本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種含有二芳基酮的化合物，以及其作為發(fā)光層材料在有機發(fā)光二極管上的應用。

背景技術(shù)：

有機電致發(fā)光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技術(shù)可以用來制造新型顯示產(chǎn)品和照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應用前景十分廣泛。

然而，傳統(tǒng)有機熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25％單線態(tài)激子發(fā)光，器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25％)。外量子效率普遍低于5％，與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強的自旋-軌道耦合增強了系間竄越，可以有效利用電激發(fā)形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子發(fā)光，使器件的內(nèi)量子效率達100％。但磷光材料存在價格昂貴，材料穩(wěn)定性較差，器件效率滾落嚴重等問題限制了其在OLEDs的應用。熱激活延遲熒光(TADF)材料是繼有機熒光材料和有機磷光材料之后發(fā)展的第三代有機發(fā)光材料。該類材料一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級差(△E_ST)，三線態(tài)激子可以通過反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子，器件的內(nèi)量子效率可以達到100％。同時，材料結(jié)構(gòu)可控，性質(zhì)穩(wěn)定，價格便宜無需貴重金屬，在OLEDs領(lǐng)域的應用前景廣闊。

雖然理論上TADF材料可以實現(xiàn)100％的激子利用率，但實際上存在如下問題：(1)設(shè)計分子的T1和S1態(tài)具有強的CT特征，非常小的S1-T1態(tài)能隙，雖然可以通過TADF過程實現(xiàn)高T₁→S₁態(tài)激子轉(zhuǎn)化率，但同時導致低的S1態(tài)輻射躍遷速率，因此，難于兼具(或同時實現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率；(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕T激子濃度猝滅效應，大多數(shù)TADF材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴重。

就當前OLED顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言，目前OLED材料的發(fā)展還遠遠不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機功能材料顯得尤為重要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本申請人提供了一種基于二芳基酮的化合物及其在有機電致發(fā)光器件上的應用。本發(fā)明化合物基于TADF機理，作為發(fā)光層主體材料和摻雜材料應用于OLED，制作出的OLED器件具有良好的光電性能，能夠滿足面板制造企業(yè)的要求。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

本申請人提供了一種基于二芳基酮的化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)如通式(1)所示：

其中，

n＝1或2；

Ar表示為苯基、萘基或聯(lián)苯基；

R₁、R₂分別獨立的選取氫原子、苯基或通式(2)所示結(jié)構(gòu)：

其中，a為X₁、X₂分別獨立的表示為氧原子、硫原子、硒原子、C_1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基中的一種；a與C_L1-C_L2鍵、C_L2-C_L3鍵、C_L3-C_L4鍵、C_L‘1-C_L’2鍵、C_L‘2-C_L’3鍵或C_L‘3-C_L’4鍵連接。

優(yōu)選的，R₁、R₂不同時為氫原子。

優(yōu)選的，當R₁、R₂同時取苯基時，表示為：

優(yōu)選的，當通式(2)的a取時，表示為：

優(yōu)選的，當通式(2)的a取時，表示為：

優(yōu)選的，當通式(2)的a取時，表示為：

優(yōu)選的，當通式(2)的a取時，表示為：

優(yōu)選的，所述化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：

中的任一種。

本申請人還提供了一種制備所述基于二芳基酮的化合物的方法，制備過程中的反應方程式是：

n＝1時，

n＝2時，

具體制備過程為：

稱取溴代芳基酮和用甲苯溶解；再加入Pd₂(dba)₃、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液于反應溫度95～110℃，反應10～24小時，冷卻并過濾反應溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物；

所述溴代芳基酮與的摩爾比為1:1.2～3.0，Pd₂(dba)₃與溴代芳基酮的摩爾比為0.006～0.02:1，三叔丁基膦與溴代芳基酮的摩爾比為0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與溴代芳基酮的摩爾比為2.0～5.0:1。

本申請人還提供了一種含有所述基于二芳基酮的化合物的發(fā)光器件，其特征在于所述化合物作為發(fā)光層主體材料，應用于有機發(fā)光二極管。

本申請人還提供了一種含有所述基于二芳基酮的化合物的發(fā)光器件，其特征在于所述化合物作為發(fā)光層摻雜材料，應用于有機發(fā)光二極管。

本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：

本發(fā)明化合物以二芳基酮為母核，兩側(cè)連接兩個芳香雜環(huán)基團，避免了分子間的聚集作用，分子中多為剛性基團，具有好的成膜性和熒光量子效率，可以作為發(fā)光層摻雜材料使用；所述化合物結(jié)構(gòu)分子內(nèi)包含電子給體(donor，D)與電子受體(acceptor，A)的組合可以增加軌道重疊、提高發(fā)光效率，同時兩側(cè)連接兩個芳香雜環(huán)基團以獲得HOMO、LUMO空間分離的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)材料，實現(xiàn)小的S1態(tài)和T1態(tài)的能級差，從而在熱刺激條件下實現(xiàn)反向系間竄越，適合作為發(fā)光層主體材料使用。

本發(fā)明化合物具有較寬的能帶，HOMO能級范圍較寬，并且所包含的D基團三線態(tài)能級(T1)足夠高，可搭配咔唑類材料，形成性能互補的摻雜雙主體材料，摻雜雙主體搭配使材料體系的空穴、電子更均衡，寬范圍的HOMO及LUMO能級更利于空穴及電子注入。摻雜雙主體發(fā)光材料對于OLED發(fā)光器件的發(fā)光和壽命特性提升具有顯著效果，目前，此技術(shù)已得到廣泛的量產(chǎn)應用。

本發(fā)明所述化合物可作為發(fā)光層材料應用于OLED發(fā)光器件制作，并且分別作為發(fā)光層主體材料或摻雜材料，均可以獲得良好的器件表現(xiàn)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對于器件壽命提升非常明顯。本發(fā)明所述化合物在OLED發(fā)光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。

附圖說明

圖1為本發(fā)明化合物應用于OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1為透明基板層，2為ITO陽極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極反射電極層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明進行具體描述。

實施例1：化合物3的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮，0.025mol中間體A，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度98.9％，收率65％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₅₃H₃₂N₂O)：理論值C,89.30；H,4.52；N,3.93；O,2.24；測試值：C,89.31；H,4.51；N,3.92；O,2.26。

HPLC-MS：材料分子量為712.83，實測分子量713.05。

實施例2：化合物10的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 4-溴二苯甲酮，0.015mol中間體B，0.02mol叔丁醇鈉，5×10^-5mol Pd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.4％，收率80％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₃₇H₂₄N₂O)：理論值C,86.69；H,4.72；N,5.46；O,3.12；測試值：C,86.69；H,4.73；N,5.47；O,3.11。

HPLC-MS：材料分子量為512.60，實測分子量512.85。

實施例3：化合物15的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮，0.025mol中間體C，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.1％，收率65％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₉H₂₈N₂O₃)：理論值C,84.95；H,4.07；N,4.04；O,6.93；測試值：C,84.94；H,4.08；N,4.03；O,6.95。

HPLC-MS：材料分子量為692.76，實測分子量692.97。

實施例4：化合物17的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮，0.025mol中間體D，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度98.8％，收率68％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₅₅H₄₀N₂O)：理論值C,88.68；H,5.41；N,3.76；O,2.15；測試值：C,88.71；H,5.40；N,3.75；O,2.14。

HPLC-MS：材料分子量為744.92，實測分子量745.23。

實施例5：化合物18的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 3,3'-二溴二苯甲酮，0.025mol中間體E，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.1％，收率69％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₆₁H₃₈N₄O)：理論值C,86.91；H,4.54；N,6.65；O,1.90；測試值：C,86.91；H,4.55；N,6.65；O,1.89。

HPLC-MS：材料分子量為842.98，實測分子量843.35。

實施例6：化合物24的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮，0.025mol中間體F，0.03mol叔丁醇鈉，1×10^-4mol Pd₂(dba)₃，1×10^-4mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.5％，收率72％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₅₅H₄₀N₂O)：理論值C,88.68；H,5.41；N,3.76；O,2.15；測試值：C,88.71；H,5.42；N,3.73；O,2.14。

HPLC-MS：材料分子量為744.92，實測分子量745.25。

實施例7：化合物39的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 3-溴二苯甲酮，0.015mol中間體G，0.02mol叔丁醇鈉，5×10^-5mol Pd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.6％，收率66.％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₆H₃₂N₂O)：理論值C,87.87；H,5.13；N,4.46；O,2.54；測試值：C,87.83；H,5.15；N,4.47；O,2.55。

HPLC-MS：材料分子量為628.76，實測分子量628.93。

實施例8：化合物41的合成

體合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol 4-溴二苯甲酮，0.015mol中間體H，0.02mol叔丁醇鈉，5×10^-5mol Pd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.5％，收率73％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₃H₃₃NO)：理論值C,89.09；H,5.74；N,2.42；O,2.76；測試值：C,89.07；H,5.75；N,2.43；O,2.75。

HPLC-MS：材料分子量為579.73，實測分子量579.91。

實施例9：化合物50的合成

合成路線：

250ml的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol聯(lián)苯基-4-基-(4’-溴-聯(lián)苯基-4-基)-甲酮，0.015mol中間體I，0.02mol叔丁醇鈉，5×10^-5molPd₂(dba)₃，5×10^-5mol三叔丁基膦，150ml甲苯，加熱回流24小時，取樣點板，反應完全。自然冷卻，過濾，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度98.7％，收率64％。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₅₅H₄₁NO)：理論值C,90.25；H,5.65；N,1.91；O,2.19；測試值：C,90.24；H,5.66；N,1.92；O,2.18。

HPLC-MS：材料分子量為731.92，實測分子量732.21。

實施例10：化合物61的合成

合成路線：

化合物61的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體J替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₃₇H₂₁NO₃)：理論值C,84.23；H,4.01；N,2.65；O,9.10；測試值：C,84.2；H,4.02；N,2.67；O,9.11。

HPLC-MS：材料分子量為527.57，實測分子量527.74。

實施例11：化合物63的合成

合成路線：

化合物63的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體K替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₃H₃₃NO)：理論值C,89.09；H,5.74；N,2.42；O,2.76；測試值：C,89.07；H,5.75；N,2.41；O,2.77。

HPLC-MS：材料分子量為579.73，實測分子量579.91。

實施例12：化合物69的合成

合成路線：

化合物69的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體L替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₃H₃₃NO)：理論值C,89.09；H,5.74；N,2.42；O,2.76；測試值：C,89.1；H,5.73；N,2.40；O,2.77。

HPLC-MS：材料分子量為579.73，實測分子量579.92。

實施例13：化合物73的合成

合成路線：

化合物73的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體M替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₀H₃₀N₂O)：理論值C,86.61；H,5.45；N,5.05；O,2.88；測試值：C,86.6；H,5.46；N,5.07；O,2.87。

HPLC-MS：材料分子量為554.68，實測分子量554.89。

實施例14：化合物83的合成

化合物83的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體N替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₃₄H₂₅NO₂)：理論值C,85.15；H,5.25；N,2.92；O,6.67；測試值：C,85.17；H,5.24；N,2.93；O,6.66。

HPLC-MS：材料分子量為479.57，實測分子量479.74。

實施例15：化合物92的合成

化合物92的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體O替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₀H₃₀N₂O)：理論值C,86.61；H,5.45；N,5.05；O,2.88；測試值：C,86.65；H,5.44；N,5.05；O,2.86。

HPLC-MS：材料分子量為554.68，實測分子量554.87。

實施例16：化合物96的合成

化合物96的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體P替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₃₄H₂₅NO₂)：理論值C,85.15；H,5.25；N,2.92；O,6.67；測試值：C,85.18；H,5.25；N,2.92；O,6.65。

HPLC-MS：材料分子量為479.57，實測分子量479.81。

實施例17：化合物104的合成

化合物104的制備方法同實施例1，不同之處在于用中間體Q替換中間體A。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₆₁H₅₂N₂O)：理論值C,88.37；H,6.32；N,3.38；O,1.93；測試值：C,88.38；H,6.31；N,3.40；O,1.91。

HPLC-MS：材料分子量為829.08，實測分子量829.27。

實施例18：化合物113的合成

化合物113的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體R替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₁H₃₀N₂O₃)：理論值C,82.25；H,5.05；N,4.68；O,8.02；測試值：C,82.26；H,5.04；N,4.67；O,8.03。

HPLC-MS：材料分子量為598.69，實測分子量598.92。

實施例19：化合物117的合成

化合物117的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體S替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₃H₃₃NO₂Se)：理論值C,76.55；H,4.93；N,2.08；O,4.74；Se,11.70；測試值：C,76.54；H,4.92；N,2.09；O,4.73；Se,11.72。

HPLC-MS：材料分子量為674.69，實測分子量674.95。

實施例20：化合物144的合成

化合物144的制備方法同實施例7，不同之處在于用中間體T替換中間體G。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₄₉H₃₁N₃O₃)：理論值C,82.92；H,4.40；N,5.92；O,6.76；測試值：C,82.92；H,4.39；N,5.91；O,6.78。

HPLC-MS：材料分子量為709.79，實測分子量709.93。

實施例21：化合物149的合成

化合物149的制備方法同實施例2，不同之處在于用中間體U替換中間體B。

元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C₃₉H₂₆N₂O)：理論值C,86.96；H,4.87；N,5.20；O,2.97；測試值：C,86.99；H,4.86；N,5.19；O,2.96。

HPLC-MS：材料分子量為538.64，實測分子量538.82。

對本發(fā)明化合物進行理化特性表征，其中化合物3、17、63、96、136、149和現(xiàn)有材料CBP進行熱性能、發(fā)光光譜及HOMO能級的測定，測試結(jié)果如表1所示。

表1

注：熱失重溫度Td是在氮氣氣氛中失重1％的溫度，在日本島津公司的TGA-50H熱重分析儀上進行測定，氮氣流量為20mL/min；λ_PL是樣品溶液熒光發(fā)射波長，利用日本拓普康SR-3分光輻射度計測定；Φf是固體粉末熒光量子效率(利用美國海洋光學的Maya2000Pro光纖光譜儀，美國藍菲公司的C-701積分球和海洋光學LLS-LED光源組成的測試固體熒光量子效率測試系統(tǒng)，參照文獻Adv.Mater.1997，9，230-232的方法進行測定)；最高占據(jù)分子軌道HOMO能級是由光電子發(fā)射譜儀(AC-2型PESA)大氣環(huán)境測試。

由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有合適的HOMO、LUMO能級以及較高的熱穩(wěn)定性，適合作為發(fā)光層的主體材料；同時，本發(fā)明化合物具有合適的發(fā)光光譜，較高的Φf，使得應用本發(fā)明化合物作為摻雜材料的OLED器件效率和壽命得到提升。

以下通過實施例22～30和比較例1～3詳細說明本發(fā)明合成的OLED材料在器件中作為發(fā)光層主體材料的應用效果。本發(fā)明所述23～30、比較例1～3與實施例22相比器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是對器件中的發(fā)光層5的主體材料及摻雜材料做了變換。各實施例所得器件的結(jié)構(gòu)組成如表2所示。所得器件的測試結(jié)果見表3所示。

實施例22

透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO₃，厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物39和GD19按照100：5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI，厚度40nm)/電子注入層7(LiF，厚度1nm)/Al。相關(guān)材料的分子結(jié)構(gòu)式如下所示：

具體制備過程如下：

透明基板層1為透明基材，如透明PI膜、玻璃等。

對ITO陽極層2(膜厚為150nm)進行洗滌，即依次進行堿洗滌、純水洗滌、干燥，再進行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機殘留物。

在進行了上述洗滌之后的ITO陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍膜厚為10nm的三氧化鉬MoO₃作為空穴注入層3使用。緊接著蒸鍍80nm厚度的TAPC作為空穴傳輸層4。

上述空穴傳輸材料蒸鍍結(jié)束后，制作OLED發(fā)光器件的發(fā)光層5，其結(jié)構(gòu)包括OLED發(fā)光層5所使用材料化合物1作為主體材料，GD19作為摻雜材料，摻雜材料摻雜比例為5％重量比，發(fā)光層膜厚為30nm。

在上述發(fā)光層5之后，繼續(xù)真空蒸鍍電子傳輸層材料為TPBI。該材料的真空蒸鍍膜厚為40nm，此層為電子傳輸層6。

在電子傳輸層6上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為1nm的氟化鋰(LiF)層，此層為電子注入層7。

在電子注入層7上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為80nm的鋁(Al)層，此層為陰極反射電極層8使用。

如上所述地完成OLED發(fā)光器件后，用公知的驅(qū)動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的電流效率，發(fā)光光譜以及器件的壽命。用同樣的方法制備的器件實施例和比較例如表2所示；所得器件的測試結(jié)果見表3所示。

表2

表3

表2的器件制備方法和表3的測試結(jié)果表明：實施例22～24為本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層TADF主體材料應用于OLED發(fā)光器件制作；實施例26～27為本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層主體材料搭配TADF摻雜材料應用于OLED發(fā)光器件制作；實施例28～30為本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層Co-host材料搭配咔唑類主體材料應用于OLED發(fā)光器件制作，并且與比較例1、2、3相比；無論是效率還是壽命均比已知OLED材料獲得較大提升。

以下通過實施例31～38和比較例4說明本發(fā)明合成的化合物在器件中作為發(fā)光層摻雜材料的應用效果。本發(fā)明所述31～38、比較例4與實施例22相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件的傳輸層膜厚及發(fā)光層5中的摻雜材料不同，摻雜濃度變?yōu)?％。各器件的結(jié)構(gòu)組成如表4所示。所得器件的測試結(jié)果見表5所示。

表4

表5

表5的結(jié)果表明：本發(fā)明所述化合物可作為發(fā)光層摻雜材料應用于OLED發(fā)光器件制作，并且與比較例4相比，無論是效率還是壽命均比已知OLED材料獲得較大改觀，特別是器件的驅(qū)動壽命獲得較大的提升。

為了比較不同器件在高電流密度下效率衰減的情況，定義效率衰減系數(shù)進行表示，它表示驅(qū)動電流為100mA/cm2時器件的最大效率μ100與器件的最大效率μm之差與最大效率之間的比值，值越大，說明器件的效率滾降越嚴重，反之，說明器件在高電流密度下快速衰降的問題得到了控制。

本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層材料使用，對本發(fā)明化合物76、81、125和現(xiàn)有材料CBP制備器件分別進行效率衰減系數(shù)的測定，檢測結(jié)果如表6所示。

表6

從以上數(shù)據(jù)應用來看，本發(fā)明化合物作為發(fā)光層材料在OLED發(fā)光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。

雖然已通過實施例和優(yōu)選實施方式公開了本發(fā)明，但應理解，本發(fā)明不限于所公開的實施方式。相反，本領(lǐng)域技術(shù)人員應明白，其意在涵蓋各種變型和類似的安排。因此，所附權(quán)利要求的范圍應與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。