本發(fā)明涉及生物技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)一步涉及一種三維細(xì)胞劃痕芯片，以及該三維細(xì)胞劃痕芯片的制備方法，使用該芯片進(jìn)行細(xì)胞遷移的研究。

背景技術(shù)：

細(xì)胞遷移是很多重要生理活動(dòng)的基礎(chǔ)，受到細(xì)胞生理活動(dòng)的高度控制。而細(xì)胞生理活動(dòng)不僅與胚胎發(fā)育、組織修復(fù)、傷口愈合以及血管新生等正常生理過(guò)程相關(guān)，還是動(dòng)脈粥樣硬化、內(nèi)膜增生、再狹窄以及惡性腫瘤轉(zhuǎn)移等病理過(guò)程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。因此，研究細(xì)胞遷移對(duì)生理活動(dòng)的理解以及疾病的治療具有重要的理論意義和實(shí)用價(jià)值。

目前，劃痕法是研究細(xì)胞遷移的重要方法之一，而傳統(tǒng)劃痕法是利用物理工具在融合的單層細(xì)胞中物理移除一部分細(xì)胞，形成一個(gè)無(wú)細(xì)胞區(qū)域，從而產(chǎn)生細(xì)胞生長(zhǎng)和細(xì)胞遷移等多種細(xì)胞反應(yīng)。雖然傳統(tǒng)劃痕法具有簡(jiǎn)單以及能夠可視化細(xì)胞遷移過(guò)程等優(yōu)點(diǎn)，但是這種方法本質(zhì)上是一種二維方法，不能模仿體內(nèi)細(xì)胞的三維微環(huán)境。

為了更好的模仿體內(nèi)細(xì)胞的復(fù)雜微環(huán)境，近年來(lái)已有課題組建立了三維劃痕模型，用于研究體內(nèi)細(xì)胞的三維遷移。現(xiàn)有技術(shù)中一種方式是利用微加工技術(shù)在聚苯乙烯微孔中培養(yǎng)出三維細(xì)胞球，然后將細(xì)胞球植入膠原，實(shí)現(xiàn)了細(xì)胞的三維遷移?，F(xiàn)有技術(shù)中另一種方式是利用數(shù)字微流控平臺(tái)將三維細(xì)胞球封裝于膠原內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化操作三維細(xì)胞遷移實(shí)驗(yàn)。與傳統(tǒng)劃痕法相比，三維劃痕法可以有效的模仿體內(nèi)細(xì)胞的三維微環(huán)境，從而說(shuō)明了三維劃痕法研究三維細(xì)胞遷移的可行性。但上述三維劃痕法還不能夠精確控制三維細(xì)胞團(tuán)的空間位置和立體形態(tài)，從而使實(shí)驗(yàn)存在重復(fù)性差和通量低的問(wèn)題。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，上述現(xiàn)有技術(shù)存在如下技術(shù)缺陷：

(1)現(xiàn)有的劃痕法大多屬于二維方法，不能模擬體內(nèi)細(xì)胞的三維復(fù)雜微環(huán)境，導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ团c體內(nèi)的實(shí)際情況存在巨大差異。

(2)現(xiàn)有的三維劃痕法，不能準(zhǔn)確的控制三維細(xì)胞團(tuán)的空間位置和立體形態(tài)，而且普遍存在重復(fù)性差以及通量低的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種三維細(xì)胞劃痕芯片及其應(yīng)用，以克服以上所述的現(xiàn)有技術(shù)的至少一項(xiàng)技術(shù)問(wèn)題。

(二)技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種三維細(xì)胞劃痕芯片，包括基底和上下兩側(cè)開(kāi)口的小室陣列，所述小室陣列固定于所述基底上使基底封閉小室陣列的其中一側(cè)開(kāi)口，形成多個(gè)單側(cè)開(kāi)口的三維小室；每個(gè)所述小室在基底一側(cè)的部分區(qū)域上形成有金屬層，所述金屬層上進(jìn)一步形成有自組裝硫醇分子層，所述自組裝硫醇分子層中的硫醇分子其一端具有與所述金屬反應(yīng)吸附的第一官能團(tuán)，另一端具有抑制細(xì)胞吸附的第二官能團(tuán)。

優(yōu)選的，所述第一官能團(tuán)為氫硫鍵。

優(yōu)選的，所述第二官能團(tuán)為聚乙二醇長(zhǎng)鏈(Polyethylene glycol，PEG)。

優(yōu)選的，所述部分區(qū)域的內(nèi)側(cè)邊界呈圓形、矩形、三角形或者樹(shù)形。

優(yōu)選的，所述部分區(qū)域的外側(cè)邊界為所述小室在基底上的邊界，所述部分區(qū)域外側(cè)邊界呈圓形、矩形、橢圓形或者菱形。

優(yōu)選的，所述小室陣列為N行M列的陣列，N為介于1-20之間的自然數(shù)，M為介于1-30之間的自然數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種三維細(xì)胞劃痕芯片的制備方法，包括步驟：

S1：制備上下兩側(cè)開(kāi)口的小室陣列；

S2：在一基底上沉積金屬層陣列；

S3：采用鍵合方式將所述基底和小室陣列固定，使所述基底封閉小室陣列的其中一側(cè)開(kāi)口，形成多個(gè)單側(cè)開(kāi)口的三維小室，并且所述金屬層陣列一一對(duì)應(yīng)的位于每個(gè)小室之內(nèi)；

S4：在所述金屬層上形成自組裝硫醇分子層，所述自組裝硫醇分子層中的硫醇分子其一端具有與所述金屬反應(yīng)吸附的第一官能團(tuán)另一端具有抑制細(xì)胞吸附的第二官能團(tuán)。

優(yōu)選的，步驟S4包括子步驟：將基底進(jìn)行表面清洗，以去除金屬表面雜質(zhì)；在每個(gè)小室內(nèi)滴加稀釋的硫醇溶液，密封浸泡后，在表面形成自組裝硫醇分子層。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供利用以上任一所述芯片進(jìn)行細(xì)胞遷移實(shí)驗(yàn)，包括：

在小室的不含金屬層區(qū)域的表面進(jìn)行細(xì)胞外基質(zhì)修飾，使細(xì)胞接種后容易在基底表面貼壁生長(zhǎng)；

消化細(xì)胞至懸浮狀態(tài)，并將細(xì)胞懸浮液接種于各個(gè)小室；

培養(yǎng)細(xì)胞，直至細(xì)胞在小室的不含金屬層區(qū)域貼壁生長(zhǎng)；

細(xì)胞貼壁生長(zhǎng)以后，在自組裝硫醇分子層的作用下，細(xì)胞被限制在非金屬層區(qū)域，隨著培養(yǎng)時(shí)間的增加，細(xì)胞增殖而形成三維立體結(jié)構(gòu)；

形成三維立體結(jié)構(gòu)后，將小室內(nèi)的培養(yǎng)基吸出，并加入膠原溶液，將芯片放入細(xì)胞培養(yǎng)箱固化膠原；

膠原固化后，在每個(gè)小室內(nèi)加入含不同種類(lèi)或濃度趨化因子的細(xì)胞培養(yǎng)基，之后拍照記錄三維細(xì)胞團(tuán)中細(xì)胞向膠原內(nèi)部進(jìn)行三維遷移的情況。

(三)有益效果

通過(guò)上述技術(shù)方案可知本發(fā)明的三維細(xì)胞劃痕芯片及其應(yīng)用所體現(xiàn)的有益效果在于：

(1)本發(fā)明是一種三維劃痕法，可以模擬體內(nèi)細(xì)胞的三維微環(huán)境，為進(jìn)一步理解細(xì)胞遷移機(jī)理以及疾病治療提供更加可靠的手段和依據(jù)；

(2)本發(fā)明與現(xiàn)有的三維劃痕法相比，用含第二官能團(tuán)的自組裝硫醇分子層修飾金表面的方式限制細(xì)胞的生長(zhǎng)區(qū)域，不僅可以培養(yǎng)出不同形貌的三維細(xì)胞團(tuán)，例如圓柱體和正方體三維細(xì)胞團(tuán)，還能使三維細(xì)胞團(tuán)具有清晰的劃痕邊界，從而可以提高三維劃痕實(shí)驗(yàn)的一致性；

(3)本發(fā)明是一種大序列劃痕芯片，可以同時(shí)進(jìn)行至少96組實(shí)驗(yàn)，極大的提高了實(shí)驗(yàn)通量。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例三維細(xì)胞劃痕芯片的技術(shù)方法總流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例三維細(xì)胞劃痕芯片的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例芯片的制作流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的芯片制作過(guò)程示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的片上實(shí)驗(yàn)流程圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例的片上實(shí)驗(yàn)示意圖

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

本發(fā)明將芯片技術(shù)與劃痕實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，設(shè)計(jì)了一種通量高、重復(fù)性好并可實(shí)現(xiàn)三維細(xì)胞遷移的劃痕芯片。本芯片在結(jié)構(gòu)上，與傳統(tǒng)多孔板技術(shù)相兼容，可以完全應(yīng)用于現(xiàn)有的多孔板平臺(tái)。以下將以96孔板為例，介紹本發(fā)明的技術(shù)方法，當(dāng)然本發(fā)明并不僅限于此，也可以是N行M列的任意陣列，其中N為介于1-20之間的自然數(shù)，M為介于1-30之間的自然數(shù)。

本技術(shù)方法具體實(shí)施情況如下：

本技術(shù)方法總流程包括芯片設(shè)計(jì)(即介紹三維細(xì)胞劃痕芯片)、芯片制作(即芯片的制備方法)、片上實(shí)驗(yàn)以及數(shù)據(jù)處理(即芯片的應(yīng)用)四個(gè)步驟，如圖1所示：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例三維細(xì)胞劃痕芯片的技術(shù)方法總流程圖。

步驟1，芯片設(shè)計(jì)：

本實(shí)施例采用含第一官能團(tuán)和第二官能團(tuán)的硫醇分子(EG-terminated thiols，分子式可以為HS(CH₂)₁₁(OCH₂CH₂)₄OH，簡(jiǎn)稱(chēng)EG4)，其一端的氫硫鍵(-SH)可以與金(Au)或銀(Ag)發(fā)生反應(yīng)，使硫醇分子吸附于A(yíng)u或Ag表面而形成自組裝硫醇分子層，而硫醇分子的另一端為PEG，可以抑制細(xì)胞和蛋白的吸附，進(jìn)而阻止細(xì)胞吸附于A(yíng)u或Ag表面。而硫醇分子不會(huì)與玻璃表面發(fā)生反應(yīng)，使得細(xì)胞可以在玻璃表面貼壁生長(zhǎng)，從而達(dá)到限制細(xì)胞只在特定區(qū)域進(jìn)行三維生長(zhǎng)的目的。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，硫醇分子中抑制細(xì)胞和蛋白吸附的的聚乙二醇長(zhǎng)鏈并不限于某一種化學(xué)分子式，還可以是[-CH₂CH₂O-]₄OH、[-CH₂CH₂O-]₄CH₃以及其他化學(xué)式。硫醇分子不局限于某一種聚合物分子，只要是一端具有可以吸附于金表面的氫硫鍵，另一端具有可以阻止細(xì)胞粘附的聚乙二醇長(zhǎng)鏈都可應(yīng)用于此。

圖2中子圖A為本發(fā)明設(shè)計(jì)的三維細(xì)胞劃痕芯片的側(cè)視圖，芯片分為三層，由上至下依次為聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)劃痕小室陣列層、金圓陣列層以及玻璃基底層。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，劃痕小室的材料可以是具有生物兼容性的任意材料并不僅限于聚二甲基硅氧烷，金屬陣列的金屬也不僅限于金，以及基底材料并不僅限于玻璃，本實(shí)施列舉上述材料僅為進(jìn)行詳細(xì)敘述而不是為了限制本發(fā)明。

圖2中子圖B為本發(fā)明設(shè)計(jì)的三維細(xì)胞劃痕芯片的俯視圖。PDMS厚度為8毫米，其內(nèi)部共有96個(gè)(8行×12列)圓柱形劃痕小室，其中圓柱形劃痕小室直徑為5毫米，中心間距為9毫米，與標(biāo)準(zhǔn)96孔板尺寸基本一致。玻璃基底上的Au層由96個(gè)Au圓組成，每一個(gè)Au圓與劃痕小室的底面為中心對(duì)齊，使得Au圓就是劃痕小室的圓底面，其中Au的直徑為6毫米，厚度為200埃。最下層的玻璃基底厚度為1毫米。上述尺寸設(shè)置僅為例示性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)任意能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)胞三維遷移的小室和Au圓尺寸。

圖2中子圖C給出了每個(gè)劃痕小室的放大圖，其中每一個(gè)劃痕小室的底面都由Au和玻璃兩部分組成。Au表面用于修飾硫醇形成PEG層，抑制細(xì)胞在A(yíng)u表面生長(zhǎng)，使細(xì)胞只在玻璃表面貼壁生長(zhǎng)；玻璃表面用于細(xì)胞貼壁生長(zhǎng)，并且玻璃表面可設(shè)計(jì)為任意不同尺寸的圖案(例如：圓形、樹(shù)形和矩形等)，以便培養(yǎng)出不同形貌的三維細(xì)胞結(jié)構(gòu)。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的三維劃痕芯片結(jié)構(gòu)圖。

步驟2，芯片制作：

芯片制作流程包括PDMS劃痕小室陣列的制作和玻璃基底表面Au圓陣列的制作，將兩者鍵合后再進(jìn)行Au表面的硫醇修飾，使Au表面形成PEG層。PDMS劃痕小室陣列的制作步驟包括：3D打印PDMS陽(yáng)模、澆注PDMS以及翻模得到劃痕小室陣列。玻璃基底表面Au圓陣列的制作步驟包括：光刻膠陽(yáng)模制作、金的濺射以及剝離得到金圓陣列。而后，需要經(jīng)過(guò)PDMS與玻璃基底鍵合、硫醇修飾金圓以及金表面形成PEG幾個(gè)步驟，便完成了芯片的制作。三維細(xì)胞劃痕芯片制作流程如圖3所示，流程包含：

步驟S1：制備上下兩側(cè)開(kāi)口的小室陣列，該步驟包含子步驟A2-C2：

子步驟A2，3D打印PDMS陽(yáng)模：

用三維繪圖軟件畫(huà)出陽(yáng)模的三維圖，輸入3D打印機(jī)軟件，打印機(jī)便利用打印材料自動(dòng)打印出圖4中子圖A所示的PDMS陽(yáng)模，其中打印材料一般為聚乳酸(Polylacticacid，PLA)。

子步驟B2，澆注PDMS：

PDMS預(yù)聚物與PDMS固化劑按一定質(zhì)量比混合后，攪拌均勻，澆注在3D打印的陽(yáng)模上，然后加熱一段時(shí)間而使其固化，見(jiàn)圖4中子圖B。

子步驟C2，翻模得到劃痕小室陣列層：

翻模固化后的PDMS，便可獲得96孔PDMS劃痕小室陣列層，見(jiàn)圖4中子圖C。

步驟S2：在一基底上沉積金屬層陣列，該步驟包含子步驟D2-F2：

子步驟D2，光刻膠陽(yáng)模制作：

玻璃片依次在丙酮、乙醇和去離子水中清洗，熱板上烘干后，在玻璃片表面均勻旋涂一層具有一定厚度的光刻膠，放上掩模板曝光。將曝光后的玻璃片放入顯影液中顯影，最后在需要濺射金的位置暴露出玻璃表面，而不需要濺射金的位置留下光刻膠形成犧牲層，見(jiàn)圖4中子圖D。

子步驟E2，金的濺射：

先在帶有犧牲層的玻璃片表面濺射打底層，其中打底層一般為鉻或鈦，增強(qiáng)Au的吸附性，然后濺射一層Au，見(jiàn)圖4中子圖E。

子步驟F2，剝離得到金圓陣列：

將濺射后的玻璃片置于丙酮中浸泡，然后低功率超聲直至Au層完全剝離，完成Au圓陣列的制作，見(jiàn)圖4中子圖F。

子步驟G2，PDMS與玻璃基底鍵合(也即步驟S3)：

將PDMS劃痕小室陣列層和Au圓陣列覆蓋的玻璃基底二者鍵合，得到完整芯片，見(jiàn)圖4中子圖G。

步驟S4：在所述金屬層上形成自組裝硫醇分子層，所述自組裝硫醇分子層中的分子其一端具有與所述金屬反應(yīng)吸附的第一官能團(tuán)，另一端具有抑制細(xì)胞吸附的第二官能團(tuán)。

步驟S4包含子步驟H2-I2。子步驟H2，硫醇修飾金圓陣列：

修飾硫醇之前，先將芯片進(jìn)行表面清洗，一般為等離子體清洗機(jī)(Plasma cleaner)清洗，以去除掉Au圓表面的雜質(zhì)，增強(qiáng)硫醇修飾的效果。然后在每個(gè)劃痕小室內(nèi)滴加稀釋后的硫醇溶液，密封浸泡一段時(shí)間，使Au圓與硫醇發(fā)生反應(yīng)，見(jiàn)圖4中子圖H。

子步驟I2，金表面形成PEG：

見(jiàn)圖4中子圖I，Au圓在硫醇溶液中浸泡一段時(shí)間之后，在其表面形成一層PEG。至此，三維細(xì)胞劃痕芯片的制作已全部完成。

步驟3，片上實(shí)驗(yàn)：

利用上述完成的三維細(xì)胞劃痕芯片可以實(shí)現(xiàn)片上實(shí)驗(yàn)，因此，該步驟將詳細(xì)介紹三維細(xì)胞劃痕芯片的使用方法和操作步驟。片上實(shí)驗(yàn)的主要步驟分為細(xì)胞外基質(zhì)修飾、細(xì)胞接種、細(xì)胞貼壁、細(xì)胞三維培養(yǎng)、膠原固化和細(xì)胞遷移，其流程圖如圖5所示：

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的片上實(shí)驗(yàn)流程圖，包括：

子步驟A3，細(xì)胞外基質(zhì)修飾：

細(xì)胞接種之前，需要在劃痕小室的玻璃表面進(jìn)行細(xì)胞外基質(zhì)修飾，其中細(xì)胞外基質(zhì)一般為纖連蛋白，增強(qiáng)細(xì)胞在玻璃表面的粘附性，使細(xì)胞接種后更加容易在玻璃表面貼壁生長(zhǎng)，見(jiàn)圖6中子圖A。

子步驟B3，細(xì)胞接種：

消化細(xì)胞至懸浮狀態(tài)，并用移液槍將細(xì)胞懸液接種與各個(gè)劃痕小室，見(jiàn)圖6中子圖B。

子步驟C3，細(xì)胞貼壁：

培養(yǎng)細(xì)胞，直至細(xì)胞在劃痕小室的玻璃表面貼壁生長(zhǎng)，見(jiàn)圖6中子圖C。通常情況下，細(xì)胞貼壁后要更換一次培養(yǎng)基，以去掉劃痕小室金表面上未貼壁的細(xì)胞。

子步驟D3，細(xì)胞三維培養(yǎng)：

細(xì)胞貼壁生長(zhǎng)以后，在PEG層的作用下，細(xì)胞被限制在玻璃區(qū)域，隨著培養(yǎng)時(shí)間的增加，細(xì)胞增殖而形成不同形貌的三維立體結(jié)構(gòu)，見(jiàn)圖6中子圖D。細(xì)胞三維培養(yǎng)的周期視具體實(shí)驗(yàn)要求而定，但需要每隔一段時(shí)間更換一次新鮮培養(yǎng)液，以保證三維細(xì)胞團(tuán)的正常生長(zhǎng)。

子步驟E3，膠原固化：

細(xì)胞三維培養(yǎng)結(jié)束后，將劃痕小室內(nèi)的培養(yǎng)基吸出，并加入一定體積的膠原溶液，其中膠原溶液的濃度視具體實(shí)驗(yàn)情況而定，最后將芯片放入細(xì)胞培養(yǎng)箱固化膠原，見(jiàn)圖6中子圖E。

子步驟F3，細(xì)胞遷移：

膠原固化后，在每個(gè)劃痕小室內(nèi)加入含不同種類(lèi)或濃度趨化因子的細(xì)胞培養(yǎng)基，一定時(shí)間后，拍照記錄三維細(xì)胞團(tuán)中細(xì)胞向膠原內(nèi)部進(jìn)行三維遷移的情況，見(jiàn)圖6中子圖F。

步驟4，數(shù)據(jù)處理：

共聚焦顯微鏡照片記錄細(xì)胞向膠原內(nèi)部進(jìn)行三維遷移的情況，通過(guò)分析共聚焦顯微鏡照片，便可得到三維細(xì)胞遷移的具體參數(shù)。分析的方法可以使用圖像識(shí)別軟件，識(shí)別三維細(xì)胞團(tuán)遷移后的體積，再通過(guò)對(duì)比不同時(shí)間點(diǎn)的三維遷移體積的大小差異，便可得到不同種類(lèi)或濃度趨化因子作用下的遷移結(jié)果，進(jìn)而獲得有關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)論。

此外，上述對(duì)各元件和方法的定義并不僅限于實(shí)施例中提到的各種具體結(jié)構(gòu)、形狀或方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單地更改或替換，例如：

(1)劃痕小室的形狀不局限于圓形，也可以是矩形、三角形以及其他規(guī)則或不規(guī)則圖形；

(2)劃痕小室的數(shù)量也不局限于96，也可以是384、24、12和6等其他標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格多孔板上孔的數(shù)量；

(3)在每個(gè)劃痕小室內(nèi)，底面中心的玻璃表面形成的圖案不僅限于圖2中子圖C所示的圓形，還可以是矩形、三角形和樹(shù)形等圖案；

(4)在每個(gè)劃痕小室內(nèi)，Au陣列的外側(cè)邊界不一定是圓形，也可以是矩形、橢圓形和菱形等圖形；

(5)濺射金層下面的打底層金屬不局限于鉻，還可以用鈦和鎳等金屬作為打底層，以增強(qiáng)金層和基底之間的粘附性。

(6)用于修飾自組裝硫醇分子層的金屬不局限于A(yíng)u，也可以是銀等其他金屬；

(7)修飾硫醇之前，芯片的表面清洗方法不局限于等離子機(jī)清洗，也可以用″食人魚(yú)″洗液(Piranha solution)或反應(yīng)離子刻蝕(Reactive ion etching)等清洗方法清洗；

(8)澆注PDMS用的陽(yáng)模，不只有3D打印一種方法，所使用的材料也不局限于PLA，任何能形成柱狀陣列的方法和材料都可以用來(lái)制作PDMS陽(yáng)模；

(9)硫醇分子中抑制細(xì)胞和蛋白吸附的聚乙二醇長(zhǎng)鏈并不局限于某一種化學(xué)分子式，包括[-CH₂CH₂O-]₄OH、[-CH₂CH₂O-]₆OH、[-CH₂CH₂O-]₄CH₃、[-CH₂CH₂O-]₆CH₃以及其他類(lèi)似的化學(xué)式；

(10)用于增強(qiáng)細(xì)胞貼壁效果的細(xì)胞外基質(zhì)不局限于纖連蛋白，也可以是多聚賴(lài)氨酸(Poly-L-Lysine)等其他細(xì)胞外基質(zhì)；

(11)用于構(gòu)建細(xì)胞三維遷移環(huán)境的試劑不局限于膠原，也可以是海藻酸鈉和水凝膠等其他試劑；

(12)本發(fā)明中提到的方向用語(yǔ)，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”和“右”等，僅僅表示參考方向，并非用于限制本發(fā)明。

至此，已經(jīng)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述。依據(jù)以上描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)對(duì)本發(fā)明一種三維細(xì)胞劃痕芯片及其制備方法與應(yīng)用有了清楚的認(rèn)識(shí)。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。