本發(fā)明屬于納米復(fù)合材料復(fù)合薄膜的制備技術(shù)及特殊性能領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜的制備方法。

背景技術(shù)：

各向異性導(dǎo)電高分子薄膜由于其不同方向的導(dǎo)電差異而成為很多電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。目前大多數(shù)工作均是制備Z軸導(dǎo)電而XY軸不導(dǎo)電的導(dǎo)電薄膜或?qū)щ娔z，且其導(dǎo)電率也較低。

盡管導(dǎo)電高分子薄膜具有輕薄、耐彎曲等優(yōu)異性能，但有些導(dǎo)電高分子薄膜在酸中浸泡即出現(xiàn)破碎的現(xiàn)象。而耐酸腐蝕性的導(dǎo)電高分子薄膜目前并未報(bào)道。因此，如何通過簡(jiǎn)單易行的方法，將導(dǎo)電高分子薄膜控制在耐酸區(qū)域中使其導(dǎo)電、力學(xué)等性能不受所處酸性區(qū)域的影響亟待解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜的制備方法，該方法所得高分子復(fù)合薄膜具有各向異性導(dǎo)電性質(zhì)及耐酸腐蝕的性質(zhì)。此種制備方法簡(jiǎn)單易行，且結(jié)果重復(fù)性好易于控制。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

1)將納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管按照質(zhì)量百分比為0.5％-15％均勻加入到聚苯胺-N甲基吡咯烷酮(簡(jiǎn)稱NMP)溶液，攪拌均勻得到碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺溶液；

2)將碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺溶液加入到聚氨酯溶液中，攪拌均勻得到碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺-聚氨酯溶液；

3)將碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺溶液或碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺-聚氨酯溶液滴至玻璃片上流延成薄膜，并將制得的薄膜置于磁場(chǎng)中進(jìn)行磁取向，經(jīng)高溫干燥，制備出各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜。

優(yōu)選地，所述質(zhì)量百分比為0-3％。

優(yōu)選地，所述質(zhì)量百分比為0.75％、1％、5％、10％、15％。

本發(fā)明中所述各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜，磁取向(可以是平面中X軸或Y軸)方向的導(dǎo)電率大于垂直于磁取向(垂直于磁取向，即相當(dāng)于，如果磁取向是X軸，則垂直于磁取向?yàn)閅軸，相反地，如果磁取向是Y軸，則垂直于磁取向?yàn)閄軸)方向的導(dǎo)電率。

本發(fā)明中，所述各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜中，采用碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺-聚氨酯溶液制備的各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜耐受酸腐蝕時(shí)間大于1000小時(shí)。且其導(dǎo)電性能不僅不受到酸腐蝕的影響，反而隨著浸泡酸的時(shí)間增加而升高，表現(xiàn)出更加良好的導(dǎo)電性。

本發(fā)明中，所述納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管的制備方法包括如下步驟：

a)按照碳納米管：醇溶液的質(zhì)量體積比為1:20將碳納米管加入到醇溶液中，進(jìn)行攪拌，得到碳納米管的分散溶液；

b)按照鐵鹽：碳納米管的質(zhì)量比為1:1～5:1將鐵鹽加入至碳納米管的分散溶液中，并進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲，得到含有鐵鹽和碳納米管的混合液；

c)按照6mol/L堿溶液：醇溶液的體積比為1～4：10將堿溶液分散至醇溶液中，攪拌均勻得到堿醇溶液；

d)將堿醇溶液加入含有鐵鹽和碳納米管的混合液中，再進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲，所得溶液移至反應(yīng)釜中，在180℃～240℃下反應(yīng)2～4個(gè)小時(shí)；

e)反應(yīng)結(jié)束并降至室溫后，在釹鐵硼磁鐵作用下過濾，用乙醇和蒸餾水在離心作用下洗滌至中性，經(jīng)真空干燥得到納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管粉末。

優(yōu)選地，所述的碳納米管是羧基化的多壁碳納米管，其內(nèi)徑尺寸為30-50nm，長(zhǎng)度為10-20μm。

優(yōu)選地，所述醇溶液為三甘醇、乙二醇或二甘醇。

優(yōu)選地，所述鐵鹽是乙酰丙酮鐵、乙酰丙酮亞鐵、硫酸亞鐵中的任意一種。

優(yōu)選地，所述堿溶液是氫氧化鈉溶液或氨水。

優(yōu)選地，所述納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管粉末上所包覆的納米四氧化三鐵磁性粒子的粒徑為4-14nm，包覆均勻。

優(yōu)選地，鐵鹽：碳納米管的質(zhì)量比為4:1。

本發(fā)明所述的各向異性是指導(dǎo)電方向X軸與Y軸導(dǎo)電性能出現(xiàn)區(qū)別化，且差值較大。

本發(fā)明所制得的導(dǎo)電高分子薄膜可以耐受不同酸(包括鹽酸、硫酸、磷酸等)的腐蝕。

當(dāng)采用碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺溶液制得的薄膜置于磁場(chǎng)中，經(jīng)高溫干燥，制備得出的各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜可以耐酸浸泡10分鐘以上。

當(dāng)采用碳納米管/四氧化三鐵-聚苯胺-聚氨酯溶液制得的薄膜置于磁場(chǎng)中，經(jīng)高溫干燥，制備得出的各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜可以耐酸浸泡1000h以上。且其導(dǎo)電性能不受影響。

本發(fā)明的導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜具有各向異性的導(dǎo)電和耐酸腐蝕性兩個(gè)優(yōu)異性能。

本發(fā)明制備出XY軸導(dǎo)電，且導(dǎo)電存在明顯差異的導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜。同時(shí)，此種薄膜的導(dǎo)電率較高，遠(yuǎn)高于一般的導(dǎo)電薄膜。運(yùn)用對(duì)碳納米管的修飾，將磁性顆粒包覆于其表面，使其在擁有優(yōu)異導(dǎo)電性能的同時(shí)產(chǎn)生磁性能。由此可以通過磁場(chǎng)的作用來實(shí)現(xiàn)碳納米管的取向。此種制備各向異性導(dǎo)電高分子薄膜的方法簡(jiǎn)單易行，且對(duì)設(shè)備無較高要求，操作方便，耗時(shí)較短。

本發(fā)明首先以碳納米管、鐵鹽、醇為反應(yīng)原料，氫氧化鈉或氨水提供堿性環(huán)境，采用多元醇法制得四氧化三鐵包覆的碳納米管。然后以苯胺、過硫酸銨、鹽酸為原料，通過冰浴使苯胺聚合制備得到聚苯胺高分子；并將聚苯胺洗滌后加入至N-甲基吡咯烷酮中制備得到聚苯胺溶液。最后將四氧化三鐵包覆的碳納米管加入聚苯胺溶液中，通過外加磁場(chǎng)控制在紅外燈高溫照射下干燥制備得到各向異性的導(dǎo)電高分子薄膜F1。同時(shí)，為了拓展其應(yīng)用范圍，將四氧化三鐵包覆碳納米管的聚苯胺混合液加入至聚氨酯溶液中，高溫干燥制備得到耐酸腐蝕性的導(dǎo)電高分子薄膜F2。該方法所得到的兩種薄膜均具有較好導(dǎo)電性，薄膜F2同時(shí)具有耐酸腐蝕性，且其導(dǎo)電性能隨著浸泡酸的時(shí)間增加而升高。相比于F2，F(xiàn)1表現(xiàn)出更優(yōu)異的導(dǎo)電性，但是隨著浸泡酸的時(shí)間增長(zhǎng)，F(xiàn)2表現(xiàn)出更穩(wěn)定的耐酸腐蝕性。對(duì)于使用環(huán)境有要求的特殊場(chǎng)合(如各向異性導(dǎo)電、耐酸腐蝕)，該兩種薄膜具有應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1中所采用的納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管的掃描電子顯微鏡圖；

圖2為實(shí)施例1中所采用的納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管的磁滯回線；

圖3為實(shí)施例1中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(15wt％)/聚苯胺導(dǎo)電高分子薄膜F1取向前與取向后(0.05T)兩個(gè)方向的導(dǎo)電率測(cè)試圖；

圖4為實(shí)施例1中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(15wt％)/聚苯胺導(dǎo)電高分子薄膜F1取向前與取向后(0.05T)掃描電子顯微鏡圖對(duì)比；

圖5為實(shí)施例1中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(15wt％)/聚苯胺導(dǎo)電高分子薄膜F1取向后(0.05T)掃描探針顯微鏡圖片；

圖6為實(shí)施例1中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(15wt％)/聚苯胺導(dǎo)電高分子薄膜F1電磁屏蔽性能曲線；

圖7a為實(shí)施例2中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(1wt％,5wt％,10wt％,15wt％)/聚苯胺導(dǎo)電高分子薄膜F1取向前與取向后(0.05T)兩個(gè)方向的導(dǎo)電率測(cè)試圖；

圖7b為實(shí)施例2中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(5wt％,10wt％,15wt％)/聚苯胺導(dǎo)電高分子薄膜F1取向后(0.05T)的光學(xué)顯微鏡圖片；

圖8為實(shí)施例3中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(0wt％，0.75wt％)/聚苯胺導(dǎo)/聚氨酯導(dǎo)電高分子薄膜F2浸泡時(shí)間與方阻的曲線圖(插圖為含有聚氨酯與未含聚氨酯的導(dǎo)電高分子薄膜在酸中浸泡一小時(shí)的圖片，前者完好無損，后者已完全破碎)；

圖9為實(shí)施例4中所得納米Fe₃O₄磁性粒子包覆的碳納米管(0.75wt％)/聚苯胺導(dǎo)/聚氨酯導(dǎo)電高分子薄膜F2取向后(0.4T)兩個(gè)方向的導(dǎo)電率測(cè)試圖；圖中插圖為浸泡8小時(shí)以后的放大圖。

具體實(shí)施方式

下面以附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例1

1)將20mL三甘醇置于干燥潔凈的100mL燒杯中，加入1g多壁碳納米管(內(nèi)徑尺寸為30-50nm，長(zhǎng)度為10-20μm)，進(jìn)行攪拌，得到碳納米管的分散溶液；

2)取0.1g乙酰丙酮鐵，加入上述的分散溶液中，并進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min，得到含有鐵鹽和碳納米管的混合液；

3)將氫氧化鈉配置成6mol/L的水溶液；

4)取另一干燥潔凈的50mL燒杯，加入10mL三甘醇，加入上述氫氧化鈉溶液1mL，攪拌均勻得到堿醇溶液；

5)將堿醇溶液加入至含有鐵鹽和碳納米管的混合液中，再進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min；

6)將步驟5)中所得的溶液移至反應(yīng)釜中，放入烘箱中，在180℃下反應(yīng)4個(gè)小時(shí)；

7)待步驟6)中的反應(yīng)結(jié)束并降至室溫后，在釹鐵硼磁鐵作用下過濾，用乙醇和蒸餾水洗滌在離心作用下反復(fù)洗滌至PH值為6～8，經(jīng)真空干燥得到納米四氧化三鐵磁性粒子均勻包覆的碳納米管粉末。其中，所述Fe₃O₄納米磁性粒子包覆的碳納米管中Fe₃O₄納米磁性粒子的粒徑為4-14nm。

8)將上述制備出的納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管加入到聚苯胺-N甲基吡咯烷酮(簡(jiǎn)稱NMP)溶液中(納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管的質(zhì)量百分比為15％)，將兩塊磁鐵置于薄膜兩側(cè)(圖3中插圖示意)，經(jīng)紅外燈高溫照射干燥，制備出各向異性導(dǎo)電的聚苯胺復(fù)合薄膜F1；

9)作為對(duì)比，同時(shí)制備了沒有磁鐵作用下的同樣質(zhì)量百分比的導(dǎo)電聚苯胺復(fù)合薄膜F0；

10)將上述干燥完成后的薄膜F1及對(duì)比樣品F0放入至1M鹽酸中浸泡1分鐘，取出晾干，用四探針測(cè)試法測(cè)試其導(dǎo)電性能；

對(duì)本實(shí)施例所得納米四氧化三鐵磁性粒子均勻包覆的碳納米管粉末進(jìn)行掃描電鏡、磁性能測(cè)試分析，結(jié)果如圖1、圖2所示，從圖1可以看出，四氧化三鐵在碳納米管表面包覆十分均勻，沒有團(tuán)聚或多余雜質(zhì)；從圖2可以看出該包覆具有較強(qiáng)的磁性，其飽和磁強(qiáng)可達(dá)29.076emu/g。

對(duì)本實(shí)施例所得導(dǎo)電高分子薄膜F1與對(duì)比樣品F0進(jìn)行導(dǎo)電性能測(cè)測(cè)試計(jì)算和分析，結(jié)果如圖3所示，從圖3可以看出，經(jīng)過磁鐵取向后，平行方向和垂直方向的導(dǎo)電出現(xiàn)明顯差異及各向異性。經(jīng)過取向后，平行方向的導(dǎo)電率可達(dá)25.19S/cm，而垂直方向僅為0.9S/cm。取向之前的導(dǎo)電率平行方向與垂直方向分別是18.02S/cm與12.28S/cm。

同時(shí)，對(duì)取向前后的薄膜F1與F0進(jìn)行了掃描電子顯微鏡分析如圖4，可以看出經(jīng)過取向的薄膜其表面有明顯的碳納米管規(guī)則排列，即取向現(xiàn)象；同時(shí)，還針對(duì)取向后的薄膜F1進(jìn)行了掃描探針顯微鏡分析，可以看出薄膜表面的磁性分布，如圖5，可以看到明顯的條狀分布帶(黑色區(qū)域?yàn)橛写艌?chǎng)應(yīng)的區(qū)域，顏色越深，代表信號(hào)越強(qiáng))。

同時(shí)，還針對(duì)薄膜F1測(cè)試了其電磁屏蔽與吸收性能，如圖6?？梢钥闯銎湮蘸糜诜瓷?，這將有利于減少電磁輻射的污染。而與文獻(xiàn)中(Hekmatara H,Seifi M,Forooraghi K.Microwave absorption property of aligned MWCNT/Fe3O4.J Magn Magn Mater 2013；346(0):186-91.)的數(shù)據(jù)對(duì)比，此次薄膜吸收穩(wěn)定頻段較寬，且數(shù)值相對(duì)較高。表現(xiàn)出良好的電磁屏蔽及吸波性能。

實(shí)施例2

1)將20mL三甘醇置于干燥潔凈的100mL燒杯中，加入1g多壁碳納米管(內(nèi)徑尺寸為30-50nm，長(zhǎng)度為10-20μm)，進(jìn)行攪拌，得到碳納米管的分散溶液；

2)取0.5g乙酰丙酮亞鐵，加入上述的分散溶液中，并進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min，得到含有鐵鹽和碳納米管的混合液；

3)將氫氧化鈉配置成6mol/L的水溶液；

4)取另一干燥潔凈的50mL燒杯，加入10mL乙二醇，加入上述氫氧化鈉溶液4mL，攪拌均勻得到堿醇溶液；

5)將堿醇溶液加入至含有鐵鹽和碳納米管的混合液中，再進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min；

6)將步驟5)中所得的溶液移至反應(yīng)釜中，放入烘箱中，在240℃下反應(yīng)2個(gè)小時(shí)；

7)待步驟6)中的反應(yīng)結(jié)束并降至室溫后，在釹鐵硼磁鐵作用下過濾，用乙醇和蒸餾水洗滌在離心作用下反復(fù)洗滌至PH值為6～8，經(jīng)真空干燥得到納米四氧化三鐵磁性粒子均勻包覆的碳納米管粉末。其中，所述Fe₃O₄納米磁性粒子包覆的碳納米管中Fe₃O₄納米磁性粒子的粒徑為4-14nm。

8)將上述制備出的納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管加入到聚苯胺-N甲基吡咯烷酮(簡(jiǎn)稱NMP)溶液中(納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管的質(zhì)量百分比分別為1％、5％、10％、15％)，將兩塊磁鐵置于薄膜兩側(cè)(圖3中插圖示意)，經(jīng)紅外燈高溫照射，制備出各向異性導(dǎo)電的聚苯胺復(fù)合薄膜F1；

9)作為對(duì)比，同時(shí)制備了一系列沒有磁鐵作用下的同樣質(zhì)量百分比的導(dǎo)電聚苯胺復(fù)合薄膜F0；

10)將上述干燥完成后的薄膜F1及對(duì)比樣品F0放入至1M鹽酸中浸泡1分鐘，取出晾干，用四探針測(cè)試法測(cè)試其導(dǎo)電性能；

對(duì)本實(shí)施例所得導(dǎo)電高分子薄膜F1與對(duì)比樣品F0進(jìn)行導(dǎo)電性能測(cè)測(cè)試計(jì)算和分析，結(jié)果如圖7a所示，從圖7a可以看出，經(jīng)過磁鐵取向后，平行方向和垂直方向的導(dǎo)電出現(xiàn)明顯差異及各向異性。且隨著填料含量的增加，平行方向與垂直方向的導(dǎo)電率差異增大，出現(xiàn)更明顯的各向異性。而取向前的導(dǎo)電無明顯差異，所以只畫出一條曲線來表示。而圖7b則給出了取向后的不同填料含量的光學(xué)顯微鏡照片，從圖中可以看出沿著磁場(chǎng)方向，填料呈現(xiàn)一定規(guī)則的取向排列，取向明顯。

實(shí)施例3

1)將20mL二甘醇置于干燥潔凈的100mL燒杯中，加入1g多壁碳納米管(內(nèi)徑尺寸為30-50nm，長(zhǎng)度為10-20μm)，進(jìn)行攪拌，得到碳納米管的分散溶液；

2)取0.1g乙酰丙酮鐵，加入上述的分散溶液中，并進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min，得到含有鐵鹽和碳納米管的混合液；

3)將氫氧化鈉配置成6mol/L的水溶液；

4)取另一干燥潔凈的50mL燒杯，加入10mL二甘醇，加入上述氫氧化鈉溶液1-4mL，攪拌均勻得到堿醇溶液；

5)將堿醇溶液加入至含有鐵鹽和碳納米管的混合液中，再進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min；

6)將步驟5)中所得的溶液移至反應(yīng)釜中，放入烘箱中，在180℃下反應(yīng)4個(gè)小時(shí)；

7)待步驟6)中的反應(yīng)結(jié)束并降至室溫后，在釹鐵硼磁鐵作用下過濾，用乙醇和蒸餾水洗滌在離心作用下反復(fù)洗滌至PH值為6～8，經(jīng)真空干燥得到納米四氧化三鐵磁性粒子均勻包覆的碳納米管粉末。其中，所述Fe₃O₄納米磁性粒子包覆的碳納米管中Fe₃O₄納米磁性粒子的粒徑為4-14nm。

8)將上述制備出的納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管加入到聚苯胺-N甲基吡咯烷酮(簡(jiǎn)稱NMP)溶液中混合，然后加入至配置好的聚氨酯溶液中，通過紅外燈高溫照射干燥，制備成不同質(zhì)量百分比(0％(作為對(duì)比例)，0.75％)的納米四氧化三鐵磁性粒子包覆碳納米管/聚苯胺/聚氨酯耐酸腐蝕性導(dǎo)電高分子薄膜F2；

10)將上述所得薄膜浸泡至1M鹽酸中，控制浸泡時(shí)間，得到不同浸泡程度的復(fù)合薄膜，并分別測(cè)試導(dǎo)電性能；

對(duì)本實(shí)施例所得導(dǎo)電高分子薄膜F2導(dǎo)電性能測(cè)測(cè)試計(jì)算和分析，結(jié)果如圖8所示，從圖8可以看出，在酸中長(zhǎng)時(shí)間浸泡并沒有影響其導(dǎo)電性能，且浸泡時(shí)間對(duì)導(dǎo)電有積極的影響：浸泡時(shí)間越長(zhǎng)，表面電阻越小。分析可能原因是聚氨酯分子鏈對(duì)聚苯胺的纏結(jié)使得聚苯胺的浸泡時(shí)間變長(zhǎng)，并且浸泡時(shí)間長(zhǎng)后Fe₃O₄部分被腐蝕，使得導(dǎo)電上升；且加入納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管后的薄膜其表面電阻要比沒有加納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管的低很多。對(duì)比發(fā)現(xiàn)，沒有加聚氨酯的導(dǎo)電薄膜F1，經(jīng)過一小時(shí)酸浸泡后即已經(jīng)破碎(如圖8插圖所示)。此結(jié)果說明薄膜F2具有良好的耐酸腐蝕特性。

實(shí)施例4

1)將20mL二甘醇置于干燥潔凈的100mL燒杯中，加入1g多壁碳納米管(內(nèi)徑尺寸為30-50nm，長(zhǎng)度為10-20μm)，進(jìn)行攪拌，得到碳納米管的分散溶液；

2)取0.2-0.5g硫酸亞鐵，加入上述的分散溶液中，并進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min，得到含有鐵鹽和碳納米管的混合液；

3)將氨水配置成6mol/L的水溶液；

4)取另一干燥潔凈的50mL燒杯，加入10mL二甘醇，加入上述氨水1-4mL，攪拌均勻得到堿醇溶液；

5)將堿醇溶液加入至含有鐵鹽和碳納米管的混合液中，再進(jìn)行細(xì)胞粉碎超聲5min；

6)將步驟5)中所得的溶液移至反應(yīng)釜中，放入烘箱中，在180℃下反應(yīng)4個(gè)小時(shí)；

7)待步驟6)中的反應(yīng)結(jié)束并降至室溫后，在釹鐵硼磁鐵作用下過濾，用乙醇和蒸餾水洗滌在離心作用下反復(fù)洗滌至PH值為6～8，經(jīng)真空干燥得到納米四氧化三鐵磁性粒子均勻包覆的碳納米管粉末。其中，所述Fe₃O₄納米磁性粒子包覆的碳納米管中Fe₃O₄納米磁性粒子的粒徑為4-14nm。

8)將上述制備出的納米四氧化三鐵磁性粒子包覆的碳納米管加入到聚苯胺-N甲基吡咯烷酮(簡(jiǎn)稱NMP)溶液中混合，然后加入至配置好的聚氨酯溶液中，通過紅外燈高溫照射干燥，在外加磁場(chǎng)力的作用下，制備成質(zhì)量百分比為0.75％的各向異性導(dǎo)電聚苯胺/聚氨酯高分子薄膜；

9)將上述中所得薄膜浸泡至1M鹽酸中，控制浸泡時(shí)間，得到不同浸泡程度的復(fù)合薄膜，并分別測(cè)試導(dǎo)電性能；

對(duì)本實(shí)施例所得導(dǎo)電高分子薄膜兩個(gè)方向?qū)щ娦阅軠y(cè)測(cè)試計(jì)算和分析，結(jié)果如圖9所示，從圖9可以看出，經(jīng)過磁鐵取向后，平行方向和垂直方向的導(dǎo)電出現(xiàn)明顯差異及各向異性。且經(jīng)過酸長(zhǎng)時(shí)間浸泡該薄膜仍保持著良好的耐酸腐蝕的特性。

最后所應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制。盡管參照實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。