本發(fā)明涉及一種金屬有機(jī)配合物的應(yīng)用技術(shù)，具體涉及三硅胺稀土配合物在催化酮和硼烷的硼氫化反應(yīng)中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
有機(jī)硼烷是有機(jī)轉(zhuǎn)換中非常重要的一類中間體。硼酸酯類化合物的應(yīng)用范圍十分廣泛,不但可以作為聚合物添加劑、汽油添加劑、滅菌劑、阻燃劑使用，而且可以用作潤(rùn)滑油添加劑和汽車制動(dòng)液。同時(shí)，作為特種表面活性劑的研究也正逐步深入。具有硼氧鍵的硼酸酯表面活性劑與高分子物質(zhì)具有良好的相容性，故常用作合成樹(shù)脂的抗靜電劑。
合成硼酸酯最簡(jiǎn)便的方法是硼酸和醇或者是酚的直接縮合反應(yīng)。還有一些其它的方法，比如氧化硼和醇或者酚的直接反應(yīng)，以及硼酸酯和醇或者酚的酯交換反應(yīng)。但是這些方法相對(duì)都存在一些缺陷，要么是原料不易得，要么是反應(yīng)后處理比較復(fù)雜，難以工業(yè)化生產(chǎn)。早在1939年，研究人員發(fā)現(xiàn)在無(wú)催化劑的條件下，酮就可能和乙硼烷發(fā)生硼氫化還原反應(yīng)，為合成各種不同取代基的硼酸酯開(kāi)辟了一條新的途徑。最重要的是，利用羰基化合物和硼烷的加成反應(yīng)是合成含有不同取代基的硼酸酯最直接、最原子經(jīng)濟(jì)的方法。但研究表明在沒(méi)有催化劑的情況下，一些硼烷（如頻哪醇硼烷）很難發(fā)生硼氫化反應(yīng)，可能是這類硼烷的路易斯酸性太低導(dǎo)致。金屬有機(jī)化合物因?yàn)槠淙菀渍{(diào)控，功能性多樣化，催化活性較強(qiáng)，被廣泛應(yīng)用在該反應(yīng)中。目前已有報(bào)道可以催化羰基化合物硼氫化的催化劑主要包括：過(guò)度金屬鈦、釕以及鉬的配合物(Sarko, C. R.; Guch, I. C.; DiMare, M. J. Org. Chem.1994, 59, 705-706)；第二副族鋅的配合物(Locatelli, M.; Cozzi, P. G. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 4928-4930)；主族金屬鎂、鍺、以及錫的配合物(Arrowsmith, M.; Hadlington, T. J.; Hill, M. S.; Kociok-K?hn, G. Chem. Commun.2012, 48, 4567-4569)。
現(xiàn)有的催化體系中，催化劑用量較大，反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，而且對(duì)酮的催化活性普遍偏低。所以，很有必要探索新的催化體系來(lái)完善之前的不足，到目前為止，還未發(fā)現(xiàn)有關(guān)于稀土配合物作為催化劑催化硼氫化反應(yīng)的報(bào)道。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供三硅胺稀土配合物的應(yīng)用，其可以催化酮和頻哪醇硼烷制備硼酸酯，同時(shí)具有高的催化活性，低的催化劑用量，反應(yīng)時(shí)間縮短，反應(yīng)條件溫和的優(yōu)點(diǎn)，并有很好的底物適用范圍。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：三硅胺稀土配合物在催化酮和硼烷合成反應(yīng)中的應(yīng)用；所述三硅胺稀土配合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：
其中Ln選自鑭、釹、銪、鐿、釤、釔中的一種。
上述三硅胺稀土配合物可以催化酮與頻哪醇硼烷的硼氫化反應(yīng)，其中，所述酮為2-乙?；秽?、2-乙?；绶曰蛘?-萘乙酮；或者所述酮的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為，其中R選自氫、鹵素、硝基或者甲基。
上述技術(shù)方案中，所述三硅胺稀土配合物的用量為酮的摩爾量的0.1～0.5%；所述硼烷的用量和酮等當(dāng)量。
上述技術(shù)方案中，所述的合成反應(yīng)溫度為室溫；反應(yīng)時(shí)間為5～15分鐘，優(yōu)選10分鐘。
本發(fā)明還公開(kāi)了上述三硅胺稀土配合物催化酮與硼烷的硼氫化反應(yīng)的方法，具體步驟為：
無(wú)水無(wú)氧條件下，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，依次將三硅胺稀土配合物、硼烷與酮混合均勻；反應(yīng)5～15分鐘，用CDCl3終止反應(yīng)，反應(yīng)液減壓除去溶劑，得到不同取代的硼酸酯。
本發(fā)明進(jìn)一步公開(kāi)了一種制備硼酸酯的方法，具體步驟為：
無(wú)水無(wú)氧條件下，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下，依次將三硅胺稀土配合物、硼烷與酮混合均勻；反應(yīng)5～15分鐘，用CDCl3終止反應(yīng)，反應(yīng)液減壓除去溶劑，得到不同取代的硼酸酯。
上述技術(shù)方案中，所述酮為2-乙酰基呋喃、2-乙酰基噻吩或者2-萘乙酮；或者所述酮的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為，其中R選自氫、鹵素、硝基或者甲基；所述硼烷為頻哪醇硼烷。
上述技術(shù)方案中，所述三硅胺稀土配合物的用量為酮的摩爾量的0.1～0.5%；所述硼烷的用量和酮等當(dāng)量。
上述技術(shù)方案中，所述的合成反應(yīng)溫度為室溫。
本發(fā)明進(jìn)一步公開(kāi)了三硅胺稀土配合物作為催化劑在制備硼酸酯中的應(yīng)用。
上述技術(shù)方案可表示如下：
R1來(lái)自于反應(yīng)原料酮。
由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：
1．本發(fā)明首次以稀土配合物催化酮與頻哪醇硼烷的硼氫化反應(yīng)，從而開(kāi)發(fā)出一類新型高效的催化硼氫化反應(yīng)的催化劑，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，合成容易，不僅拓展了三硅胺稀土配合物的應(yīng)用，更豐富了酮與頻哪醇硼烷合成反應(yīng)的方法。
2．本發(fā)明公開(kāi)的三硅胺稀土配合物可以在溫和條件下（室溫）高活性的催化酮和硼烷的硼氫化反應(yīng)，催化劑用量?jī)H需酮摩爾量的0.1~0.5%；反應(yīng)速度很快，反應(yīng)10分鐘即可達(dá)到90%以上的收率，與已有的催化體系相比，既降低了催化劑用量，并且提高了產(chǎn)率，所需時(shí)間短，反應(yīng)條件溫和，高度符合原子經(jīng)濟(jì)合成。
3. 本發(fā)明公開(kāi)的三硅胺稀土配合物對(duì)底物的適用范圍寬，適用于不同取代基位置、不同電子效應(yīng)的酮，為硼酸酯的工業(yè)化合成提供了更多選擇；并且反應(yīng)過(guò)程簡(jiǎn)單可控，收率高，產(chǎn)物后處理容易，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述：
實(shí)施例一:La[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為98%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz)δ : 7.28~7.30(m, 2H), 7.21~7.25 (m, 2H), 7.13~7.17 (m, 1H), 5.18 (q, J = 6.4 Hz, 1H), 1.42 (d, J = 6.5 Hz, 3H), 1.16+1.13(two s, 6H each) 。
實(shí)施例二:Nd[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Nd[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為93%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例三:Sm[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Sm[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為93%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例四:Eu[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Eu[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為96%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例五:Y[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Y[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為93%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例六:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為91%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例七:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.25 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為89%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例八:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.5 mL，0.01mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為86%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例九:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)5 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為90%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例十:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)20 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為91%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例十一:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)15min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為90%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例十二:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的甲苯溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為85%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例十三:Yb[N(SiMe3)2]3催化苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑Yb[N(SiMe3)2]3的四氫呋喃溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入苯乙酮( 0.117 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為71%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù)同實(shí)施例一。
實(shí)施例十四:La[N(SiMe3)2]3催化鄰甲基苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入鄰甲基苯乙酮( 0.131 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為95%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.52~7.54(d, 1H), 7.08~7.21 (m, 3H), 7.13~7.17 (m, 1H), 5.43 (q, 1H), 2.43 (s, 3H) 1.45 (d, , 3H), 1.19+1.23(two s, 6H each) 。
實(shí)施例十五:La[N(SiMe3)2]3催化對(duì)甲基苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入對(duì)甲基苯乙酮( 0.134 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為96%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.24~7.26(d, 2H), 7.11~7.13 (d, 2H), 5.21 (q, 1H), 2.32 (s, 3H), 1.47 (d, 3H), 1.21+1.23(two s, 6H each) 。
實(shí)施例十六:La[N(SiMe3)2]3催化1-(2-呋喃基)乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入1-(2-呋喃基)乙酮( 0.100 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為96%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.38 (s, 1H), 6.33 (s, 1H), 6.28~6.27 (d, 1H), 5.28 (q, 1H), 1.60 (d, 3H), 1.58(s, 12H) 。
實(shí)施例十七:La[N(SiMe3)2]3催化1-(2-噻吩基)乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再用移液槍加入1-(2-噻吩基)乙酮( 0.108 mL, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為93%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.25~7.24(d, 1H), 7.02~6.97 (m, 2H), 5.54 (q, 1H), 1.65 (d, 3H), 1.31+1.29(two s, 6H each) 。
實(shí)施例十八:La[N(SiMe3)2]3催化對(duì)氟苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再加入對(duì)氟基苯乙酮( 0.121 g, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為94%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.39~7.35(m, 2H), 7.05~7.01 (t, 2H), 5.26 (q, 1H), 1.51 (d, 3H), 1.28+1.25(two s, 6H each) 。
實(shí)施例十九:La[N(SiMe3)2]3催化對(duì)氯苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再加入對(duì)氯基苯乙酮( 0.130 g, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為93%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.33(s, 4H), 5.25 (q, 1H), 1.51 (d, 3H), 1.28+1.26(two s, 6H each) 。
實(shí)施例二十:La[N(SiMe3)2]3催化對(duì)溴苯乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再加入對(duì)溴基苯乙酮( 0.199 g, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為94%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.49~7.47(d, 2H), 7.29~7.27 (d, 2H), 5.24 (q, 1H), 1.50 (d, 3H), 1.29+1.26(two s, 6H each) 。
實(shí)施例二十一:La[N(SiMe3)2]3催化2-萘乙酮和頻哪醇硼烷合成硼酸酯
在惰性氣體氛圍下，向經(jīng)過(guò)脫水脫氧處理后的反應(yīng)瓶中加入催化劑La[N(SiMe3)2]3的己烷溶液(0.1 mL，0.01 mol/L)，然后用移液槍加入頻哪醇硼烷(0.145 mL, 1 mmol),再加入2—萘乙酮( 0.170 g, 1 mmol)，在室溫反應(yīng)10 min后，用滴管吸取一滴于核磁管中，加入CDCl3配成溶液。經(jīng)計(jì)算1H譜產(chǎn)率為85%。產(chǎn)物的核磁數(shù)據(jù):1H NMR (CDCl3, 400 MHz) δ: 7.93~7.87(m, 4H), 7.59~7.51 (m, 3H), 5.51 (q, 1H), 1.67 (d, 3H), 1.34+1.30(two s, 6H each)。