本發(fā)明涉及電子部件清洗劑技術領域，特別涉及一種用于電子部件的環(huán)保型清洗劑及其制備方法。

背景技術：

電子產品越來越精密，間距越來越小，因此對電子產品的清潔度提出了較高的要求。由于電子組裝焊接后，助焊劑中的松香以及各種污染物殘留在線路板上，這些殘留物質會逐漸腐蝕焊點，特別是在高溫高濕環(huán)境下更容易造成腐蝕和漏電，從而影響電子產品的穩(wěn)定性。

為了有效清洗助焊劑的殘留物，早期采用鹵代烴來清洗焊接以后的助焊劑殘留物，但鹵代烴清洗劑有毒害作用，而且對環(huán)境危害比較大，為了獲得環(huán)保型無害的清洗劑，公告號為CN102851151A中國發(fā)明專利公開了一種電子工業(yè)用環(huán)保型清洗劑，由以下重量百分比的組分組成：2-甲基戊烷45-70％；無水乙醇15-25％；異丙醇5-10％；醚類溶劑10-20％，該電子工業(yè)用環(huán)保型清洗劑中的主要溶劑為2-甲基戊烷，2-甲基戊烷的對人體的毒害性為正己烷的二十分之一，而且對助焊劑中的松香有特別好的溶解力，而其中的醚類溶劑對助焊劑中的有機酸等極性物質有很好溶解力，無水乙醇有較好的去除油污作用；該電子工業(yè)用環(huán)保型清洗劑不含有正己烷和三氯乙烯等鹵代烴，不會引起對臭氧層破壞的環(huán)境影響；而且本發(fā)明的電子工業(yè)用環(huán)保型清洗劑對人體基本無毒害作用。另外，公開號CN104140901A的中國發(fā)明專利公開了一種清洗劑，包括物質組成的重量百分比為：三氯乙烯55-80％、醋酸丁酯2-8％、異丙醇15-30％、二丙二醇乙醚1-10％；申請人宣稱該清洗劑的配方均采用無異味無毒性成分，能夠持久分解脫落助焊劑殘留、松香殘留，去除溶解油污殘留，有效消除泡沫，具有防腐蝕效果，清洗效果顯著，經(jīng)久耐用；上述該專利申請明顯有問題，三氯乙烯是鹵代烴，是危害環(huán)境的有毒成分。

但是，現(xiàn)有的去除助焊劑的清洗劑均是有機溶劑、松香樹脂及其衍生物，均會對環(huán)境造成一定傷害，因此，需要進一步獲得環(huán)境無害型的用助焊劑殘留物的清洗劑。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種用于電子部件的環(huán)保型清洗劑，可去除電子部件、電子線路板以及其他電子元件上殘留的松香和助焊劑，且對人體和環(huán)境無害。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案如下：

一種用于電子部件的環(huán)保型清洗劑，其配方組成包括：去離子水、丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸納；各組分比重為：丙二醇甲醚20-30％，丙二醇丁基醚8-12％，偏硅酸鈉3.0-8.0％，其余為去離子水。

進一步的，所述去離子水為堿性納米去離子水。

進一步的，本發(fā)明的一個優(yōu)選技術方案如下：

一種用于電子部件的環(huán)保型清洗劑，其配方組成包括：納米堿性去離子水、丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸納；各組分比重為：

本發(fā)明提供的一種用于電子部件的環(huán)保型清洗劑，采用如下制備方法獲得：

一種用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的制備方法，包括：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚20-30％，丙二醇丁基醚8-12％，偏硅酸鈉3.0-8.0％，其余為去離子水。

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚、偏硅酸鈉添加到去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

進一步的，所述去離子水為堿性納米去離子水。

進一步的，所述步驟S1中，利用電極電解工藝生成的堿性去離子水，所述堿性去離子水通過高壓逐步分裂獲得堿性納米去離子水。

進一步的，所述用于電子部件的環(huán)保型清洗劑在使用過程中采用去離子水稀釋使用，本發(fā)明的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑和去離子水之間比例為1：1到1：20之間。

采用上述技術方案，由于本發(fā)明的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑為水基成份，所用原料均為相互兼容性良好的環(huán)境友好型表面活性劑，毋須添加任何酸堿或含磷助劑，溶液的pH接近7，不產生二次污染，故使用安全可靠。使得本發(fā)明的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑是環(huán)保，無毒，不會危害到人體健康；對人體皮膚無傷害腐蝕。

具體實施方式

下面對本發(fā)明的具體實施方式作進一步說明。在此需要說明的是，對于這些實施方式的說明用于幫助理解本發(fā)明，但并不構成對本發(fā)明的限定。此外，下面所描述的本發(fā)明各個實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。

實施例1

參見表1，該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的組成成分及質量百分比為：丙二醇甲醚20％，丙二醇丁基醚8％，偏硅酸鈉3.0％，其余為去離子水。

該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑制備過程如下：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚20％，丙二醇丁基醚8％，偏硅酸鈉3.0％以及余量為去離子水；

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸鈉加入到去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

實施例2

參見表1，該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的組成成分及質量百分比為：丙二醇甲醚30％，丙二醇丁基醚12％，偏硅酸鈉8.0％，其余為去離子水。

該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑制備過程如下：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚30％，丙二醇丁基醚12％，偏硅酸鈉8.0％以及余量為去離子水；

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸鈉加入到去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

實施例3

參見表1，該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的組成成分及質量百分比為：丙二醇甲醚25％，丙二醇丁基醚10％，偏硅酸鈉5.0％，其余為去離子水。

該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑制備過程如下：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚25％，丙二醇丁基醚10％，偏硅酸鈉8.0％以及余量為去離子水；

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸鈉加入到去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

實施例4

參見表1，該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的組成成分及質量百分比為：丙二醇甲醚20％，丙二醇丁基醚8％，偏硅酸鈉3.0％，其余為堿性納米去離子水。

該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑制備過程如下：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚20％，丙二醇丁基醚8％，偏硅酸鈉3.0％以及余量為堿性納米去離子水；

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸鈉加入到堿性納米去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

實施例5

參見表1，該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的組成成分及質量百分比為：丙二醇甲醚30％，丙二醇丁基醚12％，偏硅酸鈉8.0％，其余為堿性納米去離子水。

該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑制備過程如下：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚30％，丙二醇丁基醚12％，偏硅酸鈉8.0％以及余量為堿性納米去離子水；

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸鈉加入到堿性納米去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

實施例6

參見表1，該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑的組成成分及質量百分比為：丙二醇甲醚25％，丙二醇丁基醚10％，偏硅酸鈉5.0％，其余為堿性納米去離子水。

該用于電子部件的環(huán)保型清洗劑制備過程如下：

S1、制備配方組分：包括丙二醇甲醚25％，丙二醇丁基醚10％，偏硅酸鈉8.0％以及余量為堿性納米去離子水；

S2、將丙二醇甲醚、丙二醇丁基醚以及偏硅酸鈉加入到堿性納米去離子水中，攪拌均勻獲得清洗劑。

將上述實施例1-6獲得的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑，進行油污去污力試驗，在室溫條件下，分別對清洗劑進行1:1稀釋后，對試樣油污清洗5min，得到的試驗結果如表1所示：

表1實施例配方中各組分的質量百分比及其去污力數(shù)據(jù)

試驗表明，本發(fā)明的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑具有良好的去油污能力，而且在添加堿性去離子水之后，去油污效果更加顯著。

另外，對本發(fā)明的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑進行成分檢測，檢測結果如下表2所示：

表2用于電子部件的環(huán)保型清洗劑成分檢測表

上述檢測結果表明，本發(fā)明的用于電子部件的環(huán)保型清洗劑不包含對環(huán)境以及人體有害成分，是一種環(huán)境友好型的清洗劑。

以上對本發(fā)明的實施方式作了詳細說明，但本發(fā)明不限于所描述的實施方式。對于本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明原理和精神的情況下，對這些實施方式進行多種變化、修改、替換和變型，仍落入本發(fā)明的保護范圍內。