本發(fā)明屬于電纜線材料領域，涉及一種半導電屏蔽材料，具體涉及一種抗水樹半導電屏蔽材料及其制備方法。

背景技術：

目前，一般電纜的結構包括導體、絕緣層和護套層，導體包裹于絕緣層內絕緣層包裹于護套層內。絕緣電力電纜在地下運行，隨著時間的推移，外界水份會逐漸滲透到電纜的絕緣層中滋生成水樹，水樹在電場的作用下，隨著時間而不斷生長，最終導致絕緣的擊穿，從而過早的結束了電纜的使用壽命。交聯電纜的水樹危害已被電纜用戶所認識，抗水樹電力電纜將成為電纜行業(yè)發(fā)展的必然趨勢，而現有的電纜不能很好地解決上述問題。

技術實現要素：

本發(fā)明目的是為了克服現有技術的不足而提供一種抗水樹半導電屏蔽材料。

為達到上述目的，本發(fā)明所采用的技術方案為：一種抗水樹半導電屏蔽材料，它的原料配方包括以下重量份數的組分：

優(yōu)化地，所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中醋酸乙烯酯的含量為15～40％。

優(yōu)化地，所述乙烯-丙烯酸丁酯共聚物中丙烯酸丁酯的含量為17～30％。

優(yōu)化地，所述水樹抑制劑為丙烯酸共聚物、乙烯醇、硅橡膠和蒙脫土中的一種或幾種組成的混合物。

優(yōu)化地，所述抗氧劑為抗氧劑300、抗氧劑1010、抗氧劑264和抗氧劑4010中的一種或幾種組成的混合物。

優(yōu)化地，所述潤滑劑為硬脂酸鹽類和聚乙烯蠟中的一種或兩種組成的混合物。

本發(fā)明的又一目的在于提供一種上述抗水樹半導電屏蔽材料的制備方法，它包括以下步驟：

(a)將除交聯劑的其它原料按配方量通過自動計量裝置加入往復式單螺桿中混煉，擠出造粒，得預混料；

(b)將所述預混料與配方量的所述交聯劑在高速混料機中混合即可。

優(yōu)化地，步驟(b)中，所述高速混料機的混合溫度為50～70℃，混合時間為5～15分鐘。

由于上述技術方案運用，本發(fā)明與現有技術相比具有下列優(yōu)點：本發(fā)明抗水樹半導電屏蔽材料，通過采用含有乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物和水樹抑制劑等組分的原料配方，能夠調整半導電屏蔽材料的極性及熔融指數，達到抗水樹效果；而且在制備時絕大部分原料直接加入往復式單螺桿中混煉，而不用預先混合造粒，簡化了生產工藝，制備方法更簡單。

具體實施方式

本發(fā)明抗水樹半導電屏蔽材料，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物40～100份、水樹抑制劑0.1～5份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物5～20份、導電炭黑40～80份、抗氧劑0.1～1.5份、潤滑劑0.5～10份、分散劑1～10份、交聯劑0.5～2.5份。通過采用含有乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物和水樹抑制劑等組分的原料配方，能夠調整半導電屏蔽材料的極性及熔融指數，達到抗水樹效果。

所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物優(yōu)選其中醋酸乙烯酯的含量為15～40％的那些，如EVA260、EC28005或V5110J等。同樣的，所述乙烯-丙烯酸丁酯共聚物優(yōu)選其中丙烯酸丁酯的含量為17～30％的那些，如PA-1925、FT3030或PA-20020等。所述水樹抑制劑優(yōu)選為丙烯酸共聚物、乙烯醇、硅橡膠和蒙脫土中的一種或幾種組成的混合物。所述抗氧劑選擇常規(guī)的那些，如抗氧劑300、抗氧劑1010、抗氧劑264和抗氧劑4010中的一種或幾種組成的混合物；所述潤滑劑選擇常規(guī)的那些，如硬脂酸鹽類和聚乙烯蠟中的一種或幾種組成的混合物；所述分散劑選擇常規(guī)的那些，如聚酯蠟等；所述交聯劑選擇常規(guī)的那些，如過氧化二異丙苯(DCP)等；導電炭黑選擇常規(guī)的那些，如HIBLACK 420B、VXC68、YD-210C、VXC200或YC-950。

下面對本發(fā)明優(yōu)選實施方案進行詳細說明。

實施例1

本實施例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA，EVA260)95份、水樹抑制劑1.5份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA，PA-1925)5份、導電炭黑(HIBLACK 420B)55份、抗氧劑(抗氧劑300)0.5份、潤滑劑(聚乙烯蠟)5份、分散劑(聚酯蠟)2份、交聯劑(DCP)1.5份；

上述抗水樹半導電屏蔽材料的制備方法，包括以下步驟：

(a)將除交聯劑的其它原料按配方量通過自動計量裝置，自動下料進入往復式單螺桿中混煉，擠出造粒，得預混料；

(b)將所述預混料與配方量的所述交聯劑在高速混料機中混合即可；混合溫度為60℃，混合時間為5～15分鐘。

實施例2

本實施例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA，EVA260)90份、水樹抑制劑1份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA，PA-1925)10份、導電炭黑(HIBLACK 420B)55份、抗氧劑(抗氧劑300)0.5份、潤滑劑(聚乙烯蠟)5份、分散劑(聚酯蠟)2份、交聯劑(DCP)1.5份；

實施例3

本實施例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA，EVA260)85份、水樹抑制劑0.7份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA，PA-1925)15份、導電炭黑(HIBLACK420B)55份、抗氧劑(抗氧劑300)0.5份、潤滑劑(聚乙烯蠟)5份、分散劑(聚酯蠟)2份、交聯劑(DCP)1.5份；

實施例4

本實施例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA，EVA260)80份、水樹抑制劑0.5份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA，PA-1925)20份、導電炭黑(HIBLACK420B)55份、抗氧劑(抗氧劑300)0.5份、潤滑劑(聚乙烯蠟)5份、分散劑(聚酯蠟)2份、交聯劑(DCP)1.5份；

實施例5

本實施例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA，EVA260)100份、水樹抑制劑0.1份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA，PA-1925)5份、導電炭黑(HIBLACK 420B)40份、抗氧劑(抗氧劑300)0.1份、潤滑劑(聚乙烯蠟)0.5份、分散劑(聚酯蠟)1份、交聯劑(DCP)0.5份；

實施例6

本實施例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA，EVA260)40份、水樹抑制劑5份、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA，PA-1925)20份、導電炭黑(HIBLACK 420B)80份、抗氧劑(抗氧劑300)1.5份、潤滑劑(聚乙烯蠟)10份、分散劑(聚酯蠟)10份、交聯劑(DCP)2.5份；

對比例1

本例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：EVA90份，EBA10份，導電炭黑55份，抗氧劑0.5份，潤滑劑5份，分散劑2份，交聯劑1.5份。

對比例2

本例提供一種抗水樹半導電屏蔽材料，其制備方法與實施例1中的一致，不同的是，它的原料配方包括以下重量份數的組分：EVA100份、水樹抑制劑1份、導電炭黑55份、抗氧劑0.5份、潤滑劑5份、分散劑2份、交聯劑1.5份。

對上述的實施例1-6和對比例1-3所得的抗水樹半導電屏蔽材料進行性能測試，其結果見表1。

表1實施例1-6和對比例1-2中抗水樹半導電屏蔽材料的性能數據

上述實施例只為說明本發(fā)明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發(fā)明的內容并據以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據本發(fā)明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。