1.直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：
1）擴(kuò)展青霉培養(yǎng)和孢子收集
在固體瓊脂培養(yǎng)基表面接種擴(kuò)展青霉，培養(yǎng)至培養(yǎng)基表面長滿擴(kuò)展青霉孢子，洗下培養(yǎng)基表面的擴(kuò)展青霉孢子，吸出孢子懸液并過濾去除菌絲，收集含有孢子的濾液，將濾液離心，收集沉淀的休眠孢子；
2）擴(kuò)展青霉孢子預(yù)處理
用電擊緩沖液重懸孢子，離心并收集孢子沉淀，重復(fù)上述重懸和離心步驟3-4次后，將最后收集的孢子沉淀重懸于電擊緩沖液中，得到孢子濃度為104-1011個(gè)/ml的擴(kuò)展青霉孢子懸液；
所述電擊緩沖液由終濃度為0.01-100mmol/L的4-羥乙基哌嗪乙磺酸和終濃度為0.5-5000mmol/L的甘露醇組成，電擊緩沖液的pH為3.0-9.5；
3）使用HDEN法電擊擴(kuò)展青霉孢子
在細(xì)胞培養(yǎng)板的孔中加入上述步驟得到的擴(kuò)展青霉孢子懸液以及待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒，混勻，得到孢子與質(zhì)?；旌衔?，將細(xì)胞培養(yǎng)板置于冰上冰浴10-15min，然后采用Etta Biotech X-Porator H1電轉(zhuǎn)儀進(jìn)行HDEN法電擊，將帶有矩陣式電極的電擊頭插入孢子與質(zhì)?；旌衔飪?nèi)部，通電，使得孢子與質(zhì)?；旌衔飪?nèi)部產(chǎn)生電場，電擊之后再將細(xì)胞培養(yǎng)板置于冰上冰浴10-15min，然后將孢子和質(zhì)?；旌衔镂觯玫綄?dǎo)入外源DNA的休眠的擴(kuò)展青霉孢子；
所述擴(kuò)展青霉懸液與待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒的比例為：6-600000μl的擴(kuò)展青霉孢子懸液：0.1-10000μg的待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒；
所述電擊參數(shù)如下：電壓1-6000V，脈寬2-2000000ms，重復(fù)1-100次，每次間隔5-50000ms。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟1）的培養(yǎng)基為PDA培養(yǎng)基、YPD培養(yǎng)基或察氏培養(yǎng)基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟1，）擴(kuò)展青霉的培養(yǎng)條件為：溫度16-40℃，濕度15-85%，培養(yǎng)3-15日。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟1），擴(kuò)展青霉的培養(yǎng)條件為：溫度25℃，濕度50-60%，培養(yǎng)4日。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟2），電擊緩沖液由終濃度為1mmol/L的4-羥乙基哌嗪乙磺酸和終濃度為50mmol/L的甘露醇組成，電擊緩沖液的pH為7.0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟2）的擴(kuò)展青霉孢子懸液在電擊前，于顯微鏡下觀察，確認(rèn)孢子懸液中無菌絲體混雜污染并且孢子均未萌發(fā)，然后再進(jìn)行電擊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟3），待轉(zhuǎn)化質(zhì)粒為重組質(zhì)粒AnEp8-hygro，所述重組質(zhì)粒AnEp8-hygro由潮霉素B抗性基因和AnEp8質(zhì)粒構(gòu)建而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟3），擴(kuò)展青霉懸液與重組質(zhì)粒AnEp8-hygro的比例為：60μl的擴(kuò)展青霉孢子懸液：1μg的重組質(zhì)粒 AnEp8-hygro。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于： 所述步驟3），電擊參數(shù)如下：電壓400V，脈寬1500ms，重復(fù)4次，每次間隔600ms。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接對擴(kuò)展青霉休眠孢子轉(zhuǎn)化外源脫氧核糖核酸的方法，其特征在于：所述步驟3），還包括如下處理：將孢子和質(zhì)粒混合物吸出，涂布在含有終濃度為600μg/ml的潮霉素B的YPD固體瓊脂培養(yǎng)基平板上，于溫度16-40℃，濕度15-85%下培養(yǎng)，直至形成單菌落，并進(jìn)行菌落計(jì)數(shù)。