺膜直接配置在銅箔上。
在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，上述的聚酰亞胺膜的剝離強(qiáng)度為0.4kgf/cm至0.7kgf/cm。
基于上述，本發(fā)明所提出的聚酰亞胺聚合物是通過(guò)使用特定的三種二胺單體及含有芳香族基的二酐單體來(lái)制造，藉此聚酰亞胺聚合物及包括其的聚酰亞胺膜能夠與銅箔具有良好的接著力，且接合后的結(jié)構(gòu)具有良好的平坦性。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明如下。
具體實(shí)施方式
在本文中，由“一數(shù)值至另一數(shù)值”表示的范圍，是一種避免在說(shuō)明書(shū)中一一列舉該范圍中的所有數(shù)值的概要性表示方式。因此，某一特定數(shù)值范圍的記載，涵蓋該數(shù)值范圍內(nèi)的任意數(shù)值以及由該數(shù)值范圍內(nèi)的任意數(shù)值界定出的較小數(shù)值范圍，如同在說(shuō)明書(shū)中明文寫(xiě)出該任意數(shù)值和該較小數(shù)值范圍一樣。
在本文中，有時(shí)以鍵線式(skeleton formula)表示聚合物或基團(tuán)的結(jié)構(gòu)。這種表示法可以省略碳原子、氫原子以及碳?xì)滏I。當(dāng)然，結(jié)構(gòu)式中有明確示出原子或原子基團(tuán)的，則以示出者為準(zhǔn)。
為了制備出與銅箔有良好接著力的聚酰亞胺聚合物，本發(fā)明提出一種聚酰亞胺聚合物，其可達(dá)到上述優(yōu)點(diǎn)。以下，特舉實(shí)施方式作為本發(fā)明確實(shí)能夠據(jù)以實(shí)施的范例。
本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種聚酰亞胺聚合物，包括以式1表示的重復(fù)單元：
在上述式1中，Ar為衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四價(jià)有機(jī)基。也就是說(shuō)，Ar為含有芳香族基的四羧酸二酐中除了2個(gè)羧酸酐基(-(CO)2O)以外的殘基。在本文中，上述含有芳香族基的四羧酸二酐也稱(chēng)為二酐單體。
詳細(xì)而言，在本實(shí)施方式中，上述含有芳香族基的四羧酸二酐包括含有單一芳香族基的四羧酸二酐以及含有兩個(gè)芳香族基的四羧酸二酐。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，制備式1所示的重復(fù)單元時(shí)，可采用多種二酐單體。
具體而言，Ar包括以及也就是說(shuō)，式1所示的重復(fù)單元使用了兩種二酐單體來(lái)進(jìn)行制備，且上述兩種二酐單體分別為均苯四甲酸二酐(1,2,4,5-Benzenetetracarboxylic anhydride，簡(jiǎn)稱(chēng)PMDA)與3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐(3,3’,4,4’-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，簡(jiǎn)稱(chēng)BPDA)。另外，在本實(shí)施方式中，聚酰亞胺聚合物包括大于0且小于0.2摩爾百分比的Ar為的以式1表示的重復(fù)單元。詳細(xì)而言，當(dāng)聚酰亞胺聚合物包括大于或等于0.2摩爾百分比的Ar為的以式1表示的重復(fù)單元時(shí)，則由上述聚酰亞胺聚合所制備的聚酰亞胺膜的質(zhì)地較硬脆，應(yīng)用性不佳。
在上述式1中，A包括及其中R17為單鍵或碳數(shù)為1至18的二價(jià)連接基團(tuán)。
詳細(xì)而言，A即為二胺化合物中除了2個(gè)氨基(-NH2)以外的殘基。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，式1所示的重復(fù)單元是通過(guò)使用三種二胺化合物與含有芳香族基的四羧酸二酐化合物進(jìn)行反應(yīng)而得。在本文中，制備式1所示的重復(fù)單元所使用的二胺化合物也稱(chēng)為二胺單體。
具體而言，在本實(shí)施方式中，用來(lái)制備式1所示的重復(fù)單元的二胺單體為對(duì)苯二胺(p-Phenylenediamine，簡(jiǎn)稱(chēng)PDA)、4,4’-二胺基二苯基醚(4,4’-oxydianiline，簡(jiǎn)稱(chēng)ODA)與二酰肼化合物。也就是說(shuō)，為衍生自上述二酰肼化合物的二價(jià)有機(jī)基。
在本實(shí)施方式中，上述二酰肼化合物可以是己二酸二酰肼、1,3-雙(肼基羰乙基)-5-異丙基乙內(nèi)酰脲或7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲。從另一觀點(diǎn)而言，在本實(shí)施方式中，R17較佳為碳數(shù)為4至18的二價(jià)連接基團(tuán)。
另外，如前文所述，包括式1所示的重復(fù)單元的聚酰亞胺聚合物可通過(guò)兩種二酐單體與三種二胺單體進(jìn)行反應(yīng)而制備，其方法可包括以下步驟。首先，在水浴(室溫)中，將對(duì)苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚與二酰肼化合物加入溶劑中進(jìn)行混合，并使其完全溶解后形成二胺單體混合液。在此步驟中，以對(duì)苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚與二酰肼化合物的總摩爾數(shù)計(jì)，對(duì)苯二胺的摩爾百分比例如是75％至92％、4,4’-二胺基二苯基醚的摩爾百分比例如是5％至10％以及二酰肼化合物的摩爾百分比例如是3％至15％；以及上述溶劑例如是六甲基磷酰胺(hexamethylphosphoramide，HMPA)、N,N-二甲基乙酰胺(N,N-dimethylacetamide，DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、1,3-二甲基咪唑啉酮(1,3-dimethyl imidazolinone，DMI)、或間甲酚(m-cresol)等的高極性溶劑。
接著，在水浴(室溫)中，將預(yù)先進(jìn)行混合的均苯四甲酸二酐與3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐加入上述二胺單體混合液中進(jìn)行反應(yīng)，以形成聚酰胺酸溶液。在此步驟中，以均苯四甲酸二酐與3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐的總摩爾數(shù)計(jì)，均苯四甲酸二酐的摩爾百分比例如是大于0％且小于20％，較佳是5％至15％，而3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐的摩爾百分比例如是大于80％且小于100％，較佳是85％至95％；反應(yīng)時(shí)間例如是12小時(shí)至24小時(shí)；以及上述聚酰胺酸溶液的固含量例如是14％至16％。
之后，在氮?dú)猸h(huán)境下，對(duì)上述聚酰胺酸溶液進(jìn)行酰亞胺化反應(yīng)(脫水環(huán)化)，以形成由式1表示的聚酰亞胺聚合物。詳細(xì)而言，上述脫水反應(yīng)例如可在不使用觸媒的情況下，在120℃至140℃下先對(duì)上述聚酰胺酸溶液進(jìn)行烘烤10分鐘至30分鐘以移除溶劑后，再升溫至300℃至350℃反應(yīng)30分鐘至60分鐘而進(jìn)行。然而，本發(fā)明并不限于此。在其他實(shí)施方式中，脫水反應(yīng)也可以在使用觸媒的情況下進(jìn)行。
值得說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，通過(guò)使用含芳香族基的四羧酸二酐化合物(即均苯四甲酸二酐與3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐)作為二酐單體，以及使用對(duì)苯二胺、4,4’-二胺基二苯基醚與二酰肼化合物作為二胺單體來(lái)制備聚酰亞胺聚合物，聚酰亞胺聚合物得以與銅箔具有良好的接著力。如此一來(lái)，聚酰亞胺聚合物能夠適用于制作軟性銅箔基板。
另外，本發(fā)明的聚酰亞胺聚合物可以薄膜、粉體或溶液等的形態(tài)存在。下文中，以聚酰亞胺聚合物為薄膜形態(tài)為例來(lái)加以說(shuō)明。
本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種聚酰亞胺膜，包括任一種前述實(shí)施方式中的聚酰亞胺聚合物。在本實(shí)施方式中，聚酰亞胺膜的厚度約在15μm至25μm之間。
請(qǐng)參照前文關(guān)于聚酰亞胺聚合物的制備方法，聚酰亞胺膜的制造方法包括在形成聚酰胺酸溶液之后，通過(guò)涂布制程將聚酰胺酸溶液涂布至一基材上，并接著使其進(jìn)行酰亞胺化反應(yīng)。詳細(xì)而言，涂布制程例如是刮刀涂布法或旋轉(zhuǎn)涂布法；基材例如是銅箔；上述脫水反應(yīng)例如可在120℃至140℃下先對(duì)上述聚酰胺酸溶液進(jìn)行烘烤10分鐘至30分鐘以移除溶劑后，再升溫至300℃至350℃反應(yīng)30分鐘至60分鐘而進(jìn)行。
值得說(shuō)明的是，如前文所述，由于聚酰亞胺聚合物與銅箔具有良好的接著力，故聚酰亞胺膜同樣會(huì)與銅箔具有良好的接著力，并且適用于制作軟性銅箔基板。
本發(fā)明的另一實(shí)施方式更提供一種軟性銅箔基板，包括銅箔以及任一種前述實(shí)施方式中的聚酰亞胺膜，其中聚酰亞胺膜直接配置在銅箔上。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，聚酰亞胺膜能夠直接與銅箔相接合而不需在兩者間設(shè)置粘著層。作為銅箔，可利用所屬領(lǐng)域中技術(shù)人員所周知的軟性銅箔基板所使用的任一種銅箔，例如可為壓延銅箔或電解銅箔，且銅箔的厚度也并不特別限定。
請(qǐng)參照前文關(guān)于聚酰亞胺膜的制造方法，軟性銅箔基板的制造方法包括：通過(guò)涂布制程將聚酰胺酸溶液涂布至銅箔上，并接著使其進(jìn)行酰亞胺化反應(yīng)，以于銅箔上形成聚酰亞胺膜。
值得說(shuō)明的是，如前文所述，由于聚酰亞胺膜與銅箔具有良好的接著力，因此軟性銅箔基板中聚酰亞胺膜能夠直接配置在銅箔上而不需額外設(shè)置粘著層，并且軟性銅箔基板能夠具有良好的平坦性。如此一來(lái)，與現(xiàn)有的軟性銅箔基板相比，本發(fā)明的軟性銅箔基板的厚度降低且具有良好的制程良率及可靠性。具體而言，在本實(shí)施方式中，聚酰亞胺膜的剝離強(qiáng)度為0.4kgf/cm至0.7kgf/cm。
下文將參照實(shí)施例1-4，更具體地描述本發(fā)明的特征。雖然描述了以下實(shí)施例1-4，但是在不逾越本發(fā)明范疇的情況下，可適當(dāng)?shù)馗淖兯貌牧?、其量及比率、處理?xì)節(jié)以及處理流程等等。因此，不應(yīng)由下文所述的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作出限制性地解釋。
制備實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜以及軟性銅箔基板所使用的主要材料的信息如下所示。
二胺單體：
對(duì)苯二胺(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PDA)：購(gòu)自東信化學(xué)公司；
4,4’-二胺基二苯基醚(以下簡(jiǎn)稱(chēng)ODA)：購(gòu)自JFE化學(xué)股份有限公司；
己二酸二酰肼(以下簡(jiǎn)稱(chēng)ADH)：購(gòu)自AJINOMOTO公司；
7,11-十八碳二烯-1,18-二均二胺基脲(以下簡(jiǎn)稱(chēng)UDH)：購(gòu)自AJINOMOTO公司。
二酐單體：
3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐(以下簡(jiǎn)稱(chēng)BPDA)：購(gòu)自JFE化學(xué)股份有限公司；
均苯四甲酸二酐(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PMDA)：購(gòu)自JFE化學(xué)股份有限公司。
壓延銅箔：購(gòu)自日曠金屬公司。
實(shí)施例1
在水浴(室溫)下，將0.4g(0.002mol，5mol％)的ODA、3.98g(0.037摩爾，92mol％)的PDA與0.21g(0.001摩爾，3mol％)的ADH溶于作為溶劑的85g的NMP中，以形成二胺單體混合溶液。在水浴(室溫)下，將預(yù)先混合均勻的1.57g(0.007mol，18mol％)的PMDA與9.42g(0.032mol，80mol％)的BPDA加入前述二胺單體混合溶液中。接著，在水浴(室溫)下，反應(yīng)24小時(shí)后即獲得固含量為15％的聚酰胺酸溶液。
之后，使用刮刀涂布法將100ml的上述聚酰胺酸溶液涂布在壓延銅箔(厚度為12μm)上，并接著在130℃下烘烤10分鐘，以移除NMP。繼之，將涂布有聚酰胺酸溶液的壓延銅箔置于350℃的氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行酰亞胺化反應(yīng)30分鐘，以獲得實(shí)施例1的軟性銅箔基板，其中酰亞胺化比率為100％。最后，通過(guò)蝕刻制程將壓延銅箔移除，以獲得實(shí)施例1的聚酰亞胺膜，其中以低測(cè)定力測(cè)定儀(由三豐美國(guó)公司(Mitutoyo America Corporation)制造，設(shè)備名為L(zhǎng)itematic LV-50A)進(jìn)行厚度測(cè)量，得到厚度約為18μm。
實(shí)施例2至實(shí)施例3
按照與實(shí)施例1相同的制造程序來(lái)制造實(shí)施例2至實(shí)施例3的軟性銅箔基板及聚酰亞胺膜，而差異僅在于：各單體的摩爾百分比，如表1所示。另外，在實(shí)施例2至實(shí)施例3中，聚酰胺酸溶液的固含量以及聚酰亞胺膜的厚度也分別示于表1中。
實(shí)施例4
按照與實(shí)施例1相同的制造程序來(lái)制造實(shí)施例4的軟性銅箔基板及聚酰亞胺膜，而差異僅在于：使用UDH取代ADH，并且各單體的摩爾百分比如表1所示。另外，在實(shí)施例4中，聚酰胺酸溶液的固含量以及聚酰亞胺膜的厚度也分別示于表1中。
之后，分別對(duì)實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜進(jìn)行熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion，CTE)、熱裂解溫度、抗拉強(qiáng)度(tensile strength)、伸長(zhǎng)率(elongation)、抗拉彈性模量(tensile elastic modulus)及翹曲的測(cè)定，以及分別對(duì)實(shí)施例1-4的軟性銅箔基板進(jìn)行剝離強(qiáng)度的測(cè)定以及耐焊錫測(cè)試。前述測(cè)定的說(shuō)明如下，且測(cè)定的結(jié)果顯示在表1中。
〈熱膨脹系數(shù)的測(cè)定〉
首先，將實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜分別制作成長(zhǎng)寬尺寸為2mm×30mm的膜材。接著，使用熱機(jī)械分析儀(由日本精工電子有限公司(Seiko Instrument Inc.)制造，設(shè)備名為EXSTAR 6000)，在氮?dú)猸h(huán)境以及升溫速度設(shè)定為10℃/min的條件下，將該些膜材從30℃升溫至450℃，并求出50℃至200℃之間的尺寸變化量的平均值，以獲得熱膨脹系數(shù)(ppm/℃。一般而言，在業(yè)界中，針對(duì)軟性銅箔基板的應(yīng)用，熱膨脹系數(shù)為30ppm/℃以下即可視為與銅箔的熱膨脹系數(shù)(17ppm/℃)相近。
〈熱裂解溫度的測(cè)定〉
首先，分別秤取0.5g至0.8g的實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜，以作為測(cè)試膜材。接著，使用熱重?fù)p失分析儀(由日本精工電子有限公司(Seiko Instrument Inc.)制造，設(shè)備名為EXSTAR 6000)，在氮?dú)猸h(huán)境以及升溫速度設(shè)定為10℃/min的條件下，將該些膜材從30℃升溫至600℃，并將膜材損失5％重量時(shí)所量測(cè)到的溫度作為熱裂解溫度(℃)。在業(yè)界設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)中，聚酰亞胺膜的熱裂解溫度至少需要達(dá)到400℃以上，且數(shù)值越大表示熱穩(wěn)定性越佳。
〈抗拉強(qiáng)度、伸長(zhǎng)率、抗拉彈性模量的測(cè)定〉
首先，將實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜分別制作成長(zhǎng)(標(biāo)點(diǎn)間距)寬尺寸為25.4mm×3.2mm且呈啞鈴狀或是狗骨頭狀的膜材。接著，使用萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)(由島津科學(xué)儀器股份有限公司(SHIMADZU)制造，設(shè)備名為AG-1S)來(lái)量測(cè)該些膜材的抗拉強(qiáng)度(MPa)、伸長(zhǎng)率(％)、抗拉彈性模量(GPa)。
抗拉強(qiáng)度表示膜材在拉伸過(guò)程中可承受的最大強(qiáng)度。具體而言，抗拉強(qiáng)度即為在拉伸強(qiáng)度初始設(shè)定為零的條件下，將該些膜材拉伸至未發(fā)生斷裂的拉伸長(zhǎng)度時(shí)的最大工程應(yīng)力，其中數(shù)值越大表示機(jī)械特性越佳。
伸長(zhǎng)率表示膜材被拉斷時(shí)的形變程度。具體而言，伸長(zhǎng)率即為在拉伸強(qiáng)度初始設(shè)定為零的條件下，將該些膜材拉伸至斷裂時(shí)所求得的形變量，其中數(shù)值越大表示機(jī)械特性越佳。
抗拉彈性模量(或稱(chēng)楊氏模量(Young’s Modulus))則表示膜材出現(xiàn)彈性變形難易程度的指標(biāo)。數(shù)值越大者，表示其彈性變形所需的應(yīng)力也越大，即表示材料的剛性(stiffness)越大；而數(shù)值越小者，則表示撓性或是柔軟性越好。
〈翹曲的測(cè)定〉
首先，將壓延銅箔已蝕刻移除后所獲得的實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜放置于一平面上。接著，使用尺分別測(cè)量該些聚酰亞胺膜的四角翹起的高度，并求得一平均值。若上述高度平均值小于1mm則判定為良好，意即聚酰亞胺膜具有良好的平坦性；若上述高度平均值大于或等于1mm則判定為不良。
〈剝離強(qiáng)度的測(cè)定〉
首先，將實(shí)施例1-4的軟性銅箔基板裁切成寬度為0.3175mm的測(cè)試樣品。接著，使用萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)(島津科學(xué)儀器股份有限公司(SHIMADZU)制造，設(shè)備名為AG-1S)，在拉伸速度設(shè)定為50.8mm/min的條件下，將該些測(cè)試樣品拉伸至拉伸長(zhǎng)度為30mm，并求出此時(shí)的剝離強(qiáng)度(kgf/cm)。值得一提的是，聚酰亞胺膜與壓延銅箔之間的接著力越大，則兩者之間的介面越不易受到外力破壞。也就是說(shuō)，在表1中，剝離強(qiáng)度的數(shù)值越高，表示剝離強(qiáng)度越佳且聚酰亞胺膜與壓延銅箔之間接著力越佳。
〈耐焊錫測(cè)試〉
依據(jù)IPC-TM-650No.2.4.13的規(guī)定，分別對(duì)實(shí)施例1-4的軟性銅箔基板進(jìn)行耐焊錫測(cè)試。在上述測(cè)試中，若在溫度300℃下經(jīng)歷30秒鐘而軟性銅箔基板未發(fā)生爆板，則表1中記載”○”，而若在溫度300℃下經(jīng)歷30秒鐘而軟性銅箔基板發(fā)生爆板，則表1中記載”×”。
表1
單位mol％表示：以O(shè)DA、PDA與ADH的總摩爾數(shù)計(jì)或以O(shè)DA、PDA與UDH的總摩爾數(shù)計(jì)
由表1可知，實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜在熱裂解溫度、抗拉強(qiáng)度、伸長(zhǎng)率以及彈性模量等方面均具有良好表現(xiàn)。此表示實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜具有良好的熱特性及機(jī)械特性。
另外，由表1可知，實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜的熱膨脹系數(shù)介于10.78ppm/℃至16.65ppm/℃之間，此表示實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜的熱膨脹系數(shù)與銅箔的熱膨脹系數(shù)相近，藉此能夠有效抑制聚酰亞胺膜由于制造軟性銅箔基板時(shí)的高溫制程而引起的尺寸變化，進(jìn)而避免發(fā)生對(duì)位偏移而提高軟性銅箔基板的尺寸安定性。
另外，由表1可知，實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜在翹曲方面皆具有良好表現(xiàn)，此表示實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜具有良好的平坦性。以及，由表1可知，實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜的剝離強(qiáng)度皆大于0.6kgf/cm，此表示實(shí)施例1-4的聚酰亞胺膜與銅箔具有良好的接著力。
最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。